大于短軸長度S的1. 1倍，該導(dǎo)電柱26也可為多邊形柱體或 球形柱體等。該導(dǎo)電柱26的材質(zhì)可為銅、金或其合金等金屬材料或?qū)щ姴牧?，且該?dǎo)電柱 26的表面上可形成有抗氧化層（圖中未繪示），例如電鍍的鉻層或有機(jī)可焊保護(hù)膜（0SP)。
[0092] 該封裝膠體24可形成于該第一半導(dǎo)體裝置20的第一頂面20a以包覆該些導(dǎo)通球 21，且該封裝膠體24可具有多個(gè)開口 241以分別外露出該些導(dǎo)通球21的頂部211。
[0093] 該半導(dǎo)體封裝件2a可包括例如為半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體元件22,其設(shè)置于該第一 半導(dǎo)體裝置20的第一頂面20a并嵌埋于該封裝膠體24內(nèi)，而該半導(dǎo)體元件22的上表面可 外露于該封裝膠體24的上表面，且該半導(dǎo)體元件22可透過多個(gè)導(dǎo)電元件221電性連接該 第一半導(dǎo)體裝置20。
[0094] 該半導(dǎo)體封裝件2a可包括底膠23,其形成于該半導(dǎo)體元件221與該第一半導(dǎo)體裝 置20之間以包覆該些導(dǎo)電元件221。
[0095]該半導(dǎo)體封裝件2a可包括保護(hù)層27,其形成于該半導(dǎo)體元件22的上表面與該第 二半導(dǎo)體裝置25的第二底面25b之間的間隙271。該保護(hù)層27可為非導(dǎo)電膜（NCF)、粘合 膜、預(yù)浸體、聚酰亞胺（PI)、散熱膠或接地層等，且該保護(hù)層27可用于保護(hù)該半導(dǎo)體元件22 免于受損與增加該半導(dǎo)體封裝件2a的結(jié)構(gòu)信賴性，亦可對該半導(dǎo)體元件22產(chǎn)生散熱效果， 也可用于電性接地以防止電磁干擾（EMI)或靜電放電（ESD)。
[0096] 圖3A至圖3E為繪示本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件2b及其制法的第二實(shí)施例的剖視示 意圖，且圖3A至圖3E與上述圖2A至圖2E的相同部分將不再重復(fù)敘述。
[0097] 如圖3A所示，先提供具有相對的第一頂面20a與第一底面20b、多個(gè)第一焊墊201 及多個(gè)第二焊墊202的第一半導(dǎo)體裝置20,該些第一焊墊201與該些第二焊墊202分別形 成于該第一頂面20a及該第一底面20b。
[0098] 接著，形成多個(gè)具有間距d2的導(dǎo)通球21于該第一半導(dǎo)體裝置20的第一頂面20a 的該些第一焊墊201上，并設(shè)置例如為半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體元件22于該第一半導(dǎo)體裝置20 的第一頂面20a，且透過多個(gè)例如為焊球或焊線的導(dǎo)電元件221電性連接該半導(dǎo)體元件22 與該第一半導(dǎo)體裝置20。
[0099] 如圖3B所示，提供具有相對的第二頂面25a與第二底面25b及多個(gè)第三焊墊251 的第二半導(dǎo)體裝置25,并形成多個(gè)具有高度Η的導(dǎo)電柱26于該第二半導(dǎo)體裝置25的第二 底面25b的該些第三焊墊251上，且該導(dǎo)電柱26的高度Η可小于300微米。
[0100] 如圖3C所示，將圖3Α的第一半導(dǎo)體裝置20上的該些導(dǎo)通球21分別對應(yīng)圖3Β的 第二半導(dǎo)體裝置25上的該些導(dǎo)電柱26,并藉由回焊作業(yè)將該些導(dǎo)通球21形成熔融狀態(tài)，且 將該些導(dǎo)通球21分別接合該些導(dǎo)電柱26以電性連接該第一半導(dǎo)體裝置20及該第二半導(dǎo) 體裝置25。
[0101] 如圖3D所示，形成具有較細(xì)顆粒的封裝膠體24于該第一半導(dǎo)體裝置20的第一頂 面20a與該第二半導(dǎo)體裝置25的第二底面25b之間，以包覆該些導(dǎo)通球21、導(dǎo)電柱26、半 導(dǎo)體元件22及導(dǎo)電元件221，并藉由該封裝膠體24取代圖2A所示的底膠23。
[0102] 如圖3E所示，形成多個(gè)焊球28于該第一半導(dǎo)體裝置20的該些第二焊墊202上， 從而形成一半導(dǎo)體封裝件2b。
[0103] 本發(fā)明還提供一種如第3E圖所示的半導(dǎo)體封裝件2b，圖3E的半導(dǎo)體封裝件2b與 上述圖2E的半導(dǎo)體封裝件2a大致相同，其主要差異如下：
[0104] 在圖3E中，該封裝膠體24形成于該第一半導(dǎo)體裝置20的第一頂面20a與該第二 半導(dǎo)體裝置25的第二底面25b之間，以包覆該些導(dǎo)通球21、導(dǎo)電柱26、半導(dǎo)體元件22及導(dǎo) 電元件221。
[0105] 因此，圖3E的第二半導(dǎo)體裝置25的第二底面25b與封裝膠體24之間并未形成有 圖2E的間隙271，而圖3E的第二半導(dǎo)體裝置25的第二底面25b與半導(dǎo)體元件22之間也可 不必形成有圖2E的保護(hù)層27,且圖3E可用較細(xì)顆粒的封裝膠體24直接包覆該些導(dǎo)電元件 221以取代圖2E的底膠23。
[0106] 圖4A為繪示本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件2c的第三實(shí)施例的剖視示意圖，圖4A的半導(dǎo) 體封裝件2c與上述圖3E的半導(dǎo)體封裝件2b大致相同，其主要差異如下：
[0107] 在圖4A中，該半導(dǎo)體封裝件2c可包括多個(gè)支撐元件29,其形成于該第一半導(dǎo)體裝 置20與該第二半導(dǎo)體裝置25之間。換言之，該半導(dǎo)體封裝件2c的制法可包括形成多個(gè)支 撐元件29于該第一半導(dǎo)體裝置20與該第二半導(dǎo)體裝置25之間。
[0108] 該些支撐元件29可用于支撐第二半導(dǎo)體裝置25以保護(hù)該半導(dǎo)體元件22免于受 損與增加半導(dǎo)體封裝件2c的結(jié)構(gòu)信賴性，亦可對該半導(dǎo)體元件22產(chǎn)生散熱效果，也可用于 電性接地以防止電磁干擾（EMI)或靜電放電（ESD)。
[0109] 此外，圖4A的支撐元件29亦可形成于上述第2E圖的第一半導(dǎo)體裝置20與第二 半導(dǎo)體裝置25之間。
[0110] 圖4B為繪示本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件2d的第四實(shí)施例的剖視示意圖，圖4B的半導(dǎo) 體封裝件2d與上述圖4A的半導(dǎo)體封裝件2c大致相同，其主要差異如下：
[0111] 在圖4B中，該半導(dǎo)體封裝件2d可包括至少一電子元件30,其形成于該第一半導(dǎo) 體裝置20或該第二半導(dǎo)體裝置25的內(nèi)部或表面上，該表面可為該第一頂面20a、第一底面 20b、第二頂面25a或第二底面25b。換言之，該半導(dǎo)體封裝件2d的制法可包括形成至少一 電子元件30于該第一半導(dǎo)體裝置20或該第二半導(dǎo)體裝置25的內(nèi)部上。
[0112] 此外，圖4B的電子元件30也可形成于上述圖2E與圖3E的第一半導(dǎo)體裝置20或 第二半導(dǎo)體裝置25的內(nèi)部或表面上。
[0113] 圖5A至圖?為分別繪示本發(fā)明各種實(shí)施例的導(dǎo)通球2la至導(dǎo)通球21d的示意圖。
[0114] 如圖5A所示，該導(dǎo)通球21a可為雙層球體，并具有內(nèi)層的球體213與包覆該內(nèi)層 的球體213的外層215。
[0115] 如圖5B所示，該導(dǎo)通球21b可為三層球體，并具有內(nèi)層的球體213與依序包覆該 內(nèi)層的球體213的中間層214及外層215。該內(nèi)層的球體213、中間層214及外層215的材 質(zhì)可分別為塑膠、金屬（除錫以外）及錫，該內(nèi)層的球體213為塑膠材質(zhì)可以降低該導(dǎo)通球 21b的成本。
[0116] 如圖5C所示，該導(dǎo)通球21c可具有一圓柱體216與包覆該圓柱體216的外層215。
[0117] 如圖?所示，該導(dǎo)通球21d可具有二圓柱體216與包覆該二圓柱體216的外層 215。
[0118] 上述圖5A至圖?的內(nèi)層的球體213或圓柱體216可使該導(dǎo)通球21a至該導(dǎo)通球 21d具有強(qiáng)化結(jié)構(gòu)或避免該外層215發(fā)生崩塌情形，而該外層215則可形成熔融狀態(tài)以便接 合該導(dǎo)電柱26。
[0119] 圖6A至圖6C為分別繪示本發(fā)明各種實(shí)施例的導(dǎo)電柱26a至導(dǎo)電柱26c的示意圖。
[0120] 如圖6A的立體圖與下列表格所不，由于該導(dǎo)電柱26a需具有一定的高度Η(或長 度）才能達(dá)到精細(xì)間距（finepitch)，在該導(dǎo)電柱26a的寬度（或直徑）、形狀及材質(zhì)等條 件不變下，當(dāng)該導(dǎo)電柱26a的高度Η分別為100微米（μm)與500微米時(shí)，其相應(yīng)的力矩Μ 分別為100F及500F，其中力矩Μ的單位為牛頓?米（Nm)，F(xiàn)為作用力且其單位為牛頓（Ν)， 表示該導(dǎo)電柱26a于500微米時(shí)的力矩Μ等于100微米時(shí)的力矩Μ的5倍（500F+100F= 5)，此將導(dǎo)致該導(dǎo)電柱26a于500微米時(shí)容易發(fā)生斷裂的問題。
[0121]
[0122] 因此，經(jīng)多次^實(shí)驗(yàn)結(jié)4,該4電柱丨6a的k佳"度（或k? )為小于300微米， 可使該導(dǎo)電柱26a具有較精細(xì)間距并避免發(fā)生斷裂情形。
[0123] 在圖6A中，該導(dǎo)電柱26a可為圓柱體且其高度Η可大于直徑R的二分之一。但在 其他實(shí)施例中，該導(dǎo)電柱26a也可為橢圓柱體、多邊形柱體或球形柱體等。
[0124] 如圖6B的上視圖所示，該導(dǎo)電柱26b可為橢圓柱體且其長軸長度L可大于短軸長 度S的1. 1倍。
[0125] 如圖6C的剖視圖所示，該導(dǎo)電柱26c可為至少二球體（如二或三球體）所構(gòu)成或 堆迭而成的球形柱體。
[012