增強(qiáng)封裝位置處的機(jī)械強(qiáng)度。需要說(shuō)明的是任一通孔均可設(shè)置倒T形的結(jié)構(gòu),考慮到工藝的難度,優(yōu)選可以將第一通孔9041以及第三通孔9043的截面設(shè)置成倒T形結(jié)構(gòu)。
[0040]圖5也示出了具有倒T形截面形狀的通孔。
[0041]如圖3-5所示,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,通孔包括不同深度的通孔。具體的,如圖4所示,陣列基板的功能層包括從上自下依次設(shè)置的源漏極金屬層205(第一膜層)、中間絕緣層204 (第二膜層)以及柵金屬層203 (第三膜層),所述通孔包括:從源漏極金屬層、中間絕緣層到柵金屬層貫穿的第一通孔9041;從中間絕緣層貫穿的第二通孔9042;從中間絕緣層到柵金屬層貫穿的第三通孔9043。采用不同深度的通孔,從而,所提供的陣列基板可以減少封裝后陣列基板內(nèi)部殘余應(yīng)力,降低裂開(kāi)風(fēng)險(xiǎn)。
[0042]在本發(fā)明的實(shí)施方式中,所述功能層還包括第四膜層,所述通孔還包括第四通孔,其中,所述第四通孔貫穿第二膜層、第三膜層和第四膜層;所述溝槽還包括設(shè)置在第四通孔上方的第四溝槽和/或設(shè)置在第二通孔以及第四通孔上方的第五溝槽。
[0043]具體的,如圖5所示,陣列基板的功能層包括從上自下依次設(shè)置的源漏極金屬層205、中間絕緣層204、柵金屬層203以及柵絕緣層202(第四膜層),所述通孔包括:從源漏極金屬層、中間絕緣層到柵金屬層貫穿的第一通孔9041;從中間絕緣層、柵金屬層到柵絕緣層貫穿的第四通孔9044;從中間絕緣層到柵金屬層貫穿的第三通孔9043。所述溝槽可以包括設(shè)置在第四通孔9044上方的第四溝槽,或者同時(shí)設(shè)置在第三通孔9043以及第四通孔9044上方的第五溝槽。
[0044]上述分別示出了本發(fā)明所提供的陣列基板的不同的實(shí)施方式,但是上述實(shí)施方式并不是對(duì)本發(fā)明的限定,并且上述實(shí)施方式之間可以結(jié)合也可以單獨(dú)使用,例如,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以采用具有溝槽和通孔的陣列基板;再例如,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以采用具有溝槽和不同深度的通孔等。
[0045]本發(fā)明還提供一種顯示面板,所述陣列基板包括封裝膠以及上述的陣列基板,所述封裝膠位于所述封裝區(qū)內(nèi)。
[0046]本發(fā)明還提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包括上述的顯示面板。
[0047]此外,本發(fā)明提供了制造上述陣列基板的方法,其包括以下步驟:形成顯示區(qū)和封裝區(qū),所述封裝區(qū)包括多層功能層;形成封裝區(qū)的步驟還包括:形成通孔,所述通孔貫穿至少一層功能層,所述通孔用于使封裝膠通過(guò)所述通孔流入;形成溝槽,所述溝槽位于至少部分所述通孔上方,其中,所述至少部分通孔在陣列基板的襯底基板上的投影區(qū)域位于所述溝槽在所述襯底基板上的投影區(qū)域內(nèi)。在具體的實(shí)施方式中,上述方法還包括步驟:在所述功能層底部形成倒T形通孔。在形成通孔的步驟中,所述通孔形成為不同的深度。本發(fā)明所提供的方法,不需要另外增加掩模工藝,只需改變掩膜版的構(gòu)圖形狀,即可完成上述的制作,工藝兼容性強(qiáng),簡(jiǎn)單可行。
[0048]在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中,在形成封裝區(qū)的步驟中,形成所述功能層使其包括第一膜層、第二膜層和第三膜層,所述第一膜層較所述第二膜層以及第三膜層遠(yuǎn)離所述襯底基板;通過(guò)構(gòu)圖工藝在第一膜層上形成第一溝槽;通過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述第一通孔、第二通孔,其中,所述第一通孔貫穿第一膜層、第二膜層和第三膜層,所述第二通孔貫穿第二膜層,所述第一溝槽位于第二通孔上方。
[0049]其中一種實(shí)施例中,第一膜層為源漏極金屬層;所述第二膜層為中間絕緣層;所述第三膜層為柵金屬層,首先沉積柵金屬層,并對(duì)柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖工藝,通過(guò)掩模板進(jìn)行曝光,顯影,通過(guò)干法刻蝕在顯示區(qū)形成柵極圖形,在封裝區(qū)形成柵金屬層圖形;其次,利用光阻涂層對(duì)有效顯示區(qū)域進(jìn)行保護(hù),然后,倒T形通孔在如下步驟中形成:在利用濕刻法對(duì)封裝區(qū)的柵金屬層進(jìn)行處理,在柵金屬層底部形成貫穿柵金屬層倒T形通孔,接著繼續(xù)沉積中間絕緣層以及源漏金屬層,在對(duì)應(yīng)的位置進(jìn)行過(guò)孔的刻蝕,其中與在柵金屬層形成的倒T形通孔相接的部分過(guò)孔會(huì)形成完整的過(guò)孔,如第一過(guò)孔、第三過(guò)孔。
[0050]本發(fā)明實(shí)施例中,溝槽的形成可以形成在第一膜層中,通過(guò)刻蝕形成溝槽后,再在溝槽的區(qū)域內(nèi)形成位于其下方的通孔,如圖3所示,通過(guò)構(gòu)圖工藝在源漏金屬層上形成第三溝槽905后,暴露出中間絕緣層204,再通過(guò)刻蝕,形成位于第三溝槽905區(qū)域內(nèi)的第二通孔以及第三通孔;也可以先形成第二通孔以及第三通孔,待在其上沉積第一膜層(源漏金屬層)后,在第二通孔以及第三通孔對(duì)應(yīng)的位置處刻蝕第三溝槽,同時(shí)將殘留在第二通孔以及第三通孔中的源漏金屬材料也刻蝕去除掉即可。需要說(shuō)明的是,通孔以及溝槽的形成不限于此,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要采取可行的形成方案,如通孔可以在各個(gè)功能層上分別制作,最后對(duì)接即可,也可以采用一次構(gòu)圖工藝形成通孔,可以根據(jù)功能膜層的厚度進(jìn)行相應(yīng)的選擇。
[0051]在本發(fā)明的實(shí)施方式中,所述形成封裝區(qū)的步驟還包括:形成第四膜層;通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第四通孔;所述第四通孔貫穿第二膜層、第三膜層和第四膜層;通過(guò)構(gòu)圖工藝在第一膜層上形成第四溝槽和/或第五溝槽;所述第四溝槽位于所述第四通孔上方;所述第五溝槽位于所述第二通孔和第四通孔上方。具體形成方法與上述形成通孔以及溝槽的方法類(lèi)似,在此不再贅述。
[0052]進(jìn)一步的,以下描述根據(jù)本發(fā)明的陣列基板進(jìn)行封裝的過(guò)程。
[0053]如圖6所示,在對(duì)盒完成后,利用激光照射封裝膠涂布區(qū)域,封裝膠902融化,融化的封裝膠902通過(guò)溝槽905流入到通孔904,最后完成封裝。
[0054]盡管對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了展示和描述,但本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解在不偏離本發(fā)明的原理和實(shí)質(zhì)的情況下,可對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行改變,其范圍也落入本發(fā)明的權(quán)利要求及其等同物所限定的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板,其包括:顯示區(qū)和封裝區(qū),所述封裝區(qū)包括多層功能層,所述封裝區(qū)還包括 通孔,所述通孔貫穿至少一層功能層,所述通孔用于使封裝膠通過(guò)所述通孔流入; 溝槽,所述溝槽設(shè)置在至少部分所述通孔上方,其中,所述至少部分通孔在陣列基板的襯底基板上的投影區(qū)域位于所述溝槽在所述襯底基板上的投影區(qū)域內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其中, 所述通孔的截面設(shè)置成倒T形結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其中, 所述功能層包括層疊的第一膜層、第二膜層和第三膜層;所述第一膜層較所述第二膜層以及第三膜層遠(yuǎn)離所述襯底基板; 所述通孔包括第一通孔、第二通孔; 所述第一通孔貫穿第一膜層、第二膜層和第三膜層, 所述第二通孔貫穿第二膜層; 所述溝槽包括設(shè)置在第二通孔上方的第一溝槽。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其中, 所述通孔還包括第三通孔; 所述第三通孔貫穿第二膜層和第三膜層; 所述溝槽還包括設(shè)置在第三通孔上方的第二溝槽和/或設(shè)置在第二通孔和第三通孔上方的第三溝槽。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其中, 所述功能層還包括第四膜層, 所述通孔還包括第四通孔,其中, 所述第四通孔貫穿第二膜層、第三膜層和第四膜層; 所述溝槽還包括設(shè)置在第四通孔上方的第四溝槽和/或設(shè)置在第二通孔以及第四通孔上方的第五溝槽。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其中, 所述第一膜層為源漏極金屬層; 所述第二膜層為中間絕緣層; 所述第三膜層為柵金屬層。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板,其中, 所述第一膜層為源漏極金屬層; 所述第二膜層為中間絕緣層; 所述第三膜層為柵金屬層; 所述第四膜層為柵絕緣層。8.—種顯示面板,所述顯示面板包括封裝膠以及如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的陣列基板,所述封裝膠位于所述封裝區(qū)內(nèi)。9.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括權(quán)利要求8所述的顯示面板。10.—種制造權(quán)利要求1所述的陣列基板的方法,其包括以下步驟: 形成顯示區(qū)和封裝區(qū),所述封裝區(qū)包括多層功能層; 形成封裝區(qū)的步驟還包括: 形成通孔,所述通孔貫穿至少一層功能層,所述通孔用于使封裝膠通過(guò)所述通孔流入;形成溝槽,所述溝槽位于至少部分所述通孔上方,其中,所述至少部分通孔在陣列基板的襯底基板上的投影區(qū)域位于所述溝槽在所述襯底基板上的投影區(qū)域內(nèi)。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,還包括步驟: 在所述功能層底部形成倒T形通孔。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,在形成封裝區(qū)的步驟中, 形成所述功能層使其包括第一膜層、第二膜層和第三膜層,所述第一膜層較所述第二膜層以及第三膜層遠(yuǎn)離所述襯底基板; 通過(guò)構(gòu)圖工藝在第一膜層上形成第一溝槽; 通過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述第一通孔、第二通孔,其中, 所述第一通孔貫穿第一膜層、第二膜層和第三膜層, 所述第二通孔貫穿第二膜層, 所述第一溝槽位于第二通孔上方。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中,所述形成封裝區(qū)的步驟還包括: 通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第三通孔; 所述第三通孔貫穿第二膜層和第三膜層; 通過(guò)構(gòu)圖工藝在第一膜層上形成第二溝槽和/或第三溝槽; 所述第二溝槽位于所述第三通孔上方;所述第三溝槽位于所述第二通孔和第三通孔上方。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中,所述形成封裝區(qū)的步驟還包括: 形成第四膜層; 通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第四通孔; 所述第四通孔貫穿第二膜層、第三膜層和第四膜層; 通過(guò)構(gòu)圖工藝在第一膜層上形成第四溝槽和/或第五溝槽; 所述第四溝槽位于所述第四通孔上方;所述第五溝槽位于所述第二通孔和第四通孔上方。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板,其包括:顯示區(qū)和封裝區(qū),所述封裝區(qū)包括多層功能層,所述封裝區(qū)還包括通孔,所述通孔貫穿至少一層功能層,所述通孔用于使封裝膠通過(guò)所述通孔流入;溝槽,所述溝槽設(shè)置在至少部分所述通孔上方,其中,所述至少部分通孔在陣列基板的襯底基板上的投影區(qū)域位于所述溝槽在所述襯底基板上的投影區(qū)域內(nèi)。
【IPC分類(lèi)】H01L27/12, H01L23/31, H01L21/77
【公開(kāi)號(hào)】CN105679770
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610058612
【發(fā)明人】王祖強(qiáng), 楊玉清, 皇甫魯江
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年6月15日
【申請(qǐng)日】2016年1月28日