的紅外譜圖顯示，3050~3125cm 1和892cm 1處的兩個特征尖峰消失，說明嚷吩 單體反應完全，且出現(xiàn)了嚷吩骨架和3, 4-乙撐二氧嚷吩的含氧取代基的特征峰，說明已經 成功聚合得到聚3, 4-乙撐二氧嚷吩。 W47] 實施例3
[0048] (1)將Sg糞橫酸甲醒縮合物溶于去離子水中配制成質量濃度為10.0%的糞橫酸 甲醒縮合物水溶液，加入到2g單體3, 4-乙撐二氧嚷吩中，在1500轉/min的攬拌速度下攬 拌30分鐘混合均勻；
[0049] (2)將2g過硫酸鋼溶于去離子水中配制成質量濃度為1.0%的水溶液，滴入到 步驟（1)的混合溶液中，室溫攬拌反應24小時，得到W糞橫酸甲醒縮合物為載體的聚 (3, 4-乙撐二氧嚷吩）水分散液；
[0050] (3)將步驟（2)的水分散液用截留分子量為1000的透析袋透析1天，除去無機鹽 及未反應的單體，得到糞橫酸甲醒縮合物分散聚3, 4-乙撐二氧嚷吩導電復合物。
[0051]本實施例的糞橫酸甲醒縮合物分散聚3，4-乙撐二氧嚷吩導電復合物采用 UV-2450紫外分光光度計（日本島津）進行紫外吸收光譜測試，并與商業(yè)化產品聚3, 4-乙 撐二氧嚷吩/聚苯乙締橫酸鋼復合物（P邸0T:PS巧和單體3, 4-乙撐二氧嚷吩巧DOT)進行 比較，結果如圖3所示。由圖3可W看出，聚3, 4-乙撐二氧嚷吩的紫外特征吸收峰為500~ 950nm的寬峰，3, 4-乙撐二氧嚷吩單體在波長為500~950nm的區(qū)域沒有吸收。本實施例的 糞橫酸甲醒縮合物分散聚3, 4-乙撐二氧嚷吩導電復合物在500~950nm的區(qū)域存在明顯 吸收，說明聚3, 4-乙撐二氧嚷吩/糞橫酸甲醒縮合物（P邸0T:NS巧已成功制備。聚3, 4-乙 撐二氧嚷吩為線性n -共輛聚合物，其共輛長度越長，則紫外光譜的紅移程度越明顯，能隙 更低。與商業(yè)化的聚3, 4-乙撐二氧嚷吩/聚苯乙締橫酸鋼復合物相比，P邸OT:NSF的紫外 光譜紅移程度相當，體現(xiàn)了兩者潛在的導電性能相當。 陽0巧 實施例4
[0053] (1)將6g糞橫酸甲醒縮合物溶于去離子水中配制成質量濃度為10.0%的糞橫酸 甲醒縮合物水溶液，加入到Ig單體3, 4-乙撐二氧嚷吩中，在1500轉/min的攬拌速度下攬 拌30分鐘混合均勻；
[0054] (2)將Ig過硫酸鋼溶于去離子水中配制成質量濃度為1.0%的水溶液，滴入到 步驟（1)的混合溶液中，室溫攬拌反應24小時，得到W糞橫酸甲醒縮合物為載體的聚 (3, 4-乙撐二氧嚷吩）水分散液； 陽化5] (3)將步驟（2)的水分散液用截留分子量為1000的透析袋透析7天，除去無機鹽 及未反應的單體，得到糞橫酸甲醒縮合物分散聚3, 4-乙撐二氧嚷吩導電復合物。
[0056] 本實施例的糞橫酸甲醒縮合物分散聚3, 4-乙撐二氧嚷吩導電復合物采用Zeta PALS(美國化OO化aven)進行粒徑分布測試，結果如圖4所示。由圖4可W看出，本發(fā)明得 到的導電復合物分散的粒徑分布為50~350nm，分散穩(wěn)定性好。
[0057] 實施例5
[005引實施例1得到的糞橫酸甲醒縮合物分散聚3, 4-乙撐二氧嚷吩導電復合物在有機 電致發(fā)光器件中的應用，具體過程如下：
[0059] 氧化銅錫（ITO)玻璃依次用去離子水、丙酬和乙醇超聲15min，重復=次后用置于 120°C烘箱中加熱20min，紫外臭氧處理lOmin。然后通過溶液旋涂法，在2000巧m的轉速下 旋涂實施例1的導電復合物溶液，并于120°C下退火20min得厚度為15nm的導電復合物薄 膜。隨后將ITO玻璃轉移至5X 10 4Pa的高真空腔內，W 0.1 nm/s的速度依次蒸鍛空穴傳 輸層材料TAPC (30nm)、電子阻擋層材料mCP (Snm)、FIrpic滲雜濃度為10 %的發(fā)光層材料 mCP: FIrPic (25nm)、電子傳輸層材料TmPyPb (35nm) W及電子注入層材料LiF (Inm)，最后W Inm/s的速度蒸鍛金屬陰極侶（IOOnm)，得到有機電致發(fā)光器件。該器件的結構為JTO/實 施例 1 復合物（15nm)/TAPC(30nm)/mCP(8nm)/mCP:FbPic(10wt%，25nm)/TmPyPb(35nm)/ LiF(Inm)/Al (IOOnm)。 W60] 實施例6
[0061] 實施例3中的糞橫酸甲醒縮合物分散聚3, 4-乙撐二氧嚷吩導電復合物在有機電 致發(fā)光器件中的應用，具體過程如下：
[0062] 氧化銅錫（ITO)玻璃依次用去離子水、丙酬和乙醇超聲15min，重復=次后用置于 120°C烘箱中加熱20min，紫外臭氧處理lOmin。然后通過溶液旋涂法，在2000巧m的轉速下 旋涂實施例3的導電復合物溶液，并于120°C下退火20min得厚度為15nm的導電復合物薄 膜。隨后將ITO玻璃轉移至5X 10 4Pa的高真空腔內，W 0.1 nm/s的速度依次蒸鍛空穴傳 輸層材料TAPC (30nm)、電子阻擋層材料mCP (Snm)、FIrpic滲雜濃度為10 %的發(fā)光層材料 mCP: FIrPic (25nm)、電子傳輸層材料TmPyPb (35nm) W及電子注入層材料LiF (Inm)，最后W Inm/s的速度蒸鍛金屬陰極侶（IOOnm)，得到有機電致發(fā)光器件。該器件的結構為JTO/實 施例 3 復合物（15nm)/TAPC(30nm)/mCP(8nm)/mCP:FbPic(10wt%，25nm)/TmPyPb(35nm)/ LiF(Inm)/Al (IOOnm)。
[0063] 通過Keithl巧2400型程控直流電源W及PR-650對實施例5和6得到的電致發(fā) 光器件進行性能表征，得到器件的亮度-電壓-電流密度和亮度-電流效率-功率效率曲 線分別如圖5和6所示，相關性能數(shù)據(jù)羅列于表1中。 陽064] 表1電致發(fā)光器件的相關性能數(shù)據(jù)
[0066] 上述實施例為本發(fā)明較佳的實施方式，但本發(fā)明的實施方式并不受上述實施例的 限制，其它的任何未背離本發(fā)明的精神實質與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化， 均應為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【主權項】
1. 一種萘磺酸甲醛縮合物分散聚3, 4-乙撐二氧噻吩導電復合物，其特征在于：所述復 合物是通過3, 4-乙撐二氧噻吩單體在萘磺酸甲醛縮合物載體上聚合分散得到。2. 根據(jù)權利要求1所述的一種萘磺酸甲醛縮合物分散聚3, 4-乙撐二氧噻吩導電復合 物，其特征在于：所述的萘磺酸甲醛縮合物具有如下分子結構式：其中η為2~8的整數(shù)。3. 根據(jù)權利要求1所述的一種萘磺酸甲醛縮合物分散聚3, 4-乙撐二氧噻吩導電復合 物，其特征在于：所述復合物中聚3, 4-乙撐二氧噻吩的分散粒徑為50~350nm。4. 權利要求1~3任一項所述的一種萘磺酸甲醛縮合物分散聚3, 4-乙撐二氧噻吩導 電復合物的制備方法，其特征在于包括以下制備步驟： (1) 將萘磺酸甲醛縮合物溶于去離子水中配制成質量濃度為1. 〇%~10. 〇%的萘磺酸 甲醛縮合物水溶液，加入到單體3, 4-乙撐二氧噻吩中，攪拌混合均勻； (2) 將氧化劑溶于去離子水中配制成質量濃度為1.0%~4.0%的水溶液，滴入到步 驟（1)的混合溶液中，室溫攪拌反應12~48小時，得到以萘磺酸甲醛縮合物為載體的聚 3, 4-乙撐二氧噻吩水分散液； (3) 將步驟（2)的水分散液透析除去無機鹽及未反應的單體，得到萘磺酸甲醛縮合物 分散聚3, 4-乙撐二氧噻吩導電復合物。5. 根據(jù)權利要求4所述的一種萘磺酸甲醛縮合物分散聚3, 4-乙撐二氧噻吩導電復合 物的制備方法，其特征在于各組分的重量配比如下： 3,4-乙撐二氧噻吩 100份 氧化劑 UX)~500份 萘磺酸甲醛縮合物 100~2000份 離/·水 1〇〇〇~丨〇〇〇〇份。6. 根據(jù)權利要求4或5所述的一種萘磺酸甲醛縮合物分散聚3, 4-乙撐二氧噻吩導電 復合物的制備方法，其特征在于：所述的氧化劑是指過硫酸銨、過硫酸鈉或過硫酸鉀。7. 根據(jù)權利要求4所述的一種萘磺酸甲醛縮合物分散聚3, 4-乙撐二氧噻吩導電復合 物的制備方法，其特征在于：步驟（1)中所述的攪拌是指在500~2000轉/min的攪拌速度 下攪拌10~40分鐘。8. 根據(jù)權利要求4所述的一種萘磺酸甲醛縮合物分散聚3, 4-乙撐二氧噻吩導電復合 物的制備方法，其特征在于：步驟（4)中所述的透析是指用截留分子量為1000的透析袋透 析1~7天。9. 權利要求1~3任一項所述的萘磺酸甲醛縮合物分散聚3, 4-乙撐二氧噻吩導電復 合物在有機光電器件中的應用。10. 根據(jù)權利要求9所述的萘磺酸甲醛縮合物分散聚3, 4-乙撐二氧噻吩導電復合物在 有機光電器件中的應用，其特征在于：所述的有機光電器件是指有機電致發(fā)光器件或太陽 能電池器件。
【專利摘要】本發(fā)明屬于有機光電材料技術領域，公開了一種萘磺酸甲醛縮合物分散聚3,4-乙撐二氧噻吩導電復合物及制備與應用。所述導電復合物的制備方法為：將萘磺酸甲醛縮合物配制成質量濃度為1.0％～10.0％的萘磺酸甲醛縮合物水溶液，加入到單體3,4-乙撐二氧噻吩中，攪拌混合均勻；然后將氧化劑配制成質量濃度為1.0％～4.0％的水溶液，滴入到上述混合溶液中，室溫攪拌反應12～48小時，所得產物經透析除去無機鹽及未反應的單體，得到萘磺酸甲醛縮合物分散聚3,4-乙撐二氧噻吩導電復合物。本發(fā)明采用萘磺酸甲醛縮合物作為分散載體，所得導電復合物均一穩(wěn)定、導電率高、透明度高并有利于其摻雜，應用前景良好。
【IPC分類】H01L51/46, H01L51/54
【公開號】CN105336867
【申請?zhí)枴緾N201510646911
【發(fā)明人】李 遠, 邱學青, 余偉
【申請人】華南理工大學
【公開日】2016年2月17日
【申請日】2015年9月30日