掩模144。
[0020]參看圖2D，一層熱氧化物124形成于深溝槽118的側(cè)壁及底部上以提供電介質(zhì)襯層122的第一電介質(zhì)子層124。熱氧化物124的層可為(例如)200納米到300納米厚。一層二氧化硅126(例如)通過(guò)亞大氣化學(xué)氣相沉積(SACVD)過(guò)程形成于熱氧化物124的層上。二氧化硅126的層可為(例如)300納米到500納米厚。與經(jīng)沉積的二氧化硅126的層組合的熱氧化物124的層提供電介質(zhì)襯層122。
[0021]參看圖2E，移除深溝槽118的底部處的電介質(zhì)襯層122以便形成接觸開(kāi)口128及使基層104暴露。舉例來(lái)說(shuō)，可通過(guò)反應(yīng)離子蝕刻(RIE)過(guò)程146移除電介質(zhì)材料。RIE過(guò)程146可使用具有至少4個(gè)碳原子的碳氟化合物(例如C4F8)及氧氣(O2)，其在側(cè)壁上的電介質(zhì)襯層122上形成基于碳的聚合物的涂層以減小彼處的蝕刻且因此在側(cè)壁上留下實(shí)質(zhì)上完整的電介質(zhì)襯層122。使用具有至少4個(gè)碳原子的碳氟化合物及氧氣(其中實(shí)質(zhì)上無(wú)更短鏈烴反應(yīng)物)有利地能夠在具有大于20的縱橫比的深溝槽118中形成接觸開(kāi)口 128。當(dāng)接觸開(kāi)口 128形成同時(shí)，半導(dǎo)體裝置100不含含有光致抗蝕劑的蝕刻掩模，從而有利地減小半導(dǎo)體裝置100的制造成本及復(fù)雜性。
[0022]參看圖2F，p型摻雜劑148(例如硼)可在接觸開(kāi)口128之下被植入到襯底102中以形成接觸經(jīng)植入?yún)^(qū)域150。摻雜劑148具有與基層104中的摻雜劑相同的極性。在基層104為η型的當(dāng)前實(shí)例的替代版本中，摻雜劑148為η型摻雜劑，例如磷及/或砷?？梢?例如)2 X 114Cm一2到2 X 115Cnf2的劑量植入摻雜劑148?？梢詫?shí)質(zhì)上零度傾斜植入摻雜劑148以便減小不可避免地被植入到電介質(zhì)襯層122中的摻雜劑148的部分。硬掩模氧化物的層142從超高縱橫比接觸件116的區(qū)域外部吸收摻雜劑148。不需要通過(guò)光刻過(guò)程產(chǎn)生的植入掩模以從襯底102的頂表面110掩蔽摻雜劑148，從而有利地減小半導(dǎo)體裝置100的制造成本及復(fù)雜性。
[0023]參看圖2G，一層深溝槽接觸材料152形成于半導(dǎo)體裝置100之上，從而在電介質(zhì)襯層122上延伸到深溝槽118中且穿過(guò)接觸開(kāi)口 128以電氣連接到襯底102?？赡芡ㄟ^(guò)形成深溝槽接觸材料152的層激活圖2F的接觸經(jīng)植入?yún)^(qū)域150(如果存在)中的摻雜劑以形成經(jīng)摻雜的接觸區(qū)域132，使得深溝槽接觸材料152的層穿過(guò)經(jīng)摻雜的接觸區(qū)域132電氣連接到襯底102。在當(dāng)前實(shí)施例的一個(gè)版本中，深溝槽接觸材料152的層可主要為多晶硅。在另一版本中，深溝槽接觸材料152的層可包含具有金屬合成物的子層，例如一層經(jīng)濺鍍的鈦及/或一層氮化鈦。深溝槽接觸材料152的層可包含鋁或鎢填充金屬。
[0024]參看圖2Η，使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)過(guò)程154(圖2Η中描繪為CMP墊154)移除圖2G的深溝槽接觸材料152的層、硬掩模氧化物142的層及襯底102的頂表面110之上的墊氮化物140的層的部分。深溝槽118中剩余的深溝槽接觸材料152的層提供深溝槽接觸材料134。墊氮化物140的剩余層及墊氧化物138的層隨后經(jīng)移除以提供圖1的結(jié)構(gòu)。替代地，在隨后植入及退火期間可將墊氧化物138的層留在適當(dāng)位置，且稍后在制造過(guò)程中被移除。
[0025]圖3為含有超高縱橫比接觸件的另一實(shí)例半導(dǎo)體裝置的橫截面。半導(dǎo)體裝置300形成于包括基層304的襯底302上?；鶎?04可為(例如)塊狀硅之上的P型外延硅。P型上層308于基層304上方安置于襯底302中且延伸到襯底302的頂表面310。局部η型埋層306在基層304的部分之上且在上層308之下安置于襯底302中。可通過(guò)使用植入掩模將η型摻雜劑植入至IJp型基層304中形成局部η型埋層306，繼之以熱驅(qū)動(dòng)退火及隨后外延過(guò)程以生長(zhǎng)P型上層308使得通過(guò)所植入的η型摻雜劑的擴(kuò)散及激活來(lái)形成局部埋層306。埋層306的頂表面312可在襯底302的頂表面310下方10微米到40微米處，且埋層306的底表面314可在埋層306的頂表面312下方20微米到40微米處。
[0026]超高縱橫比接觸件316安置于襯底302中。超高縱橫比接觸件316包含在襯底302中延伸至少10微米深的深溝槽318。深溝槽318延伸到局部埋層306中但不延伸到基層304中。深溝槽318在接近襯底302的頂表面310處可具有1.5微米到5微米的寬度320。電介質(zhì)襯層322安置于深溝槽318的側(cè)壁上。電介質(zhì)襯層322可具有250納米到750納米的厚度?？扇鐓⒖紙D2D所描述形成電介質(zhì)襯層316。在使襯底302暴露的接觸開(kāi)口 328中在深溝槽318的底部處移除電介質(zhì)襯層322，如參看圖2Ε所描述。接觸開(kāi)口 328具有200納米到I微米的寬度330。經(jīng)摻雜的接觸區(qū)域332可在接觸開(kāi)口 328之下任選地安置于襯底302中。經(jīng)摻雜的接觸區(qū)域332摻雜有與局部埋層306相同的摻雜劑極性且可具有大于I X 119Cnf3的平均摻雜密度。導(dǎo)電的深溝槽接觸材料334安置于電介質(zhì)襯層322上的超高縱橫比接觸件316中，從而穿過(guò)接觸開(kāi)口 328延伸且穿過(guò)經(jīng)摻雜的接觸區(qū)域332(如果存在)電氣連接到襯底302的局部埋層306部分。深溝槽接觸材料334可具有如參考圖1描述的合成物。超高縱橫比接觸件316可具有大于20的縱橫比(S卩，深溝槽318的深度與寬度320的比率)。與其它深接觸件相比，超高縱橫比接觸件316有利地消耗半導(dǎo)體裝置300的更小面積。
[0027]在當(dāng)前實(shí)例中，超高縱橫比接觸件316具有如圖3中描繪的閉合回路配置，使得由超高縱橫比接觸件316將上層308的部分336從剩余上層308電氣隔離。在當(dāng)前實(shí)例的另一版本中，超高縱橫比接觸件316可具有線性配置而非閉合回路配置以便提供偏置連接到局部埋層306。在當(dāng)前實(shí)例的替代版本中，半導(dǎo)體裝置300可形成于具有P型埋層306及η型上層308的η型基層304上。
[0028]圖4為含有超高縱橫比接觸件的實(shí)例半導(dǎo)體裝置的橫截面。半導(dǎo)體裝置400形成于包括半導(dǎo)體材料的P型基半導(dǎo)體層404、半導(dǎo)體材料的η型埋層406及延伸到襯底402的頂表面410的P型上半導(dǎo)體層408的襯底402中。P型基半導(dǎo)體層404可為具有5歐姆-厘米到10歐姆-厘米的電阻率的外延半導(dǎo)體層。P型上半導(dǎo)體層408也可為具有5歐姆-厘米到10歐姆-厘米的電阻率的外延半導(dǎo)體層。η型埋層406可包含跨立于基半導(dǎo)體層404與上半導(dǎo)體層408之間的邊界的主層456，從而延伸至少一微米到基半導(dǎo)體層404中且至少一微米到上半導(dǎo)體層408中。11型埋層406還可包含延伸到主層456下方至少2微米的經(jīng)輕度摻雜的層458。埋層406的頂表面412可在襯底402的頂表面410下方10微米到40微米處，且埋層406的底表面414可在埋層406的頂表面412下方20微米到40微米處?？扇缇哂械?4/555,330號(hào)專利申請(qǐng)案(代理案號(hào)ΤΙ-72683)的共同指派的專利申請(qǐng)案中所描述形成η型埋層406，第14/555,330號(hào)專利申請(qǐng)案與此申請(qǐng)案同時(shí)申請(qǐng)且以引用方式并入本文中。
[0029]一或多個(gè)超高縱橫比接觸件416安置于襯底402中。超高縱橫比接觸件416包含通過(guò)埋層406在襯底402中延伸至少10微米深且延伸到基半導(dǎo)體層404中的深溝槽418。電介質(zhì)襯層422安置于深溝槽418的側(cè)壁上。在暴露襯底402的接觸開(kāi)口 428中移除深溝槽418的底部處的電介質(zhì)襯層422。經(jīng)摻雜的接觸區(qū)域432在接觸開(kāi)口4