方向平行設(shè)置且相互間隔的豎部42，所述多條橫部41與多條豎部42垂直交錯出多個呈陣列式排布、相互間隔、呈矩形的鏤空部43。
[0050]步驟3、如圖6、圖7所示，以所述光阻圖案4為遮蔽層，向非晶硅層3’植入高劑量的摻雜離子，由于所述光阻圖案4的多條橫部41與多條豎部42垂直交錯出多個呈陣列式排布、相互間隔、呈矩形的鏤空部43，透過所述多個鏤空部43在非晶硅層3’對應(yīng)欲形成TFT溝道區(qū)的區(qū)域內(nèi)形成多個呈陣列式排布、相互間隔、且形狀規(guī)則的離子重摻雜區(qū)塊31。
[0051]當(dāng)然，所述離子重摻雜區(qū)塊31的形狀與鏤空部43的形狀一致，亦呈矩形。
[0052]可選的，該步驟3中高劑量的摻雜離子為硼(B)離子，所述離子重摻雜區(qū)塊31為P型重摻雜區(qū)塊;或者該步驟3中高劑量的摻雜離子為磷(P)離子，所述離子重摻雜區(qū)塊31為N型重摻雜區(qū)塊。
[0053]步驟4、如圖8所示，先去除所述光阻圖案4，再進行快速熱退火處理，使非晶硅層3’轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑?，其中非晶硅層3’對應(yīng)欲形成TFT溝道區(qū)的區(qū)域以所述多個呈陣列式排布、相互間隔、且形狀規(guī)則的離子重摻雜區(qū)塊31為晶核進行側(cè)向結(jié)晶，能夠使得多晶硅的晶粒大小得以改善，減少晶界數(shù)量，提高晶粒質(zhì)量。
[0054]步驟5、如圖9、圖10所示，對所述多晶層3進行圖案化處理，形成第一多晶硅段33、第二多晶硅段35，所述第一多晶硅段33包括所述多個呈陣列式排布、相互間隔、且形狀規(guī)則的離子重摻雜區(qū)塊31。
[0055]步驟6、如圖11所示，在所述第一多晶硅段33、第二多晶硅段35、與緩沖層2上沉積柵極絕緣層5。
[0056]步驟7、如圖12所示，在所述柵極絕緣層5上沉積并圖案化第一金屬層，形成柵極61、與金屬電極62;所述金屬電極62與第二多晶硅段35構(gòu)成存儲電容C。
[0057]具體地，所述第一金屬層的材料為鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋁(Al)、銅(Cu)中的一種或幾種的堆棧組合。
[0058]步驟8、如圖13所示，在所述柵極61、金屬電極62、與柵極絕緣層5上沉積并圖案化蝕刻阻擋層7，形成分別暴露出所述第一多晶硅段33兩端部分表面的第一過孔71、與第二過孔72。
[0059]具體地，所述蝕刻阻擋層7的材料為材料均為Si0x、SiNx、或二者的組合。
[0060]步驟9、如圖14所示，在所述蝕刻阻擋層7上沉積并圖案化第二金屬層，形成源極81、與漏極82，所述源極81、與漏極82分別經(jīng)由第一過孔71、與第二過孔72接觸第一多晶硅段33。
[0061 ]所述源極81、漏極82、柵極61、與第一多晶硅段33構(gòu)成TFT T0
[0062]具體地，所述第二金屬層的材料為Mo、T1、Al、Cu中的一種或幾種的堆棧組合。
[0063]若上述步驟3中的高劑量的摻雜離子為硼離子，則所述TFTT為P型TFT;若上述步驟3中的高劑量的摻雜離子為磷離子，則所述TFT T為N型TFT。由于TFT溝道區(qū)域以所述多個呈陣列式排布、相互間隔、且形狀規(guī)則的離子重摻雜區(qū)塊31為晶核進行側(cè)向結(jié)晶，多晶硅的晶粒大小得以改善，減少了晶界數(shù)量，提高了晶粒質(zhì)量，從而該TFT T的電性也隨之得到提尚O
[0064]以及步驟10、如圖15所示，在所述源極81、漏極82、與蝕刻阻擋層7上依次制作平坦層9、像素電極層10、像素定義層11、及光阻間隙物層12;所述像素電極12經(jīng)由貫穿所述平坦層9的第三過孔91接觸所述漏極82。
[0065]具體地，所述像素電極層10的材料為氧化銦錫/銀/氧化銦錫(IT0/Ag/IT0)。
[0066]綜上所述，本發(fā)明的低溫多晶硅TFT背板的制作方法，通過在非晶硅層對應(yīng)欲形成TFT溝道區(qū)的區(qū)域上形成光阻圖案，以所述光阻圖案為遮蔽層，向非晶硅層植入高劑量的摻雜離子，在非晶硅層對應(yīng)欲形成TFT溝道區(qū)的區(qū)域內(nèi)形成多個呈陣列式排布、相互間隔、且形狀規(guī)則的離子重摻雜區(qū)塊，然后再進行快速熱退火處理，使非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑?，能夠使得非晶硅層對?yīng)欲形成TFT溝道區(qū)的區(qū)域以所述多個呈陣列式排布、相互間隔、且形狀規(guī)則的離子重摻雜區(qū)塊為晶核進行側(cè)向結(jié)晶，從而能夠改善多晶硅層的晶粒大小，減少晶界數(shù)量，提高晶粒質(zhì)量，提高TFT的電性。
[0067]以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種低溫多晶硅TFT背板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供一基板(1)，依次在所述基板(1)上沉積緩沖層(2)、與非晶硅層(3’)； 步驟2、在所述非晶硅層(3’)上涂布一層光阻，并對該層光阻進行黃光制程，在非晶硅層(3’)對應(yīng)欲形成TFT溝道區(qū)的區(qū)域上形成光阻圖案(4); 步驟3、以所述光阻圖案(4)為遮蔽層，向非晶硅層(3’)植入高劑量的摻雜離子，在非晶硅層(3’)對應(yīng)欲形成TFT溝道區(qū)的區(qū)域內(nèi)形成多個呈陣列式排布、相互間隔、且形狀規(guī)則的離子重摻雜區(qū)塊(31); 步驟4、先去除所述光阻圖案(4)，再進行快速熱退火處理，使非晶硅層(3’)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑?3)，其中非晶硅層(3’)對應(yīng)欲形成TFT溝道區(qū)的區(qū)域以所述多個呈陣列式排布、相互間隔、且形狀規(guī)則的離子重摻雜區(qū)塊(31)為晶核進行側(cè)向結(jié)晶； 步驟5、對所述多晶層(3)進行圖案化處理，形成第一多晶硅段(33)、第二多晶硅段(35)，所述第一多晶硅段(33)包括所述多個呈陣列式排布、相互間隔、且形狀規(guī)則的離子重慘雜區(qū)塊(31)； 步驟6、在所述第一多晶硅段(33)、第二多晶硅段(35)、與緩沖層(2)上沉積柵極絕緣層(5)； 步驟7、在所述柵極絕緣層(5)上沉積并圖案化第一金屬層，形成柵極(61)、與金屬電極(62);所述金屬電極(62)與第二多晶硅段(35)構(gòu)成存儲電容(C); 步驟8、在所述柵極(61)、金屬電極(62)、與柵極絕緣層(5)上沉積并圖案化蝕刻阻擋層(7)，形成分別暴露出所述第一多晶硅段(33)兩端部分表面的第一過孔(71)、與第二過孔(72); 步驟9、在所述蝕刻阻擋層(7)上沉積并圖案化第二金屬層，形成源極(81)、與漏極(82)，所述源極(81)、與漏極(82)分別經(jīng)由第一過孔(71)、與第二過孔(72)接觸第一多晶硅段(33)； 所述源極(81)、漏極(82)、柵極(61)、與第一多晶硅段(33)構(gòu)成TFT(T)。2.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT背板的制作方法，其特征在于，還包括步驟10、在所述源極(81)、漏極(82)、與蝕刻阻擋層(7)上依次制作平坦層(9)、像素電極層(10)、像素定義層(U)、及光阻間隙物層(12);所述像素電極(12)經(jīng)由貫穿所述平坦層(9)的第三過孔(91)接觸所述漏極(82)。3.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT背板的制作方法，其特征在于，所述步驟3中高劑量的摻雜離子為硼離子，所述離子重摻雜區(qū)塊(31)為P型重摻雜區(qū)塊，所述TFT(T)為P型TFT。4.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT背板的制作方法，其特征在于，所述步驟3中高劑量的摻雜離子為磷離子，所述離子重摻雜區(qū)塊(31)為N型重摻雜區(qū)塊，所述TFT(T)為N型TFT。5.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT背板的制作方法，其特征在于，所述離子重摻雜區(qū)塊(31)的形狀為矩形。6.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT背板的制作方法，其特征在于，所述緩沖層(2)與蝕刻阻擋層(7)的材料均為S i O X、S i Nx、或二者的組合。7.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT背板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層與第二金屬層的材料均為Mo、T1、Al、Cu中的一種或幾種的堆棧組合。8.如權(quán)利要求2所述的低溫多晶硅TFT背板的制作方法，其特征在于，所述像素電極層(10)的材料為 ITO/Ag/ITO。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種低溫多晶硅TFT背板的制作方法，通過在非晶硅層(3’)對應(yīng)欲形成TFT溝道區(qū)的區(qū)域上形成光阻圖案(4)，以所述光阻圖案(4)為遮蔽層，向非晶硅層(3’)植入高劑量的摻雜離子，在非晶硅層(3’)對應(yīng)欲形成TFT溝道區(qū)的區(qū)域內(nèi)形成多個呈陣列式排布、相互間隔、且形狀規(guī)則的離子重摻雜區(qū)塊(31)，然后再進行快速熱退火處理，使非晶硅層(3’)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑?3)，能夠使得非晶硅層(3’)對應(yīng)欲形成TFT溝道區(qū)的區(qū)域以所述多個呈陣列式排布、相互間隔、且形狀規(guī)則的離子重摻雜區(qū)塊(31)為晶核進行側(cè)向結(jié)晶，從而能夠改善多晶硅層的晶粒大小，減少晶界數(shù)量，提高晶粒質(zhì)量，提高TFT的電性。
【IPC分類】H01L27/12, H01L21/77, H01L27/32
【公開號】CN105575974
【申請?zhí)枴緾N201510925560
【發(fā)明人】白丹, 徐源竣
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2015年12月14日