技術(shù)編號：9932763
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。諸如多疊層(mult1-stack)交叉點PCM之類的相變存儲器(PCM)技術(shù)是對其它非易失性存儲器(NVM)技術(shù)的有前景的替換。目前，在交叉點陣列架構(gòu)中，可以在陣列疊層的PCM元件上形成保護襯墊以防止在諸如被沉積以填充PCM元件之間的區(qū)域的填充材料之類的其它材料的后續(xù)沉積期間對PCM元件的潛在損害。然而，目前形成保護襯墊的技術(shù)可以提供易受來自后續(xù)過程的損害所影響、阻礙PCM元件之間的材料填充、未能提供用于材料的后續(xù)沉積的良好粘附、未能提供充足的阻擋性質(zhì)以...
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