使2個(gè)側(cè)部屏蔽材料8與下部屏蔽板3和上部屏蔽板7貼合。
[0088]接著，如圖29和圖30所示，在各半導(dǎo)體芯片5之間，形成在第2方向上延伸的第2槽lb和在第1方向上延伸的第3槽lc，將半導(dǎo)體裝置單片化。第2槽lb的寬度比第1槽la狹。由此，在利用第2槽lb切斷塊體10而得到的半導(dǎo)體裝置中，殘留側(cè)部屏蔽材料8和絕緣性樹脂97，制造側(cè)部屏蔽材料8將下部屏蔽板3和上部屏蔽板7接合的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。
[0089]再者，絕緣性樹脂9'與絕緣性樹脂9一體化。因此，在第2槽lb的形成后，側(cè)部屏蔽材料8通過絕緣性樹脂9'的內(nèi)部應(yīng)力而與下部屏蔽板3和上部屏蔽板7抵接。因此，認(rèn)為絕緣性樹脂9'的第1方向上的寬度具有對于確保該應(yīng)力來說充分的厚度。
[0090][第4實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置]
[0091]接著，對第4實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖31是用于說明本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的概略截面圖。第4實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置基本上與第1實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置同樣地構(gòu)成，但在本實(shí)施方式中，在以下點(diǎn)上不同:在第1粘結(jié)材料2和下部屏蔽板3的一部分穿有孔21和31，在基板1的、通過該孔而露出的部分還形成有接觸部11，從半導(dǎo)體芯片5在第1方向上引出接合線51，經(jīng)由穿過第1粘結(jié)材料2和下部屏蔽板3的孔而與接觸部11連接。根據(jù)本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置，即使假設(shè)從半導(dǎo)體芯片5引出的接合線51的數(shù)量增加到一定程度以上的情況下，也能夠容易地接觸。再者，在本實(shí)施方式中在第1粘結(jié)材料2和下部屏蔽板3的一部分設(shè)置了孔21和31，但也可以在第3粘結(jié)材料6和上部屏蔽板7穿孔。
[0092]接著，對第4實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。圖32、圖34、圖36、圖38、圖40和圖42是用于對本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明的概略俯視圖，圖33、圖35、圖37、圖39、圖41和圖43是它們的截面圖。
[0093]本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法與第1實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法大致同樣，但如圖32和圖33所示，在下部屏蔽板3以第1方向的預(yù)定的間隔形成有孔21和31這一點(diǎn)、在與基板1的孔21和31對應(yīng)的部位形成有接觸部11這一點(diǎn)以及在基板1上形成第1粘結(jié)材料2和下部屏蔽板3之前在下部屏蔽板3的背面涂布第1粘結(jié)材料2，形成孔21和31，將形成有孔21和31的第1粘結(jié)材料2和下部屏蔽板3配置在基板1上這一點(diǎn)上不同。再者，也可以以例如在基板1上設(shè)置孔21的方式涂布第1粘結(jié)材料2，其后配置形成有孔31的下部屏蔽板3。
[0094]接著，如圖34和圖35所示，與第1實(shí)施方式同樣地，在下部屏蔽板3上搭載半導(dǎo)體芯片5。接著，將半導(dǎo)體芯片5的接觸部12與基板1的接觸部11之間利用接合線51電連接。再者，在本實(shí)施方式中在半導(dǎo)體芯片5的上表面的、與孔21和31接近的部分也形成有接觸部12。
[0095]接著，如圖36和圖37所示，在半導(dǎo)體芯片5上，將在第1方向上延伸的上部屏蔽板7，通過第3粘結(jié)材料6貼附。該工序基本上與使用圖7和圖8進(jìn)行了說明的工序是同樣的，但在本實(shí)施方式中上部屏蔽板7以避開設(shè)置在孔21和31的范圍內(nèi)的與接觸部11連接的接合線51的方式形成。在本實(shí)施方式中，通過貼附多個(gè)上部屏蔽板7實(shí)現(xiàn)了該結(jié)構(gòu)，但也可以例如通過在第3粘結(jié)材料6和上部屏蔽板7穿孔來實(shí)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)。
[0096]接著，如圖38和圖39所示，將基板1上的下部屏蔽板3、半導(dǎo)體芯片5和上部屏蔽板7通過絕緣性樹脂9填埋，形成塊體10。接著，在該塊體10上形成沿第2方向延伸的第1槽la。第1槽la設(shè)置在半導(dǎo)體芯片5的、沒有連接接合線51的方向上。再者，在本實(shí)施方式中第1槽la與第1實(shí)施方式同樣地形成，但也可以與第3實(shí)施方式同樣地形成。
[0097]接著，如圖40和圖41所示，在第1槽la上形成側(cè)部屏蔽材料8。側(cè)部屏蔽材料8的形成可以與第1實(shí)施方式或第3實(shí)施方式同樣地進(jìn)行。
[0098]接著，如圖42和圖43所示，在各半導(dǎo)體芯片5之間，形成沿第2方向延伸的第2槽lb和沿第1方向延伸的第3槽lc，將半導(dǎo)體裝置單片化。第2槽lb的寬度比第1槽la狹。由此，在利用第2槽lb切斷塊體10而得到的半導(dǎo)體裝置中，殘留側(cè)部屏蔽材料8，制造側(cè)部屏蔽材料8將下部屏蔽板3和上部屏蔽板7接合的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。
[0099 ]另外，第2槽1 b通過在孔21和31之間形成的接觸部11之間。因此，第2槽lb沒有切斷接合線51。換句話說，在孔21和31之間形成的接觸部11，將不被第2槽lb切斷的間隔空開而配置。
[0100][其他實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置]
[0101 ]在上述第1?第4實(shí)施方式中，通過沿第2方向延伸的第1槽la將絕緣性樹脂9在第1方向上隔斷。但是，也可以如圖44所示，將第1槽la形成為沿第2方向延伸的閉塞孔(凹部)。該情況下，認(rèn)為調(diào)整絕緣性樹脂9的寬度和第1槽la的寬度，如圖45所示，通過第2槽lb和第3槽lc將半導(dǎo)體裝置單片化時(shí)，在半導(dǎo)體裝置中其第1槽la的起點(diǎn)和終點(diǎn)不會(huì)顯現(xiàn)。
[0102]對本發(fā)明的一些實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但這些實(shí)施方式是作為例子提出的，并不意圖限定發(fā)明的保護(hù)范圍。這些實(shí)施方式可以在其他各種形態(tài)下實(shí)施，在不脫離發(fā)明主旨的范圍，可以進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式及其變形與發(fā)明的保護(hù)范圍所含的內(nèi)容同樣地，包含在專利請求保護(hù)的范圍所記載的發(fā)明及其均等范圍中。
[0103]附圖標(biāo)記說明
[0104]1…基板;2...第1粘結(jié)材料;3…下部屏蔽板;4.??第2粘結(jié)材料;5…半導(dǎo)體芯片;6丨第3粘結(jié)材料;7…上部屏蔽板;8…側(cè)部屏蔽材料;10...塊體;11、12...接觸部;51.??接合線。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備: 形成有第1接觸部的基板； 下部屏蔽板，其使用了在所述基板上以避開所述第1接觸部的方式設(shè)置的磁性體； 半導(dǎo)體芯片，其在所述下部屏蔽板上設(shè)置并具有與所述第1接觸部電連接的第2接觸部； 連接件，其將所述第1接觸部與所述第2接觸部電連接； 上部屏蔽板，其使用了在所述半導(dǎo)體芯片上以避開所述第2接觸部和所述連接件的方式設(shè)置的磁性體;和 側(cè)部屏蔽材料，其使用了將所述下部屏蔽板和所述上部屏蔽板的沒有配置所述連接件的側(cè)部連接的磁性體。2.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 在形成有第1接觸部的基板上，以避開所述第1接觸部的方式，設(shè)置使用了沿第1方向延伸的磁性體的下部屏蔽板， 在所述下部屏蔽板上，將具有第2接觸部的多個(gè)半導(dǎo)體芯片，以所述第1接觸部和所述第2接觸部對應(yīng)的方式在所述第1方向上以預(yù)定間隔配置， 將所述第1接觸部和所述第2接觸部通過連接件電連接， 在所述半導(dǎo)體芯片上，以避開所述第2接觸部和所述連接件的方式，配置使用了沿所述第1方向延伸的磁性體的上部屏蔽板， 將所述下部屏蔽板、所述半導(dǎo)體芯片、所述連接件和所述上部屏蔽板通過樹脂封閉而形成塊體， 對得到的所述塊體，以避開所述半導(dǎo)體芯片的方式形成沿著與所述第1方向交叉的第2方向延伸的第1槽，將所述下部屏蔽板和所述上部屏蔽板切斷， 在所述第1槽形成側(cè)部屏蔽材料，所述側(cè)部屏蔽材料使用了將所述下部屏蔽板和所述上部屏蔽板連接的磁性體， 以將所述側(cè)部屏蔽材料在所述第1方向分離的方式切斷所述塊體，將所述半導(dǎo)體芯片單片化。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，通過向所述第1槽填充含有磁性體的樹脂，來形成所述側(cè)部屏蔽材料。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，通過對所述第1槽施加使用了磁性體的鍍層，來形成所述側(cè)部屏蔽材料。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，通過向所述第2槽配置使用了磁性體的一對板狀體并且在兩板狀體之間填充樹脂，來形成所述側(cè)部屏蔽材料。
【專利摘要】根據(jù)實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置具備：基板、多個(gè)絕緣層、下部屏蔽板、半導(dǎo)體器件、上部屏蔽板和側(cè)部屏蔽材料。在基板上形成有第1接觸部。下部屏蔽板使用磁性體，所述磁性體在基板上以避開第1接觸部的方式設(shè)置。半導(dǎo)體芯片被設(shè)置在下部屏蔽板上，具有與第1接觸部電連接的第2接觸部。上部屏蔽板使用磁性體，所述磁性體在半導(dǎo)體芯片上以避開第2接觸部和連接件的方式設(shè)置。側(cè)部屏蔽材料使用磁性體，所述磁性體將下部屏蔽板和上部屏蔽板的沒有配置連接件的側(cè)部連接。
【IPC分類】H01L23/28, H01L23/00, H05K9/00
【公開號】CN105493267
【申請?zhí)枴緾N201380079311
【發(fā)明人】高久悟
【申請人】株式會(huì)社東芝
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2013年9月4日
【公告號】US20160204072, WO2015033395A1