根據(jù)各種實(shí)施例，本公開描述了一種裝置。裝置的示例I包括襯底、設(shè)置在襯底上的相變存儲(chǔ)器(PCM)元件的陣列，其中PCM元件的陣列的各個(gè)PCM元件包括硫族化合物材料，以及設(shè)置在各個(gè)PCM元件的側(cè)壁表面上的襯墊，其中襯墊包括鋁(Al)、硅(Si)和氧(O)。示例2可以包括示例I的裝置，其中襯墊包括硅鋁氧化物(AlxSiyO)并且X和y分別表示Al，Si和O的相對(duì)量。示例3可以包括示例2的裝置，其中y/(x+y)等于從0.05到0.6的值。示例4可以包括示例1-3中任一個(gè)的裝置，其中襯墊直接設(shè)置在硫族化合物材料上，完整地覆蓋側(cè)壁表面并且具有大體均勻的厚度。示例5可以包括示例4的裝置，其中襯墊覆蓋各個(gè)PCM元件的頂表面。示例6可以包括示例1-3中任一個(gè)的裝置，還包括設(shè)置在襯底上的字線層，其中各個(gè)PCM元件被設(shè)置在字線層上。示例7可以包括示例6的裝置，其中襯墊被設(shè)置在各個(gè)PCM元件之間的字線層上。示例8可以包括示例6的裝置，其中每個(gè)單獨(dú)的PCM元件包括設(shè)置在字線層上的包含碳的第一層、設(shè)置在第一層上的包含第一硫族化合物材料的第二層、設(shè)置在第二層上的包含碳的第三層、設(shè)置在第三層上的包含第二硫族化合物材料的第四層以及設(shè)置在第四層上的包含碳的第五層。示例9可以包括示例1-3中任一個(gè)的裝置，還包括設(shè)置在襯墊上的種子層。示例10可以包括示例9的裝置，還包括設(shè)置在種子層上并且配置成填充各個(gè)PCM元件之間的區(qū)域的填充材料。
[0054]根據(jù)各種實(shí)施例，本公開描述了一種方法。方法的示例11包括提供襯底，在襯底上形成相變存儲(chǔ)器(PCM)元件的陣列，其中PCM元件的陣列的各個(gè)PCM元件包括硫族化合物材料，以及在各個(gè)PCM元件的側(cè)壁表面上形成襯墊，其中襯墊包括鋁(Al)、硅(Si)和氧(O)。示例12可以包括示例11的方法，其中形成襯墊包括通過原子層沉積(ALD)或化學(xué)氣相沉積(CVD)來沉積硅鋁氧化物，襯墊包括硅鋁氧化物(AlxSiyO)并且X和y分別表示Al、Si和O的相對(duì)量。示例13可以包括示例12的方法，其中形成襯墊包括通過ALD沉積AlxSiyO。示例14可以包括示例13的方法，其中ALD過程是在低于250°C的溫度下執(zhí)行的基于水的過程。示例15可以包括示例11-14中任一個(gè)的方法，其中形成襯墊包括直接在硫族化合物材料上沉積包括Al，Si和O的材料以及沉積材料以材料的大體均勻的厚度完整地覆蓋側(cè)壁表面。示例16可以包括示例15的方法，其中沉積材料覆蓋各個(gè)PCM元件的頂表面。示例17可以包括示例11-14中任一個(gè)的方法，其中形成PCM元件的陣列包括在沉積于襯底上的字線層上沉積包含碳的第一層，在第一層上沉積包含第一硫族化合物材料的第二層，在第二層上沉積包含碳的第三層，在第三層上沉積包含第二硫族化合物材料的第四層以及在第四層上沉積包含碳的第五層。示例18可以包括示例11-14中任一個(gè)的方法，還包括在襯墊上沉積種子層。示例19可以包括示例18的方法，還包括在種子層上沉積填充材料來填充各個(gè)PCM元件之間的區(qū)域。
[0055]根據(jù)各種實(shí)施例，本公開描述了一種系統(tǒng)(例如計(jì)算設(shè)備)。系統(tǒng)的示例20包括電路板和與電路板耦合的管芯，管芯包括襯底、設(shè)置在襯底上的相變存儲(chǔ)器(PCM)元件的陣列，其中PCM元件的陣列的各個(gè)PCM元件包括硫族化合物材料，以及設(shè)置在各個(gè)PCM元件的側(cè)壁表面上的襯墊，其中襯墊包括鋁(Al)、硅(Si)和氧(O)。示例21可以包括示例20的系統(tǒng)，其中系統(tǒng)是包括天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、羅盤、蓋革計(jì)數(shù)器、加速度計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器或與電路板耦合的相機(jī)中的一個(gè)或多個(gè)的移動(dòng)計(jì)算設(shè)備。
[0056]各種實(shí)施例可以包括上面描述的實(shí)施例的任何合適的組合，包括上面(和)采用結(jié)合的形式描述的實(shí)施例的可替換的(或)實(shí)施例(例如，“和”可以是“和/或”)。另外，一些實(shí)施例可以包括一個(gè)或多個(gè)制品(例如，非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì))，其具有存儲(chǔ)在其上的指令，所述指令當(dāng)被執(zhí)行時(shí)導(dǎo)致任何上面描述的實(shí)施例的動(dòng)作。而且，一些實(shí)施例可以包括具有任何合適的裝置的裝置或系統(tǒng)以用于實(shí)施上面描述的實(shí)施例的各種操作。
[0057]所圖示的實(shí)施方式的以上描述(包括在摘要中描述的內(nèi)容)并不旨在是詳盡的或者將本公開的實(shí)施例限制到所公開的精確形式。雖然為了說明的目的在此描述了特定實(shí)施方式和示例，但是各種等同的修改在本公開的范圍內(nèi)是可能的，如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的那樣。
[0058]根據(jù)上面詳細(xì)的描述，可以對(duì)本公開的實(shí)施例作出這些修改。在下面權(quán)利要求中使用的術(shù)語不應(yīng)當(dāng)被解釋為將本公開的各種實(shí)施例限制到說明書和權(quán)利要求書中公開的特定實(shí)施方式。更確切地說，范圍將完全通過下面的權(quán)利要求來確定，其要依照權(quán)利要求解釋的已制定原則來被解釋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種裝置，包括: 襯底； 設(shè)置在襯底上的相變存儲(chǔ)器(PCM)元件的陣列，其中PCM元件的陣列的各個(gè)PCM元件包括硫族化合物材料;以及 設(shè)置在各個(gè)PCM元件的側(cè)壁表面上的襯墊，其中襯墊包括鋁(Al)、硅(Si)和氧(O)。2.權(quán)利要求1所述的裝置，其中: 襯墊包括硅鋁氧化物(AlxSiyO);并且 X和y分別表示Al、Si和O的相對(duì)量。3.權(quán)利要求2所述的裝置，其中y/(x+y)等于從0.05到0.6的值。4.權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的裝置，其中襯墊: 直接設(shè)置在硫族化合物材料上； 完整地覆蓋側(cè)壁表面;并且 具有大體均勻的厚度。5.權(quán)利要求4所述的裝置，其中襯墊覆蓋各個(gè)PCM元件的頂表面。6.權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的裝置，還包括: 設(shè)置在襯底上的字線層，其中各個(gè)PCM元件設(shè)置在字線層上。7.權(quán)利要求6所述的裝置，其中襯墊設(shè)置在各個(gè)PCM元件之間的字線層上。8.權(quán)利要求6所述的裝置，其中每個(gè)單獨(dú)的PCM元件包括: 設(shè)置在字線層上的包含碳的第一層； 設(shè)置在第一層上的包含第一硫族化合物材料的第二層； 設(shè)置在第二層上的包含碳的第三層； 設(shè)置在第三層上的包含第二硫族化合物材料的第四層；以及 設(shè)置在第四層上的包含碳的第五層。9.權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的裝置，還包括: 設(shè)置在襯墊上的包括的種子層。10.權(quán)利要求9所述的裝置，還包括: 設(shè)置在種子層上并且配置成填充各個(gè)PCM元件之間的區(qū)域的填充材料。11.一種方法，包括: 提供襯底； 在襯底上形成相變存儲(chǔ)器(PCM)元件的陣列，其中PCM元件的陣列的各個(gè)PCM元件包括硫族化合物材料;以及 在各個(gè)PCM元件的側(cè)壁表面上形成襯墊，其中襯墊包括鋁(Al)、硅(Si)和氧(O)。12.權(quán)利要求11所述的方法，其中: 形成襯墊包括通過原子層沉積(ALD)或化學(xué)氣相沉積(CVD)來沉積硅鋁氧化物，襯墊包括硅鋁氧化物(AlxSiyO);并且 X和y分別表示Al，Si和O的相對(duì)量。13.權(quán)利要求12所述的方法，其中: 形成襯墊包括通過ALD沉積AlxSiyO。14.權(quán)利要求13所述的方法，其中ALD過程是在低于250°C的溫度下執(zhí)行的基于水的過程。15.權(quán)利要求11-14中任一項(xiàng)所述的方法，其中: 形成襯墊包括直接在硫族化合物材料上沉積包括Al、Si和O的材料；以及 沉積材料以材料的大體均勻的厚度完整地覆蓋側(cè)壁表面。16.權(quán)利要求15所述的方法，其中沉積材料覆蓋各個(gè)PCM元件的頂表面。17.權(quán)利要求11-14中任一項(xiàng)所述的方法，其中形成PCM元件的陣列包括: 在設(shè)置在襯底上的字線層上沉積包含碳的第一層； 在第一層上沉積包含第一硫族化合物材料的第二層； 在第二層上沉積包含碳的第三層； 在第三層上沉積包含第二硫族化合物材料的第四層；以及 在第四層上沉積包含碳的第五層。18.權(quán)利要求11-14中任一項(xiàng)所述的方法，還包括: 在襯墊上沉積包括的種子層。19.權(quán)利要求18所述的方法，還包括: 在種子層上沉積包括的填充材料，以填充各個(gè)PCM元件之間的區(qū)域。20.—種系統(tǒng)，包括: 電路板；以及 與電路板耦合的管芯，管芯包括: 襯底； 設(shè)置在襯底上的相變存儲(chǔ)器(PCM)元件的陣列，其中PCM元件的陣列的各個(gè)PCM元件包括硫族化合物材料;以及 設(shè)置在各個(gè)PCM元件的側(cè)壁表面上的襯墊，其中襯墊包括鋁(Al)、硅(Si)和氧(O)。21.權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)，其中系統(tǒng)是包括天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、羅盤、蓋革計(jì)數(shù)器、加速度計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器或與電路板耦合的相機(jī)中的一個(gè)或多個(gè)的移動(dòng)計(jì)算設(shè)備。
【專利摘要】本公開的實(shí)施例描述了一種用于相變存儲(chǔ)器（PCM）陣列的襯墊及相關(guān)聯(lián)的技術(shù)和配置。在實(shí)施例中，襯底、設(shè)置在襯底上的相變存儲(chǔ)器（PCM）元件的陣列，其中PCM元件的陣列的各個(gè)PCM元件包括硫族化合物材料，以及設(shè)置在各個(gè)PCM元件的側(cè)壁表面上的襯墊，其中襯墊包括鋁（Al）、硅（Si）和氧（O）?？梢悦枋龊?或要求保護(hù)其它實(shí)施例。
【IPC分類】H01L27/115, H01L21/8247
【公開號(hào)】CN105723510
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480063544
【發(fā)明人】N.羅克萊因, Q.陶, Z.宋, V.巴特
【申請(qǐng)人】英特爾公司
【公開日】2016年6月29日
【申請(qǐng)日】2014年12月9日
【公告號(hào)】DE112014004720T5, US9397143, US20150179706, WO2015094810A1