一種半導(dǎo)體器件用基板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體器件用基板制造技術(shù)，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件用基板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]如今的半導(dǎo)體器件，尤其是高功率半導(dǎo)體器件，其封裝往往使用的是直接覆銅(Direct Bonded Copper, DBC)基板。
[0003]DBC基板的制造，是在1000°C以上的溫度下，使陶瓷和銅箔直接產(chǎn)生結(jié)合。
[0004]在這樣的高溫下，銅會發(fā)生軟化和晶粒長大，從而影響半導(dǎo)體器件的使用，特別是對封裝過程中焊接金屬線的穩(wěn)定性影響較大。而且DBC基板的制造成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種發(fā)明一種半導(dǎo)體器件用基板的制造方法，以實現(xiàn)降低成本，避免基板制造過程中銅發(fā)生軟化和晶粒長大的現(xiàn)象。
[0006]本發(fā)明實施例提供了一種半導(dǎo)體器件用基板的制造方法，該方法包括如下步驟:
[0007]對銅箔和高導(dǎo)熱材料板進行清洗；
[0008]形成所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板的疊放結(jié)構(gòu)，所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板之間注塑有環(huán)氧樹脂；
[0009]將夾有所述環(huán)氧樹脂的所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板，加壓加熱處理，使所述環(huán)氧樹脂固化，從而形成基板母板；
[0010]在所述基板母板的所述銅箔上刻出預(yù)設(shè)電路；
[0011 ] 將所述基板母板切割成單顆基板。
[0012]進一步的，所述形成所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板的疊放結(jié)構(gòu)，所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板之間注塑有環(huán)氧樹脂，包括:
[0013]在所述高導(dǎo)熱材料板上涂布所述環(huán)氧樹脂，再疊放上所述銅箔。
[0014]進一步的，所述形成所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板的疊放結(jié)構(gòu)，所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板之間注塑有環(huán)氧樹脂，還包括:
[0015]形成所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板的疊放結(jié)構(gòu)，將環(huán)氧樹脂膜夾在所述銅片和所述高導(dǎo)熱材料板之間。
[0016]進一步的，所述高導(dǎo)熱材料板的材料為金屬或者高導(dǎo)熱陶瓷。
[0017]進一步的，所述環(huán)氧樹脂為含有尚導(dǎo)熱材料的絕緣環(huán)氧樹脂。
[0018]進一步的，所述銅片的厚度為0.05mm?0.3mm。
[0019]進一步的，所述加壓加熱處理時的加熱溫度為150°C?200°C。
[0020]進一步的，所述在所述基板母板的所述銅箔上刻出預(yù)設(shè)電路，包括:
[0021]通過化學(xué)蝕刻或激光雕刻的方式，在所述基板母板的所述銅箔上刻出預(yù)設(shè)電路。
[0022]進一步的，所述將所述基板母板切割成單顆基板，包括:
[0023]通過機械切割或激光切割的方式，將所述基板母板切割成單顆基板。
[0024]本發(fā)明通過環(huán)氧樹脂將銅箔和高導(dǎo)熱材料板固化為一體，解決半導(dǎo)體器件用基板制造成本高，制造過程中高溫造成的銅發(fā)生軟化和晶粒長大的問題，實現(xiàn)降低成本，避免銅發(fā)生軟化和晶粒長大的效果。
【附圖說明】
[0025]圖1是本發(fā)明實施例中的一種半導(dǎo)體器件用基板的制造方法的流程圖；
[0026]圖2是本發(fā)明實施例中的一種半導(dǎo)體器件用基板母板的結(jié)構(gòu)圖；
[0027]圖3是本發(fā)明實施例中的一種半導(dǎo)體器件用基板母板的正視圖及剖視圖；
[0028]圖4是本發(fā)明實施例中的一種單顆基板的正視圖及剖視圖。
【具體實施方式】
[0029]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。
[0030]實施例
[0031]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種半導(dǎo)體器件用基板的制造方法的流程圖，具體包括如下步驟:
[0032]步驟S110、對銅箔和高導(dǎo)熱材料板進行清洗。
[0033]其中，高導(dǎo)熱材料板為導(dǎo)熱系數(shù)達到3.0ff/(m.K)以上的導(dǎo)熱材料制成。
[0034]步驟S120、形成所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板的疊放結(jié)構(gòu)，所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板之間注塑有環(huán)氧樹脂。
[0035]其中，銅箔疊放在高導(dǎo)熱材料板上，兩者相對面的形狀相同，銅箔和高導(dǎo)熱材料板之間的環(huán)氧樹脂將兩者隔開，使銅箔和高導(dǎo)熱材料板不會直接接觸。環(huán)氧樹脂起到粘結(jié)和絕緣的作用，所以其中摻雜固化劑和絕緣改性劑，改善環(huán)氧樹脂的固化效果和絕緣性。
[0036]步驟S130、將夾有所述環(huán)氧樹脂的所述銅箔和所述高導(dǎo)熱材料板，加壓加熱處理，使所述環(huán)氧樹脂固化，從而形成基板母板。
[0037]對疊放且夾有環(huán)氧樹脂的銅箔和高導(dǎo)熱材料板施加一定的壓力，施壓的目的是為了讓銅箔和高導(dǎo)熱材料板都能更好地接觸環(huán)氧樹脂，并進行一定時間的加熱，環(huán)氧樹脂經(jīng)過加熱后方可固化，可使環(huán)氧樹脂固化的溫度為從而將銅箔和高導(dǎo)熱材料板通過環(huán)氧樹脂結(jié)為一體。示例的，如圖2所示，成型的基板母板包括銅箔11、高導(dǎo)熱材料板12和環(huán)氧樹脂13ο
[0038]步驟S140、在所述基板母板的所述銅箔上刻出預(yù)設(shè)電路。
[0039]根據(jù)半導(dǎo)體器件的實際設(shè)計，在銅箔上刻出相應(yīng)的溝道，形成需要的電路。
[0040]步驟S150、將所述基板母板切割成單顆基板。
[0041]實際生產(chǎn)中，一個基板母板經(jīng)過切割，可分成若干個單顆基板，這些單顆基板即是半導(dǎo)體器件用的基板。
[0042]本實施例的技術(shù)方案，通過環(huán)氧樹脂將銅箔和高導(dǎo)熱材料板成型為基板母板，而后刻出預(yù)設(shè)電路并切割成單顆基板，解決了半導(dǎo)體器件用直接覆銅基板在高溫加熱后銅發(fā)生軟化和晶粒長大的問題，達到了提高半導(dǎo)體器件金屬線焊接穩(wěn)定性的效果。
[0043]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的，步驟S120包括:在所述高導(dǎo)熱材料板上涂布所述環(huán)氧樹脂，再疊放上所述銅箔。由于銅箔容易變形，先在高導(dǎo)熱材料板上涂布環(huán)氧樹月旨，再疊放銅箔，操作更為方便，且環(huán)氧樹脂的涂布更均勻。相應(yīng)的，步驟S130中加壓加熱處理，所施加的壓力為15?20kg/cm2。
[0044]或者，步驟S120包括:形成所述銅箔和所