善空穴注入性并由此有助于制造電壓低且壽命長的形成有 機(jī)發(fā)光裝置的有機(jī)發(fā)光元件。本發(fā)明中的空穴注入層也是含有具有吸電子取代基的有機(jī)化 合物的層。進(jìn)而，本發(fā)明中，優(yōu)選地，形成有機(jī)化合物層22的層中的至少一個(gè)作為覆蓋空穴 注入層的端部W保護(hù)空穴注入層的層發(fā)揮功能。
[0113] 空穴傳輸層是由具有傳輸空穴的主要功能的材料制成的層。
[0114] 在發(fā)光層與空穴傳輸層之間形成電子阻擋層并且具有阻擋電子從發(fā)光層泄漏到 陽極側(cè)W將電子限制在發(fā)光層內(nèi)的功能。電子阻擋層是用于使形成有機(jī)發(fā)光裝置的有機(jī)發(fā) 光元件的效率增加的層。
[0115] 發(fā)光層是主要通過空穴和電子的再結(jié)合而獲得發(fā)光的層，并且通常由稱為主體和 客體的兩種材料制成?？腕w是發(fā)光材料并且相對(duì)于整個(gè)發(fā)光層，客體的含量（重量比）為 約10%W下。應(yīng)指出地是，從元件特性的觀點(diǎn)出發(fā)，除了主體和客體W外，發(fā)光層可含有另 外的材料。
[0116] 在電子傳輸層與發(fā)光層之間形成空穴阻擋層，并且具有阻擋空穴從發(fā)光層泄漏到 陰極側(cè)W將空穴限制在發(fā)光層中的功能?？昭ㄗ钃鯇邮怯糜谑剐纬捎袡C(jī)發(fā)光裝置的有機(jī)發(fā) 光元件的效率增加的層。
[0117] 電子傳輸層是主要用于傳輸電子的層。
[011引在電子傳輸層與注入電子的電極（陰極）之間形成電子注入層W主要改善電子注 入性并由此有助于制造電壓低且壽命長的形成有機(jī)發(fā)光裝置的有機(jī)發(fā)光元件。
[0119] 應(yīng)指出地是，上述的層疊結(jié)構(gòu)中的任何層的缺少或重復(fù)并不影響得到的用作有機(jī) 化合物層22的膜的端部結(jié)構(gòu)。因此，本發(fā)明的效果不受有機(jī)化合物層的層疊結(jié)構(gòu)的具體構(gòu) 成影響。此外，形成有機(jī)化合物層22的層的層疊順序由下部電極21是陽極或是陰極決定， 但本發(fā)明中并不限制。
[0120] 本實(shí)施方案中，在后述的剝離步驟中至少使用水等W進(jìn)行剝離。因此，形成有機(jī)化 合物層22的層的優(yōu)選的構(gòu)成材料為至少在水中不溶的材料。特別地，從電子注入性的觀點(diǎn) 出發(fā)，通常將堿金屬或堿±金屬用于電子注入層。但是，堿金屬和堿±金屬在接觸時(shí)可能與 水反應(yīng)和溶解。因此，將具有低水溶性的電子注入材料例如有機(jī)金屬絡(luò)合物用作電子注入 層的構(gòu)成材料。本文中使用的術(shù)語"低水溶性"是指即使在膜的形成后使該膜與水接觸1 分鐘時(shí)也不發(fā)生起因于溶解的薄膜厚度的減小。應(yīng)指出地是，從使水溶性減小的觀點(diǎn)出發(fā)， 電子注入層可W是通過將電子注入材料與其他材料例如電子傳輸材料混合而得到的層。此 夕F，電子注入層可W是單層或者包括多層的層疊體。
[0121] (1-6)剝離步驟（圖5G)
[0122] 接下來，進(jìn)行剝離W將剝離層53和該層上存在的有機(jī)化合物層22除去（圖5G)。 剝離時(shí)優(yōu)選使用對(duì)于有機(jī)材料具有小的溶解度的水。關(guān)于剝離的方法，可將層浸入水中或 者可進(jìn)一步用超聲波照射，或者可用雙流體噴嘴向基板10上噴射水。剝離步驟后，將有機(jī) 化合物層22圖案化為包圍發(fā)光像素20的形狀。此外，剝離時(shí)使配線連接部24露出。應(yīng)指 出地是，已進(jìn)行了剝離步驟后，作為用于獲得更為優(yōu)異的元件特性的附加步驟，優(yōu)選追加在 真空中將基板10烘賠的步驟，W將可能由包括使用水等的剝離步驟產(chǎn)生的殘留成分從基 板10和有機(jī)化合物層22內(nèi)除去。
[012引 （1-7)形成上部電極的步驟（圖甜）
[0124] 有機(jī)化合物層22的加工后，在有機(jī)化合物層22上形成上部電極23 (圖5H)。在此， 在基板10的整個(gè)表面形成上部電極23,如圖甜中所示。因此，用上部電極23覆蓋有機(jī)化 合物層22的端部。因此，本發(fā)明中，能夠獲得高耐久性，原因在于本發(fā)明對(duì)應(yīng)于如下情形： 作為有機(jī)化合物層22的端部的形狀的指標(biāo)的參照?qǐng)D3說明的tan(0) (tan(01))為0.20 W上。
[0125] 取決于對(duì)于由發(fā)光層發(fā)出的光的上部電極23的功能（是否上部電極23透射光或 者反射光），對(duì)上部電極23的構(gòu)成材料適當(dāng)選擇。上部電極23反射由發(fā)光層發(fā)出的光的 情形下，將具有光反射性的電極層用于上部電極23。運(yùn)種情形下上部電極23的構(gòu)成材料 的實(shí)例為具有高光反射性的金屬材料，例如侶（Al)或銀（Ag)。但是，運(yùn)種情形下上部電極 23的結(jié)構(gòu)并不限于上述的具有光反射性的金屬材料的單層。也可采用包括具有光反射性 的金屬材料的層和透明導(dǎo)電材料例如ITO或氧化銅鋒的層的層疊電極膜作為上部電極23。 上部電極23透射由發(fā)光層發(fā)出的光的情形下，將具有光透射性的電極層用于上部電極23。 運(yùn)種情形下上部電極23的構(gòu)成材料的實(shí)例為透明導(dǎo)電材料例如ITO或氧化銅鋒。已知由 運(yùn)些材料制成的層比有機(jī)化合物層22致密得多，因此透氣性低。因此，在形成上部電極23 時(shí)用上部電極23覆蓋有機(jī)化合物層22的端部，運(yùn)保護(hù)上部電極23下方的有機(jī)化合物層22 免受水或氣體例如氧的滲透。
[0126] (1-8)將上部電極圖案化的步驟（圖51至圖5K)
[0127] 本發(fā)明中，作為用作上部電極23的電極膜的端部的截面形狀的指標(biāo)的參照?qǐng)D3說 明的tan(目）（tan(目2))優(yōu)選為0.20W上。將tan(目2)設(shè)定為0.20W上能夠使上部電極 23的厚度梯度區(qū)域減小。為了得到具有0.20W上的tan(02)的端面，形成用作上部電極 23的電極膜，然后將該電極膜加工（圖案化）為預(yù)定的形狀。首先，在上部電極23上形成 抗蝕劑層50 (圖51)?？刮g劑層50的形成中使用的光致抗蝕劑為正型抗蝕劑時(shí)，通過使用 在待除去上部電極23的區(qū)域中具有開口的光掩模51，向基板10施加曝光光52,如圖5J中 所示。因此，得到了經(jīng)曝光的抗蝕劑層50a。通過使用負(fù)型抗蝕劑形成抗蝕劑層50時(shí)，通 過用具有反轉(zhuǎn)的圖案的光掩模進(jìn)行曝光，從而獲得了與上述相同形狀的經(jīng)曝光的抗蝕劑層 50a〇
[0128] 通過顯像將經(jīng)曝光的抗蝕劑層50a除去，然后將沒有被抗蝕劑層50覆蓋的部分中 的上部電極23除去。作為除去的方法，能夠采用濕式蝕刻或干式蝕刻，但優(yōu)選不包括使用 溶劑等的干式蝕刻，原因在于濕式蝕刻容易引起不良例如膜剝離。通過干式蝕刻加工上部 電極23時(shí)，能夠通過進(jìn)行例如包括使用氯氣或氣氣的等離子體蝕刻來加工電極，原因在于 干式蝕刻是金屬材料的干式蝕刻。
[0129] 如上所述，通過加工上部電極23,從而將作為用作上部電極23的電極膜的端部的 形狀的指標(biāo)的tan(02)設(shè)定為0.20W上。于是，能夠W使其邊框區(qū)域減小的方式形成采 用例如瓣射法或邸沉積法形成的上部電極23。
[0130] (1-9)密封步驟（圖化）
[0131] 已形成上部電極23后，可將形成有機(jī)發(fā)光裝置的有機(jī)發(fā)光元件和配線連接部24 用玻璃蓋等密封，或者可用由無機(jī)材料形成的密封薄膜密封。優(yōu)選用由無機(jī)材料形成的密 封薄膜密封有機(jī)發(fā)光元件和配線連接部24。本實(shí)施方案中，在上部電極23上形成密封層 30 (密封薄膜）（圖化)。作為密封層30的構(gòu)成材料可利用的是具有高防濕性的無機(jī)材料 例如氮化娃、氧化娃（SiO)、或氧化侶（A10)。但是，本發(fā)明中，能夠用薄膜進(jìn)行密封即可，對(duì) 材料自身和其組成比并無特別限定。
[0132] 此外，本發(fā)明中，已形成密封層30后，為了例如將用于與外部電路連接的外部連 接用電極墊（外部連接端子）露出，可將密封層30圖案化。此外，本發(fā)明中，優(yōu)選用密封層 30將上部電極23的所有端部覆蓋。因此，能夠進(jìn)一步防止成分例如水或氧從上部電極23 的端面滲透，因此能夠期待如下效果：形成有機(jī)發(fā)光裝置的元件的耐久性進(jìn)一步改善。
[0133](實(shí)施方案2)
[0134] 接下來，對(duì)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案2的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法進(jìn)行說明。應(yīng)指 出地是，本實(shí)施方案中，例如，能夠制造圖4的有機(jī)發(fā)光裝置2。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案2的 有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法包括下述制備工序：
[0135] (A)在下部電極上形成用于確定發(fā)光區(qū)域的發(fā)光限定部件的步驟；
[0136] 度）在下部電極上連續(xù)地形成有機(jī)化合物層和第一上部電極層的步驟；
[0137] 似W相同的平面圖案將有機(jī)化合物層和第一上部電極層圖案化的步驟訊
[013引 值）在第一上部電極層上形成第二上部電極層的步驟。
[0139] 現(xiàn)在對(duì)與有機(jī)發(fā)光裝置2的制造方法的不同進(jìn)行說明。
[0140] 應(yīng)指出地是，步驟值）中，第二上部電極層的至少一部分與第一上部電極層重疊， 并且第二上部電極層在該層沒有與第一上部電極層重疊的區(qū)域中與基板中設(shè)置的配線連 接部電連接。
[0141] 現(xiàn)在對(duì)有關(guān)本實(shí)施方案的各個(gè)工序的細(xì)節(jié)進(jìn)行說明。本實(shí)施方案中，將有機(jī)化合 物層和第一上部電極層圖案化的步驟包括下述步驟：
[0142] (Cl)在第一上部電極層上形成抗蝕劑層的步驟；
[0143] (C2)通過光刻法將抗蝕劑層加工成具有預(yù)定形狀的抗蝕劑圖案的步驟；和
[0144] (C3)通過使用抗蝕劑圖案，通過蝕刻將有機(jī)化合物層和第一上部電極層的一部分 除去的步驟。
[0145] 應(yīng)指出地是，可代替步驟（C1)-(C3)而采用實(shí)施方案1中所述的包括利用剝離層 的工序。
[0146] 圖6A-60是表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案2的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法的截面示意 圖。
[0147] (2-1)形成基板的步驟（圖6A)
[014引首先，制備用于制造有機(jī)發(fā)光裝置的基板（圖6A)。本實(shí)施方案（實(shí)施方案2)中 使用的基板10至少包括層間絕緣層11和像素分離膜12。在此，圖6A中所示的基板10中， 在預(yù)定的位置或區(qū)域中在層間絕緣層11上各自配置下部電極21和配線連接部24,并且用 作為發(fā)光區(qū)域限定部件的像素分離膜12覆蓋下部電極21和配線連接部24的端部。此外， 像素分離膜12具有在對(duì)應(yīng)于發(fā)光像素20的區(qū)域中形成的開口 12a和在配線連接部24與 上部電極23彼此接觸的位置形成的開口12a。應(yīng)指出地是，基板10可安裝有用于控制有 機(jī)發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)的控制電路，盡管圖6A中沒有示出該電路。在此，基板10包括控制電路 時(shí)，為了確?？刂齐娐放c下部電極21或配線連接部24之間的電連接，在層間絕緣層11的 一部分中形成接觸孔13。
[0149] 對(duì)形成圖6A中所示的基板10的層間絕緣層11的構(gòu)成材料并無特別限制，但優(yōu)選 絕緣性優(yōu)異的氮化娃（SiN)或氧化娃（SiO)形成的材料。
[0150] 取決于對(duì)于由發(fā)光層發(fā)出的光的下部電極21的功能（是否該電極透射光或者反 射光），對(duì)在層間絕緣層11上設(shè)置的下部電極21的構(gòu)成材料進(jìn)行適當(dāng)選擇。在下部電極21 處反射從發(fā)光層發(fā)出的光的情形下，下部電極21為具有光反射性的電極層。運(yùn)種情形下下 部電極21的構(gòu)成材料優(yōu)選為具有高光反射性的金屬材料，例如侶（Al)或銀（Ag),但Ti或 TiN有時(shí)用于減小表面氧化（引起的接觸電阻的增大）。但是，運(yùn)種情況下，下部電極21的 結(jié)構(gòu)并不限于由具有光反射性的金屬材料形成的單層。也能采用由具有光反射性的金屬材 料形成的層和由透明導(dǎo)電材料例如ITO或氧化銅鋒形成的層形成的層疊電極膜作為下部 電極21。通過下部電極21透射從發(fā)光層發(fā)出的光的情形下，下部電極21為具有光透射性 的電極層。運(yùn)種情形下下部電極21的構(gòu)成材料的實(shí)例包括透明導(dǎo)電材料例如ITO和氧化 銅鋒。
[0151] 與下部電極21同時(shí)形成配線連接部24時(shí)，配線連接部24的構(gòu)成材料與下部電極 21的構(gòu)成材料相同。同時(shí)，本發(fā)明中，下部電極21和配線連接部24能夠各自采用獨(dú)立的工 序形成。運(yùn)種情形下，配線連接部24的構(gòu)成材料可不同于下部電極21的構(gòu)成材料。
[0152] 用用于將層間絕緣層11下方存在的配線或電路（未示出）與下部電極21或配線 連接部24電連接的連接配線部件將層間絕緣層11的預(yù)定區(qū)域中形成的接觸孔13填充。連 接配線部件是例如具有高導(dǎo)電性的材料，但本發(fā)明中并無特別限制。
[0153] 對(duì)像素分離膜12的構(gòu)成材料并無特別限制，只要該材料具有絕緣性。但是，該膜 由有機(jī)物形成時(shí)，優(yōu)選使用聚酷亞胺作為主要成分的材料，該膜由無機(jī)物形成時(shí)，優(yōu)選氮化 娃（SiN)、氧化娃（SiO)等。
[0154] (2-2)形成有機(jī)化合物層的步驟（圖6B)
[0155] 已制備基板10后，在基板10上形成有機(jī)化合物層（圖6B)。應(yīng)指出地是，有機(jī)化 合物層的形成時(shí)，能夠采用與實(shí)施方案1中所述的工序相同的工序。
[0156] (2-3)形成第一上部電極層的步驟（圖6C)
[0157] 已形成有機(jī)化合物層22后，在有機(jī)化合物層22上形成上部電極23。應(yīng)指出地是， 本實(shí)施方案中形成的上部電極23是通過將第一上部電極層26與第二上部電極層27層疊 而得到的層疊電極。在此，上部電極23為陽極時(shí)，將作為正電荷載流子的空穴從上部電極 23注入有機(jī)化合物層22中，上部電極23為陰極時(shí)，將作為負(fù)電荷載流子的電子從上部電極 23注入有機(jī)化合物層22中。
[015引取決于對(duì)于從發(fā)光層發(fā)出的光的第一上部電極層26的功能（是否該電極層透射 光或者反射光），對(duì)第一上部電極層26的構(gòu)成材料進(jìn)行適當(dāng)選擇。在第一上部電極層26 處反射從發(fā)光層發(fā)出的光的情形下，第一上部電極層26為具有光反射性的電極層。運(yùn)種情 形下第一上部電極層26的構(gòu)成材料優(yōu)選為具有高光反射性的金屬材料，例如侶（Al)或銀 (Ag)，但Ti或TiN有時(shí)用于減小表面氧化（引起的接觸電阻的增大）。但是，運(yùn)種情況下， 第一上部電極層26的構(gòu)成并不限于由具有光反射性的金屬材料形成的單層。也能采用由 具有光反射性的金屬材料形成的層和由透明導(dǎo)電材料例如ITO或氧化銅鋒形成的層形成 的層疊電極膜作為第一上部電極層26。通過第一上部電極層26透射從發(fā)光層發(fā)出的光的 情形下，第一上部電極層26為具有光透射性的電極層。運(yùn)種情形下，第一上部電極層26的 構(gòu)成材料的實(shí)例包括透明導(dǎo)電材料例如ITO和氧化銅鋒。此外，已知由任何運(yùn)樣的材料形 成的層比有機(jī)化合物層22致密得多，并且具有比有機(jī)化合物層低得多的透氣性。因此，在 形成第一上部電極層和下層的階段用第一上部電極層26覆蓋有機(jī)化合物層22的端部時(shí)， 保護(hù)在第一上部電極層26下方存在的有機(jī)化合物層22免受水或氣體例如氧的滲透。
[0159] (2-4)將有機(jī)化合物層和第一上部電極層圖案化的步驟（圖抓至圖6H)
[0160]在包括下部電極21的基板10的整個(gè)表面上已形成有機(jī)化合物層22和第一上部 電極層26后，采用下述的方法對(duì)有機(jī)化合物層22和第一上部電極層26進(jìn)行加工。首先， 涂布并形成由正型抗蝕劑形成的抗蝕劑層50 (圖6D)，通過光掩模51將待通過蝕刻除去的 區(qū)域曝光于曝光光52 (圖犯）并且顯像（圖6F)。于是，形成抗蝕劑圖案。接下來，將該抗 蝕劑圖案用作保護(hù)膜，并且通過蝕刻將沒有用該抗蝕劑圖案覆蓋而露出的第一上部電極層 26和有機(jī)化合物層22各自除去（圖6G)。接下來，將該抗蝕劑圖案除去，并且對(duì)殘留物進(jìn) 行洗涂和干燥。于是，完成