球
[0049] 211 頂部
[0050] 212 側(cè)部
[0051] 213 內(nèi)層的球體
[0052] 214 中間層
[0053] 215 外層
[0054] 216 圓柱體
[0055] 22 半導(dǎo)體元件
[0056] 221 導(dǎo)電元件
[0057] 23 底膠
[0058] 25 第二半導(dǎo)體裝置
[0059] 25a 第二頂面
[0060] 25b 第二底面
[0061] 251 第三焊墊
[0062] 26、26a、26b、26c 導(dǎo)電柱
[0063] 27 保護(hù)層
[0064] 29 支撐元件
[0065] 30 電子元件
[0066] dl、d2 間距
[0067] Η 高度
[0068] L 長(zhǎng)軸長(zhǎng)度
[0069] R 直徑
[0070] S 短軸長(zhǎng)度。
【具體實(shí)施方式】
[0071] 以下藉由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明 書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0072] 須知，本說(shuō)明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用于配合說(shuō)明書所揭 示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故 不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明 所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范 圍內(nèi)。
[0073] 同時(shí)，本說(shuō)明書中所引用的如「上」、「一」、「第一」、「第二」、「頂面」、「底面」等用語(yǔ)， 亦僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在 無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0074] 圖2Α至圖2Ε為繪示本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件2a及其制法的第一實(shí)施例的剖視示 意圖。
[0075] 如圖2A所示，先提供具有相對(duì)的第一頂面20a與第一底面20b、多個(gè)第一焊墊201 及多個(gè)第二焊墊202的第一半導(dǎo)體裝置20,該些第一焊墊201與該些第二焊墊202分別形 成于該第一頂面20a及該第一底面20b。
[0076] 接著，形成多個(gè)具有間距d2的導(dǎo)通球21于該第一半導(dǎo)體裝置20的第一頂面20a 的該些第一焊墊201上，并設(shè)置例如為半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體元件22于該第一半導(dǎo)體裝置20 的第一頂面20a，且透過多個(gè)例如為焊球的導(dǎo)電元件221電性連接該半導(dǎo)體元件22與該第 一半導(dǎo)體裝置20,再形成底膠23于該半導(dǎo)體元件22與該第一半導(dǎo)體裝置20的第一頂面 20a之間以包覆該些導(dǎo)電元件221。
[0077] 該些導(dǎo)通球21的間距d2可小于現(xiàn)有技術(shù)圖1A的第一焊球11的間距dl，但不以此 為限。而且，該導(dǎo)通球21可為均勻球體，并依據(jù)不同法規(guī)或熔點(diǎn)的需求由不同比例的錫鉛 (Sn-Pb)、錫銀（Sn-Ag)或錫銀銅（Sn-Ag-Cu)等材料所構(gòu)成，例如 63Sn-37Pb、90Sn-10Pb、 98Sn-2Ag、95. 5Sn-4. 0Ag-0. 5Cu之類。
[0078] 同時(shí)，該導(dǎo)通球21可為單層球體、雙層球體或三層球體，該雙層球體具有內(nèi)層的 球體與包覆該內(nèi)層的球體的外層，該三層球體具有內(nèi)層的球體與依序包覆該內(nèi)層的球體的 中間層及外層，該導(dǎo)通球21也可具有至少一圓柱體與包覆該圓柱體的外層，請(qǐng)見圖5A至圖 5D〇
[0079] 如圖2B所示，形成封裝膠體24于該第一半導(dǎo)體裝置20的第一頂面20a，以包覆該 些導(dǎo)通球21、半導(dǎo)體元件22、導(dǎo)電元件221及底膠23并嵌埋該半導(dǎo)體元件22于該封裝膠 體24內(nèi)，也可外露出該半導(dǎo)體元件22的上表面。繼之，藉由激光或其他方式于該封裝膠體 24上燒穿或形成多個(gè)開口 241以分別外露出該些導(dǎo)通球21的頂部211，但可不外露出該些 導(dǎo)通球21的側(cè)部212以形成較小的開口 241。
[0080] 如圖2C所示，提供具有相對(duì)的第二頂面25a與第二底面25b及多個(gè)第三焊墊251 的第二半導(dǎo)體裝置25,并形成多個(gè)具有高度Η的導(dǎo)電柱26于該第二半導(dǎo)體裝置25的第二 底面25b的該些第三焊墊251上，且該導(dǎo)電柱26的高度Η可小于300微米（μm)。該第一 半導(dǎo)體裝置20或第二半導(dǎo)體裝置25可為基板、中介板、半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體晶圓或半導(dǎo)體 封裝結(jié)構(gòu)等，該中介板可為含硅材質(zhì)的中介板、無(wú)機(jī)中介板或有機(jī)中介板等。
[0081] 該導(dǎo)電柱26a可為圓柱體且其高度Η大于直徑R的二分之一（H> 1/2R)，或者該 導(dǎo)電柱26b可為橢圓柱體且其長(zhǎng)軸長(zhǎng)度L大于短軸長(zhǎng)度S的1. 1倍（L> 1. 1S)，該導(dǎo)電柱 26也可為多邊形柱體或球形柱體等。該導(dǎo)電柱26的材質(zhì)可為銅、金或其合金等金屬材料或 導(dǎo)電材料，且該導(dǎo)電柱26的表面上可形成有抗氧化層（圖中未繪示），例如電鍍的鉻層或有 機(jī)可焊保護(hù)膜（OrganicSolderablityPreservative, 0SP)。
[0082] 如圖2D所示，將圖2B的第一半導(dǎo)體裝置20上的該些導(dǎo)通球21分別對(duì)應(yīng)圖2C的 第二半導(dǎo)體裝置25上的該些導(dǎo)電柱26,并藉由回焊作業(yè)將該些導(dǎo)通球21形成熔融狀態(tài)，且 將該些導(dǎo)通球21分別接合該些導(dǎo)電柱26以電性連接該第一半導(dǎo)體裝置20及該第二半導(dǎo) 體裝置25。
[0083] 另外，可形成保護(hù)層27于該半導(dǎo)體元件22的上表面與該第二半導(dǎo)體裝置25的 第二底面25b之間的間隙271。該保護(hù)層27可為非導(dǎo)電膜（non-conductivefilm,NCF)、 黏合膜（adhesivefilm)、預(yù)浸體（prepreg)、聚酰亞胺（polymide,PI)、散熱膠（thermal adhesive)或接地層（ground)等，且該保護(hù)層27可用于保護(hù)該半導(dǎo)體元件22免于受損與 增加圖2D的整體結(jié)構(gòu)的信賴性，亦可對(duì)該半導(dǎo)體元件22產(chǎn)生散熱效果，也可用于電性接 地以防止電磁干擾（electromagneticinterference,EMI)或靜電放電（electrostatic discharge,ESD) 〇
[0084] 如圖2E所示，形成多個(gè)焊球28于該第一半導(dǎo)體裝置20的該些第二焊墊202上， 從而形成一半導(dǎo)體封裝件2a。
[0085] 本發(fā)明還提供一種如圖2E所示的半導(dǎo)體封裝件2a。該半導(dǎo)體封裝件2a包括一 第一半導(dǎo)體裝置20、多個(gè)導(dǎo)通球21、一第二半導(dǎo)體裝置25、多個(gè)導(dǎo)電柱26以及一封裝膠體 24。
[0086] 該第一半導(dǎo)體裝置20具有相對(duì)的第一頂面20a與第一底面20b、多個(gè)第一焊墊 201及多個(gè)第二焊墊202,該些第一焊墊201與該些第二焊墊202分別形成于該第一頂面 20a及該第一底面20b。
[0087] 該些導(dǎo)通球21均可具有間距d2并形成于該第一半導(dǎo)體裝置20的第一頂面20a 的該些第一焊墊201上，且該間距d2可小于現(xiàn)有技術(shù)圖1A的第一焊球11的間距dl，但不 以此為限。該導(dǎo)通球21可為均勻球體，并依據(jù)不同法規(guī)或熔點(diǎn)的需求由不同比例的錫鉛 (Sn-Pb)、錫銀（Sn-Ag)或錫銀銅（Sn-Ag-Cu)等材料所構(gòu)成，例如 63Sn-37Pb、90Sn-10Pb、 98Sn-2Ag、95. 5Sn-4. 0Ag-0. 5Cu之類。
[0088] 同時(shí)，該導(dǎo)通球21可為單層球體、雙層球體或三層球體，該雙層球體具有內(nèi)層的 球體與包覆該內(nèi)層的球體的外層，該三層球體具有內(nèi)層的球體與依序包覆該內(nèi)層的球體的 中間層及外層，該導(dǎo)通球21也可具有至少一圓柱體與包覆該圓柱體的外層，請(qǐng)見圖5A至圖 5D〇
[0089] 該第二半導(dǎo)體裝置25具有相對(duì)的第二頂面25a與第二底面25b及多個(gè)第三焊墊 251。該第一半導(dǎo)體裝置20或該第二半導(dǎo)體裝置25可為基板、中介板、半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體 晶圓或半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)等，該中介板可為含硅材質(zhì)的中介板、無(wú)機(jī)中介板或有機(jī)中介板等。
[0090] 該些導(dǎo)電柱26均可具有小于300微米的高度H，并分別形成于該第二半導(dǎo)體裝置 25的第二底面25b的該些第三焊墊251上，且該些導(dǎo)電柱26可分別接合該些導(dǎo)通球21以 電性連接該第一半導(dǎo)體裝置20及該第二半導(dǎo)體裝置25。
[0091] 該導(dǎo)電柱26a可為圓柱體且其高度Η大于直徑R的二分之一，或者該導(dǎo)電柱26b 可為橢圓柱體且其長(zhǎng)軸長(zhǎng)度L