發(fā)光單元的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光單元，且特別是有關(guān)于一種發(fā)光單元的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]一般而言，由多個(gè)發(fā)光二極管芯片所組成的發(fā)光單元于線路基板上的串并聯(lián)控制，是在線路基板進(jìn)行線路布局設(shè)計(jì)時(shí)，依照電源所能提供的電壓值及電流值通過串并聯(lián)方式就已經(jīng)規(guī)劃完成。然而，發(fā)光二極管芯片的種類眾多，意即每一發(fā)光二極管芯片所需的電壓值與電流值皆不同，因此當(dāng)發(fā)光單元配置于線路基板上時(shí)，除了不容易得到最好的發(fā)光效果外，也會(huì)因修改線路布局而影響線路基板的美觀及成本考量。
[0003]舉例來說，若線路基板的線路布局的初始設(shè)計(jì)為四串一并的電路設(shè)計(jì)，當(dāng)進(jìn)行轉(zhuǎn)換效率測(cè)試需將初始設(shè)計(jì)修改成二串二并的電路設(shè)計(jì)時(shí)，由于線路布局完成之后是無法進(jìn)行串并聯(lián)修改，因此需通過跳線、斷線或重新制作規(guī)劃線路布局的方式，才能達(dá)到所需的串并聯(lián)設(shè)計(jì)，此不僅增加制作成本，也增加制作時(shí)間。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種發(fā)光單元的制作方法，其具有選擇性地通過切割程序而形成不同串聯(lián)、并聯(lián)或串并聯(lián)回路。
[0005]本發(fā)明的發(fā)光單元的制作方法，其包括以下步驟。提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括多個(gè)彼此分離的發(fā)光晶粒，其中每一發(fā)光晶粒包括發(fā)光兀件、第一電極以及第二電極，而第一電極與第二電極配置于發(fā)光元件的同一側(cè)，且第一電極與第二電極之間具有間隔。形成封裝膠體以包覆發(fā)光晶粒，其中封裝膠體包覆每一發(fā)光晶粒的發(fā)光元件，而暴露出每一發(fā)光晶粒的第一電極與第二電極。形成圖案化金屬層于發(fā)光晶粒的第一電極與第二電極上，其中圖案化金屬層與發(fā)光晶粒的第一電極與第二電極直接接觸，并由第一電極與第二電極延伸至封裝膠體上。提供基板，其中封裝膠體位于基板與發(fā)光晶粒的發(fā)光元件之間。進(jìn)行切割程序，以切割半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、圖案化金屬層、封裝膠體以及基板，而至少定義出具有串聯(lián)回路、并聯(lián)回路或串并聯(lián)回路的發(fā)光單元。
[0006]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的封裝膠體內(nèi)摻雜有突光材料，且突光材料包括黃色熒光粉、紅色熒光粉、綠色熒光粉、藍(lán)色熒光粉、釔鋁石榴石熒光粉或上述材料的組合。
[0007]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光單元包括至少兩個(gè)發(fā)光晶粒，一發(fā)光晶粒的第一電極通過圖案化金屬層而電性連接至另一發(fā)光晶粒的第二電極，而形成具有串聯(lián)回路的發(fā)光單元。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光單元包括至少兩個(gè)發(fā)光晶粒，一發(fā)光晶粒的第一電極通過圖案化金屬層而電性連接至另一發(fā)光晶粒的第一電極，且一發(fā)光晶粒的第二電極通過圖案化金屬層而電性連接至另一發(fā)光晶粒的第二電極，而形成具有并聯(lián)回路的發(fā)光單元。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光單元包括至少四個(gè)發(fā)光晶粒，一發(fā)光晶粒的第一電極通過圖案化金屬層而電性連接至另一發(fā)光晶粒的第一電極，而一發(fā)光晶粒的第二電極與另一發(fā)光晶粒的第二電極通過圖案化金屬層而電性連接至又一發(fā)光晶粒的第一電極以及再一發(fā)光晶粒的第一電極，且又一發(fā)光晶粒的第二電極通過圖案化金屬層而電性連接至再一發(fā)光晶粒的第二電極，而形成具有串并聯(lián)回路的發(fā)光單元。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化金屬層的材質(zhì)與每一發(fā)光晶粒的第一電極與第二電極的材質(zhì)相同。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化金屬層的材質(zhì)與每一發(fā)光晶粒的第一電極與第二電極的材質(zhì)不同。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，還包括:提供外部電路，配置于發(fā)光單元的下方，發(fā)光單元通過圖案化金屬層與外部電路電性連接。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的外部電路包括承載板、配置于承載板上的第一外部接點(diǎn)與配置于承載板上的第二外部接點(diǎn)。發(fā)光單元通過圖案化金屬層分別和第一外部接點(diǎn)與第二外部接點(diǎn)電性連接。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的外部電路包括承載板和對(duì)應(yīng)圖案化金屬層且配置于承載板上的圖案化線路層，發(fā)光單元通過圖案化金屬層與圖案化線路層電性連接。
[0015]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化金屬層與圖案化線路層共形地對(duì)應(yīng)配置。
[0016]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，還包括:提供散熱件，配置于發(fā)光單元與外部電路之間。
[0017]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的基板的材質(zhì)包括玻璃、陶瓷或藍(lán)寶石。
[0018]基于上述，本發(fā)明是進(jìn)行切割程序，以切割半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、圖案化金屬層、封裝膠體以及基板，而定義出具有串聯(lián)回路、并聯(lián)回路或串并聯(lián)回路的發(fā)光單元。因此，使用者可依據(jù)使用需求而自行選擇切割區(qū)域，而形成不同電路回路設(shè)計(jì)。故，本發(fā)明的發(fā)光單元的制作方法可讓使用者具有較佳制作上的靈活度，且所形成的發(fā)光單元可具有多種不同態(tài)樣的電路回路設(shè)計(jì)。
[0019]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0020]圖1至圖5為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種發(fā)光單元的制作方法的示意圖；
[0021]圖6為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光單元的剖面示意圖；
[0022]圖7A與圖7B為本發(fā)明的又一實(shí)施例的一種發(fā)光單元的不同剖面的剖面示意圖；
[0023]圖8為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光單元的剖面示意圖；
[0024]圖9為本發(fā)明的又一實(shí)施例的一種發(fā)光單元的剖面示意圖；
[0025]圖10為本發(fā)明的再一實(shí)施例的一種發(fā)光單元的剖面示意圖；
[0026]圖11為本發(fā)明的更一實(shí)施例的一種發(fā)光單元的剖面示意圖。
[0027]附圖標(biāo)記說明:
[0028]100a、100b、100c、100d、100e、100f、lOOg:發(fā)光單元；
[0029]110:半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；
[0030]120、120a、120b、120c、120d、120e、120f、120g、120h、1201、120j、120k:發(fā)光晶粒；
[0031]122:發(fā)光元件；
[0032]124:第一電極；
[0033]126:第二電極；
[0034]130:封裝膠體；
[0035]132:熒光材料；
[0036]140:圖案化金屬層；
[0037]150:基板；
[0038]160、160’:外部電路；
[0039]162:承載板；
[0040]164a:第一外部接點(diǎn)；
[0041]164b:第二外部接點(diǎn)；
[0042]166:散熱件；
[0043]168:圖案化線路層；
[0044]C、D、E:切割區(qū)域；
[0045]G:間隔。
【具體實(shí)施方式】
[0046]圖1至圖5為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種發(fā)光單元的制作方法的示意圖。為了方便說明起見，圖1及圖3為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)110的俯視示意圖；圖2為沿圖1的線A-A的剖面示意圖；圖4為沿圖3的線B-B的剖面示意圖；圖5為沿圖3的切割區(qū)域C切割半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)110后沿線C’ -C’的剖面示意圖。
[0047]請(qǐng)先同時(shí)參考圖1及圖2，依照本實(shí)施例的發(fā)光單元的制作方法，首先，提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)110，其包括多個(gè)彼此分離的發(fā)光晶粒120，其中每一發(fā)光晶粒120包括發(fā)光元件122、第一電極124以及第二電極126,而第一電極124與第二電極126配置于發(fā)光兀件122的同一側(cè)，且第一電極124與第二電極126之間具有間隔G。此處,如圖2所7K,本實(shí)施例的第一電極124與第二電極126實(shí)質(zhì)上為共平面的設(shè)計(jì)，但并不以此為限。其中，每一發(fā)光晶粒120的發(fā)光元件122可包括基材(未示出)，以及依序配置于基材上的第一型半導(dǎo)體層(未示出)、發(fā)光層(未示出)以及第二型半導(dǎo)體層(未示出)，但并不以此為限。且每一發(fā)光晶粒120可為相同或不同光色，端視實(shí)際設(shè)計(jì)需求。第一電極124與第一型半導(dǎo)體層(未示出)直接接觸且電性連接。第二電極126與第二型半導(dǎo)體層(未示出)直接接觸且電性連接。
[0048]接著，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D1與圖2，形成封裝膠體130以包覆發(fā)光晶粒120，其中封裝膠體130包覆每一發(fā)光晶粒120的發(fā)光兀件122,而暴露出至少部分每一發(fā)光晶粒120的第一電極124與第二電極126。
[0049]接著，請(qǐng)參考圖3，形成圖案化金屬層140于發(fā)光晶粒120的第一電極124與第二電極126上，其中圖案化金屬層140與發(fā)光晶粒120的第一電極124與第二電極126直接接觸，并由第一電極124與第二電極126延伸至封裝膠體130上。需說明的是，本實(shí)施例的圖案化金屬層140的材質(zhì)可與每一發(fā)光晶粒120的第一電極124與第二電極126的材質(zhì)可相同，其中圖案化金屬層140的材質(zhì)與每一發(fā)光晶粒120的第一電極124與第二電極126的材質(zhì)可例如是鉬(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、銦(In)、錫(Sn)、鉍(Bi)、上述材料的合金或上述材料的組合；或者是，圖案化金屬層140的材質(zhì)與每一發(fā)光晶粒120的第一電極124與第二電極126的材質(zhì)可不同，其中圖案化金屬層140的材質(zhì)例如是鉬、金、銀、鎳、鈦、銦、錫、鉍、上述材料的合金或上述材料的組合，而每一發(fā)光晶粒120的第一電極124與第二電極126的材質(zhì)例如是鉬、金、銦、錫、鉍、上述材料的合金或上述材料的組合。
[0050]之后，請(qǐng)參考圖4，提供基板150，其中封裝膠體130位于基板150與發(fā)光晶粒120的發(fā)光元件122之間。此處，本實(shí)施例基板150的材質(zhì)例如是玻璃、有機(jī)玻璃、陶瓷、藍(lán)寶石或其他透光材質(zhì)，其目的在于支撐半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)110，且有助于發(fā)光晶粒120的出光與導(dǎo)光效果。較佳的，基板150的材質(zhì)是玻璃，易切割的特性可使處理更為簡易。
[0051]最后，請(qǐng)同時(shí)參考圖3與圖5，進(jìn)行切割程序，以切割半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)110、圖案化金屬層140、封裝膠體130以及基板150，而至少定義出具有串聯(lián)回路、并聯(lián)回路或串并聯(lián)回路的發(fā)光單元100a。詳細(xì)來說，本實(shí)施例的切割程序是沿著圖3中的切割區(qū)域C來進(jìn)行切割，此時(shí)所形成的發(fā)光單元100a包括至少兩個(gè)發(fā)光晶粒(圖5中示意地示出四個(gè)發(fā)光晶粒，且為了方便說明起見，分別標(biāo)示為120a、120b、120c、120d)。發(fā)光晶粒120a的第一電極124通過圖案化金屬層140而電性連接至發(fā)光晶粒120b的第二電極126 ;發(fā)光晶粒120b的第一電極