述高導(dǎo)熱材料板的疊放結(jié)構(gòu)，將環(huán)氧樹(shù)脂膜夾在所述銅片和所述高導(dǎo)熱材料板之間。
[0045]相對(duì)在高導(dǎo)熱材料板上涂布環(huán)氧樹(shù)脂，使用環(huán)氧樹(shù)脂膜更加簡(jiǎn)便，且易于操作。
[0046]相應(yīng)的，步驟S130中加壓加熱處理，所施加的壓力需要更大，為30?35kg/cm2。讓銅箔和高導(dǎo)熱材料板都能與環(huán)氧樹(shù)脂膜充分接觸，保證基板母板的成型效果。
[0047]使用不同的方式在銅箔和高導(dǎo)熱材料板之間夾入環(huán)氧樹(shù)脂，操作更便捷。
[0048]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的，上述實(shí)施例中所述高導(dǎo)熱材料板的材料為金屬或者高導(dǎo)熱陶瓷。高導(dǎo)熱材料板的主要作用是將半導(dǎo)體器件使用時(shí)產(chǎn)生的熱量及時(shí)散發(fā)，所以要選用導(dǎo)熱系數(shù)較高的材料。金屬材料的導(dǎo)熱性普遍較為出色，可以使用銅板或者鋁板作為高導(dǎo)熱材料板，因?yàn)殂~箔和高導(dǎo)熱材料板之間夾有環(huán)氧樹(shù)脂，所以可以使用導(dǎo)電的金屬材料；另外，高導(dǎo)熱材料板可以為高導(dǎo)熱陶瓷板，在陶瓷材料中摻雜改性劑，如氧化鋁，可以提高陶瓷的導(dǎo)熱性能，選用的高導(dǎo)熱陶瓷板的導(dǎo)熱系數(shù)在4.0ff/(m.K)以上。
[0049]進(jìn)一步的，所述環(huán)氧樹(shù)脂為含有高導(dǎo)熱材料的絕緣環(huán)氧樹(shù)脂。環(huán)氧樹(shù)脂的作用除了粘結(jié)銅箔和高導(dǎo)熱材料板，還有使銅箔和高導(dǎo)熱材料板相互絕緣，并將半導(dǎo)體器件使用時(shí)產(chǎn)生的熱量傳遞給高導(dǎo)熱材料板，以便散發(fā)熱量?？梢酝ㄟ^(guò)摻雜相應(yīng)的改性劑提高環(huán)氧樹(shù)脂的絕緣性和導(dǎo)熱性，示例的，摻雜云母粉和/或瓷粉和/或石英粉。
[0050]進(jìn)一步的，所述銅箔的厚度為0.05mm?0.3mm0根據(jù)半導(dǎo)體器件的使用需要，選擇厚度不同的銅箔。
[0051]進(jìn)一步的，上述實(shí)施例中所述加壓加熱處理時(shí)的加熱溫度為150°C?200°C。環(huán)氧樹(shù)脂的固化過(guò)程需要加熱處理，使用真空烤箱在150°C?200°C進(jìn)行加熱即可使環(huán)氧樹(shù)脂固化，加熱時(shí)間為100?120分鐘。
[0052]進(jìn)一步的，步驟S140具體可包括:通過(guò)化學(xué)蝕刻或激光雕刻的方式，在所述基板母板的所述銅箔上刻出預(yù)設(shè)電路。
[0053]示例的，如圖3所示的，為通過(guò)化學(xué)刻蝕或激光雕刻方式，刻蝕后的基板母板，包括銅箔11、高導(dǎo)熱材料板12和環(huán)氧樹(shù)脂13。
[0054]進(jìn)一步的，步驟S150包括:通過(guò)機(jī)械切割或激光切割的方式，將所述基板母板切割成單顆基板。
[0055]示例的，如圖4所示的，為經(jīng)過(guò)機(jī)械切割或激光切割的方式，得到的單顆基板，包括銅箔11’、高導(dǎo)熱材料板12’和環(huán)氧樹(shù)脂13’。
[0056]本實(shí)施例提供的是上述實(shí)施例的優(yōu)選技術(shù)方案，在基板母板固化成型后，在基板母板的銅箔上刻出預(yù)設(shè)電路，并將基板母板切割成若干個(gè)單顆基板，即可作為半導(dǎo)體器件用基板。制造過(guò)程中的加熱溫度不超過(guò)200°C，不會(huì)使銅發(fā)生軟化和晶粒長(zhǎng)大，提高半導(dǎo)體器件金屬線焊接穩(wěn)定性。
[0057]注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體器件用基板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟: 對(duì)銅箔和高導(dǎo)熱材料板進(jìn)行清洗； 形成所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板的疊放結(jié)構(gòu)，所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板之間注塑有環(huán)氧樹(shù)脂； 將夾有所述環(huán)氧樹(shù)脂的所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板，加壓加熱處理，使所述環(huán)氧樹(shù)脂固化，從而形成基板母板； 在所述基板母板的所述銅箔上刻出預(yù)設(shè)電路； 將所述基板母板切割成單顆基板。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件用基板的制造方法，其特征在于，所述形成所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板的疊放結(jié)構(gòu)，所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板之間注塑有環(huán)氧樹(shù)脂，包括: 在所述高導(dǎo)熱材料板上涂布所述環(huán)氧樹(shù)脂，再疊放上所述銅箔。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件用基板的制造方法，其特征在于，所述形成所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板的疊放結(jié)構(gòu)，所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板之間注塑有環(huán)氧樹(shù)脂，包括: 形成所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板的疊放結(jié)構(gòu)，將環(huán)氧樹(shù)脂膜夾在所述銅片和所述高導(dǎo)熱材料板之間。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件用基板的制造方法，其特征在于: 所述高導(dǎo)熱材料板的材料為金屬或者高導(dǎo)熱陶瓷。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件用基板的制造方法，其特征在于: 所述環(huán)氧樹(shù)脂為含有高導(dǎo)熱材料的絕緣環(huán)氧樹(shù)脂。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件用基板的制造方法，其特征在于: 所述銅箔的厚度為0.05mm?0.3mm。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件用基板的制造方法，其特征在于: 所述加壓加熱處理時(shí)的加熱溫度為150°C?200°C。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件用基板的制造方法，其特征在于，所述在所述基板母板的所述銅箔上刻出預(yù)設(shè)電路，包括: 通過(guò)化學(xué)蝕刻或激光雕刻的方式，在所述基板母板的所述銅箔上刻出預(yù)設(shè)電路。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件用基板的制造方法，其特征在于，所述將所述基板母板切割成單顆基板，包括: 通過(guò)機(jī)械切割或激光切割的方式，將所述基板母板切割成單顆基板。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件用基板的制造方法，該方法包括如下步驟：對(duì)銅箔和高導(dǎo)熱材料板進(jìn)行清洗；形成所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板的疊放結(jié)構(gòu)，所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板之間注塑有環(huán)氧樹(shù)脂；將夾有所述環(huán)氧樹(shù)脂的所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板，加壓加熱處理，使所述環(huán)氧樹(shù)脂固化，從而形成基板母板；在所述基板母板的所述銅箔上刻出預(yù)設(shè)電路；將所述基板母板切割成單顆基板。該方法制造步驟簡(jiǎn)單，且成本低廉，加熱過(guò)程的溫度在200℃以下，不會(huì)使銅發(fā)生軟化和晶粒長(zhǎng)大，提高半導(dǎo)體器件金屬線焊接穩(wěn)定性。
【IPC分類】H01L21/48
【公開(kāi)號(hào)】CN105304504
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510606724
【發(fā)明人】曹周, 李朋釗
【申請(qǐng)人】杰群電子科技（東莞）有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月3日
【申請(qǐng)日】2015年9月21日