發(fā)光裝置1中，用上部電極23覆蓋有機化合物層22的端部。因 此，能夠抑制水或氧從用作有機化合物層22的膜的端部滲透，因此能夠減輕在膜的橫向 (與基板表面平行的方向）上由水、氧等的滲透引起的有機化合物層22的劣化。
[0060] 進而，本發(fā)明的有機發(fā)光裝置中，優(yōu)選地，用作有機化合物層22的膜的端部的截 面具有5ymW下、更優(yōu)選地1ymW下的錐形寬度。
[0061] 應(yīng)指出地是，用作有機化合物層22的膜的端部的形狀在tan0上可彼此相同或不 同，只要運些形狀各自具有0.2W上的tan0。此外，用上部電極23覆蓋用作有機化合物層 22的膜的各個端部，因此能夠抑制水或氧從該膜的端部滲透。此外，用密封層30覆蓋上部 電極23,因此能夠W進一步有效的方式抑制水或氧從該膜的端部滲透。
[0062](第二實施方案）
[0063] 現(xiàn)在，對根據(jù)本發(fā)明的第二實施方案的有機發(fā)光裝置進行說明。應(yīng)指出地是，在下 述說明中，主要對與第一實施方案的不同進行說明。
[0064] 除了特別是在配置發(fā)光像素的區(qū)域中上部電極W所述的順序具有第一上部電極 層和第二上部電極層W外，根據(jù)本實施方案的有機發(fā)光裝置與根據(jù)第一實施方案的有機發(fā) 光裝置相同。本實施方案中，有機化合物層的平面圖案與第一上部電極層的平面圖案基本 上相同，并且第二上部電極層的至少一部分與第一上部電極層重疊。本實施方案中，在第二 上部電極層沒有與第一上部電極層重疊的區(qū)域中第二上部電極層與基板中設(shè)置的配線連 接部電連接。
[0065] 圖4為表示根據(jù)本發(fā)明的第二實施方案的有機發(fā)光裝置的截面示意圖。圖4的有 機發(fā)光裝置2包括：基板10,其包括層間絕緣層11和像素分離膜12;和在與發(fā)光像素20對 應(yīng)的基板10上的區(qū)域中配置的有機發(fā)光元件。有機發(fā)光元件包括下部電極21、有機化合物 層22、第一上部電極層26和第二上部電極層27。應(yīng)指出地是，圖4的有機發(fā)光裝置2中， 上部電極23是通過W所述順序?qū)⒌谝簧喜侩姌O層26和第二上部電極層27層疊而得到的 電極。此外，圖4的有機發(fā)光裝置2具有配線連接部24。配線連接部24是基板10中設(shè)置 的、更具體地、與發(fā)光像素20對應(yīng)的區(qū)域W外的形成基板10的層間絕緣層11上的區(qū)域中 設(shè)置的電極部件。
[0066] 圖4的有機發(fā)光裝置2中，形成有機發(fā)光元件的有機化合物層22和第一上部電極 層26是選擇性地設(shè)置在發(fā)光區(qū)域20和該區(qū)域周圍的區(qū)域中的部件。本發(fā)明中，通過采用 包括使用相同的光掩模的圖案化來形成有機化合物層22和第一上部電極層26,因此兩種 部件的平面形狀（平面圖案）基本上彼此相同。應(yīng)指出地是，圖案化的具體方案與有關(guān)有 機化合物層22和第一上部電極層26的細節(jié)（例如構(gòu)成材料和成膜方法）一起將后述。
[0067] 本實施方案中，優(yōu)選地，第一上部電極層26的端部的截面的傾斜與基板的表面之 間形成的角用93表示時，滿足下式巧）和化）。
[0068]tan( 03) =ds/dg(5)
[0069]tan(目3) > 0. 2 巧）
[0070] 式巧）中，ds表示第一上部電極層的厚度和de表示第一上部電極層的端部的截面 的錐形寬度。
[0071] 由ds和de用式（5)確定的tan( 03)的值為0. 2W上時，能夠使在用作第一上部 電極層26的膜的端部處產(chǎn)生的厚度梯度區(qū)域的尺寸減小，如有機化合物層22的情形中那 樣。
[0072] 進而，本實施方案中，更優(yōu)選地，第二上部電極層27的端部的截面的傾斜與基板 的表面之間形成的角用04表示時，滿足下述式（7)和（8)。
[0073]tan(目4)=山/屯 (7)
[0074]tan(白4) > 0. 2 做
[00巧](式（7)中，d3表示第二上部電極層的厚度和CU表示第一上部電極層的端部的截 面的錐形寬度。）
[007引 由山和ds用式（7)確定的tan(目4)的值為0. 2W上時，能夠至少使在基板的端 部與顯示區(qū)域的最外周部處的發(fā)光區(qū)域限定單元之間配置的上部電極層27的端部處產(chǎn)生 的厚度梯度區(qū)域的尺寸減小。
[0077] 如上所述，有機化合物層22與第一上部電極層26或第二上部電極層27的平面圖 案中，優(yōu)選控制端部的形狀W致基板平面上的至少一邊的tan(0)值可為0.2W上。更優(yōu) 選地，所有邊中的tan(目）值為0.2W上。
[0078]如上所述，本實施方案中，控制形成預定層（22、26、27)的膜的端部的形狀時，在 由至少有機化合物層22和上部電極23的成膜端部限定其邊框區(qū)域的發(fā)光裝置中，能夠使 該邊框區(qū)域變窄。邊框區(qū)域的變窄也使能夠由單片母體玻璃得到的有機發(fā)光裝置的數(shù)目增 加，運導致生產(chǎn)率的改善。
[0079] 此外，圖4的有機發(fā)光裝置2中，用上部電極23,更具體地，形成上部電極23的第 一上部電極層26和第二上部電極層27覆蓋有機化合物層22的端部。因此，能夠抑制水或 氧從用作有機化合物層22的膜的端部滲透，因此能夠減輕在膜的橫向（與基板表面平行的 方向）上由水、氧等的滲透引起的有機化合物層22的劣化。
[0080] 本發(fā)明中，第二上部電極層27優(yōu)選地覆蓋第一上部電極層26,如圖4中所示。運 是因為如下原因：物理的通孔或間隙例如針孔或裂紋在第一上部電極層26中開口時，能夠 用第二上部電極層27覆蓋該物理的通孔或間隙。此外，進行圖案化W致第二上部電極層27 的圖案端部可重疊在第一上部電極層26的圖案上時，第一上部電極層26直接用作蝕刻止 擋W被過蝕刻，因此第一上部電極層26的厚度可能部分地變化并且有機化合物層22可能 受到某種損傷。但是，只要在發(fā)光像素20中使過蝕刻的區(qū)域和沒有被過蝕刻的區(qū)域混合， 厚度的變化就不會引起任何特別的問題。因此，優(yōu)選將第二上部電極層27配置在例如比第 一上部電極層26寬的區(qū)域中，即，W覆蓋第一上部電極層26,如圖4中所示。
[0081] [有機發(fā)光裝置的制造方法]
[0082] 接下來，對本發(fā)明的有機發(fā)光裝置的制造方法進行說明。
[008引（實施方案1)
[0084] 現(xiàn)在對根據(jù)本發(fā)明的實施方案1的有機發(fā)光裝置的制造方法進行說明。本發(fā)明的 有機發(fā)光裝置的制造方法包括下述制造工序：
[0085] (A)在下部電極上設(shè)置用于確定發(fā)光區(qū)域的發(fā)光限定區(qū)域的步驟；
[0086] 度）在下部電極上形成有機化合物層的步驟；
[0087] 似將有機化合物層的端部圖案化的步驟訊
[0088] 值）在有機化合物層上形成上部電極的步驟。
[0089] 此外，本實施方案中，形成上部電極的步驟（步驟值)）優(yōu)選為如下步驟：配置上部 電極，W致該電極可與墊部連接，其與配線連接部電導通，覆蓋有機化合物層的端部，并且 設(shè)置在基板上W建立基板側(cè)的電導通。
[0090] 現(xiàn)在，對有關(guān)本實施方案的各個工序的細節(jié)進行說明。本實施方案中，將有機化合 物層圖案化的步驟包括下述步驟：
[0091] (Cl)形成有機化合物層的步驟前形成剝離（lift-off)層的步驟；
[0092] 似）通過采用光刻法，W至少配置墊部的區(qū)域中形成的剝離層殘留的方式將剝離 層圖案化的步驟；和
[0093] (C3)形成有機化合物層的步驟后將剝離層與剝離層上設(shè)置的有機化合物層一起 除去的步驟。
[0094] 圖5A-f5L是表示根據(jù)本發(fā)明的實施方案1的有機發(fā)光裝置的制造方法的截面示意 圖。應(yīng)指出地是，圖5A-化中所示的制造方法也是圖1的有機發(fā)光裝置1的制造方法。
[0095](1-1)基板形成步驟（圖5A)
[0096] 首先制造用于制造有機發(fā)光裝置的基板（圖5A)。本實施方案（實施方案1)中 使用的基板10至少包括層間絕緣層11和像素分離膜12。圖5A中所示的基板10中，在預 定的位置/區(qū)域中在層間絕緣層11上形成下部電極21和配線連接部24,并且用像素分離 膜12覆蓋下部電極21和配線連接部24的端部。像素分離膜12在對應(yīng)于發(fā)光像素20的 區(qū)域中具有開口 12a并且在配線連接部24與上部電極接觸的接觸位置具有開口12a。應(yīng)指 出地是，盡管圖5A中沒有示出，基板10可包括用于控制有機發(fā)光裝置的驅(qū)動的控制電路。 基板10中包括控制電路的情形下，為了確?？刂齐娐放c下部電極21或配線連接部24之間 的電連接，在層間絕緣層11的一部分中形成接觸孔13。
[0097] 對形成圖5A中所示的基板10的層間絕緣層11的構(gòu)成材料并無特別限制，但優(yōu)選 絕緣性優(yōu)異的含有氮化娃（SiN)或氧化娃（SiO)的材料。此外，本發(fā)明中，術(shù)語"SiN"并不 意味著1:1的組成比并且其含義并不限于該組成比。
[0098] 取決于對于由發(fā)光層發(fā)出的光的下部電極21的功能（是否下部電極21透射光或 者反射光），對在層間絕緣層11上設(shè)置的下部電極21的構(gòu)成材料進行適當選擇。下部電極 21反射由發(fā)光層發(fā)出的光的情形下，將具有光反射性的電極層用于下部電極21。運種情形 下下部電極21的構(gòu)成材料的實例為具有高光反射性的金屬材料，例如侶（Al)或銀（Ag)。 但是，運種情形下下部電極21的結(jié)構(gòu)并不限于上述的具有光反射性的金屬材料的單層。也 可采用包括具有光反射性的金屬材料的層和透明導電材料例如ITO或氧化銅鋒的層的層 疊電極膜作為下部電極21。下部電極21透射由發(fā)光層發(fā)出的光的情形下，將具有光透射性 的電極層用于下部電極21。運種情形下下部電極21的構(gòu)成材料的實例為透明導電材料例 如ITO或氧化銅鋒。
[0099] 同時形成下部電極21和配線連接部24的情形下，配線連接部24的構(gòu)成材料與下 部電極21的構(gòu)成材料相同。同時，本發(fā)明中下部電極21和配線連接部24能夠采用獨立的 工序形成。運種情形下配線連接部24的構(gòu)成材料可不同于下部電極21的構(gòu)成材料。
[0100] 用用于將層間絕緣層11下方的配線或電路（未示出）與下部電極21或配線連接 部24電連接的連接配線部件將層間絕緣層11的預定區(qū)域中形成的各個接觸孔13填充。連 接配線部件能夠是導電性高的材料，但本發(fā)明中并無特別限制。
[0101] 對像素分離膜12的構(gòu)成材料并無特別限制，只要該材料是絕緣性材料。但是，在 有機材料的情形下，優(yōu)選含有聚酷亞胺作為主要成分的材料，在無機材料的情形下，優(yōu)選氮 化娃（SiN)、氧化娃（SiO)等。
[0102] (1-2)形成剝離層和光致抗蝕劑的步驟（圖5B)
[0103] 接下來，在基板10的整個表面形成剝離層53。剝離層53的形成中使用的材料是 在不溶解有機化合物層22的溶劑中具有溶解性的材料，優(yōu)選為例如水溶性聚合物材料。將 水溶性聚合物用作剝離層53的構(gòu)成材料時，采用涂布系統(tǒng)例如旋涂或浸涂作為形成剝離 層53的方法，能夠容易地形成該層。
[0104] 進而，在剝離層53上形成含有感光性材料的抗蝕劑層50 (圖5B)。采用濕式成膜 法例如涂布法形成抗蝕劑層50,但是，對該層的形成中使用的溶劑并無特別限制，只要該溶 劑不溶解下層（剝離層53)。應(yīng)指出地是，抗蝕劑層50的形成中使用的溶劑可能侵蝕剝離 層53時，可在剝離層53與抗蝕劑層50之間插入由無機化合物例如氮化娃或氧化娃形成的 保護層（未示出）。此外，本實施方案中，采用包括使用正型光致抗蝕劑的光刻法，但也可采 用包括使用負型光致抗蝕劑的光刻法。
[0105] (1-3)曝光步驟（圖5C)
[0106] 接下來，從待設(shè)置圖案化的有機化合物層22的區(qū)域（待設(shè)置發(fā)光像素20的區(qū)域） 將抗蝕劑層50和剝離層53選擇性除去。例如，抗蝕劑層50為正型抗蝕劑時，如圖5C中所 示，通過經(jīng)由具有開口的掩模51使待配置有機化合物層22的區(qū)域暴露于光52,從而形成經(jīng) 曝光W將至少發(fā)光像素20包圍的抗蝕劑層50a。另一方面，抗蝕劑層50由負型抗蝕劑形成 時，通過采用具有反轉(zhuǎn)的開口圖案的掩模，能夠形成相同形狀的經(jīng)曝光的抗蝕劑層50a。
[0107] (1-4)加工剝離層的步驟（圖抓和祀）
[0108] 接下來，通過用顯像劑進行顯像已將曝光的抗蝕劑層50a除去后，通過使用圖案 化的抗蝕劑層50作為掩模來進行干式蝕刻。對干式蝕刻的具體方法并無特別限制，只要 使用能夠?qū)冸x層53蝕刻的氣體。本實施方案中，將氧氣用作用于蝕刻剝離層53的氣體 (蝕刻氣體），但氣體并不限于此。采用干式蝕刻對剝離層53的加工完成時，通過干式蝕刻 將用作蝕刻掩模的抗蝕劑層50的一部分或全部除去。圖5E中所示的情形是采用干式蝕刻 對剝離層53的加工完成時通過干式蝕刻將抗蝕劑層50除去的情形。但是，本步驟中，無需 將抗蝕劑層50除去。氣體種或者剝離層的厚度比抗蝕劑層50小得多的情形下，作為抗蝕 劑層50的構(gòu)成材料的光致抗蝕劑可殘留。但是，運種情況下，通過使用剝離液等可將殘留 的抗蝕劑層50除去，或者通過進一步進行干式蝕刻可將抗蝕劑層50除去。或者，抗蝕劑層 50可原樣殘留。應(yīng)指出地是，優(yōu)選形成在剝離層53上設(shè)置的抗蝕劑層50W具有適當?shù)暮?度，原因在于抗蝕劑層50也能夠在剝離層53的干式蝕刻時被除去。此外，通過該步驟使下 部電極21露出（圖5E)。運種情形下，在下一步驟中形成用作有機化合物層22的膜前，優(yōu) 選進行預處理。例如，通過對基板10進行氣等離子體處理、氧等離子體處理、UV照射處理 或加熱處理，從而調(diào)節(jié)下部電極21的電荷注入性并且將可能在下部電極21上產(chǎn)生的污物 等除去。
[0109] (1-5)形成有機化合物層的步驟（圖5F)
[0110] 接下來，在下部電極21上形成用作有機化合物層22的膜（圖5F)。在本步驟中 在下部電極21等上形成的有機化合物層22是一層或多層形成的層疊體，其至少包括發(fā)光 層。有機化合物層22由多層形成時，發(fā)光層W外的層具體地為例如空穴注入層、空穴傳輸 層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層或電子注入層。此外，盡管取決于在隨后步驟中形 成的上部電極23的特性，層構(gòu)成變化，但對有機化合物層22的層構(gòu)成并無特別限制。本文 中使用的術(shù)語"上部電極23的特性"主要是指從上部電極23注入的載流子。上部電極23 注入空穴（正電荷載流子）時，下部電極21與發(fā)光層之間的層是用于注入和傳輸電子的 層，并且上部電極23與發(fā)光層之間的層是用于注入和傳輸空穴的層。上部電極23注入電 子（負電荷載流子）時，下部電極21與發(fā)光層之間的層是用于注入和傳輸空穴的層，并且 上部電極23與發(fā)光層之間的層是用于注入和傳輸電子的層。
[0111] 作為形成有機化合物層22的方法，可利用涂布系統(tǒng)例如旋涂或者基于真空沉積 法等的成膜方法。從元件性能的觀點出發(fā)，常常采用真空沉積法形成該層，但本發(fā)明中，對 成膜系統(tǒng)并無特別限制。
[0112] 對形成有機化合物層22的各層進行說明。在空穴傳輸層與注入空穴的電極（陽 極）之間形成空穴注入層，W改