的上 表面通過第=絕緣層210覆蓋。第=絕緣層210可W用于保護(hù)電極圖案190?？蒞在包含 電極圖案190的上表面的發(fā)光結(jié)構(gòu)120的總體上表面上形成第=絕緣層210。第二絕緣層 200和束二絕緣層210可W是透明絕緣層。 陽145] 在此示例性實(shí)施例中，電極圖案190具有對應(yīng)于圖1中示出的隔離區(qū)域13化的形 狀。也就是說，電極圖案190安置成與形成于隔離區(qū)域13化中的第一絕緣層140重疊。
[0146] 電極圖案190可W包含相對于通孔hi在相對的橫向方向上延伸的第一延伸部分 190a和垂直于第一延伸部分190a的第二延伸部分19化。第二延伸部分19化可W包含銀 或侶的反射層，并且第一延伸部分190a也可W包含反射層。
[0147] 第一延伸部分190a和第二延伸部分19化的長度和數(shù)目可W取決于安置在下部 區(qū)域中的隔離區(qū)域13化的延伸部分的數(shù)目來確定。因此，在此示例性實(shí)施例中，隔離區(qū)域 13化的至少一些區(qū)域可W與安置在上部區(qū)域中的電極圖案190重疊。 陽148] 在此示例性實(shí)施例中，由于第一絕緣層140置于電極圖案190與下電極170中的 至少一個之間，因此發(fā)光二極管可W防止電流在發(fā)光結(jié)構(gòu)120中直接從第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體 層121流動到第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125,由此改進(jìn)電流擴(kuò)展性能。
[0149] 隨后，將晶圓分成個別二極管的過程通過考慮經(jīng)由圖案化形成的隔離區(qū)域300來 執(zhí)行。安置在隔離區(qū)域300中的支撐件171也可W與此過程一起移除。因此，如圖6c中示 出可W形成根據(jù)一個示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管。
[0150] 另外，盡管未在附圖中示出，但是在通過圖案化形成發(fā)光結(jié)構(gòu)120的過程中，執(zhí)行 圖案化使得墊片金屬層150的側(cè)端區(qū)域未暴露于外部，并且墊片金屬層150可W通過第二 絕緣層200和第=絕緣層210覆蓋。通過此過程，可W防止墊片金屬層150接觸外部環(huán)境。 陽151] 圖6d是根據(jù)另一示例性實(shí)施例的電極圖案的平面圖。除了電極圖案的形狀之外， 圖6d中示出的實(shí)施例的發(fā)光二極管與圖6a中示出的實(shí)施例的發(fā)光二極管相同，并且因此 將省略重復(fù)描述。 陽152] 參考圖6山電極圖案190可W包含在相對的橫向方向上延伸的第一延伸部分190a 和垂直于第一延伸部分190a的第二延伸部分19化。 陽153] 在此示例性實(shí)施例中，第一延伸部分190a靠近發(fā)光二極管的一側(cè)在相對的橫向 方向上延伸，而不是相對于通孔hi在相對的橫向方向上延伸。第一延伸部分190a可W安 置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的外周上，而不是置于發(fā)光結(jié)構(gòu)120上。通過此結(jié)構(gòu)，發(fā)光二極管可W防 止電極圖案190阻擋在活性層123中產(chǎn)生的光，由此改進(jìn)光提取效率。盡管在圖6a和圖6d 中說明電極圖案190的形狀，但是應(yīng)理解本發(fā)明并不限于此。
[0154] 在一個示例性實(shí)施例中，盡管未在附圖中示出，但是在晶圓分成個別二極管之前 或之后，波長轉(zhuǎn)換層可W沉積或涂覆到其上具有第二絕緣層200和第=絕緣層210的晶圓 或個別發(fā)光二極管上，并且可W具有均一厚度。波長轉(zhuǎn)換層可化含有用于轉(zhuǎn)換在活性層123 中產(chǎn)生的光的樹脂和憐光體。憐光體可W與樹脂混合并且隨機(jī)地或均勻地安置在波長轉(zhuǎn)換 層中。
[01巧]樹脂可W包含聚合樹脂（例如，環(huán)氧樹脂或丙締酸樹脂）或娃酬樹脂，并且可W用作其中分散憐光體的基質(zhì)。憐光體可W包含所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的多個憐光體， 并且可W包含在W下項(xiàng)中選出的至少一種類型的憐光體：例如，石惱石憐光體、侶酸鹽憐 光體、硫化物憐光體、氮氧化物憐光體、氮化物憐光體、氣憐光體和娃酸鹽憐光體，但不限于 此。
[0156] 波長轉(zhuǎn)換層可W通過多種方法中的任一個沉積或涂覆，所述方法包含噴霧劑噴 灑、脈沖激光沉積（pulsedlaserdeposition,PLD)、打印、旋涂玻璃法（spin-on-glass，S0G)涂覆，W及其類似者。 陽157] 此外，在一個示例性實(shí)施例中，盡管未在附圖中示出，但是在晶圓分成個別二極管 之前或之后，光學(xué)玻璃透鏡可W沉積或涂覆到其上具有第二絕緣層200和第=絕緣層210的晶圓或個別發(fā)光二極管上。光學(xué)玻璃透鏡可W調(diào)節(jié)在活性層123中產(chǎn)生的光的光束角。 此外，可W使用呈微透鏡或菲涅耳透鏡形式的光學(xué)玻璃透鏡在發(fā)光二極管上形成次級光學(xué) 透鏡。光學(xué)玻璃透鏡可W使用SOG或透明有機(jī)材料作為結(jié)合劑而結(jié)合到發(fā)光二極管。光學(xué) 透明SOG或透明有機(jī)材料的使用可W減小光損耗。此外，在波長轉(zhuǎn)換層形成于發(fā)光二極管 上之后可W形成光學(xué)玻璃透鏡。
[0158] 在示例性實(shí)施例中，發(fā)光二極管可W通過由模具160圍繞的下電極170直接安裝 在印刷電路板上，并且防止下電極170的側(cè)表面暴露于外部，由此防止焊膏中的金屬元素 (例如，錫（Sn))擴(kuò)散到發(fā)光二極管中。
[0159] 盡管已結(jié)合【附圖說明】一些示例性實(shí)施例，但是對所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員而言將顯而 易見的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可W作出各種修改、變化和替代。因此， 應(yīng)理解，運(yùn)些實(shí)施例和附圖不應(yīng)解釋為限制本發(fā)明并且給定用于向所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員提 供對本發(fā)明的透徹理解。本發(fā)明的范圍應(yīng)根據(jù)W上所附權(quán)利要求書解釋為覆蓋源自所附權(quán) 利要求及其等效物的所有修改或變化。 陽160] 圖7至圖lie是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的說明發(fā)光二極管化及制造發(fā)光二極 管的方法的平面圖和截面圖。 陽161] 圖7的（a)是根據(jù)一個示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管的增長襯底的平面圖，其中在 外延層上形成反射電極層，并且圖7的化）是沿著圖7的（a)中的線D-D截取的截面圖。 陽162] 參考圖7,首先準(zhǔn)備增長襯底410并且外延層420形成于增長襯底410上。增長襯 底410可W是允許其上的外延層420不受限制地增長的任何襯底，并且可W包含（例如） 藍(lán)寶石襯底、娃襯底、碳化娃襯底、尖晶石襯底和氮化物襯底。具體來說，在此示例性實(shí)施例 中，增長襯底410可W是藍(lán)寶石襯底。
[0163] 另一方面，當(dāng)增長襯底410由與將在增長襯底410上增長的外延層420不同的材 料構(gòu)成時(shí)，例如，當(dāng)外延層420包含氮化物半導(dǎo)體并且增長襯底410是藍(lán)寶石襯底等異質(zhì)襯 底時(shí)，根據(jù)此實(shí)施例的發(fā)光二極管可W進(jìn)一步包含在增長襯底410上的緩沖層（未示出）。
[0164] 此外，增長襯底410可W包含多種增長平面，例如，極性增長平面，例如，C-平面 (OOOl);或非極性增長平面，例如，m-平面（1-100)或a-平面（11-20);或半極性增長平面， 例如，（20-21)平面?；蛘?，增長襯底410可W是經(jīng)圖案化襯底。
[01化]第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層421、活性層423和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層425在增長襯底110 上增長。 陽166] 第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層421可W包含（例如）n型基于GaN的半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo) 電型半導(dǎo)體層425可W包含P型基于GaN的半導(dǎo)體層。此外，活性層423可W具有單個量 子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)，并且可W包含阱層和阻擋層。此外，阱層的組成可W取決于光的 所需波長來確定，并且可W包含（例如）氮化銅嫁。 陽167] 第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層421和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層425可W是不同的導(dǎo)電型半導(dǎo)體 層，并且半導(dǎo)體層421、423、425可W通過多種沉積和增長方法形成，包含金屬有機(jī)化學(xué)氣 相沉積（metalorganicchemicalvapordeposition，MOCVD)、分子束夕t'延'法（molecular beam巧itaxy，MBE〇、氨化物氣相外延法化y化idevaporphase巧itaxy，HV陽），?及其類 似者。
[0168] 本文將省略關(guān)于半導(dǎo)體層的熟知技術(shù)。
[0169] 隨后，反射電極層430通過剝離技術(shù)形成。形成反射電極層430W允許第二導(dǎo)電 型半導(dǎo)體層425通過其一些區(qū)域暴露。通過反射電極層430的一些區(qū)域暴露的第二導(dǎo)電型 半導(dǎo)體層425可W通過隨后的過程電連接到電極圖案。下文將描述此過程的細(xì)節(jié)。因此， 暴露第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層425的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層425區(qū)域的面積和位置通過考慮與電 極圖案的電連接來確定。盡管在此示例性實(shí)施例中第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層425鄰近于增長襯 底410的一側(cè)W圓形形狀暴露，但是應(yīng)理解本發(fā)明并不限于此。
[0170] 反射電極層430可W包含反射金屬層431和覆蓋金屬層433。反射金屬層431包 含反射層并且應(yīng)力消除層可W安置于反射金屬層431與覆蓋金屬層433之間。應(yīng)力消除層 緩解由于反射金屬層431與覆蓋金屬層433之間的熱膨脹系數(shù)差引起的應(yīng)力。
[0171] 反射金屬層431可W由（例如）儀/銀/儀/金構(gòu)成并且可W具有約化OOA的總 厚度。反射金屬層431可W具有傾斜的側(cè)表面，即，其中底部表面具有大于上表面的面積的 結(jié)構(gòu)。此反射金屬層431可W通過電子束蒸發(fā)形成。
[0172] 覆蓋金屬層433覆蓋反射金屬層431的上表面和側(cè)表面W保護(hù)反射金屬層431。 覆蓋金屬層433可W通過瓣鍛或通過電子束蒸發(fā)（例如，行星式電子束蒸發(fā)）形成，其中增 長襯底410在真空沉積期間W傾斜狀態(tài)旋轉(zhuǎn)。覆蓋金屬層433可W包含儀、銷、鐵或銘，并 且可W通過沉積（例如）約5對儀/銷或約5對儀/鐵而形成?；蛘?，覆蓋金屬層433可 W包含鶴化鐵、鶴或鋼。
[0173] 取決于反射金屬層431和覆蓋金屬層433的金屬材料，應(yīng)力消除層可W由通過各 種方式選定的材料構(gòu)成。例如，當(dāng)反射金屬層431包含銀、侶或侶合金并且覆蓋金屬層433 包含鶴、鶴化鐵或鋼時(shí)，應(yīng)力消除層可W是銀、銅、儀、銷、鐵、錠、鈕或銘的單個層，或者銅、 儀、銷、鐵、錠、鈕或金的復(fù)合層。此外，當(dāng)反射金屬層431包含銀、侶或侶并且覆蓋金屬層 433包含銘、銷、錠、鈕或儀時(shí)，應(yīng)力消除層可W是銀或銅的單個層，或者儀、金、銅或銀的復(fù) 合層。
[0174] 另外，盡管未在附圖中示出，但是反射電極層430可W進(jìn)一步包含抗反射金屬層。 抗反射金屬層可W覆蓋覆蓋金屬層433并且可W包含金，W便防止覆蓋金屬層433的氧化。 例如，抗氧化層可W由金/儀或金/鐵構(gòu)成。鐵展現(xiàn)對二氧化娃等氧化層的良好粘著力，并 且因此是優(yōu)選的。抗反射金屬層還可W通過瓣鍛或通過電子束蒸發(fā)（例如，行星式電子束 蒸發(fā)）形成，其中襯底410在真空沉積期間W傾斜狀態(tài)旋轉(zhuǎn)。
[01巧]在沉積反射電極層430之后，移除光致抗蝕劑圖案并且因此在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體 層425上形成反射電極層430,如圖7中示出。 陽176] 圖7示出在晶圓劃分之前的晶圓的一部分。晶圓的一部分可W對應(yīng)于其中將形成 根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管的單元二極管區(qū)。在運(yùn)種情況下，在增長襯底410和外延 層420的兩個末端之間的其中不形成反射電極層430的區(qū)域可W是隔離區(qū)域。應(yīng)注意，除 非另外規(guī)定，否則說明本發(fā)明的W下示例性實(shí)施例的附圖示出單元二極管區(qū)域。
[0177] 圖8的（a)是具有在其上形成的第一絕緣層的反射電極層的平面圖