結(jié)果。
[0079]比較例1
[0080]在實(shí)施例1中制作出的片上將Pd膏劑印刷為圖5所示的大致三角形的形狀，進(jìn)行層疊使得其前端部隔著1片重合，通過溫等靜壓機(jī)(Warm Isostatic Press ;WIP)，以60°C、200MPa進(jìn)行壓接來得到層疊體。使用切割機(jī)來將得到的層疊體切分為單片(長度L=l.0mm，寬度W=0.5mm，高度T = 0.5mm)，以1100?1400°C進(jìn)行燒結(jié)。
[0081]接下來，為了在側(cè)面形成外部電極，通過涂敷Ag膏劑并以750°C進(jìn)行燒制，從而制作出比較例試料。
[0082]如上述那樣制作了4種比較例試料，以使得圖5所示的電極的重合部分的面積與上述實(shí)施例1的電極的接合部分的直徑d為5、10、20以及30μπι的面積相同。
[0083]使用阻抗分析器(AgilentTechnologies社制:HP4294A)，在溫度25± 2°C、電壓lVrms、頻率1kHz的條件下測量得到的4種比較例試料的靜電電容，分別求出10個(gè)平均值。圖6中一并表不結(jié)果。
[0084]由圖6可知，在作為現(xiàn)有的層疊構(gòu)造的比較例試料中，即使將內(nèi)部電極的重合尺寸縮小到5μπι，靜電電容也只降低至大約0.6pF。另一方面，在實(shí)施例1的試料中，若將對(duì)接部分的直徑縮小到5μπι，則靜電電容降低到大約0.lpF。認(rèn)為這是因?yàn)?與作為現(xiàn)有的層疊構(gòu)造的比較例試料相比，實(shí)施例1的試料能夠?qū)⒓纳娙菀种频酶?，因此能夠廣泛地使用元件本來應(yīng)具有的靜電電容的可變范圍。
[0085]實(shí)施例2
[0086]稱量BaC03、SrC03以及Ti02粉末以使得成為相對(duì)介電常數(shù)大約為2000的規(guī)定的組成((Ba0.6Sr0.4)Ti03)。使用該稱量物，按照與實(shí)施例1相同的順序，制作出實(shí)施例2的試料。
[0087]實(shí)施例3
[0088]稱量Ca⑶3、Al203、Si02、B203粉末以使得成為相對(duì)介電常數(shù)大約為7的規(guī)定的組成(將由0.16Ca0-0.11Α1203-0.64Si02-0.09B203(摩爾比)構(gòu)成的玻璃陶瓷與A1203按照1:1 (重量比)混合而成的物質(zhì))。使用該稱量物，按照與實(shí)施例1相同的順序，制作出由Ca0-Al203-Si02-B203系的玻璃陶瓷構(gòu)成的厚度30μπι的片。在將得到的片沖壓為規(guī)定的大小后，層疊20片，并進(jìn)行臨時(shí)壓接。
[0089]接下來，通過激光在得到的層疊體形成通孔，將碳膏劑填充到通孔來進(jìn)行通孔填充。在這些層疊體的2個(gè)之間，將上述實(shí)施例2中形成的片作為可變電容層來夾住1片，進(jìn)行層疊使得形成在2個(gè)層疊體的通孔分別重合，以lOOMPa進(jìn)行壓接，通過溫等靜壓機(jī)(WarmIsostatic Press;WIP)來以60°C、200MPa進(jìn)行壓接，得到層疊體。接下來，使用切割機(jī)來將得到的層疊體切分為單片(長度L=1.0mm，寬度W=0.5mm，高度T = 0.5mm)，以1100?1400°C
進(jìn)行燒制。
[0090]接下來，將Ag膏劑填充到通孔內(nèi)，為了形成外部電極而在通孔露出的部分涂敷相同的Ag膏劑，以750°C進(jìn)行燒制，得到實(shí)施例3的試料。
[0091]對(duì)實(shí)施例2以及實(shí)施例3的試料施加直流電壓，在1kHz、IV的條件下測量靜電電容，求出電容可變率。
[0092]電容可變率=(Capo-CapDe)/CapoX 100( % )
[0093]這里，CapDC是施加了規(guī)定的直流電壓時(shí)的靜電電容值，Capo是不施加直流電壓的狀態(tài)下的靜電電容值。圖7中表示結(jié)果。
[0094]如圖7所示，在絕緣部與可變電容層是同一材料的BST系材料(相對(duì)介電常數(shù)2000)的實(shí)施例2中，隨著直流施加電壓成為3ν/μπι以上而靜電電容變小，靜電電容的變化變小。另一方面，在絕緣部中使用了低介電常數(shù)的材料(相對(duì)介電常數(shù)7)的實(shí)施例3中，即使將直流施加電壓設(shè)為3ν/μπι以上，靜電電容也相對(duì)于直流電壓的變化而充分地變化。認(rèn)為這是由于:若靜電電容變小則寄生電容的影響相對(duì)變大，即使施加更大電壓，表觀的靜電電容也不變化。也就是說，認(rèn)為由于絕緣部的相對(duì)介電常數(shù)較大(相對(duì)介電常數(shù)2000)的實(shí)施例2的可變電容元件的兩端面間的寄生電容較大，絕緣部的低介電常數(shù)較小(相對(duì)介電常數(shù)7)的實(shí)施例3能夠抑制該寄生電容，因此與實(shí)施例2相比，實(shí)施例3即使在施加了較高電壓的情況下，靜電電容的變化也不降低。
[0095]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0096]本發(fā)明的保護(hù)元件能夠用于RFID(Rad1 Frequency Identificat1n，射頻識(shí)別)系統(tǒng)等多種多樣的電子設(shè)備。
[0097]-符號(hào)說明-
[0098]1…可變電容元件
[0099]2…可變電容層
[0100]4、4’…電極
[0101]6、6’…絕緣部
[0102]8、8，…引出部
[0103]10...貫通口
[0104]12…外部電極
[0105]101…可變電容元件
[0106]102...電介質(zhì)
[0107]104…電極
[0108]112…外部電極
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種可變電容元件，其特征在于，具有: 可變電容層，其由電介質(zhì)材料構(gòu)成； 一對(duì)電極，其隔著可變電容層而位于相對(duì)置的位置； 一對(duì)絕緣部，其隔著一對(duì)電極將可變電容層支撐在中間;和 一對(duì)引出部，其分別與一對(duì)電極連接， 一對(duì)引出部分別被配置在一對(duì)絕緣部內(nèi)，并且處于與可變電容層大致垂直的同軸上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變電容元件，其特征在于， 絕緣部由介電常數(shù)比構(gòu)成可變電容層的電介質(zhì)材料低的電介質(zhì)材料構(gòu)成。3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的可變電容元件，其特征在于， 電極以及引出部由Ag或者Cu構(gòu)成。4.根據(jù)權(quán)利要求1?3的任意一項(xiàng)所述的可變電容元件，其特征在于， 電極以及引出部的厚度是0.5?ΙΟΟμπι。5.根據(jù)權(quán)利要求1?4的任意一項(xiàng)所述的可變電容元件，其特征在于， 所述可變電容元件還具有:外部電極，其位于絕緣部的與支撐可變電容層的面對(duì)置的面，并與引出部電連接。6.根據(jù)權(quán)利要求1?5的任意一項(xiàng)所述的可變電容元件，其特征在于， 在絕緣部的與可變電容層垂直的面的至少一個(gè)面還具有導(dǎo)體部。7.—種可變電容元件的制造方法，該可變電容元件具有: 可變電容層，其由電介質(zhì)材料構(gòu)成； 一對(duì)電極，其隔著可變電容層而位于相對(duì)置的位置； 一對(duì)絕緣部，其隔著一對(duì)電極將可變電容層支撐在中間;和 一對(duì)引出部，其分別與一對(duì)電極連接， 一對(duì)引出部分別被配置在一對(duì)絕緣部內(nèi)，并且處于與可變電容層大致垂直的同軸上， 所述可變電容元件的制造方法的特征在于， 通過將電介質(zhì)材料形成為片狀，或者對(duì)該片進(jìn)行層疊來制作可變電容層， 通過形成貫通口的同時(shí)將絕緣體片層疊來制作絕緣部，或者通過在將絕緣體片層疊之后，形成貫通口來制作絕緣部， 在一對(duì)絕緣部之間夾著可變電容層來得到層疊體， 通過向上述貫通口賦予電極以及引出部形成用的導(dǎo)電性材料，與層疊體同時(shí)進(jìn)行燒制，來形成電極以及引出部，或者，在燒制層疊體之后，向貫通口賦予電極以及引出部形成用的導(dǎo)電性材料來形成電極以及引出部。8.—種可變電容元件的制造方法，該可變電容元件具有: 可變電容層，其由電介質(zhì)材料構(gòu)成； 一對(duì)電極，其隔著可變電容層而位于相對(duì)置的位置； 一對(duì)絕緣部，其隔著一對(duì)電極將可變電容層支撐在中間;和 一對(duì)引出部，其分別與一對(duì)電極連接， 一對(duì)引出部分別被配置在一對(duì)絕緣部內(nèi)，并且處于與可變電容層大致垂直的同軸上， 所述可變電容元件的制造方法的特征在于， 在形成有貫通口的一對(duì)絕緣部之間夾著可變電容層而得到層疊體，對(duì)其進(jìn)行燒制，接下來，向貫通口賦予電極以及引出部形成用的導(dǎo)電性材料來形成電極以及引出部。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種寄生電容小且靜電電容可變率大的可變電容元件。該可變電容元件的特征在于，具有：可變電容層，其由電介質(zhì)材料構(gòu)成；一對(duì)電極，其隔著可變電容層而位于相對(duì)置的位置；一對(duì)絕緣部，其隔著一對(duì)電極將可變電容層支撐在中間；和一對(duì)引出部，其分別與一對(duì)電極連結(jié)，一對(duì)引出部分別被配置在一對(duì)絕緣部內(nèi)，并且處于與可變電容層大致垂直的同軸上。
【IPC分類】H01G7/06
【公開號(hào)】CN105493211
【申請?zhí)枴緾N201480046715
【發(fā)明人】景山惠介
【申請人】株式會(huì)社村田制作所
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2014年8月29日
【公告號(hào)】US20160172114, WO2015030170A1