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用于相變存儲器(pcm)陣列的襯墊及相關(guān)聯(lián)的技術(shù)和配置的制作方法_3

文檔序號:9932763閱讀:來源:國知局
這些技術(shù)形成的襯墊344可以相對于其它襯墊材料的蝕刻速率而增加(例如成倍)襯墊344的蝕刻速率。此外,襯墊344可以具有相對于其它襯墊材料的較低介電常數(shù),其可以減少諸如例如WL-WL寄生電容之類的寄生漏電。包括由ALD形成的硅鋁氧化物(AlxSiyOz)的襯墊344的硅含量可以通過調(diào)節(jié)ALD循環(huán)比來調(diào)諧。在一些實施例中,ALD可以具有1: 3的循環(huán)比n:m(每個方程5,其中η表示TMA/清洗/H2O/清洗循環(huán)的數(shù)目并且m表示3DMAS/清洗/H2O/清洗循環(huán)的數(shù)目)。在一些實施例中,ALD可以具有多于1:3或少于1:3的循環(huán)比n:m。在其它實施例中,其它合適的反應(yīng)或材料可以用于形成襯墊344。例如,在一些實施例中,硅前體可以包括4DMAS(四-二甲胺硅烷)、2DMAS(二-二甲胺硅烷)、其它基于氨基化合物的硅烷前體(例如二-二乙氨基硅烷)或其它合適的前體。在其它實施例中,襯墊344可以使用其它合適的技術(shù)來沉積。在一些實施例中,襯墊344的材料可以被沉積以填充由種子層346占據(jù)的區(qū)域并且結(jié)合PCM器件300c和300d描繪填充材料348。
[0037]PCM器件300c可以表示形成襯墊344上的種子層346之后的PCM器件300b。根據(jù)各種實施例,種子層346可以便于填充材料348到PCM元件316a,316b,316c上和在其之間的沉積。在一些實施例中,種子層346可以由諸如例如氧化娃(S1x)之類的介電材料構(gòu)成,其中X表示氧與硅的合適相對量。在一些實施例中,種子層346可以通過等離子體增強ALD(PEALD)來沉積。在其它實施例中,種子層346可以由其它合適的材料構(gòu)成和/或使用其它合適的技術(shù)來沉積。
[0038]根據(jù)各種實施例,襯墊344可以保護PCM元件316a,316b,316c免受否則可能由結(jié)合種子層346的PEALD沉積使用的臭氧或其它類似的強氧化劑引起的損害。例如,其它襯墊可能不完全充分地覆蓋PCM元件316a,316b,316c的側(cè)壁,其可能允許臭氧損害PCM元件316a,316b,316c和/或引發(fā)PCM元件316a,316b,316c之間的空隙的創(chuàng)建(例如在接近字線層330的PCM元件316a,316b,316c之間的區(qū)域中)。另一方面,襯墊344可以被配置成覆蓋PCM元件316a,316b,316c中的每個的整個側(cè)壁表面并且提供用于諸如例如種子層346之類的材料的后續(xù)沉積的良好粘附。
[0039]PCM器件300d可以表示在沉積種子層346上的填充材料348以填充PCM元件316a,316b,316c之間的區(qū)域之后的PCM器件300c。根據(jù)各種實施例,填充材料348可以由電絕緣材料,諸如例如氧化硅或其它合適的材料構(gòu)成。填充材料348可以使用任何合適的技術(shù)來沉積,包括例如通過CVD(例如TE0S(正硅酸乙酯或四乙氧基硅烷)+03或者TE0S+02等離子體)。
[0040]圖4是依照一些實施例的制造PCM器件(例如圖3的PCM器件300a-d)的方法400的流程圖。方法400可以與結(jié)合圖3描述的實施例一致并且反之亦然。
[0041]在402處,方法400可以包括提供襯底。襯底可以包括例如管芯的半導(dǎo)體襯底,諸如例如硅襯底。
[0042]在404處,方法400可以包括在襯底上形成相變存儲器(PCM)元件(例如圖3的PCM元件316a-c)的陣列。在一些實施例中,可以在PCM元件與襯底之間形成居間結(jié)構(gòu)和/或?qū)印@?,在一個實施例中,字線層(例如圖3的字線層330)可以形成在襯底上并且PCM元件可以形成在字線層上。
[0043]PCM元件可以通過沉積層的堆疊并且對它們圖案化來形成。例如,在一些實施例中,層的堆疊可以通過在字線層(或襯底上的其它合適底部層)上沉積包括碳的第一層(例如圖3的第一層332),在第一層上沉積包括硫族化合物材料的第二層(例如圖3的第二層334),在第二層上沉積包括碳的第三層(例如圖3的第三層336),在第三層上沉積包括硫族化合物材料的第四層(例如圖3的第四層338)和在第四層上沉積包括碳的第五層(例如圖3的第五層340)來形成。在一些實施例中,可以在第五層上形成包括硬掩模材料的第六層(例如圖3的第六層342)以便于層的堆疊的圖案化以形成分立PCM元件。
[0044]在406處,方法400可以包括在PCM元件的各個元件的側(cè)壁表面上形成襯墊(例如圖3的襯墊344)。襯墊可以根據(jù)結(jié)合圖3的PCM器件300b描述的技術(shù)來形成。在一些實施例中,襯墊至少包括鋁(Al)、硅(Si)和氧(O)。例如,在一些實施例中,形成襯墊可以包括通過ALD或CVD沉積硅鋁氧化物(AlxSiyOz),其中x,y和z分別表示Al,Si和O的合適相對量。在一個實施例中,襯墊可以通過ALD沉積,諸如例如,在小于2500C的溫度下執(zhí)行的基于水的過程。
[0045]在一些實施例中,襯墊可以形成為完全覆蓋各個PCM元件的側(cè)壁和/或頂表面并且襯墊可以具有均勻厚度。在一些實施例中,襯墊可以直接沉積在各個PCM元件的硫族化合物材料上。
[0046]在408處,方法400還可以包括沉積填充材料(例如圖3的填充材料348)以填充各個PCM元件之間的區(qū)域。在一些實施例中,種子層(例如圖3的種子層346)可以被沉積在襯墊上以便于填充材料的沉積。在其它實施例中,填充材料可以直接沉積在襯墊上。在又一些實施例中,襯墊的材料可以被沉積以提供填充材料并且填充各個PCM元件之間的區(qū)域。
[0047]本公開的實施例可以被實現(xiàn)到使用任何合適的硬件和/或軟件以如所期望的那樣進行配置的系統(tǒng)中。圖5示意性地圖示了依照本文所描述的各種實施例的包括PCM器件508(例如圖3的PCM器件300)的示例系統(tǒng)(例如計算設(shè)備500)。計算設(shè)備500可以容納諸如母板502之類的板。母板502可以包括多個部件,包括但不限于處理器504和至少一個通信芯片506。處理器504可以被物理和電氣耦合到母板502。在一些實施方式中,至少一個通信芯片506還可以被物理和電氣耦合到母板502。在另外的實施方式中,通信芯片506可以是處理器504的一部分。
[0048]取決于其應(yīng)用,計算設(shè)備500可以包括其它部件,其可以或可以不物理和電氣耦合到母板502。這些其它部件可以包括但不限于易失性存儲器(例如DRAM)、非易失性存儲器(例如PCM(PCM 508)或ROM)、閃速存儲器、圖形處理器、數(shù)字信號處理器、密碼處理器、芯片集、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、羅盤、蓋革計數(shù)器、加速度計、陀螺儀、揚聲器、相機和大容量存儲設(shè)備(諸如硬盤驅(qū)動器、致密盤(CD)、數(shù)字多功能盤(DVD)等等)。
[0049]根據(jù)各種實施例,PCM508可以與本文所描述的實施例一致。例如,PCM 508可以包括如本文所描述的襯墊(例如,圖3的襯墊344)。
[0050]通信芯片506可以能夠?qū)崿F(xiàn)用于數(shù)據(jù)去往和來自計算設(shè)備500的傳輸?shù)臒o線通信。術(shù)語“無線”及其派生詞可以用來描述可以通過使用通過非固體介質(zhì)的經(jīng)調(diào)制的電磁輻射來傳達數(shù)據(jù)的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等。該術(shù)語并不暗示相關(guān)聯(lián)的設(shè)備不包含任何導(dǎo)線,盡管在一些實施例中它們可能不包含。通信芯片506可以實現(xiàn)多個無線標準或協(xié)議中的任何一個,包括但不限于,國際電子與電氣工程師協(xié)會(IEEE)標準(包括W1-Fi(IEEE 802.11家族))、IEEE 802.16標準(例如,IEEE 802.16-2005修正案)、連同任何修正、升級和/或校訂的長期演進(LTE)項目(例如,先進LTE項目、超移動帶寬(UMB)項目(也稱為“3GPP2”)等XIEEE 802.16兼容BWA網(wǎng)絡(luò)通常被稱作WiMAX網(wǎng)絡(luò),代表全球微波接入互操作性的首字母縮略詞,其是通過IEEE 802.16標準的一致性和互操作性測試的商品的認證標記。通信芯片506可以根據(jù)全球移動通信系統(tǒng)(GSM)、通用分組無線服務(wù)(GPRS)、通用移動通信系統(tǒng)(UMTS)、高速分組接入(HSPA)、演進的HSPA(E-HSPA)或者LTE網(wǎng)絡(luò)來操作。通信芯片506可以根據(jù)增強數(shù)據(jù)GSM演進(EDGE)、GSM EDGE無線電接入網(wǎng)絡(luò)(GERAN)、通用陸地無線電接入網(wǎng)絡(luò)(UTRAN)或者演進的UTRAN(E-UTRAN)來操作。通信芯片506可以根據(jù)碼分多址(CDMA)、時分多址(TDMA)、數(shù)字增強無線遠程通信(DECT)、演進數(shù)據(jù)優(yōu)化(EV-DO)、其衍生物,以及任何其它的指定為3G、4G、5G及其以上的無線協(xié)議來操作。在其它實施例中,通信芯片506可以依照其它無線協(xié)議來操作。
[0051 ] 計算設(shè)備500可以包括多個通信芯片506。例如,第一通信芯片506可以專用于較短范圍的無線通信,諸如W1-Fi和藍牙,并且第二通信芯片506可以專用于較長范圍的無線通信,諸如 GPS,EDGE,GPRS,CDMA,WiMAX,LTE,Ev-DO 等。
[0052]在各種實施方式中,計算設(shè)備500可以是移動計算設(shè)備、膝上型電腦、上網(wǎng)本、筆記本電腦、超極本、智能電話、平板電腦、個人數(shù)字助理(PDA)、超級移動PC、移動電話、臺式計算機、服務(wù)器、打印機、掃描儀、監(jiān)視器、機頂盒、娛樂控制單元、數(shù)字相機、便攜式音樂播放器或數(shù)字視頻記錄器。在另外的實施方式中,計算設(shè)備500可以是處理數(shù)據(jù)的任何其它電子設(shè)備。
[0053]示例
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