半導(dǎo)體裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本說(shuō)明書所記載的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體裝置之中，有的很容易受到外部磁場(chǎng)的影響。這樣的受到磁場(chǎng)影響的半導(dǎo)體裝置，通過(guò)磁屏蔽件來(lái)降低外部磁場(chǎng)的影響，由此可以良好地工作。作為半導(dǎo)體裝置所使用的磁屏蔽件，已知例如通過(guò)使樹脂中含有磁導(dǎo)率高的材料作為填料的電磁波吸收模型樹月旨，來(lái)覆蓋半導(dǎo)體芯片的上表面和側(cè)面，由此降低外部磁場(chǎng)對(duì)于半導(dǎo)體裝置的影響。
[0003]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)1:日本特開2005-217221號(hào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本說(shuō)明書所記載的實(shí)施方式提供一種磁屏蔽效果更高的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
[0006]實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置具備:基板、下部屏蔽板、半導(dǎo)體芯片、連接件、上部屏蔽板和側(cè)部屏蔽材料?；迳闲纬捎械?接觸部。下部屏蔽板使用在基板上以避開第1接觸部的方式設(shè)置的磁性體。半導(dǎo)體芯片在下部屏蔽板上設(shè)置，并具有與第1接觸部電連接的第2接觸部。連接件將第1接觸部和第2接觸部電連接。上部屏蔽板使用在半導(dǎo)體芯片上以避開第2接觸部和連接件的方式設(shè)置的磁性體。側(cè)部屏蔽材料使用將下部屏蔽板和上部屏蔽板的沒有配置連接件的側(cè)部連接的磁性體。
【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1是第1實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的概略俯視圖。
[0008]圖2是該半導(dǎo)體裝置的概略側(cè)面圖。
[0009]圖3是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0010]圖4是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0011 ]圖5是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0012]圖6是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0013]圖7是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0014]圖8是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0015]圖9是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0016]圖10是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0017]圖11是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0018]圖12是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0019]圖13是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0020]圖14是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。[0021 ]圖15是第2實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的概略俯視圖。
[0022]圖16是該半導(dǎo)體裝置的概略側(cè)面圖。
[0023]圖17是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0024]圖18是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0025]圖19是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0026]圖20是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0027]圖21是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0028]圖22是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0029]圖23是第3實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的概略俯視圖。
[0030]圖24是該半導(dǎo)體裝置的概略側(cè)面圖。
[0031 ]圖25是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0032]圖26是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0033]圖27是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0034]圖28是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0035]圖29是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0036]圖30是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0037]圖31是第4實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的概略側(cè)面圖。
[0038]圖32是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0039]圖33是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0040]圖34是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0041 ]圖35是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0042]圖36是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0043]圖37是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0044]圖38是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0045]圖39是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0046]圖40是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0047]圖41是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0048]圖42是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0049]圖43是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略側(cè)面圖。
[0050]圖44是表示其他實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0051 ]圖45是表示該半導(dǎo)體裝置的制造方法的概略俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0052]以下，參照附圖，對(duì)實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說(shuō)明。再者，附圖是示意圖，厚度與平面尺寸的關(guān)系、各層厚度的比率等與實(shí)際不同。說(shuō)明中的上下等的表示方向的用語(yǔ)，是指在以后述的半導(dǎo)體芯片的電路形成面?zhèn)葹樯蠒r(shí)的相對(duì)方向，與以重力加速度方向?yàn)榛鶞?zhǔn)的實(shí)際方向不同。
[0053][第1實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)]
[0054]首先，參照?qǐng)D1和圖2，對(duì)第1實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖1是第1實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的概略俯視圖，圖2(a)是圖1的Ι-ν切斷截面圖，圖2(b)是圖1的I1-1V切斷截面圖。
[0055]如圖1和圖2所示，本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置具備:基板1;在該基板1之上隔著具有絕緣性的第1粘結(jié)材料2貼附的下部屏蔽板3;在該下部屏蔽板3之上隔著具有絕緣性的第2粘結(jié)材料4搭載的半導(dǎo)體芯片5;在該半導(dǎo)體芯片5的上表面隔著具有絕緣性的第3粘結(jié)材料6貼附的上部屏蔽板7;和將下部屏蔽板3與上部屏蔽板7在側(cè)部接合的側(cè)部屏蔽材料8。另外，該第1粘結(jié)材料2、下部屏蔽板3、第2粘結(jié)材料4、半導(dǎo)體芯片5、第3粘結(jié)材料6、上部屏蔽板7和側(cè)部屏蔽材料8的至少一部分被絕緣性樹脂9填埋。再者，在圖1中，為了說(shuō)明，將絕緣性樹脂9省略圖示。
[0056]在本實(shí)施方式中，基板1使用陶瓷、樹脂、表面被氧化了的硅(Si)等的絕緣材料。在基板1的表面形成有未圖示的配線和與該配線連接的接觸部11(第1接觸部)。配線和接觸部11使用銅等的金屬并采用印刷、蒸鍍等方法形成。接觸部11利用與半導(dǎo)體芯片5連接的接合用墊，沿著下部屏蔽板3的兩側(cè)面在下部屏蔽板3的延伸方向(以下，稱為“第1方向”)以預(yù)定節(jié)距排列。
[0057]下部屏蔽板3是在下表面貼附第1粘結(jié)材料2，以第1方向?yàn)殚L(zhǎng)度方向的長(zhǎng)方形。第1方向的長(zhǎng)度比半導(dǎo)體芯片5的第1方向的長(zhǎng)度長(zhǎng)。另外，下部屏蔽板3的與第1方向正交的方向(以下稱為“第2方向”)的寬度比接觸部11彼此的間隔窄，與半導(dǎo)體芯片5的第2方向上的寬度大致相同。另外，作為下部屏蔽板3使用磁導(dǎo)率高的材料。在本實(shí)施方式中使用PC坡莫合金(N1-Mo、Cu-Fe)等的含鐵的磁性合金。再者，在本實(shí)施方式中下部屏蔽板3的厚度為50μm?150ym左右。
[0058]半導(dǎo)體芯片5包含集成電路，在本實(shí)施方式中搭載有將多個(gè)數(shù)據(jù)通過(guò)磁來(lái)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)裝置。該存儲(chǔ)裝置可以是例如通過(guò)自旋注入來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入，通過(guò)隧道磁阻效應(yīng)帶來(lái)的電阻變化來(lái)進(jìn)行寫入了的數(shù)據(jù)的判別。但是，作為半導(dǎo)體芯片5可以搭載不同的存儲(chǔ)裝置，也可以搭載存儲(chǔ)裝置以外的結(jié)構(gòu)。
[0059]半導(dǎo)體芯片5在下表面貼附第2粘結(jié)材料4，在上表面的第2方向的兩側(cè)具有接觸部12(第2接觸部)。接觸部12經(jīng)由多個(gè)作為連接件的接合線51與接觸部11電連接。
[0060]上部屏蔽板7在下表面貼附第1絕緣性樹脂6，形成以第1方向?yàn)殚L(zhǎng)度方向的長(zhǎng)方形。第2方向上的寬度比接觸部12的第2方向的寬度窄，第1方向的長(zhǎng)度與下部屏蔽板3相同。另外，作為上部屏蔽板7，與下部屏蔽板3同樣地使用磁導(dǎo)率高的材料。本實(shí)施方式中，使用PC坡莫合金(N1-Mo、Cu-Fe)等的含鐵的磁性合金。上部屏蔽板7的厚度在本實(shí)施方式中為50μπι?150ym左右。
[0061]側(cè)部屏蔽材料8與下部屏蔽板3和上部屏蔽板7—同作為磁屏蔽件發(fā)揮功能，所述磁屏蔽件保護(hù)半導(dǎo)體芯片5不受外部磁場(chǎng)影響。側(cè)部屏蔽材料8從第1方向與下部屏蔽板3和上部屏蔽板7接觸。與下部屏蔽板3和上部屏蔽板7同樣地，側(cè)部屏蔽材料8也使用磁導(dǎo)率高的材料。在本實(shí)施方式中，作為側(cè)部屏蔽材料8使用鍍層、含有磁性體的樹