專利名稱：濕法氧化膜刻蝕設(shè)備水槽裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種集成電路加工設(shè)備，具體涉及一種濕法氧化膜刻蝕設(shè)備水槽
裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的濕法氧化膜刻蝕設(shè)備水槽裝置如

圖1所示，包括噴淋管2，噴淋管2上均布 有兩排噴淋孔A、B，噴淋孔A與水平線的夾角為35。，即噴淋孔A的噴淋角度為向上35。； 噴淋孔B與水平線的夾角為50。，即噴淋孔B的噴淋角度為向下50。；噴淋孔A、B的孔徑 為1. 5mm。噴淋管2通過兩排噴淋孔A、 B將水流噴向晶圓1。 通過水流量數(shù)字模擬圖，發(fā)現(xiàn)這種結(jié)構(gòu)的濕法氧化膜刻蝕設(shè)備水槽裝置，晶圓之 間表面的水流量十分不均，這就造成晶圓與晶圓間氧化膜蝕刻量差異較大。以LL130這一 種化學(xué)藥液為例，刻蝕量差異大約為8 IOA。通過對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的分析發(fā)現(xiàn)，在Kaijo機(jī)器 上，晶圓擺放位置的不同會(huì)導(dǎo)致不同的刻蝕量；水流量不同也會(huì)導(dǎo)致不同的刻蝕量。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種濕法氧化膜刻蝕設(shè)備水槽裝置，它可 以減少濕法蝕刻中晶圓與晶圓間氧化膜蝕刻量的差異性。 為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型濕法氧化膜刻蝕設(shè)備水槽裝置的技術(shù)解決方案 為 包括噴淋管，噴淋管上均布有噴淋孔，所述噴淋孔的噴淋角度為向上45。。 所述噴淋孔為一排。 所述噴淋孔的孔徑為1. 8mm。 本實(shí)用新型可以達(dá)到的技術(shù)效果是 本實(shí)用新型噴淋出的水流量均一性更好，能夠有效減少晶圓與晶圓間水流量的差 異，使晶圓與晶圓間氧化膜刻蝕量差異性減小，從而改善晶圓與晶圓間氧化膜刻蝕量的均一性。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明 圖1是現(xiàn)有技術(shù)濕法氧化膜刻蝕設(shè)備水槽裝置的示意圖； 圖2是本實(shí)用新型濕法氧化膜刻蝕設(shè)備水槽裝置的示意圖。
圖中附圖標(biāo)記說明 1為晶圓，2為噴淋管，A、B、C為噴淋孔。
具體實(shí)施方式
如圖2所示，本實(shí)用新型濕法氧化膜刻蝕設(shè)備水槽裝置，包括噴淋管2，噴淋管2上
3均布有一排噴淋孔C，噴淋孔C與水平線的夾角為45。，即噴淋角度為向上45。；噴淋孔C 的孔徑為1. 8mm。 本實(shí)用新型用于Kai jo的氧化膜刻蝕機(jī)臺(tái)，分別在BEWAAJ04/BEWAAJ03機(jī)臺(tái)上實(shí) 施，使用化學(xué)藥液LL130浸泡145sec后經(jīng)過本實(shí)用新型，得到的刻蝕量差異為3 5A。
權(quán)利要求一種濕法氧化膜刻蝕設(shè)備水槽裝置，包括噴淋管，噴淋管上均布有噴淋孔，其特征在于所述噴淋孔的噴淋角度為向上45°。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法氧化膜刻蝕設(shè)備水槽裝置，其特征在于所述噴淋孔為一排。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的濕法氧化膜刻蝕設(shè)備水槽裝置，其特征在于所述噴淋孔的孔徑為1. 8mm。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種濕法氧化膜刻蝕設(shè)備水槽裝置，包括噴淋管，噴淋管上均布有噴淋孔，所述噴淋孔的噴淋角度為向上45°。所述噴淋孔為一排。所述噴淋孔的孔徑為1.8mm。本實(shí)用新型噴淋出的水流量均一性更好，能夠有效減少晶圓與晶圓間水流量的差異，使晶圓與晶圓間氧化膜刻蝕量差異性減小，從而改善晶圓與晶圓間氧化膜刻蝕量的均一性。
文檔編號(hào)C30B33/10GK201538818SQ20092007463
公開日2010年8月4日 申請(qǐng)日期2009年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月22日
發(fā)明者董銳, 蔡亮 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司