制造半導(dǎo)體器件的方法以及半導(dǎo)體器件的制作方法
【專利摘要】改善半導(dǎo)體器件的可靠性。一種功率器件包括：半導(dǎo)體芯片；芯片安裝部分；焊料材料，該焊料材料電連接該半導(dǎo)體芯片的背表面電極和該芯片安裝部分的上表面；多個(gè)內(nèi)引線部分和多個(gè)外引線部分，其通過導(dǎo)線與所述半導(dǎo)體芯片的電極焊盤電連接；以及密封體，用于密封所述半導(dǎo)體芯片和所述導(dǎo)線。進(jìn)一步地，在所述半導(dǎo)體芯片的背表面的周邊區(qū)域形成有凹口。凹口具有延伸到與所述背表面連接的第一表面和延伸到與所述第一表面連接的第二表面。而且，在所述凹口的第一表面和第二表面之上形成有金屬膜。
【專利說(shuō)明】制造半導(dǎo)體器件的方法以及半導(dǎo)體器件
[0001]相關(guān)串請(qǐng)的交叉引用
[0002]通過引用將2015年2月26日提交的日本專利申請(qǐng)第2015-036043號(hào)的全部公布內(nèi)容，包括說(shuō)明書、附圖和摘要，并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)以及半導(dǎo)體器件。例如，涉及應(yīng)用于其中半導(dǎo)體芯片通過諸如焊料材料之類的接合材料與芯片安裝部分連接的半導(dǎo)體器件有效的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0004]在電力系統(tǒng)半導(dǎo)體器件中，由于經(jīng)常是強(qiáng)電流施加至半導(dǎo)體芯片的背表面的情形，所以焊料材料(例如，焊膏)用作接合半導(dǎo)體芯片的接合材料(芯片接合材料)。也就是說(shuō)，半導(dǎo)體芯片通過焊料材料安裝在芯片安裝面積(芯片安裝部)的上表面之上。
[0005]在組裝半導(dǎo)體器件的過程中，首先，半導(dǎo)體晶片通過切割進(jìn)行分離以獲得多個(gè)半導(dǎo)體芯片。隨后，摘出的半導(dǎo)體芯片通過焊料材料安裝在芯片安裝面積之上。然后，將半導(dǎo)體芯片和引線使用金屬導(dǎo)線電連接、使用樹脂密封以及與引線框架隔開以完成組裝。
[0006]例如，日本未審查專利公開第1998-223572號(hào)(專利文獻(xiàn)I)和日本未審查專利公開第2009-188148號(hào)(專利文獻(xiàn)2)公開了下述技術(shù):該技術(shù)中，通過切割半導(dǎo)體晶片，由半導(dǎo)體晶片得到半導(dǎo)體芯片，使用這些半導(dǎo)體芯片制造半導(dǎo)體器件。
[0007][專利文獻(xiàn)I]日本未審查專利公開第1998-223572號(hào)
[0008][專利文獻(xiàn)2]日本未審查專利公開第2009-188148號(hào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]在上述的電力系統(tǒng)半導(dǎo)體器件的可靠性測(cè)試中，例如溫度循環(huán)測(cè)試中，由于半導(dǎo)體芯片和芯片安裝面積之間的熱膨脹系數(shù)的差別，熱收縮應(yīng)力集中在二者之間布置的焊料材料上，導(dǎo)致在芯片的周邊部分附近的焊料材料中產(chǎn)生裂縫。
[0010]當(dāng)裂縫前進(jìn)并且導(dǎo)致高阻抗?fàn)顟B(tài)時(shí)，熱阻退化，降低了半導(dǎo)體器件的可靠性。
[0011]根據(jù)本說(shuō)明書的描述和附圖，上述的和其他的目的和新穎特征將會(huì)變得清楚。
[0012]根據(jù)一種實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的方法包括下述步驟:(a)在與所述第一主表面相反的一側(cè)的第一背表面上沿著半導(dǎo)體晶片的第一主表面之上形成的切割線形成凹部；以及(b)在所述半導(dǎo)體晶片的第一背表面之上形成金屬膜以便封閉所述凹部。此外，所述制造半導(dǎo)體器件的方法包括下述步驟:(C)沿著所述切割線切割所述半導(dǎo)體晶片并且形成多個(gè)半導(dǎo)體芯片，每個(gè)半導(dǎo)體芯片的第二背表面的周邊區(qū)域具有凹口 ；以及(d)通過接合材料安裝所述半導(dǎo)體芯片。在步驟(d)中，所述半導(dǎo)體芯片通過所述接合材料進(jìn)行安裝以使所述半導(dǎo)體芯片的凹口與所述接合材料接觸。
[0013]同樣地，根據(jù)一種實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件包括:半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片具有主表面、背表面、在所述主表面之上形成的多個(gè)第一電極、以及在所述背表面之上形成的第二電極；芯片安裝部分，該芯片安裝部分具有上表面和下表面；接合材料，該接合材料將所述半導(dǎo)體芯片的第二電極與所述芯片安裝部分的上表面電連接；以及多根引線，所述多根引線分別與所述第一電極電連接。而且，在所述半導(dǎo)體芯片的背表面的周邊區(qū)域形成有凹口。所述凹口具有:第一表面，該第一表面延伸到與所述背表面連接；以及第二表面，該第二表面在所述半導(dǎo)體芯片的厚度方向上位于所述主表面和所述背表面之間并且延伸到與所述第一表面連接，并且在所述凹口的第一表面和第二表面之上形成有金屬膜。
[0014]根據(jù)上述的實(shí)施方式，可以改善半導(dǎo)體器件的可靠性。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1圖1是透過密封體觀察的平面圖，其示出了本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一種不例；
[0016]圖2是示出了沿圖1所示的線A-A截取的結(jié)構(gòu)的一種示例的截面圖；
[0017]圖3包括示出了圖1所示的焊接部的結(jié)構(gòu)的截面圖以及局部放大截面圖；
[0018]圖4是示出比較例的結(jié)構(gòu)的焊接部中裂縫形成狀態(tài)的截面圖；
[0019]圖5包括示出圖1所示的半導(dǎo)體器件中裂縫形成狀態(tài)的截面圖和局部放大截面圖；
[0020]圖6包括示出本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的組裝步驟的一種示例的平面圖、截面圖和局部放大截面圖；
[0021]圖7包括示出本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的組裝步驟的一種示例的部分平面圖和部分截面圖；
[0022]圖8包括示出圖6所示的組裝步驟的激光切割中晶片支承狀態(tài)的一種示例的平面圖和截面圖；
[0023]圖9是在部分橫截面中示出圖8所示的激光切割中晶片識(shí)別方法的一種示例的透視圖；
[0024]圖10是示出在圖6所示的組裝步驟的激光切割之后的結(jié)構(gòu)的一種示例的平面圖；
[0025]圖11是示出沿圖10中的線B-B截取的結(jié)構(gòu)的一種示例的截面圖；
[0026]圖12是示出在圖6所示的組裝步驟的金屬膜形成之后的結(jié)構(gòu)的一種示例的平面圖；
[0027]圖13是示出沿圖12所示的線C-C截取的結(jié)構(gòu)的一種示例的截面圖；
[0028]圖14是示出在圖6所示的組裝步驟的切割期間的結(jié)構(gòu)的一種示例的平面圖；
[0029]圖15是示出沿圖14所示的線D-D截取的結(jié)構(gòu)的一種示例的截面圖；
[0030]圖16是示出本發(fā)明實(shí)施方式的變形例I的半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)的截面圖；
[0031]圖17包括示出本發(fā)明實(shí)施方式的變形例2的半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)的截面圖和局部放大截面圖；
[0032]圖18是示出本實(shí)施方式的變形例4的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的截面圖；
[0033]圖19是示出待安裝在本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件之上的半導(dǎo)體芯片的主要部分的結(jié)構(gòu)的一種不例的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]在下面的實(shí)施方式中，相同或相似部件的描述原則上不再重復(fù)，除非特別要求。
[0035]在下面的實(shí)施方式中，如果為了方便需要，將分為多個(gè)部分或多個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行描述。除了特別清楚顯示的情形之外，它們不是彼此不相關(guān)的，而是具有諸如一者是另一者的部分或全部的變形、具體說(shuō)明以及補(bǔ)充說(shuō)明之類的關(guān)系。
[0036]在下面的實(shí)施方式中，當(dāng)涉及元件等的數(shù)字(包括數(shù)目、數(shù)值、總量、范圍等)時(shí)，它們可不限定為特定的數(shù)，除了它們清楚地指出以及它們理論上明顯限定為特定的數(shù)之外。
[0037]進(jìn)一步地，在下面的實(shí)施方式中，無(wú)需說(shuō)明元件(包括步驟等)不是必不可少的，除了特別指出以及從理論的角度認(rèn)為明顯不可缺少的情形除外。
[0038]類似地，在實(shí)施方式的描述中，當(dāng)措詞“由A組成的X”、“由A形成的X”、“包括A的V，以及“含有A的V，用于描述構(gòu)成要素等時(shí)，無(wú)需說(shuō)明這樣的措詞不排除除了元素“A”之外的元素，除非另外指出。類似地，在下面的實(shí)施方式中，當(dāng)涉及元件等的形狀、位置關(guān)系等時(shí)，應(yīng)包括與該形狀基本相似或類似的形狀，除了特別清楚指出以及從理論的角度認(rèn)為明顯不對(duì)的情形除外。這也適用于上述的數(shù)值和范圍。
[0039]下文中，將根據(jù)附圖具體描述本發(fā)明的實(shí)施方式。在描述實(shí)施方式的全部附圖中，類似功能的部件原則上通過相似的參考符號(hào)和數(shù)字標(biāo)記，并且省略重復(fù)描述。為了使附圖容易理解，即使在平面視圖中也可以加入陰影。
[0040](實(shí)施方式)
[0041]圖1是透過密封體觀察的平面圖，示出了本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一種示例；圖2是示出了沿圖1所示的線A-A截取的結(jié)構(gòu)的一種示例的截面圖；以及圖3包括示出了圖1所示的焊接部的結(jié)構(gòu)的截面圖以及局部放大截面圖。進(jìn)一步地，圖4是示出比較例的結(jié)構(gòu)的焊接部中裂縫形成狀態(tài)的截面圖；以及圖5包括示出圖1所示的半導(dǎo)體器件中裂縫形成狀態(tài)的截面圖和局部放大截面圖。
[0042]<半導(dǎo)體器件>
[0043]圖1至圖3所示的本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件是半導(dǎo)體封裝，在該半導(dǎo)體封裝中密封有半導(dǎo)體芯片(也稱為“芯片”)2，包括含有絕緣樹脂的密封體3，并且還包括位于密封體3的內(nèi)側(cè)和外側(cè)的多根引線I。而且，每根引線I具有覆蓋有密封體3的內(nèi)引線部分Ia和從密封體3的外側(cè)露出(突出)的外引線部分lb。各外引線部分Ib (在本例，是兩個(gè)外引線部分Ib)是用于半導(dǎo)體器件的外部連接的端子(外部端子)。
[0044]如圖1和圖2所示，根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件，外引線部分Ib從密封體3的給定側(cè)表面3a突出。進(jìn)一步地，如圖2所示，存在從密封體3的下表面3b露出的扁平的芯片安裝部分(也稱為島部、芯片安裝面積、頭部或鍵部)Ic的下表面lcb，芯片安裝部分Ic通過其上表面(芯片安裝側(cè))lca支承半導(dǎo)體芯片2。也就是說(shuō)，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件為表面安裝型半導(dǎo)體器件。
[0045]而且，引線I的各外引線部分Ib彎曲成鷗翼形狀。
[0046]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，將功率器件5作為具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件(電力系統(tǒng)設(shè)備)的一個(gè)示例進(jìn)行說(shuō)明。例如，在半導(dǎo)體芯片2中，形成具有槽柵型結(jié)構(gòu)的立式功率MISFET (金屬絕緣體半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為功率晶體管。功率MISFET的裝置結(jié)構(gòu)，如圖19所示，是在其表面內(nèi)形成槽并且柵極嵌入槽中的結(jié)構(gòu)，并且包括在半導(dǎo)體芯片2的背表面2b之上形成的漏極(D)電極、在主表面2a之上形成的源極(S)電極以及在主表面2a之上形成的柵極(G)電極，并且強(qiáng)電流施加到半導(dǎo)體芯片2的背表面2b。同樣的，盡管未示出，雙極型晶體管或IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)可充當(dāng)功率晶體管。
[0047]現(xiàn)在，參考圖1至圖3，將對(duì)功率器件5的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。功率器件5包括:芯片安裝部分lc，該芯片安裝部分具有上表面(芯片安裝表面)Ica和位于該上表面Ica的相反側(cè)的下表面Icb ;以及半導(dǎo)體芯片2，該半導(dǎo)體芯片通過作為接合材料的焊料材料6安裝在芯片安裝部分Ic的上表面lea。半導(dǎo)體芯片2包括:主表面(第二主表面)2a ;位于該主表面2a的相反側(cè)的背表面(第二背表面)2b ;以及在主表面2a之上形成的多個(gè)電極焊盤(第一電極、接合電極、接合焊盤)2c、2d。進(jìn)一步地，半導(dǎo)體芯片2安裝在芯片安裝部分Ic之上，以使背表面2b與芯片安裝部分Ic的上表面Ica相對(duì)。
[0048]此外，半導(dǎo)體芯片2的背表面2b是作為第二電極并且充當(dāng)本實(shí)施方式的功率器件5的漏極(D)電極的背表面電極2e。因此，半導(dǎo)體芯片2的背表面2b (背表面電極2e)和芯片安裝部分Ic需要通過導(dǎo)電接合材料進(jìn)行電氣和機(jī)械連接。因此，在功率器件5中，焊料材料6用作導(dǎo)電接合材料。S卩，半導(dǎo)體芯片2的背表面2b(背表面電極2e)和芯片安裝部分Ic的上表面Ica使用焊料材料6粘附并固定(機(jī)械連接)，并且還進(jìn)行電連接。
[0049]進(jìn)一步地，由于漏極電極(背表面電極2e)在半導(dǎo)體芯片2的背表面2b之上形成，所以半導(dǎo)體芯片2會(huì)產(chǎn)生大量熱量。因此，通過使用作為接合材料的焊料材料6作芯片接合材料，半導(dǎo)體芯片2的背表面2b側(cè)充當(dāng)散熱路徑。即，熱量可以從半導(dǎo)體芯片2的背表面2b通過焊料材料6散發(fā)到芯片安裝部分lc。因此，芯片安裝部分Ic的下表面Icb從密封體3的下表面3b露出。
[0050]進(jìn)一步地，如圖1所示，當(dāng)從芯片安裝部分Ic的頂部看時(shí)，沿著芯片安裝部分Ic的側(cè)邊之一布置在芯片安裝部分Ic的旁邊的引線I (在本例子中，兩個(gè)引線I)的內(nèi)引線部分Ia通過導(dǎo)線4分別與半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(第一電極)2c和2d電連接。而且，在各引線部分Ia的位于半導(dǎo)體芯片2的那側(cè)的端部形成寬部laa，并且導(dǎo)線4與寬部Iaa連接。
[0051]進(jìn)一步地，本實(shí)施方式的功率器件5中的半導(dǎo)體芯片2的第一電極包括電極焊盤(源極電極)2c和在平面視圖中看尺寸小于電極焊盤2c的電極焊盤(柵極電極)2d。
[0052]而且，圖1和圖2中所示的密封體3具有四個(gè)側(cè)表面3a以及從側(cè)表面3a之一突出的兩個(gè)外引線部分lb。進(jìn)一步地，如圖2所示，密封體3將芯片安裝部分Ic的一部分(上表面Ica那側(cè))、半導(dǎo)體芯片2以及導(dǎo)線4密封在該密封體中，以使芯片安裝部分Ic的下表面Icb從密封體3的下表面3b露出。
[0053]由于本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件是功率器件5，如圖1所示，從密封體3的側(cè)表面3a突出的引線I (外引線部分lb)是源極引線(S) Id和柵極引線(G) le。同樣的，如圖2所示，半導(dǎo)體芯片2的背表面2b是，如上所述，漏極(D)電極(背表面電極2e)。因此，芯片安裝部分Ic中從密封體3的下表面3b露出的下表面Icb為漏極(D)電極。
[0054]各外引線部分Ib與內(nèi)引線部分Ia形成一體。S卩，如圖1所示，外引線部分Ib的源極引線Id與內(nèi)引線部分Ia的源極引線Id連成一體。進(jìn)一步地，外引線部分Ib的柵極引線Ie與內(nèi)引線Ia的柵極引線Ie連成一體。
[0055]具有大直徑的導(dǎo)線4a與源極引線Id的寬部Iaa電連接，導(dǎo)線4a還與半導(dǎo)體芯片2的第一電極(接合電極)的電極焊盤(源極電極)2c電連接。
[0056]也就是說(shuō)，由于強(qiáng)電流施加到引線I的源極引線ld，源極引線Id和半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(源極電極)2c通過具有大直徑的導(dǎo)線4a電連接。
[0057]另一方面，直徑小于導(dǎo)線4a的直徑的導(dǎo)線4b與內(nèi)引線部分Ia的柵極引線Ie的寬部Iaa電連接。進(jìn)一步地，導(dǎo)線4b與半導(dǎo)體芯片2的第一電極(接合電極)的電極焊盤(柵極電極)2d電連接。
[0058]也就是說(shuō)，由于弱電流施加于引線I的柵極引線le，柵極引線Ie與半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤2d通過細(xì)導(dǎo)線4b電連接。
[0059]同樣地，如圖1所示，從密封體3的側(cè)表面3a，與芯片安裝部分Ic連接的懸掛引線If突出。
[0060]具有芯片安裝部分Ic的引線1、與芯片安裝部分Ic連接的懸掛引線If以及內(nèi)引線部分Ia和外引線部分Ib包括:例如，主要含有Cu(銅)的Cu合金。同樣的，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式，接合材料為，例如，焊料材料6。進(jìn)一步地，導(dǎo)線4包含，例如，Al(鋁)等。此時(shí)，導(dǎo)線4a的直徑為，例如，300 μ m到500 μ m，導(dǎo)線4b的直徑為，例如，大約125 μ m。而且，密封體3包含，例如，熱固性環(huán)氧樹脂。然而，部件的尺寸和材料不限于上面描述的那些。
[0061]在本實(shí)施方式的功率器件5中，如圖3所示，凹口 2f形成在半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的周邊區(qū)域。S卩，凹口 2f沿著半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的邊緣部分的整個(gè)周界形成。此外，凹口 2f是通過激光工藝形成的臺(tái)階部，該臺(tái)階部從被表面2b凹下去。
[0062]而且，凹口 2f具有，如圖3中的局部放大視圖所示，延伸連接背表面2b的第一表面2fa和在半導(dǎo)體芯片2的厚度方向上位于主表面2a和背表面2b之間并且延伸到連接第一表面2fa的第二表面2fb。此外，凹口 2f的第一表面2fa是沿著半導(dǎo)體芯片2的厚度方向形成的表面，第二表面2fb是沿著主表面2a或背表面2b形成的表面。
[0063]隨后，金屬膜7形成在凹口 2f的第一表面2fa和第二表面2fb之上。S卩，金屬膜7形成在半導(dǎo)體芯片2的整個(gè)背表面2b之上，還形成在延伸到連接背表面2b的凹口 2f之上。
[0064]就此而言，金屬膜7用于改善與焊料材料6的潤(rùn)濕性。S卩，在功率器件5中，半導(dǎo)體芯片2的背表面2b用作漏極電極(背表面電極2e)，焊料材料6用作背表面2b的散熱路徑。因此，需要改善焊料材料6和半導(dǎo)體芯片2之間的連接性。
[0065]因此，優(yōu)選地，在半導(dǎo)體芯片2的背表面2b之上布置與焊料材料6具有良好潤(rùn)濕性的金屬材料。因此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式，金屬膜7形成在半導(dǎo)體芯片2的帶有凹口 2f的背表面2b。在這樣的情形中，金屬膜7具有多層結(jié)構(gòu)。而且，在上面的多層結(jié)構(gòu)中最靠近焊料材料6的那側(cè)的層為Ag層7a或Au層。
[0066]由于焊料材料與金屬膜7的Ag層7a或Au層具有良好的潤(rùn)濕性，所以可以改善焊料材料6與半導(dǎo)體芯片2的背表面2b之間的連接性。
[0067]此外，金屬膜7具有三層(多層)結(jié)構(gòu)，包括從半導(dǎo)體芯片那側(cè)開始依次為T1、N1、Ag等，或者T1、N1、Au等。金屬膜7是例如通過諸如濺射或氣相沉積之類的工藝形成。
[0068]現(xiàn)在，將參考圖4描述本申請(qǐng)的發(fā)明人已經(jīng)比較和檢查的結(jié)構(gòu)。作為比較例的結(jié)構(gòu)，圖4示出了一種半導(dǎo)體芯片2通過焊料材料6安裝在芯片安裝部分(金屬板)Ic之上的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體芯片2、焊料材料6以及芯片安裝部分Ic通過圖2所示的密封體3進(jìn)行密封。根據(jù)圖4所示的結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體芯片2的背表面2b和焊料材料6、焊料材料6和芯片安裝部分lc、上述部件中的每一個(gè)和密封體3分別接觸。然而，各部件的機(jī)械特性(例如，熱膨脹系數(shù))大有不同。
[0069]上述部件的熱膨脹系數(shù)，例如，如下:
[0070]半導(dǎo)體芯片2:3.5ppm/ °C，芯片安裝部分Ic:17.Te V °C，焊料材料6:28.7ppm/°C，密封體3的a 1:9ppm/°C，以及密封體3的a 2:35ppm/°C (玻璃轉(zhuǎn)化溫度:135 0C )。
[0071]在圖4所示的使用具有上述熱膨脹系數(shù)的部件的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)執(zhí)行將冷熱沖擊施加到諸如功率器件之類的半導(dǎo)體器件的溫度循環(huán)測(cè)試時(shí)，熱膨脹系數(shù)較大的焊料材料6在半導(dǎo)體芯片2的背表面2b之上重復(fù)膨脹和收縮。
[0072]此時(shí)，如圖4所示，裂縫8在半導(dǎo)體芯片2的周邊部分到應(yīng)力施加的焊料材料6的層中形成，并且當(dāng)裂縫8前進(jìn)時(shí)，導(dǎo)致高阻抗?fàn)顟B(tài)，熱阻退化。結(jié)果就是，降低了半導(dǎo)體器件的可靠性。
[0073]因此，在本實(shí)施方式的功率器件(半導(dǎo)體器件)5中，如圖3所示，凹口 2f形成在半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的周邊區(qū)域。因此，如圖5所示，可以通過凹口 2f的第一表面2fa阻擋半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的周邊部分中形成的裂縫8的前進(jìn)。結(jié)果就是，可以停止裂縫8向焊料材料6的層中前進(jìn)。
[0074]換個(gè)說(shuō)法，可以將從半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的周邊部分開始的裂縫8集中到半導(dǎo)體芯片2的背表面2b中的凹口 2f的第一表面2fa上來(lái)減少焊料材料6的層中的應(yīng)力。結(jié)果就是，可以改善功率器件5的可靠性。
[0075]而且，就圖4所示的比較例的結(jié)構(gòu)和圖5所示的本發(fā)明實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)而言，在通過模擬檢查給予焊料材料6的層的應(yīng)力指數(shù)的結(jié)果中，當(dāng)假設(shè)在圖4的比較例的結(jié)構(gòu)的P部分中的應(yīng)力指數(shù)為1，則在形成有圖5所示的本發(fā)明實(shí)施方式的凹口 2f的結(jié)構(gòu)中的Q部分的應(yīng)力指數(shù)為0.34。換而言之，獲得下述的結(jié)果。S卩，當(dāng)將圖4中的比較例的結(jié)構(gòu)中的P部分的應(yīng)力與形成有圖5所示本發(fā)明實(shí)施方式的凹口 2f的結(jié)構(gòu)中的Q部分的應(yīng)力進(jìn)行比較時(shí)，給予形成有凹口 2f的結(jié)構(gòu)中的焊料材料6的應(yīng)力小得多。
[0076]因此，通過在半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的周邊區(qū)域形成凹口 2f，可以改善功率器件(半導(dǎo)體器件)5的可靠性。
[0077]<半導(dǎo)體器件的制造方法>
[0078]圖6包括示出本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的組裝步驟的一種示例的平面圖、截面圖和局部放大截面圖；圖7包括示出本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的組裝步驟的一種示例的局部平面圖和局部截面圖；以及圖8包括示出圖6所示的組裝步驟的激光切割中晶片支承狀態(tài)的一種示例的平面圖和截面圖。圖9是在部分橫截面中示出圖8所示的激光切割中晶片識(shí)別方法的一種示例的透視圖；圖10是示出在圖6所示的組裝步驟的激光切割之后的結(jié)構(gòu)的一種示例的平面圖；圖11是示出沿圖10中的線B-B截取的結(jié)構(gòu)的一種示例的截面圖；以及圖12是示出在圖6所示的組裝步驟的金屬膜形成之后的結(jié)構(gòu)的一種示例的平面圖。進(jìn)一步地，圖13是示出沿圖12所示的線C-C截取的結(jié)構(gòu)的一種示例的截面圖；圖14是示出在圖6所示的組裝步驟的切割期間的結(jié)構(gòu)的一種示例的平面圖；以及圖15是示出沿圖14所示的線D-D截取的結(jié)構(gòu)的一種示例的截面圖。
[0079]根據(jù)圖6和圖7所示的流程，說(shuō)明制造功率器件5的方法。
[0080]1.背面研磨
[0081]首先，執(zhí)行圖6所示的背面研磨以通過研磨半導(dǎo)體晶片9的背表面(第一背表面)9b將半導(dǎo)體晶片9的厚度減少到預(yù)定厚度。就此而言，通過使用研磨設(shè)備11研磨半導(dǎo)體晶片9的背表面9b來(lái)減少半導(dǎo)體晶片9的厚度。
[0082]因此，通過在激光切割之前研磨半導(dǎo)體晶片9的背表面，可以有效地處理半導(dǎo)體晶片9ο
[0083]S卩，激光切割不適合用于涉及較厚部分的處理，因?yàn)樗枰臅r(shí)間太多。通過事先使用研磨機(jī)使晶片9具有預(yù)定厚度然后執(zhí)行激光處理，可以使讓半導(dǎo)體晶片9具有預(yù)定厚度的處理(削薄)加快。
[0084]2.激光切割
[0085]在背面研磨之后，沿著半導(dǎo)體晶片9的主表面(第一主表面)9a之上形成的切割線9c，在主表面9a相反側(cè)的背表面9b上形成凹部9d。
[0086]根據(jù)本實(shí)施方式，如圖9所示，圖11所示的凹部9d是通過向半導(dǎo)體晶片9的背表面9b照射激光15形成。
[0087]根據(jù)本實(shí)施方式，激光照射方法的一種示例執(zhí)行如下。例如，如圖8所示，半導(dǎo)體晶片9的圖案9e形成的主表面9a固定到通過環(huán)形件13保持的切割片12。在通過切割片12被環(huán)形件13保持的狀態(tài)下，如圖9所示，通過用于圖像識(shí)別的照相機(jī)14從半導(dǎo)體晶片的下側(cè)識(shí)別半導(dǎo)體晶片9的主表面9a。
[0088]因此，對(duì)圖11所示的半導(dǎo)體晶片9的切割線9c進(jìn)行識(shí)別，并且基于該識(shí)別的結(jié)果，沿著主表面9a那側(cè)的切割線9c向半導(dǎo)體晶片9的背表面9b照射激光15。
[0089]當(dāng)通過照射激光15形成圖10所示的半導(dǎo)體晶片9的背表面9b的凹部9d時(shí)，凹部9d形成為凹部9d的深度是半導(dǎo)體晶片9的厚度的一半或更少。
[0090]換而言之，凹部9d形成為通過照射圖11所示的激光15形成的圖11所示的凹部9d的深度Tl成為半導(dǎo)體晶片9的厚度T的一半或更少。S卩，凹部9d形成為實(shí)現(xiàn):T1彡1/2T。
[0091]因此，通過將凹部9d形成為實(shí)現(xiàn)Tl ( 1/2T，凹部9d形成為相對(duì)較淺。因此，當(dāng)凹口 2f (參見圖15)在稍后描述的切割步驟中形成時(shí)，可以抑制凹口 2f的邊緣發(fā)生碎裂。
[0092]進(jìn)一步地，凹部9d形成為圖11所示的凹部9d的寬度S可大于在稍后描述的切割步驟中切割時(shí)使用的圖14所示的刀片(刀具)16的寬度(圖11所示的待切割部分的寬度SI)。S卩，凹部9d形成為圖11所示的凹部9d的寬度S可大于將在切割步驟中切割時(shí)被切割的寬度S1(S>S1)。
[0093]因此，當(dāng)在切割步驟中沿著切割線9c進(jìn)行切割時(shí)，可以在半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的周邊區(qū)域形成凹口 2f。
[0094]3.金屬膜形成
[0095]在激光切割之后，執(zhí)行圖6所示的金屬膜形成。S卩，在半導(dǎo)體晶片9的背表面9b之上形成金屬膜7。就此而言，如圖12和圖13所示，金屬膜7形成在半導(dǎo)體晶片9的整個(gè)背表面9b以封閉背表面9b的多個(gè)凹部9d。此時(shí)，在半導(dǎo)體晶片9的主表面9a固定至切割片12的狀態(tài)下形成金屬膜7。
[0096]而且，金屬膜7用于實(shí)現(xiàn)與焊料材料6的良好潤(rùn)濕性。因此，期望金屬膜7具有多層結(jié)構(gòu)，并且，此時(shí)，如圖3所示，在該多層結(jié)構(gòu)中距離半導(dǎo)體晶片9最遠(yuǎn)的那層為Ag層7a或Au層。換而言之，在該多層結(jié)構(gòu)中最靠近焊料材料6的那層是Ag層7a或Au層。即，Ag層7a或Au層是在金屬膜7的多層結(jié)構(gòu)中用于與焊料材料6連接的那層。
[0097]Ag層7a或Au層具有與焊料材料6的良好潤(rùn)濕性。因此，可以提升半導(dǎo)體芯片2和焊料材料6之間的連接強(qiáng)度。進(jìn)一步地，可以抑制焊料材料6中差熱阻的發(fā)生。而且，可以改善功率器件組裝之后的半導(dǎo)體芯片2的散熱特性。
[0098]此外，在半導(dǎo)體晶片9的背表面9b之上的金屬膜7的形成是通過濺射或者氣相沉積工藝進(jìn)行。就此而言，期望金屬膜7具有從半導(dǎo)體晶片側(cè)依次為T1、N1、Ag的三層(多層)結(jié)構(gòu)等或者從半導(dǎo)體晶片側(cè)依次為T1、N1、Au的三層(多層)結(jié)構(gòu)等。
[0099]4.切割
[0100]在金屬膜形成之后，執(zhí)行圖6所示的切割。S卩，沿著主表面9a的切割線9c執(zhí)行半導(dǎo)體晶片9的切割，形成多個(gè)半導(dǎo)體芯片2，每個(gè)半導(dǎo)體芯片在主表面2a相反側(cè)的背表面2b的周邊區(qū)域具有凹口 2f (獲得高質(zhì)量的半導(dǎo)體芯片2)。就此而言，如圖14和圖15所示，在半導(dǎo)體晶片9的背表面9b固定至切割片12的狀態(tài)下，刀片16從半導(dǎo)體晶片9的主表面9a那側(cè)沿著切割線9c運(yùn)行以執(zhí)行半導(dǎo)體晶片9的切割(分割為多個(gè)半導(dǎo)體芯片2)。此時(shí)，在各半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的周邊區(qū)域形成凹口 2f。
[0101]而且，如圖19所示，在半導(dǎo)體芯片2的主表面2a之上，形成源極(S)電極和柵極(G)電極，并且還在背表面2b之上形成漏極(D)電極。
[0102]5.芯片接合
[0103]在切割之后，執(zhí)行圖7所示的芯片接合。即，通過接合材料在引線框架10的芯片安裝部分Ic安裝半導(dǎo)體芯片2。同樣地，根據(jù)本實(shí)施方式，焊料材料6用作接合材料。
[0104]更為具體而言，半導(dǎo)體芯片2通過焊料材料6安裝在芯片安裝部分Ic之上以使半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的周邊區(qū)域內(nèi)形成的凹口 2f與焊料材料6接觸。S卩，在半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的凹口 2f處于與焊料材料6接觸的狀態(tài)下，半導(dǎo)體芯片2通過焊料材料6粘附并固定至芯片安裝部分lc。
[0105]6.引線接合
[0106]在芯片接合之后，執(zhí)行圖7所示的引線接合。S卩，如圖1所示，半導(dǎo)體芯片2的主表面2a的電極焊盤2c、2d與分別與電極焊盤2c、2d對(duì)應(yīng)的內(nèi)引線部分Ia分別通過導(dǎo)線4電連接。
[0107]在引線接合步驟中，首先，執(zhí)行圖11所示的源極電極(電極焊盤2c)的引線接合。即，作為半導(dǎo)體芯片2的源極電極的電極焊盤2c與源極引線Id(內(nèi)引線部分Ia)通過具有大直徑的導(dǎo)線4a進(jìn)行電連接。此外，在內(nèi)引線部分那側(cè)，導(dǎo)線4a與內(nèi)引線部分Ia的寬部Iaa連接。
[0108]在完成源極電極的引線接合之后，執(zhí)行柵極電極(電極焊盤2d)的引線接合。即，使用直徑比導(dǎo)線4a的直徑小的導(dǎo)線4b，將作為半導(dǎo)體芯片2的柵極電極的電極焊盤2d和柵極引線le(內(nèi)引線部分Ia)進(jìn)行電連接。
[0109]就此而言，如在源極電極的情形中，在內(nèi)引線部分那側(cè)，導(dǎo)線4b與內(nèi)引線部分Ia的寬部Iaa連接。導(dǎo)線4a和4b是含有例如鋁的細(xì)金屬導(dǎo)線。
[0110]7.封閉(模塑)
[0111]在引線接合之后，執(zhí)行圖7所示的封閉。S卩，使用密封樹脂密封半導(dǎo)體芯片2、導(dǎo)線4a、內(nèi)引線部分la、焊料材料6以及芯片安裝部分Ic的上表面Ica側(cè)以形成密封體3。
[0112]在根據(jù)本實(shí)施方式的功率器件5中，密封體3形成為芯片安裝部分Ic的下表面Icb從密封體3的下表面3b露出。同樣地，密封樹脂是，例如，熱固性環(huán)氧樹脂。
[0113]8.電鍍
[0114]在封閉之后，執(zhí)行電鍍。
[0115]在電鍍步驟中，在圖2所示的多個(gè)外引線部分Ib的表面和芯片安裝部分Ic的下表面Icb的表面之上形成諸如鍍焊錫之類的鍍膜。
[0116]9.標(biāo)記
[0117]在電鍍之后，進(jìn)行標(biāo)記。
[0118]在標(biāo)記步驟中，例如，在密封體3的頂表面之上形成期望的標(biāo)記(印記)。上述的標(biāo)記為，例如，產(chǎn)品類型、型號(hào)或其他信息，并且通過激光照射等形成。
[0119]10.引線處理(分塊)
[0120]在標(biāo)記之后，執(zhí)行引線處理。
[0121]在引線處理步驟中，圖1所示的各外引線部分Ib和懸掛引線If與圖7所示的引線框架10分離。同樣地，如圖2所示，各外引線部分Ib彎曲并且形成為預(yù)定形狀(例如，在本例中，形成為鷗翼的形狀)。
[0122]這樣，完成了功率器件5的組裝。
[0123]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式，由于凹口(臺(tái)階部)2f形成在半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的周邊區(qū)域，即使在焊料材料6中形成裂縫8，裂縫8的前進(jìn)也可以被凹口 2f阻擋。
[0124]也就是說(shuō)，如圖5的放大圖所示，由于金屬膜7還形成在凹口 2f之上，焊料材料6也通過浸潤(rùn)的方式在凹口 2f之上擴(kuò)散。因此，即使形成裂縫8，可以使裂縫8更靠近凹口2f，并且裂縫8的前進(jìn)也可以通過凹口 2f的第一表面2fa阻止。即，在焊料材料6和半導(dǎo)體芯片2的邊界附近形成的裂縫8朝向焊料材料6的內(nèi)部區(qū)域前進(jìn)。然而，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，在半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的周邊區(qū)域形成有凹口 2f。因此，可以通過凹口 2f的第一表面2fa阻止裂縫8的前進(jìn)。
[0125]更為具體而言，在焊料材料6的周邊部分附近形成的裂縫8的向內(nèi)前進(jìn)可以通過凹口 2f的第一表面2fa阻擋。結(jié)果就是，可以停止焊料材料6的層中的裂縫8的前進(jìn)。
[0126]換個(gè)說(shuō)法，可以通過將在焊料材料6的周邊部分附近形成的裂縫集中到半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的凹口 2f的第一表面2fa上以減少焊料材料6的層中的應(yīng)力。結(jié)果就是，可以改善功率器件(半導(dǎo)體器件)5的可靠性。
[0127]具體而言，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的功率器件中，半導(dǎo)體芯片2的背表面2b用作電極(背表面電極2e)。因此，焊料材料6和半導(dǎo)體芯片2之間的連接在電學(xué)方面也是重要的。進(jìn)一步地，由于相對(duì)較強(qiáng)的電流應(yīng)用到背表面電極2e (漏極電極)，焊料材料6還充當(dāng)從半導(dǎo)體芯片2輻射的熱量的輻射路徑的一部分。因此，通過將焊料材料6和半導(dǎo)體芯片2處于連接狀態(tài)是有利的，可以進(jìn)一步改善功率器件5的可靠性。
[0128]而且，金屬膜7在半導(dǎo)體芯片2的包括凹口 2f的背表面2b之上形成。由于金屬膜7中最靠近焊料材料6的那層是Ag層7a或Au層，其具有與焊料材料6的良好的潤(rùn)濕性，可以提升半導(dǎo)體芯片2和焊料材料6之間的連接強(qiáng)度。
[0129]結(jié)果就是，可以改善功率器件5的可靠性，從而，可以改善半導(dǎo)體芯片2的散熱特性。因此，如上述的情形，可以改善功率器件5的可靠性。
[0130]〈變形例1>
[0131]圖16是示出本實(shí)施方式的變形例I的半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0132]在圖16所示的變形例I中，錐形部2g設(shè)置于半導(dǎo)體芯片2的背表面2b。S卩，半導(dǎo)體芯片2的背表面2b和凹口 2f的第一表面2fa通過錐形部2g連接。
[0133]如圖11所示，當(dāng)通過激光工藝在半導(dǎo)體晶片的背表面9b中形成凹部9d時(shí)，優(yōu)選地，通過激光工藝形成的錐形部2g形成為背表面9b和凹部9d可以延伸到通過錐形部2g連接。
[0134]因此，通過在凹口 2f和背表面2b連接的位置設(shè)置錐形部2g，可以分散在半導(dǎo)體芯片2的背表面2b和焊料材料6連接的那一部分上施加到半導(dǎo)體芯片2的應(yīng)力，加強(qiáng)了半導(dǎo)體芯片2和焊料材料6的連接強(qiáng)度。結(jié)果就是，可以改善功率器件5的可靠性。
[0135]〈變形例2>
[0136]圖17包括示出本實(shí)施方式的變形例2的半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)的截面圖和局部放大截面圖。
[0137]在圖17所示的變形例2中，如在其放大截面圖中所示，半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的凹口 2f的第一表面2fa和第二表面2fb延伸到通過曲面部2h連接。S卩，在半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的凹口 2f中，第一表面2fa和第二表面2fb交叉的角部是曲面形狀。
[0138]曲面部2h也可通過數(shù)次照射激光15 (參見圖9)的激光工藝來(lái)形成。
[0139]由于凹口 2f的第一表面2fa和第二表面2fb延伸到通過曲面部2h連接，當(dāng)在凹口 2f形成金屬膜7時(shí)，可以通過粘附容易地形成所述金屬膜。就此而言，金屬膜7可以例如通過諸如氣相沉積或?yàn)R射之類的工藝在半導(dǎo)體晶片9的背表面9b之上形成。
[0140]進(jìn)一步地，關(guān)于曲面部2h的曲率值，下述的值是優(yōu)選的:
[0141]曲率半徑:R = 10 μ m或更大
[0142]S卩，通過實(shí)現(xiàn)上述的曲率半徑，金屬膜7可以容易地粘附到背表面9b的凹口 2f。
[0143]〈變形例3>
[0144]半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的凹口 2f可具有圖16所示的錐形部2g和圖17所示的曲面部2h 二者，在這樣的情形下，凹口 2f可具有上面描述的兩種效果。
[0145]〈變形例4>
[0146]圖18是示出本實(shí)施方式的變形例4的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0147]圖18所示的變形例4的半導(dǎo)體器件是類似于圖1所示功率器件5的功率器件20。
[0148]功率器件(半導(dǎo)體器件)20是半導(dǎo)體封裝，在該半導(dǎo)體封裝中，半導(dǎo)體芯片2通過焊料材料(接合材料)安裝在芯片安裝部分Ic之上。半導(dǎo)體芯片2通過導(dǎo)線4與內(nèi)引線部分Ia電連接。進(jìn)一步地，半導(dǎo)體芯片2、焊料材料6、內(nèi)引線部分Ia以及導(dǎo)線4通過密封體3進(jìn)行密封。
[0149]而且，與各內(nèi)引線部分Ia —體形成的外引線部分Ib中的一些從與密封體3相對(duì)的那側(cè)表面3a突出。
[0150]進(jìn)一步地，凹口(臺(tái)階部)2f形成在半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的周邊部分，凹口2f與焊料材料6接觸。
[0151]而且，與圖1所示的功率器件5類似，在功率器件20中，強(qiáng)電流也施加到半導(dǎo)體芯片2的背表面2b。因此，焊料材料6充當(dāng)散熱路徑的一部分，芯片安裝部分Ic的下表面Icb從密封體3的下表面3b露出。
[0152]在變形例4的功率器件20中，同樣地，由于凹口(臺(tái)階部)2f形成在半導(dǎo)體芯片2的背表面2b的周邊區(qū)域中，即使在焊料材料6中形成了裂縫8，也可以通過凹口 2f阻止裂縫8的前進(jìn)。
[0153]也就是說(shuō)，如在圖1所示的功率器件5的情形，焊料材料6的周邊部分附近形成的裂縫8的向內(nèi)前進(jìn)可以通過凹口 2f的第一表面2fa阻擋。結(jié)果就是，可以停止焊料材料6的層中的裂縫8的前進(jìn)。
[0154]因此，可以改善功率器件(半導(dǎo)體器件)20的可靠性。
[0155]由本發(fā)明的發(fā)明人作出的發(fā)明已經(jīng)基于所述實(shí)施方式在上面進(jìn)行了具體說(shuō)明。然而，應(yīng)注意的是，本發(fā)明并不限于所述實(shí)施方式或者由所述實(shí)施方式限定，而且可以在不脫離本發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)行變形。
[0156]例如，在上述的實(shí)施方式中，已經(jīng)說(shuō)明了焊料材料6用作連接半導(dǎo)體芯片2和芯片安裝部分Ic的接合材料(芯片接合材料)的情形。然而，上述的接合材料并不限于焊料材料6。接合材料可以是除了焊料材料6之外的材料，只要該材料將半導(dǎo)體芯片2固定至芯片安裝部分lc，電連接半導(dǎo)體芯片2的背表面電極2e和芯片安裝部分lc，并且具有類似焊料材料6的特性。
[0157]在根據(jù)上述實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法中，盡管已經(jīng)說(shuō)明了采用激光切割作為用于在半導(dǎo)體芯片2的背表面2b形成凹口 2f的方法，但也可以用刀片切割代替激光切割。然而，當(dāng)考慮到切割期間給予半導(dǎo)體芯片2的沖擊水平，優(yōu)選地，采用激光切割。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括下述步驟: (a)沿著半導(dǎo)體晶片的第一主表面之上形成的切割線在位于所述第一主表面的相反側(cè)的第一背表面上形成凹部； (b)步驟(a)之后，在所述半導(dǎo)體晶片的第一背表面之上形成金屬膜以便封閉所述凹部； (C)在步驟(b)之后，沿著所述切割線切割所述半導(dǎo)體晶片并且形成多個(gè)半導(dǎo)體芯片，每個(gè)半導(dǎo)體芯片在位于第二主表面的相反側(cè)的第二背表面的周邊區(qū)域具有凹口 ；以及(d)在步驟(C)之后，通過接合材料將所述半導(dǎo)體芯片安裝在引線框架的芯片安裝部分之上， 其中，在步驟(d)中，所述半導(dǎo)體芯片通過所述接合材料安裝在所述芯片安裝部分之上以使所述半導(dǎo)體芯片的第二背表面的凹口與所述接合材料接觸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，焊料材料用作所述接合材料。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，在步驟(a)中通過向所述半導(dǎo)體晶片的第一背表面照射激光形成所述凹部。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，在步驟(a)中，從所述半導(dǎo)體晶片的下側(cè)對(duì)所述半導(dǎo)體晶片的第一主表面進(jìn)行識(shí)別，并且，基于所述識(shí)別的結(jié)果，向所述半導(dǎo)體晶片的第一背表面照射所述激光。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括下述步驟:在步驟(a)之前，對(duì)所述半導(dǎo)體晶片的第一背表面進(jìn)行研磨以減小所述半導(dǎo)體晶片的厚度。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述凹部的深度是步驟(a)中的所述半導(dǎo)體晶片的厚度的一半或更少。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，在步驟(a)中，所述凹部的寬度形成為大于在步驟(C)的切割期間使用的刀具的寬度。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述金屬膜具有多層結(jié)構(gòu)，并且在所述多層結(jié)構(gòu)中離所述半導(dǎo)體晶片最遠(yuǎn)的那層為Ag層或Au層。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，在步驟(a)中，形成錐形部，以使所述半導(dǎo)體晶片的第一背表面和所述凹部可延伸到通過所述錐形部連接。10.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括: 半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片具有主表面、位于所述主表面的相反側(cè)的背表面、在所述主表面之上形成的多個(gè)第一電極、以及在所述背表面之上形成的第二電極； 芯片安裝部分，該芯片安裝部分具有上表面和位于所述上表面的相反側(cè)的下表面； 接合材料，所述接合材料將所述半導(dǎo)體芯片的背表面的第二電極和所述芯片安裝部分的上表面電連接；以及 多根引線，所述多根引線分別與所述第一電極電連接； 其中，在所述半導(dǎo)體芯片的背表面的周邊區(qū)域形成有凹口， 其中，所述凹口具有延伸到連接所述背表面的第一表面和在所述半導(dǎo)體芯片的厚度方向上位于所述主表面和所述背表面之間并且延伸到連接所述第一表面的第二表面，以及其中，所述凹口的第一表面和第二表面之上形成有金屬膜。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述接合材料為焊料材料。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述金屬膜具有多層結(jié)構(gòu)，并且，在所述多層結(jié)構(gòu)中最靠近所述接合材料那側(cè)的層為Ag層或Au層。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體芯片的所述背表面和所述第一表面延伸到通過錐形部進(jìn)行連接。14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體芯片的凹口的第一表面和第二表面延伸到通過曲面部進(jìn)行連接。15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述凹口為通過激光工藝形成的臺(tái)階部。
【文檔編號(hào)】H01L21/78GK105931989SQ201510907535
【公開日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2015年12月9日
【發(fā)明人】柏崎智也
【申請(qǐng)人】瑞薩電子株式會(huì)社