1]在這種情況下，即使當(dāng)選中了以下描述的除了最外面存儲(chǔ)單元之一以外的任何存儲(chǔ)單元時(shí)，與選中存儲(chǔ)單元共享第一線110和第二線130的絕緣圖案的數(shù)目是4且是恒定的。因而，潛行電流的量可以是均勻的。此外，由于位于潛行電流路徑上的絕緣圖案的數(shù)目增加了，所以潛行電流的量可以得到進(jìn)一步減少。
[0072]然而，當(dāng)選中了位于由虛線包圍的最外面區(qū)域DMC中的一個(gè)最外面存儲(chǔ)單元時(shí)，與選中存儲(chǔ)單元共享第一線110和第二線130的絕緣圖案的數(shù)目可以不是恒定的。因而，最外面存儲(chǔ)單元可以用作虛設(shè)存儲(chǔ)單元。在這個(gè)實(shí)施方式中，最外面存儲(chǔ)單元可以包括與位于第一虛擬線DL1的頂點(diǎn)處的絕緣圖案共享第一線110和第二線130中的一個(gè)或更多個(gè)的可變電阻圖案，并且可以進(jìn)一步包括與位于第二虛擬線DL2的頂點(diǎn)處的絕緣圖案共享第一線110和第二線130中的一個(gè)或更多個(gè)的可變電阻圖案。
[0073]圖5是示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件50的平面圖。具體來(lái)說(shuō)，圖5示出了以下實(shí)施方式:其中，絕緣圖案位于三個(gè)虛擬線上。將主要描述與上述實(shí)施方式的不同。
[0074]參見(jiàn)圖5，在第一線110和第二線130的交點(diǎn)處可以形成可變電阻圖案或絕緣圖案。
[0075]這里，絕緣圖案可以位于處于第一虛擬線DL1、第二虛擬線DL2和第三虛擬線DL3上的交點(diǎn)處，其中，第二虛擬線DL2處于第一虛擬線DL1內(nèi)部，第三虛擬線DL2處于第二虛擬線DL2內(nèi)部。第一虛擬線DL1和第二虛擬線DL2可以與圖4的第一虛擬線DL1和第二虛擬線DL2基本相同。第三虛擬線DL3可以是頂點(diǎn)位于與坐標(biāo)(_8，0)、(8，0)、(0,8)和(0, -8)對(duì)應(yīng)的四個(gè)交點(diǎn)處的四邊形的線。第一虛擬線DL1上的交點(diǎn)的坐標(biāo)可以與圖2A所示的基本相同，以及第二虛擬線DL2上的交點(diǎn)的坐標(biāo)可以與圖4所示的基本相同。因而，在圖5中，僅僅示出了第三虛擬線DL3上的交點(diǎn)的坐標(biāo)。
[0076]在這個(gè)實(shí)施方式中，即使當(dāng)選中了除了最外面存儲(chǔ)單元以外的任何存儲(chǔ)單元時(shí)，與選中存儲(chǔ)單元共享第一線110和第二線130的絕緣圖案的數(shù)目是6且是恒定的。因而，潛行電流的量可以是均勻的。此外，由于增加了位于潛行電流路徑上的絕緣圖案的數(shù)目，所以潛行電流的量可以得到進(jìn)一步減少。
[0077]然而，當(dāng)選中了位于由虛線包圍的最外面區(qū)域DMC中的一個(gè)最外面存儲(chǔ)單元時(shí)，與選中存儲(chǔ)單元共享第一線110和第二線130的絕緣圖案的數(shù)目可以不是恒定的。因而，最外面存儲(chǔ)單元可以用作虛設(shè)存儲(chǔ)單元。在這個(gè)實(shí)施方式中，最外面存儲(chǔ)單元可以包括位于由第一虛擬線DL1界定的區(qū)域外部的可變電阻圖案，其與位于第一至第三虛擬線DL1、DL2和DL3的頂點(diǎn)處的絕緣圖案中的一個(gè)或更多個(gè)共享第一線110和第二線130中的一個(gè)或更多個(gè)。
[0078]根據(jù)圖2A、圖4和圖5的以上實(shí)施方式，關(guān)于絕緣圖案的布置可以得出以下規(guī)則。
[0079]當(dāng)?shù)谝痪€110的數(shù)目和第二線130的數(shù)目中的每一個(gè)都為2k+l(其中k是自然數(shù))并且由第一線110中的中心第一線和第二線130中的中心第二線限定的中心交點(diǎn)對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(0，0)時(shí)，位于第一線110中的中心第一線兩端的交點(diǎn)可以對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(_k，0)和(k，0)，并且位于第二線130中的中心第二線兩端的交點(diǎn)可以對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(0，k)和(0，-k)。
[0080]絕緣圖案可以位于與至少一個(gè)第一虛擬線DL1重疊的交點(diǎn)處，所述第一虛擬線DL1具有四邊形形狀和對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(-k, 0)、(k, 0)、(0，k)和(0，-k)的頂點(diǎn)。絕緣圖案還可以位于與一個(gè)或更多個(gè)虛擬線重疊的交點(diǎn)處，所述一個(gè)或更多個(gè)虛擬線具有四邊形形狀且位于由第一虛擬線DL1界定的區(qū)域內(nèi)部。S卩，絕緣圖案可以位于第一虛擬線至第n+1虛擬線處。這里，所述第n+1虛擬線可以具有四邊形形狀，在其中頂點(diǎn)對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(_(k_n)，0)、(k-n, 0)、(0，k-n)和(0，- (k-n))，其中η是在范圍0至k_l內(nèi)的整數(shù)。
[0081]用作虛設(shè)存儲(chǔ)單元的最外面存儲(chǔ)單元可以包括:位于由第一虛擬線DL1界定的區(qū)域外部的可變電阻圖案，其與位于第一虛擬線至第n+1虛擬線的頂點(diǎn)處的絕緣圖案中的一個(gè)或更多個(gè)共享第一線110和第二線130中的一個(gè)或更多個(gè)。
[0082]在圖2A至圖5的上述實(shí)施方式中，第一線110的數(shù)目和第二線130的數(shù)目中的每個(gè)是奇數(shù)。然而，在其他實(shí)施方式中，第一線110的數(shù)目和第二線130的數(shù)目中的每個(gè)可以是偶數(shù)。隨后將參考圖6至圖8進(jìn)行描述。
[0083]圖6是示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件60的平面圖。將主要描述與圖2A的實(shí)施方式的不同。
[0084]參見(jiàn)圖6，第一線110的數(shù)目可以是偶數(shù)，例如22，以及第二線130的數(shù)目可以是偶數(shù)，例如22。因此，第一線110和第二線130可以限定22X22個(gè)交點(diǎn)。如上所述，可變電阻圖案可以位于一些交點(diǎn)，以及絕緣圖案可以位于其他交點(diǎn)。這里，隨后將更詳細(xì)地描述絕緣圖案的布置。
[0085]與圖2A、圖4和圖5的上述實(shí)施方式不同，由于第一線110的數(shù)目和第二線130的數(shù)目中的每個(gè)是偶數(shù)，所以在第一線110中不會(huì)存在位于第一線110中心的一個(gè)第一線110以及在第二線130中不會(huì)存在位于第二線130中心的一個(gè)第二線130。因此，在這個(gè)實(shí)施方式中，從上和下為第i^一個(gè)的兩個(gè)第一線110可以被稱作第一線110中的中心第一線，從左和右為第i^一個(gè)的兩個(gè)第二線130可以被稱作第二線130的中心第二線。由第一線110中的兩個(gè)中心第一線和第二線130中的兩個(gè)中心第二線可以限定四個(gè)中心交點(diǎn)。四個(gè)中心交點(diǎn)可以對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(0，0)，位于第一線110中的中心第一線的右端的兩個(gè)交點(diǎn)可以對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(10，0)，位于第一線110中的中心第一線的左端的兩個(gè)交點(diǎn)可以對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(-10，0)，位于第二線130中的中心第二線的頂端的兩個(gè)交點(diǎn)可以對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(0，10)，以及位于第二線130中的中心第二線的底端的兩個(gè)交點(diǎn)可以對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(0，-10)。假設(shè)存在具有八邊形形狀的虛擬線DL1且對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(-10，0)、(10，0)、(0, 10)和(0,-10)的八個(gè)交點(diǎn)是虛擬線DL1的頂點(diǎn)，則絕緣圖案可以位于處于虛擬線DL1上的交點(diǎn)處。S卩，如圖6所示，絕緣圖案可以位于由除了(0，0)以外的所示坐標(biāo)表示的交點(diǎn)處?？勺冸娮鑸D案可以位于其余的交點(diǎn)處。
[0086]這里，即使當(dāng)選中了任何存儲(chǔ)單元時(shí)，與選中存儲(chǔ)單元共享第一線110和第二線130中的每個(gè)的絕緣圖案的數(shù)目是2且是恒定的。在這個(gè)實(shí)施方式中，盡管選中了位于由虛擬線DL1界定的區(qū)域外部并且與位于虛擬線DL1的頂點(diǎn)處的絕緣圖案中的一個(gè)或更多個(gè)共享第一線110和第二線130中的一個(gè)或更多個(gè)的最外面存儲(chǔ)單元之一，但是與選中存儲(chǔ)單元共享第一線110和第二線130中的每個(gè)的絕緣圖案的數(shù)目可以是恒定的。例如，當(dāng)選中了對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(10，5)的存儲(chǔ)單元時(shí)，與該存儲(chǔ)單元共享第一線110和第二線130中的每個(gè)的絕緣圖案的數(shù)目是2。因而，在這個(gè)實(shí)施方式中，最外面存儲(chǔ)單元不可以用作虛設(shè)存儲(chǔ)單
J L.ο
[0087]通過(guò)這個(gè)實(shí)施方式，潛行電流的量可以被減少且是均勻的。
[0088]在圖6的實(shí)施方式中，絕緣圖案120Β位于與一個(gè)虛擬線DL1重疊的交點(diǎn)處。然而，其他實(shí)施方式也是可以的。例如，絕緣圖案可以位于與兩個(gè)或更多個(gè)虛擬線重疊的交點(diǎn)處。這將參考圖7和圖8進(jìn)行描述。
[0089]圖7是示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件70的平面圖。具體來(lái)說(shuō)，圖7示出了以下的實(shí)施方式:其中，絕緣圖案位于兩個(gè)虛擬線上。
[0090]參見(jiàn)圖7，可變電阻圖案或絕緣圖案可以形成在第一線110和第二線130的交點(diǎn)處。
[0091]這里，絕緣圖案可以位于處于第一虛擬線DL1和第二虛擬線DL2上的交點(diǎn)處，其中第二虛擬線DL2位于由第一虛擬線DL1界定的區(qū)域內(nèi)部。第一虛擬線DL1可以與圖6的虛擬線DL1基本相同。第二虛擬線DL2可以是八邊形的線，在其中，頂點(diǎn)位于與坐標(biāo)(_9，0)、(9，0)、(0，9)和(0，-9)對(duì)應(yīng)的八個(gè)交點(diǎn)處。在圖7中，僅僅示出了第二虛擬線DL2上的交點(diǎn)的坐標(biāo)。
[0092]在這個(gè)實(shí)施方式中，即使當(dāng)選中了除了最外面存儲(chǔ)單元以外的任何存儲(chǔ)單元時(shí)，與選中存儲(chǔ)單元共享第一線110和第二線130中的每個(gè)的絕緣圖案的數(shù)目是4且是恒定的。
[0093]然而，即使當(dāng)選中了位于由虛線包圍的最外面區(qū)域DMC中的最外面存儲(chǔ)單元中的一個(gè)時(shí)，與選中存儲(chǔ)單元共享第一線110和第二線130中的每個(gè)的絕緣圖案的數(shù)目可以不是恒定的。因此，最外面存儲(chǔ)單元可以用作虛設(shè)存儲(chǔ)單元。在這個(gè)實(shí)施方式中，最外面存儲(chǔ)單元可以包括位于由第一虛擬線DL1界定的區(qū)域外部的可變電阻圖案，其與位于第一虛擬線DL1的頂點(diǎn)處的絕緣圖案中的一個(gè)或更多個(gè)共享第一線110和第二線130中的一個(gè)或更多個(gè)。
[0094]圖8是示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件80的平面圖。具體來(lái)說(shuō)，圖8示出了以下的實(shí)施方式:其中，絕緣圖案位于三個(gè)虛擬線上。
[0095]參見(jiàn)圖8，可變電阻圖案或絕緣圖案可以形成在第一線110和第二線130的交點(diǎn)處。
[0096]這里，絕緣圖案可以位于處于第一虛擬線DL1、第二虛擬線DL2和第三虛擬線DL3上的交點(diǎn)處，其中，第二虛擬線DL位于由第一虛擬線DL1界定的區(qū)域內(nèi)部，第三虛擬線DL3位于由第二虛擬線DL2界定的區(qū)域內(nèi)部。第一虛擬線DL1和第二虛擬線DL2可以與圖7的第一虛擬線DL1和第二虛擬線DL2基本相同。第三虛擬線DL3可以是八邊形的線，在其中頂點(diǎn)位于與坐標(biāo)(_8，0)、(8，0)、(0，8)和(0，-8)對(duì)應(yīng)的八個(gè)交點(diǎn)處。在圖8中，僅僅示出了在第三虛擬線DL3上的交點(diǎn)的坐標(biāo)。
[0097]在這個(gè)實(shí)施方式中，即使當(dāng)選中了除了最外面存儲(chǔ)單元以外的任何存儲(chǔ)單元時(shí)，與選中存儲(chǔ)單元共享第一線110和第二線130中的每個(gè)的絕緣圖案的數(shù)目是6且是恒定的。
[0098]然而，即使當(dāng)選中了處于由虛線包圍的最外面區(qū)域DMC中的最外面存儲(chǔ)單元中的一個(gè)時(shí)，與選中存儲(chǔ)單元共享第一線110和第二線130中的每個(gè)的絕緣圖案的數(shù)目可以不是恒定的。因此，最外面存儲(chǔ)單元可以用作虛設(shè)存儲(chǔ)單元。在這個(gè)實(shí)施方式中，最外面存儲(chǔ)單元可以包括位于由第一虛擬線DL1界定的區(qū)域外部的可變電阻圖案，并且其與位于第一虛擬線DL1和第二虛擬線DL2的頂點(diǎn)處的絕緣圖案中的一個(gè)或更多個(gè)共享第一線110和第二線130中的一個(gè)或更多個(gè)。
[0099]根據(jù)圖6至8的上述實(shí)施方式，關(guān)于絕緣圖案的布置可以得到以下規(guī)則。
[0100]當(dāng)?shù)谝痪€110的數(shù)目和第二線130的數(shù)目中的每個(gè)是2k+2 (其中k是自然數(shù))且由第一線110中的兩個(gè)中心第一線和第二線130中的兩個(gè)中心第二線限定的四個(gè)中心交點(diǎn)對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(0，0)時(shí)，位于第一線110中的兩個(gè)中心第一線右端的兩個(gè)交點(diǎn)可以對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(k，0)，位于第一線110中的兩個(gè)中心第一線左端的兩個(gè)交點(diǎn)可以對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(_k，0)，位于第二線130中的兩個(gè)中心第二線頂端的兩個(gè)交點(diǎn)可以對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(0，k)，以及位于第二線130中的兩個(gè)中心第二線底端的兩個(gè)交點(diǎn)可以對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(0，-k)。
[0101]絕緣圖案可以位于與至少一個(gè)第一虛擬線DL1重疊的交點(diǎn)處，所述第一虛擬線DL1具有四邊形形狀和對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(-k, 0)、(k, 0)、(0，k)和(0，-k)的頂點(diǎn)。而且，絕緣圖案還可以位于與一個(gè)或更多個(gè)虛擬線重疊的交點(diǎn)處，所述一個(gè)或更多個(gè)虛擬線具有八邊形形狀且位于第一虛擬線DL1內(nèi)部。S卩，絕緣圖案可以位于第一虛擬線至第n+1虛擬線上的交點(diǎn)處。這里，第n+1虛擬線具有八邊形形狀，在其中頂點(diǎn)對(duì)應(yīng)于坐標(biāo)(-(k-n)，0)、(k-n，0)、(0，k-n)和(0，- (k-n))，其中η是在范圍0至k_l內(nèi)的整數(shù)。
[0102]當(dāng)只存在第一虛擬線DL1時(shí)，最外面存儲(chǔ)單元可以用作虛設(shè)存儲(chǔ)單元。即，最外面存儲(chǔ)單元用作類似于其他可變電阻圖案的存儲(chǔ)單元。另一方面，當(dāng)存在兩個(gè)或更多個(gè)虛擬線時(shí)，用作虛設(shè)存儲(chǔ)單元的最外面存儲(chǔ)單元可以包括可變電阻圖案，其位于由第一虛擬線DL1界定的區(qū)域外部且與位于第一至第η虛擬線的頂點(diǎn)處的絕緣圖案中的一個(gè)或更多個(gè)共享第一線110和第二線130中的一個(gè)或更多個(gè)。
[0103]然而，絕緣圖案的布局可以不限于圖2Α至圖8的上述實(shí)施方式。只要與選中可變電阻圖案共享第一線和第二線的絕緣圖案的數(shù)目是常數(shù)，就可以以各種方式改變絕緣圖案的布局，而與選中除了虛設(shè)存儲(chǔ)單元以外的哪個(gè)可變電阻圖案無(wú)關(guān)。
[0104]以上和其他的基于公開(kāi)技術(shù)的存儲(chǔ)電路或半導(dǎo)體器件可以用在一系列器件或系統(tǒng)中。圖9至圖13提供了可以實(shí)施根據(jù)本文公開(kāi)的實(shí)施例的存儲(chǔ)電路的器件或系統(tǒng)的一些示例。
[0105]圖9示出了實(shí)施基于所公開(kāi)技術(shù)的存儲(chǔ)電路的微處理器。
[0106]參見(jiàn)圖9，微處理器1000可以執(zhí)行用于控制和調(diào)整從各種外部設(shè)備接收數(shù)據(jù)、處理數(shù)據(jù)以及將處理結(jié)果輸出至外部設(shè)備的一系列過(guò)程的任務(wù)。微處理器1000可以包括:存儲(chǔ)器單元1010、運(yùn)算單元1020、控制單元1030等。微處理器1000可以是各種數(shù)據(jù)處理單元，諸如中央處理單元(CPU)、圖形處理單元(GPU)、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)和應(yīng)用處理器(AP)o
[0107]存儲(chǔ)器單元1010是將數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在微處理器1000中作為處理器寄存器、寄存器等的部件。存儲(chǔ)器單元1010可以包括數(shù)據(jù)寄存器、地址寄存器、浮點(diǎn)寄存器等。此外，存儲(chǔ)器單元1010可以包括各種寄存器。存儲(chǔ)器單元1010可以執(zhí)行暫時(shí)儲(chǔ)存要由運(yùn)算單元1020執(zhí)行的操作的數(shù)據(jù)、執(zhí)行操作的結(jié)果數(shù)據(jù)、以及儲(chǔ)存執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)的地址的功能。
[0108]存儲(chǔ)器單元1010可以包括根據(jù)實(shí)施例的上述半導(dǎo)體器件中的一個(gè)或更多個(gè)。例如，存儲(chǔ)器單元1010可以包括:在第一