極引出到可變電容元件的外部的功能。
[0040]上述一對引出部8以及8’的特征在于，處于與可變電容層2大致垂直的同軸上。所謂“與可變電容層大致垂直”，是指可變電容層與軸所成的角實(shí)質(zhì)上為90°，例如80?90°，優(yōu)選為85?90°，更優(yōu)選為88?90°。通過這樣配置，能夠減少寄生電容。
[0041]作為構(gòu)成引出部的材料，只要是導(dǎo)電性就不被特別限定，舉例有:Ag、Cu、Pt、N1、Al、Pd、Au、蒙乃爾(N1-Cu合金)等。其中，由于高頻下的導(dǎo)電損耗較低，因此優(yōu)選Ag或者Cu。
[0042]優(yōu)選地，引出部由與上述電極相同的材料構(gòu)成，與電極一體地形成。
[0043]引出部的形狀并不被特別限定，例如能夠設(shè)為圓柱形、圓錐梯形、棱錐形、棱錐梯形、它們的中空體例如中空圓柱形、中空圓錐梯形。從制造的容易性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選中空或者中實(shí)的圓柱或者圓錐梯形。該引出部的軸向的長度并不被特別限定，能夠根據(jù)所希望的元件的大小來適當(dāng)?shù)剡x擇。
[0044]引出部的厚度只要是能夠確保趨膚深度(skindepth)的厚度即可，不被特別限定。
[0045]在本發(fā)明的可變電容元件1中，絕緣部6以及6’位于夾持可變電容層2的位置，具有貫通口 10以及10’。在貫通口 10以及10’的內(nèi)部存在引出部8以及8’。一對絕緣部隔著一對電極來將可變電容層支撐在中間。
[0046]—對絕緣部的這些貫通口被配置在與可變電容層大致垂直的同軸上，被配置成在可變電容層側(cè)的貫通口的端部存在電極。電極可以是與貫通口的開口部相同的大小，也可以不同。貫通口的形狀能夠根據(jù)貫通此處的引出部的形狀來適當(dāng)?shù)剡x擇。
[0047]形成絕緣部的材料只要是絕緣性的材料就不被特別限定，例如能夠使用陶瓷材料、樹脂等。由于能夠與可變電容層同時(shí)燒制，因此優(yōu)選陶瓷材料。
[0048]作為上述陶瓷材料，并不被特別限定，能夠使用一般的絕緣性陶瓷材料，例如舉例有:玻璃、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物的燒結(jié)體等。
[0049]在一個(gè)方式中，上述陶瓷材料也可以是與構(gòu)成上述可變電容層的電介質(zhì)材料相同的材料。通過使用與構(gòu)成可變電容層的電介質(zhì)材料相同的材料，從而沒有絕緣部與可變電容層的熱膨脹率的差，能夠抑制燒結(jié)時(shí)在兩者之間產(chǎn)生的應(yīng)力。
[0050]在其他方式中，上述陶瓷材料也可以是介電常數(shù)比構(gòu)成上述可變電容層的電介質(zhì)材料低的材料。通過使得構(gòu)成絕緣部的陶瓷材料的介電常數(shù)較低，能夠減小可變電容元件的寄生電容，其結(jié)果，能夠更加增大靜電電容可變率。
[0051]上述陶瓷材料的相對介電常數(shù)并不被特別限定，但優(yōu)選是500以下，更優(yōu)選是300以下，進(jìn)一步優(yōu)選是100以下，更加進(jìn)一步優(yōu)選是30以下。
[0052]絕緣部的厚度(與可變電容層垂直的方向的厚度)并不被特別限定，能夠根據(jù)所希望的元件的大小來適當(dāng)?shù)剡x擇。
[0053]可變電容元件1在絕緣部的與支撐可變電容層的面對置的面，具有外部電極12。另夕卜，雖然在本實(shí)施方式中，設(shè)置了外部電極，但這不是必須的要素，也可以不設(shè)置外部電極，將引出部直接與外部的布線連接。
[0054]作為形成外部電極的材料，只要是導(dǎo)電性就不被特別限定，舉例有:Ag、Cu、Pt、N1、Al、Pd、Au、蒙乃爾(N1-Cu合金)等。優(yōu)選地，使用與上述電極以及引出部相同的材料。
[0055]以上，說明了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限定于該實(shí)施方式，能夠進(jìn)行各種改變。
[0056]例如，本發(fā)明的可變電容元件也可以如圖3所示，在與可變電容層的主表面垂直的面的至少一個(gè)面具有導(dǎo)體部。通過設(shè)置這種導(dǎo)體部，能夠減少電磁波的輻射損耗。
[0057]上述的本實(shí)施方式的可變電容元件1例如能夠如下制造。
[0058]首先，由電介質(zhì)材料形成可變電容層。
[0059]將電介質(zhì)材料成形為片狀，來形成電介質(zhì)片。例如，可以通過將電介質(zhì)材料與包含粘結(jié)劑樹脂以及有機(jī)溶劑的有機(jī)載體混合/攪拌并成形為片狀來得到電介質(zhì)片，但并不限定于此。將該電介質(zhì)片層疊多片并進(jìn)行壓接，來得到可變電容層。也能夠?qū)?片電介質(zhì)片用作為可變電容層。
[0060]接下來，由絕緣性材料形成絕緣部。
[0061]例如，在絕緣性材料是陶瓷材料的情況下，可以與上述可變電容層同樣地，通過將陶瓷材料與包含粘結(jié)劑樹脂以及有機(jī)溶劑的有機(jī)載體混合/攪拌，并成形為片狀，來得到陶瓷片。將該陶瓷片層疊成所希望的厚度并進(jìn)行壓接，來得到陶瓷片的層疊體(以下，也稱為陶瓷層疊體)。然后，在陶瓷層疊體形成用于形成引出部的貫通口，來得到絕緣部。貫通口的形成手段并不被特別限定，例如能夠使用激光或者沖頭來形成。也可以為了防止壓接時(shí)的變形，在形成的貫通口中填充例如碳膏劑。
[0062]接下來，按照陶瓷層疊體、可變電容層以及陶瓷層疊體的順序，進(jìn)行層疊使得2個(gè)陶瓷層疊體的貫通口為同軸上，并進(jìn)行壓接來得到層疊體。
[0063]接下來，對上述得到的層疊體進(jìn)行燒制，為了形成電極以及引出部而在貫通口內(nèi)部填充導(dǎo)電性材料來作為導(dǎo)體膏劑、例如銀膏劑，進(jìn)一步為了形成外部電極而在貫通口露出的面涂敷導(dǎo)體膏劑并再次燒制，或者在貫通口內(nèi)部以及外部電極形成部通過濺射法來形成導(dǎo)電性材料的膜。
[0064]如以上那樣，得到本實(shí)施方式的可變電容元件1。
[0065]另外，本發(fā)明的可變電容元件1的制造方法并不限定于本實(shí)施方式，能夠進(jìn)行各種改變。
[0066]例如，在形成陶瓷層疊體的情況下，雖然在上述中是在得到層疊體之后形成貫通口，但并不局限于此，例如，也可以印刷陶瓷膏劑，通過光刻法來設(shè)置貫通口并進(jìn)行層疊。
[0067]此外，雖然在上述中是在燒制了可變電容層以及絕緣部之后形成電極以及引出部，但也可以例如一邊將陶瓷片層疊一邊填充導(dǎo)體膏劑，或者在將可變電容層與陶瓷層疊體層疊之前向貫通口填充導(dǎo)體膏劑，或者在將可變電容層與陶瓷層疊體層疊之后燒制之前填充導(dǎo)體膏劑并將整體同時(shí)燒制。
[0068]此外，作為另外的方法，也可以在可變電容層的主表面上涂敷電極用的導(dǎo)體膏劑，接著將絕緣部層疊，并向貫通口填充導(dǎo)體膏劑。
[0069]作為進(jìn)一步另外的方法，也可以分別燒制可變電容層以及絕緣部，然后，將它們按照絕緣部、可變電容層以及絕緣部的順序進(jìn)行接合。接合方法并不被特別限定，例如能夠使用粘合劑或者玻璃等來進(jìn)行接合。
[0070]優(yōu)選地，如上述實(shí)施方式那樣，在燒制可變電容層以及絕緣部之后，燒制導(dǎo)體膏劑來形成電極以及引出部。通過這樣分別燒制，能夠?qū)⒕哂斜瓤勺冸娙輰右约敖^緣部的燒制溫度低的熔點(diǎn)的金屬、例如Ag或者Cu，用作電極以及引出部的材料。
[0071]【實(shí)施例1】
[0072]實(shí)施例1
[0073].本發(fā)明的可變電容元件的制作
[0074]將BaC03、Nd203、Al203、Si02以及Ti02粉末稱量為相對介電常數(shù)大約為300的規(guī)定的組成(0.65BaTi03-0.20NdA103_0.25Si02_0.10A1203(摩爾比))。接下來，將稱量物加入到球磨機(jī)，濕式地混合并粉碎16小時(shí)，在干燥后，以1200°C預(yù)燒2小時(shí)。將得到的預(yù)燒物再次加入到球磨機(jī)，濕式地粉碎16小時(shí)之后，加入粘合劑以及可塑劑，通過刮刀法來成形為30μπι的厚度的片狀。將得到的片沖壓成規(guī)定的大小后，層疊20片并臨時(shí)壓接。
[0075]接下來，通過激光來在得到的層疊體形成通孔，將碳膏劑填充到通孔進(jìn)行通孔填充。在這些層疊體的2個(gè)之間夾住1片成為可變電容層的片(與形成通孔部的片相同的片)，進(jìn)行層疊使得形成在2個(gè)層疊體的通孔分別重合，以lOOMPa進(jìn)行壓接，通過溫等靜壓機(jī)(Warm Isostatic Press;WIP)來以60°C、200MPa進(jìn)行壓接，得到層疊體。接下來，使用切割機(jī)來將得到的層疊體切分為單片(長度L = 1.0mm，寬度W=0.5mm，高度T = 0.5mm)并以1000?1400°C進(jìn)行燒制。
[0076]接下來，將Ag膏劑填充到通孔內(nèi)，為了形成外部電極而在通孔露出的部分涂敷相同的Ag膏劑，以750°C進(jìn)行燒制，得到圖1以及2所示的實(shí)施例1的試料(可變電容元件)。
[0077]如上述那樣制作了圖4所示的電極的對接部分的直徑d是5、10、20以及30μηι的4種實(shí)施例1的試料(可變電容元件)。
[0078]使用阻抗分析器(AgilentTechnologies社制:HP4294A)，在溫度25± 2°C、電壓lVrms、頻率1kHz的條件下測量得到的4種實(shí)施例1的試料的靜電電容，分別求出10個(gè)平均值。圖6中表不