4nm。
[0052]步驟2在第一基片101和第二基片102的正面使用相同工藝沉積一定厚度的材料層，第一基片正面的材料層103覆蓋住第一基片101的全部正側(cè)表面；第二基片正面的材料層104覆蓋住第二基片102的全部正側(cè)表面；在第二基片102的背面沉積一定厚度的材料層，且第二基片背面的材料層105覆蓋住第二基片102的部分背側(cè)表面，未被第二基片背面的材料層105覆蓋的第二基片102背側(cè)表面下方留有非沉積材料層區(qū)106，如圖2c和圖2d所示。
[0053]通過圖2d可以看出，非沉積材料層區(qū)106位于第二基片102邊緣位置下方。
[0054]第一基片正面的材料層103、第二基片正面的材料層104均包括TaN薄膜107、TiW薄膜108和Au薄膜109，TaN薄膜107、TiW薄膜108和Au薄膜109厚度分別為50nm、50nm和200nm，材料層103、104通過磁控濺射方法制備。
[0055]第二基片背面的材料層105的薄膜材料由TaN薄膜110、Tiff薄膜111和Au薄膜112組成，也通過磁控濺射方法制備，TaN, Tiff, Au薄膜厚度分別為50nm、30nm和200nm。
[0056]步驟3在第一基片正面的材料層103上定義第一刻蝕圖形并完成濕法刻蝕，形成刻蝕工藝條件。如圖2e所示，經(jīng)過涂覆光刻膠、前烘、曝光、顯影、后烘和濕法刻蝕一系列步驟，在第一基片101上形成第一刻蝕圖形113。
[0057]形成刻蝕工藝條件:BP-218型正性光刻膠，勻膠轉(zhuǎn)速3000rpm，勻膠時(shí)間為30s，然后在90°C恒溫干燥箱中前烘lOmin，采用紫外線接觸式曝光，曝光量60-90mJ/cm2，曝光完后室溫下顯影30s，經(jīng)過去離子水漂洗15s后，用氮?dú)獯蹈桑僭?20°C恒溫干燥箱中后烘20分鐘。濕法刻蝕時(shí)先用碘-碘化鉀溶液在室溫下腐蝕Au薄膜20s，腐蝕干凈后，再使用雙氧水在室溫下腐蝕TiW薄膜200s，氫氟酸緩沖溶液腐蝕TaN薄膜10s，用去離子水清洗干凈后，丙酮去膠，最后去離子水清洗干燥。
[0058]步驟4在第二基片正面的材料層104定義第二刻蝕圖形，將步驟3形成的刻蝕工藝條件微調(diào)處理后，經(jīng)過涂覆光刻膠、前烘、曝光、顯影、后烘和濕法刻蝕一系列步驟，在第二基片102上形成第二刻蝕圖形114，如圖2f所示。
[0059]以步驟3所得的刻蝕工藝條件為基礎(chǔ)微調(diào)處理得到的工藝條件如下:BP-218型正性光刻膠，勻膠轉(zhuǎn)速3000rpm，勻膠時(shí)間為30s，然后在90°C恒溫干燥箱中前烘lOmin，采用紫外線接觸式曝光，曝光量60-90mJ/cm2，曝光完后室溫下顯影30s，經(jīng)過去離子水漂洗15s后，用氮?dú)獯蹈?，再?20°C恒溫干燥箱中后烘20±2分鐘。濕法刻蝕時(shí)先用碘-碘化鉀溶液在室溫下腐蝕Au薄膜20s±2s，腐蝕干凈后，再使用雙氧水在室溫下腐蝕TiW薄膜200 ± 10s，氫氟酸緩沖溶液腐蝕TaN薄膜10s ± 2s，用去離子水清洗干凈后，丙酮去膠，最后去離子水清洗干燥。
[0060]步驟5檢驗(yàn)第二基片102濕法刻蝕圖形的結(jié)果:觀察第二基片的非沉積材料層區(qū)106及非沉積材料層區(qū)對應(yīng)的第二基片正面區(qū)域115第二刻蝕圖形的底部是否裸露出第二基片102，由此判斷第二基片正面的材料層104的濕法刻蝕終點(diǎn)是否到位，如圖2g所示。
[0061]實(shí)施例3
[0062]將上述實(shí)施例1中的檢驗(yàn)方法用于對不含薄膜電阻的透明介質(zhì)基片微帶電路濕法刻蝕過程終點(diǎn)的檢驗(yàn)，以從上到下薄膜結(jié)構(gòu)為Au-TiW-介質(zhì)-TiW-Au為例:
[0063]該方法包括以下步驟:
[0064]步驟1首先提供透明的第一基片201和第二基片202，分別如圖3a和圖3b所示。
[0065]第一基片201為熔融石英，厚度為0.254mm，平面尺寸為2inX2in。第二基片201為恪融石英，厚度為0.254mm,平面尺寸為30mmX 30mm。
[0066]第一基片201和第二基片202特征為雙面拋光，表面粗糙度均小于25.4nm。
[0067]步驟2在第一基片201和第二基片202的正面使用相同工藝沉積一定厚度的材料層，第一基片正面的材料層203覆蓋住第一基片201的全部正側(cè)表面；第二基片正面的材料層204覆蓋住第二基片202的全部正側(cè)表面；在第二基片202的背面沉積一定厚度的材料層，且第二基片背面的材料層205覆蓋住第二基片202的部分背側(cè)表面，未被第二基片背面的材料層205覆蓋的第二基片202背側(cè)表面下方留有非沉積材料層區(qū)206，如圖3c和圖3d所示。
[0068]通過圖3d可以看出，非沉積材料層區(qū)206位于第二基片202邊緣位置的下方。
[0069]第一基片正面的材料層203、第二基片正面的材料層204均包括TiW薄膜207和Au薄膜208，Tiff薄膜207和Au薄膜208厚度分別為50nm和200nm，材料層203、204通過磁控濺射方法制備。第二基片背面的材料層205由TiW薄膜209和Au薄膜210組成，也通過磁控濺射方法制備，Tiff, Au薄膜厚度分別為50nm和200nm。
[0070]步驟3在第一基片正面的材料層203上定義第一刻蝕圖形并完成濕法刻蝕，形成刻蝕工藝條件。如圖3e所示，經(jīng)過涂覆光刻膠、前烘、曝光、顯影、后烘和濕法刻蝕一系列步驟，在第一基片201上形成第一刻蝕圖形211。
[0071]形成刻蝕工藝條件:BP-218型正性光刻膠，勻膠轉(zhuǎn)速3000rpm，勻膠時(shí)間為30s，然后在90°C恒溫干燥箱中前烘lOmin，采用紫外線接觸式曝光，曝光量60-90mJ/cm2，曝光完后室溫下顯影30s，經(jīng)過去離子水漂洗15s后，用氮?dú)獯蹈桑僭?20°C恒溫干燥箱中后烘20分鐘。濕法刻蝕時(shí)先用碘-碘化鉀溶液在室溫下腐蝕Au薄膜20s，腐蝕干凈后，再使用雙氧水在室溫下腐蝕TiW薄膜200s，丙酮去膠，最后去離子水清洗干燥。
[0072]步驟4在第二基片正面的材料層204定義第二刻蝕圖形，將步驟3所得的刻蝕工藝條件微調(diào)處理后，經(jīng)過涂覆光刻膠、前烘、曝光、顯影、后烘和濕法刻蝕一系列步驟，在第二基片202上形成第二刻蝕圖形212，如圖3f所示。
[0073]以步驟3所得的刻蝕工藝條件為基礎(chǔ)微調(diào)處理得到的工藝條件如下:BP-218型正性光刻膠，勻膠轉(zhuǎn)速3000rpm，勻膠時(shí)間為30s，然后在90°C恒溫干燥箱中前烘lOmin，采用紫外線接觸式曝光，曝光量60-90mJ/cm2，曝光完后室溫下顯影30s，經(jīng)過去離子水漂洗15s后，用氮?dú)獯蹈桑僭?20°C恒溫干燥箱中后烘20±2分鐘。濕法刻蝕時(shí)先用碘-碘化鉀溶液在室溫下腐蝕Au薄膜20s±2s，腐蝕干凈后，再使用雙氧水在室溫下腐蝕TiW薄膜200 ± 10s，丙酮去膠，最后去離子水清洗干燥。
[0074]步驟5檢驗(yàn)第二基片202濕法刻蝕圖形的結(jié)果:觀察第二基片的非沉積材料層區(qū)206及非沉積材料層區(qū)對應(yīng)的第二基片正面區(qū)域213第二刻蝕圖形的底部是否裸露出第二基片202，由此判斷第二基片正面的材料層204的濕法刻蝕終點(diǎn)是否到位，如圖3g所示。
[0075]當(dāng)然，以上說明僅僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，本發(fā)明并不限于列舉上述實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)說明的是，任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本說明書的教導(dǎo)下，所做出的所有等同替代、明顯變形形式，均落在本說明書的實(shí)質(zhì)范圍之內(nèi)，理應(yīng)受到本發(fā)明的保護(hù)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.透明介質(zhì)基片微帶電路濕法刻蝕過程終點(diǎn)的檢驗(yàn)方法，其特征在于，包括如下步驟: si提供第一基片和第二基片，第一基片和第二基片均為透明介質(zhì)基片；其中，第一基片作為試驗(yàn)片，第二基片作為工件； s2在第一基片的正面和第二基片的正面使用相同工藝沉積材料層，且第一基片正面和第二基片正面的材料層分別覆蓋住該材料層對應(yīng)基片的全部正側(cè)表面；在第二基片的背面沉積材料層，且第二基片背面的材料層覆蓋住第二基片的部分背側(cè)表面，未被第二基片背面的材料層覆蓋的第二基片背側(cè)表面下方留有非沉積材料層區(qū)； s3在第一基片正面的材料層上定義第一刻蝕圖形并完成濕法刻蝕，形成刻蝕工藝條件；s4在第二基片正面的材料層上定義第二刻蝕圖形，將步驟s3形成的刻蝕工藝條件進(jìn)行微調(diào)處理后應(yīng)用于第二基片正面的材料層濕法刻蝕，在第二基片上形成第二刻蝕圖形；s5觀察第二基片的非沉積材料層區(qū)及其對應(yīng)的第二基片正面區(qū)域，判斷第二刻蝕圖形的底部是否裸露出第二基片，由此得出第二基片正面的材料層濕法刻蝕的終點(diǎn)是否到位。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明介質(zhì)基片微帶電路濕法刻蝕過程終點(diǎn)的檢驗(yàn)方法，其特征在于，第一基片和第二基片的材質(zhì)相同；第一基片和第二基片均為雙面拋光，且拋光度相同。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明介質(zhì)基片微帶電路濕法刻蝕過程終點(diǎn)的檢驗(yàn)方法，其特征在于，第一基片正面和第二基片正面的材料層為TaN-TiW-Au薄膜或TiW-Au薄膜；第二基片背面的材料層為TaN-TiW-Au薄膜或TiW-Au薄膜。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種透明介質(zhì)基片微帶電路濕法刻蝕過程終點(diǎn)的檢驗(yàn)方法。該檢驗(yàn)方法包括如下步驟：提供兩個透明介質(zhì)基片，一個用作試驗(yàn)片，另一個用作工件；對試驗(yàn)片和工件的正面使用相同工藝沉積一定厚度的材料層，在工件的背面沉積一定厚度的材料層，并在工件的背面留有非沉積材料層區(qū)；在試驗(yàn)片上定義刻蝕圖形并完成濕法刻蝕，形成刻蝕工藝條件，然后將在試驗(yàn)片上形成的刻蝕工藝條件微調(diào)處理后應(yīng)用于工件正面的材料層濕法刻蝕，在工件上形成刻蝕圖形，通過直觀觀察工件的非沉積材料層區(qū)及其對應(yīng)的工件正面區(qū)域，判斷工件上刻蝕圖形的底部是否裸露出工件，由此得出工件正面的材料層濕法刻蝕的終點(diǎn)是否到位。本發(fā)明方法利于提高電路產(chǎn)品的良品率。
【IPC分類】H01L21/66
【公開號】CN105304518
【申請?zhí)枴緾N201510725564
【發(fā)明人】曹乾濤, 趙海輪, 馮見龍
【申請人】中國電子科技集團(tuán)公司第四十一研究所
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年10月29日