較缺少氧的所述金屬的第二氧化物。
[0161]5、根據(jù)技術(shù)方案1所述的電子器件，其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元還包括:絕緣層，其填充在所述絕緣圖案和所述可變電阻圖案之間的空間中，以及
[0162]所述絕緣圖案和所述絕緣層包括相同的絕緣材料。
[0163]6、根據(jù)技術(shù)方案1所述的電子器件，其中，所述第一線的數(shù)目是2k+l，所述第二線的數(shù)目是2k+l。
[0164]7、根據(jù)技術(shù)方案6所述的電子器件，其中，所述可變電阻圖案中的第一可變電阻圖案用作虛設(shè)存儲(chǔ)單元，并且所述第一可變電阻圖案耦接到:與位于所述第一虛擬線至第n+1虛擬線的頂點(diǎn)處的絕緣圖案耦接的第一線和第二線。
[0165]8、根據(jù)技術(shù)方案1所述的電子器件，其中，所述第一線的數(shù)目是2k+2，并且所述第二線的數(shù)目是2k+2，以及
[0166]其中，所述電子器件包括第一中心第一線和第二中心第一線以及第一中心第二線和第二中心第二線。
[0167]9、根據(jù)技術(shù)方案8所述的電子器件，其中，當(dāng)η等于或大于1時(shí)，所述可變電阻圖案中的第一可變電阻圖案用作虛設(shè)存儲(chǔ)單元，并且所述第一可變電阻圖案耦接到:與位于所述第一虛擬線至第η虛擬線的頂點(diǎn)處的絕緣圖案耦接的第一線和第二線。
[0168]10、一種包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元的電子器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元包括:
[0169]在第一方向延伸的第一線；
[0170]在與所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二線；
[0171]絕緣圖案，其插設(shè)在所述第一線和所述第二線之間且位于所述第一線和所述第二線的交點(diǎn)中的第一交點(diǎn)處；以及
[0172]可變電阻圖案，其插設(shè)在所述第一線和所述第二線之間且位于所述第一線和所述第二線的交點(diǎn)中的第二交點(diǎn)處；
[0173]其中，所述絕緣圖案中的第一絕緣圖案的數(shù)目是η，并且所述第一絕緣圖案耦接到與所述可變電阻圖案中的選中可變電阻圖案耦接的第一線和第二線，其中η是自然數(shù)且是恒定的。
[0174]11、根據(jù)技術(shù)方案10所述的電子器件，其中，所述絕緣圖案中的第二絕緣圖案的數(shù)目與η不同，并且所述第二絕緣圖案耦接到與所述可變電阻圖案中的第一可變電阻圖案耦接的第一線和第二線；以及；
[0175]其中，所述第一可變電阻圖案用作虛設(shè)存儲(chǔ)單元。
[0176]12、根據(jù)技術(shù)方案10所述的電子器件，其中，所述可變電阻圖案的橫截面形狀和平面形狀分別與所述絕緣圖案的橫截面形狀和平面形狀基本相同。
[0177]13、根據(jù)技術(shù)方案10所述的電子器件，其中，所述絕緣圖案包括在所述可變電阻圖案中包括的材料，并且還包括造成所述材料的可變電阻特性喪失的雜質(zhì)。
[0178]14、根據(jù)技術(shù)方案10所述的電子器件，其中，所述絕緣圖案包括基本滿足化學(xué)計(jì)量比的金屬的第一氧化物，并且所述可變電阻圖案包括與所述化學(xué)計(jì)量比相比較缺少氧的所述金屬的第二氧化物。
[0179]15、根據(jù)技術(shù)方案10所述的電子器件，其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元還包括:絕緣層，其填充在所述絕緣圖案和所述可變電阻圖案之間的空間中，以及
[0180]所述絕緣圖案和所述絕緣層包括相同的絕緣材料。
[0181]16、根據(jù)技術(shù)方案1所述的電子器件，還包括微處理器，所述微處理器包括:
[0182]控制單元，其被配置成從所述微處理器的外部接收包括命令的信號(hào)，以及執(zhí)行所述命令的提取、解碼或者所述微處理器的信號(hào)的輸入或輸出控制；
[0183]運(yùn)算單元，其被配置成基于所述控制單元對(duì)所述命令進(jìn)行解碼的結(jié)果來(lái)執(zhí)行操作；以及
[0184]存儲(chǔ)器單元，其被配置成儲(chǔ)存用于執(zhí)行所述操作的數(shù)據(jù)、與執(zhí)行所述操作的結(jié)果相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)或者用于執(zhí)行所述操作的數(shù)據(jù)的地址；
[0185]其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元是所述微處理器中的所述存儲(chǔ)器單元的部件。
[0186]17、根據(jù)技術(shù)方案1所述的電子器件，還包括處理器，所述處理器包括:
[0187]核單元，其被配置成通過(guò)使用數(shù)據(jù)，基于從所述處理器外部輸入的命令來(lái)執(zhí)行與所述命令相對(duì)應(yīng)的操作；
[0188]高速緩沖存儲(chǔ)器單元，其被配置成儲(chǔ)存用于執(zhí)行所述操作的數(shù)據(jù)、與執(zhí)行所述操作的結(jié)果相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)、或者用于執(zhí)行所述操作的數(shù)據(jù)的地址；以及
[0189]總線接口，其連接在所述核單元和所述高速緩沖存儲(chǔ)器單元之間，并且被配置成在所述核單元和所述高速緩沖存儲(chǔ)器單元之間傳送數(shù)據(jù)，
[0190]其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元是所述處理器中的所述高速緩沖存儲(chǔ)器單元的部件。
[0191]18、根據(jù)技術(shù)方案1所述的電子器件，還包括處理系統(tǒng)，所述處理系統(tǒng)包括:
[0192]處理器，其被配置成對(duì)通過(guò)所述處理器接收的命令進(jìn)行解碼，并且基于對(duì)所述命令進(jìn)行解碼的結(jié)果來(lái)控制對(duì)信息的操作；
[0193]輔助存儲(chǔ)器件，其被配置成儲(chǔ)存用于對(duì)所述命令進(jìn)行解碼的程序和所述信息；
[0194]主存儲(chǔ)器件，其被配置成調(diào)用和儲(chǔ)存來(lái)自所述輔助存儲(chǔ)器件的程序和所述信息，使得所述處理器在執(zhí)行所述程序時(shí)可以利用所述程序和所述信息來(lái)執(zhí)行操作；以及
[0195]接口器件，其被配置成在所述處理器、所述輔助存儲(chǔ)器件和所述主存儲(chǔ)器件中的至少一個(gè)與外部之間執(zhí)行通信，
[0196]其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元是所述處理系統(tǒng)中的所述輔助存儲(chǔ)器件或所述主存儲(chǔ)器件的部件。
[0197]19、根據(jù)技術(shù)方案1所述的電子器件，還包括數(shù)據(jù)儲(chǔ)存系統(tǒng)，所述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存系統(tǒng)包括:
[0198]儲(chǔ)存器件，其被配置成儲(chǔ)存數(shù)據(jù)并保存儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)而與電源無(wú)關(guān)；
[0199]控制器，其被配置成根據(jù)從外部輸入的命令來(lái)控制數(shù)據(jù)輸入至所述儲(chǔ)存器件和從所述儲(chǔ)存器件輸出數(shù)據(jù)；
[0200]暫時(shí)儲(chǔ)存器件，其被配置成暫時(shí)地儲(chǔ)存所述儲(chǔ)存器件和外部之間交換的數(shù)據(jù)；以及
[0201]接口，其被配置成在所述儲(chǔ)存器件、所述控制器和所述暫時(shí)儲(chǔ)存器件中的至少一個(gè)與外部之間執(zhí)行通信；
[0202]其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元是所述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存系統(tǒng)中的所述儲(chǔ)存器件或所述暫時(shí)儲(chǔ)存器件的部件。
[0203]20、根據(jù)技術(shù)方案1所述的電子器件，還包括存儲(chǔ)系統(tǒng)，所述存儲(chǔ)系統(tǒng)包括:
[0204]存儲(chǔ)器，其被配置成儲(chǔ)存數(shù)據(jù)并保存儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)而與電源無(wú)關(guān)；
[0205]存儲(chǔ)器控制器，其被配置成根據(jù)從外部輸入的命令來(lái)控制數(shù)據(jù)輸入至所述存儲(chǔ)器和從所述存儲(chǔ)器輸出數(shù)據(jù)；
[0206]緩沖存儲(chǔ)器，其被配置成緩沖在所述存儲(chǔ)器和外部之間交換的數(shù)據(jù)；以及
[0207]接口，其被配置成在所述存儲(chǔ)器、所述存儲(chǔ)器控制器和所述緩沖存儲(chǔ)器中的至少一個(gè)與外部之間執(zhí)行通信；
[0208]其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元是所述存儲(chǔ)系統(tǒng)中的所述存儲(chǔ)器或所述緩沖存儲(chǔ)器的部件。
[0209]21、一種制造包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元的電子器件的方法，所述方法包括:
[0210]在襯底之上形成第一線；
[0211]在所述第一線之上形成可變電阻圖案，所述可變電阻圖案位于所述第一線和與所述第一線交叉的第二線的交點(diǎn)處；
[0212]利用所述可變電阻圖案中的一些可變電阻圖案來(lái)形成絕緣圖案；以及
[0213]在所述可變電阻圖案和所述絕緣圖案之上形成所述第二線，
[0214]其中，當(dāng)由所述第一線中的中心第一線和所述第二線中的中心第二線限定的中心交點(diǎn)對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(0，0)時(shí)，所述絕緣圖案位于第一虛擬線至第n+1虛擬線上，所述第n+1虛擬線具有多邊形形狀，在其中頂點(diǎn)對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(-(k_n)，0)、(k_n, 0)、(0，k_n)和(0，- (k-n))，其中k是自然數(shù)且η是在0至k-1范圍內(nèi)的整數(shù)。
[0215]22、根據(jù)技術(shù)方案21所述的方法，其中形成所述絕緣圖案包括:
[0216]在包括所述可變電阻圖案的所得結(jié)構(gòu)之上形成掩膜圖案，所述掩膜圖案具有開(kāi)口，所述開(kāi)口暴露出要形成所述絕緣圖案的區(qū)域；以及
[0217]摻雜雜質(zhì)，所述雜質(zhì)造成被所述開(kāi)口暴露的所述一些可變電阻圖案的可變電阻特性喪失。
[0218]23、根據(jù)技術(shù)方案22所述的方法，其中，所述開(kāi)口在暴露出所有的所述第一虛擬線至所述第n+1虛擬線時(shí)具有與所述第一虛擬線至所述第n+1虛擬線中的每個(gè)的形狀類似的形狀。
[0219]24、根據(jù)技術(shù)方案21所述的方法，其中，形成所述絕緣圖案包括:
[0220]在包括所述可變電阻圖案的所得結(jié)構(gòu)之上形成掩膜圖案，所述掩膜圖案具有暴露出要形成所述絕緣圖案的區(qū)域的開(kāi)口；
[0221]去除被所述開(kāi)口暴露的可變電阻圖案以形成凹槽；以及
[0222]用絕緣材料填充所述凹槽。
[0223]25、根據(jù)技術(shù)方案24所述的方法，其中，所述開(kāi)口在暴露出所有的所述第一虛擬線至所述第n+1虛擬線時(shí)具有與所述第一虛擬線至第n+1虛擬線中的每個(gè)的形狀類似的形狀。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元的電子器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元包括: 在第一方向延伸的第一線； 在與所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二線； 絕緣圖案，其插設(shè)在所述第一線和所述第二線之間且位于所述第一線和所述第二線的交點(diǎn)中的第一交點(diǎn)處；以及 可變電阻圖案，其插設(shè)在所述第一線和所述第二線之間且位于所述第一線和所述第二線的交點(diǎn)中的第二交點(diǎn)處； 其中，當(dāng)由所述第一線中的中心第一線和所述第二線中的中心第二線限定的中心交點(diǎn)對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(O，O)時(shí)，所述第一交點(diǎn)位于第一虛擬線至第n+1虛擬線上，所述第n+1虛擬線具有多邊形形狀，在所述多邊形形狀中頂點(diǎn)對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(_(k_n)，0)、(k-n，0)、(O, k-n)和(O, - (k-n))，其中k是自然數(shù)且η是在O至k-Ι范圍內(nèi)的整數(shù)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述可變電阻圖案的橫截面形狀和平面形狀分別與所述絕緣圖案的橫截面形狀和平面形狀基本相同。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述絕緣圖案包括在所述可變電阻圖案中包括的材料，并且還包括造成所述材料的可變電阻特性喪失的雜質(zhì)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述絕緣圖案包括基本滿足化學(xué)計(jì)量比的金屬的第一氧化物，所述可變電阻圖案包括與所述化學(xué)計(jì)量比相比較缺少氧的所述金屬的第二氧化物。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元還包括:絕緣層，其填充在所述絕緣圖案和所述可變電阻圖案之間的空間中，以及 所述絕緣圖案和所述絕緣層包括相同的絕緣材料。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述第一線的數(shù)目是2k+l，所述第二線的數(shù)目是2k+1 ο7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子器件，其中，所述可變電阻圖案中的第一可變電阻圖案用作虛設(shè)存儲(chǔ)單元，并且所述第一可變電阻圖案耦接到:與位于所述第一虛擬線至第n+1虛擬線的頂點(diǎn)處的絕緣圖案耦接的第一線和第二線。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述第一線的數(shù)目是2k+2，并且所述第二線的數(shù)目是2k+2，以及 其中，所述電子器件包括第一中心第一線和第二中心第一線以及第一中心第二線和第二中心第二線。9.一種包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元的電子器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元包括: 在第一方向延伸的第一線； 在與所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二線； 絕緣圖案，其插設(shè)在所述第一線和所述第二線之間且位于所述第一線和所述第二線的交點(diǎn)中的第一交點(diǎn)處；以及 可變電阻圖案，其插設(shè)在所述第一線和所述第二線之間且位于所述第一線和所述第二線的交點(diǎn)中的第二交點(diǎn)處； 其中，所述絕緣圖案中的第一絕緣圖案的數(shù)目是n，并且所述第一絕緣圖案耦接到與所述可變電阻圖案中的選中可變電阻圖案耦接的第一線和第二線，其中η是自然數(shù)且是恒定的。10.一種制造包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元的電子器件的方法，所述方法包括: 在襯底之上形成第一線； 在所述第一線之上形成可變電阻圖案，所述可變電阻圖案位于所述第一線和與所述第一線交叉的第二線的交點(diǎn)處； 利用所述可變電阻圖案中的一些可變電阻圖案來(lái)形成絕緣圖案；以及 在所述可變電阻圖案和所述絕緣圖案之上形成所述第二線， 其中，當(dāng)由所述第一線中的中心第一線和所述第二線中的中心第二線限定的中心交點(diǎn)對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(0，0)時(shí)，所述絕緣圖案位于第一虛擬線至第n+1虛擬線上，所述第n+1虛擬線具有多邊形形狀，在其中頂點(diǎn)對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(-(k-n), O)、(k-n, O)、(O, k-n)和(0，_(k_n))，其中k是自然數(shù)且η是在O至k-1范圍內(nèi)的整數(shù)。
【專利摘要】一種電子器件包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括：在第一方向延伸的第一線；在與所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二線；絕緣圖案，其插設(shè)在所述第一線和所述第二線之間且位于所述第一線和所述第二線的第一交點(diǎn)處；以及可變電阻圖案，其插設(shè)在所述第一線和所述第二線之間且位于所述第一線和所述第二線的第二交點(diǎn)處。中心交點(diǎn)由所述第一線和第二線中的相應(yīng)中心線限定，并且中心交點(diǎn)對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(0,0)。第一交點(diǎn)位于第一虛擬線至第n+1虛擬線上，所述第n+1虛擬線具有多邊形形狀，在其中頂點(diǎn)對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(-(k-n),0)、(k-n,0)、(0,k-n)和(0,-(k-n))，其中k是自然數(shù)且n是在0至k-1范圍內(nèi)的整數(shù)。
【IPC分類】H01L45/00, H01L27/115, H01L27/22, H01L43/12, H01L27/24, H01L21/8247
【公開(kāi)號(hào)】CN105374842
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510030617
【發(fā)明人】李炯東
【申請(qǐng)人】愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月2日
【申請(qǐng)日】2015年1月21日
【公告號(hào)】US20160043313