陣列基板及其制作方法、包含其的顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開一般涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及陣列基板及其制作方法、包含其的顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]靜電擊穿(ESD，Electro_Static Discharge)是顯示面板制程中由于靜電大量累積，在電荷轉(zhuǎn)移過(guò)程中遇到較細(xì)的走線或者線線交叉的地方，瞬間電流過(guò)大，對(duì)電子器件的一種破壞現(xiàn)象。
[0003]隨著對(duì)PPI(Pixel per Inch)提升的需求，器件的尺寸越來(lái)越小，金屬的線寬以及金屬與金屬之間的距離越來(lái)越小，甚至連成一體。
[0004]參見圖1所示，其示意性地示出了現(xiàn)有的顯示面板中，與各像素電極分別對(duì)應(yīng)連接的多個(gè)TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)的源漏極110、柵極線120和遮光層中的各遮光金屬塊130的位置關(guān)系。如圖1所示，相鄰的遮光金屬塊130之間的間距約為2μπι，且隨著PPI的提高，該間距將變得更小。由于刻蝕工藝的精度限制，當(dāng)相鄰遮光金屬塊的間距過(guò)小時(shí)，無(wú)法既保證相鄰的二遮光金屬塊之間相互絕緣又保證遮光金屬塊能夠完全地遮擋TFT器件的溝道。如圖2所示，由于相鄰二遮光金屬塊210之間的間隔區(qū)域211的寬度非常小，在實(shí)際制作時(shí)，將不再刻蝕間隔區(qū)域211，而是制作整條的遮光金屬線以遮擋整行像素的所有TFT器件的溝道。
[0005]此外，隨著后續(xù)金屬層(例如，數(shù)據(jù)線所在的金屬層等)的疊加，發(fā)生“天線效應(yīng)”的可能性也越來(lái)越大。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)中，可以通過(guò)一個(gè)或者多個(gè)TFT或者引線組成防靜電器件。防靜電器件中不同的引線可作為靜電的輸入端和輸出端將靜電導(dǎo)出，或者使得靜電在引線上逐漸衰減，從而達(dá)到靜電釋放的目的。但是在這些防靜電器件形成之前，不可避免地存在靜電累積對(duì)走線的損傷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，期望提供一種陣列基板及其制作方法、包含其的顯示面板，以期解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題。
[0008]第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括基板、形成在基板上的第一導(dǎo)體層、形成在第一導(dǎo)體層上的第一鈍化層、形成在第一鈍化層上的遮光層、形成在遮光層上的第二鈍化層以及形成在第二鈍化層上的第一金屬層;其中:遮光層包括多條平行的第一金屬走線；第一金屬層包括與每條第一金屬走線一一對(duì)應(yīng)的多條平行設(shè)置的第二金屬走線;第一鈍化層設(shè)有多個(gè)貫穿第一鈍化層的第一過(guò)孔，各第一金屬走線通過(guò)至少一個(gè)第一過(guò)孔與第一導(dǎo)體層電連接;各第二鈍化層設(shè)有多個(gè)貫穿第二鈍化層的第二過(guò)孔，各第二金屬走線和與之對(duì)應(yīng)的第一金屬走線之間通過(guò)至少一個(gè)第二過(guò)孔電連接;陣列基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，第一過(guò)孔和第二過(guò)孔位于非顯示區(qū)。
[0009]第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種顯示面板，其包括如上所述的陣列基板，以及與陣列基板對(duì)置的彩膜基板，以及形成于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。
[0010]第三方面，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，用于制作至少一個(gè)陣列基板，包括:在基板上形成第一導(dǎo)體層;在第一導(dǎo)體層上形成第一鈍化層，并在第一鈍化層上開設(shè)多個(gè)貫穿第一鈍化層的第一過(guò)孔;在第一鈍化層上形成遮光層，光層包括多條平行的第一金屬走線，各第一金屬走線通過(guò)至少一個(gè)第一過(guò)孔與第一導(dǎo)體層電連接;在遮光層上形成第二鈍化層，并在第二鈍化層上開設(shè)多個(gè)貫穿第二鈍化層的第二過(guò)孔；以及在第二鈍化層上形成第一金屬層，第一金屬層包括與每條第一金屬走線對(duì)應(yīng)的多條平行設(shè)置的第二金屬走線，第二金屬走線通過(guò)至少一個(gè)第二過(guò)孔和與之對(duì)應(yīng)的第一金屬走線電連接。
[0011]按照本申請(qǐng)實(shí)施例的方案，通過(guò)在陣列基板的制作過(guò)程中，在第一導(dǎo)體層和遮光層之間的第一鈍化層上形成第一過(guò)孔，以使遮光層上積累的靜電荷可通過(guò)這些第一過(guò)孔引至第一導(dǎo)體層進(jìn)而消散，并在遮光層和第一金屬層之間的第二鈍化層上形成第二過(guò)孔，以使第一金屬層上積累的靜電荷通多第二過(guò)孔、第一過(guò)孔引至第一導(dǎo)體層進(jìn)而消散。避免了靜電荷在遮光層和第一金屬層上積累可能導(dǎo)致的“天線效應(yīng)”，防止“天線效應(yīng)”對(duì)陣列基板中的各金屬走線可能造成的破壞，進(jìn)而可提高陣列基板的制作良率。
【附圖說(shuō)明】
[0012]通過(guò)閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本申請(qǐng)的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:
[0013I圖1示出了現(xiàn)有的顯示面板的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0014]圖2示出了現(xiàn)有的顯示面板中，隨著PPI的增大，相鄰遮光金屬塊的位置關(guān)系；
[0015]圖3A示出了本申請(qǐng)的陣列基板的一個(gè)實(shí)施例的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0016]圖3B為圖3A的沿A-A線的剖視圖；
[0017]圖4A示出了本申請(qǐng)的陣列基板的另一個(gè)實(shí)施例的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0018]圖4B為圖4A的沿B-B線的剖視圖；
[0019]圖5示出了本申請(qǐng)的陣列基板的制作方法的一個(gè)實(shí)施例的示意性流程圖；
[0020]圖6A示出了采用本申請(qǐng)的陣列基板的制作方法制成的陣列基板的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0021]圖6B為圖6A的沿C-C線的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對(duì)該發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發(fā)明相關(guān)的部分。
[0023]需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本申請(qǐng)。
[0024]參見圖3A所示，為本申請(qǐng)的陣列基板的一個(gè)實(shí)施例的示意性結(jié)構(gòu)圖，圖3B為圖3A的沿A-A線的剖視圖。
[0025]下面，將結(jié)合圖3A和圖3B來(lái)對(duì)本實(shí)施例的陣列基板進(jìn)行詳細(xì)描述。需要說(shuō)明的是，圖3A和圖3B中，相同的附圖標(biāo)記代表相同的結(jié)構(gòu)。
[0026]本實(shí)施例的陣列基板包括基板310、形成在基板310上的第一導(dǎo)體層320、形成在第一導(dǎo)體層320上的第一鈍化層330、形成在第一鈍化層330上的遮光層、形成在遮光層上的第二鈍化層350以及形成在第二鈍化層350上的第一金屬層。
[0027]遮光層包括多條平行的第一金屬走線340。第一金屬層包括與每條第一金屬走線340一一對(duì)應(yīng)的多條平行設(shè)置的第二金屬走線360。第一鈍化層330設(shè)有多個(gè)貫穿第一鈍化層330的第一過(guò)孔331，各第一金屬走線340通過(guò)至少一個(gè)第一過(guò)孔331與第一導(dǎo)體層320電連接。各第二鈍化層350設(shè)有多個(gè)貫穿第二鈍化層350的第二過(guò)孔351，各第二金屬走線360和與之對(duì)應(yīng)的第一金屬走線340之間通過(guò)至少一個(gè)第二過(guò)孔351電連接。
[0028]此外，本實(shí)施例的陣列基板包括顯示區(qū)30和非顯示區(qū)，第一過(guò)孔331和第二過(guò)孔351均位于非顯示區(qū)。圖3A中，附圖標(biāo)記30所示的虛線框內(nèi)的區(qū)域?yàn)殛嚵谢宓娘@示區(qū)，而位于虛線框外的部分則為陣列基板的非顯示區(qū)。
[0029]本實(shí)施例的陣列基板，通過(guò)形成在第一鈍化層330上的第一過(guò)孔