技術(shù)編號：9732233
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體裝置之中，有的很容易受到外部磁場的影響。這樣的受到磁場影響的半導(dǎo)體裝置，通過磁屏蔽件來降低外部磁場的影響，由此可以良好地工作。作為半導(dǎo)體裝置所使用的磁屏蔽件，已知例如通過使樹脂中含有磁導(dǎo)率高的材料作為填料的電磁波吸收模型樹月旨，來覆蓋半導(dǎo)體芯片的上表面和側(cè)面，由此降低外部磁場對于半導(dǎo)體裝置的影響。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1日本特開2005-217221號發(fā)明內(nèi)容本說明書所記載的實施方式提供一種磁屏蔽效果更高的。實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置具備基板、下部屏蔽板...
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