可以孔徑的增量間隔。例如，如果孔的直徑為5_，那么間隔可以是5x mm，其中X是任何適當(dāng)?shù)闹怠＠?，間隔可以是孔徑的1倍、2倍、3倍、4倍、5倍、6倍、7倍、8倍、9倍或10倍。孔147可位于沿著通道140的長(zhǎng)度的任何適當(dāng)點(diǎn)處，且孔147不需要均勻地橫跨通道140的長(zhǎng)度分布。如圖6中所示，孔147朝向基座組件130的內(nèi)部集中，其中通道140遠(yuǎn)離基座組件130的頂表面 131。
[0042]通道140可用于供應(yīng)真空至凹槽133以?shī)A緊晶片120。然而，當(dāng)晶片經(jīng)過(guò)處理時(shí)，真空可能太強(qiáng)而無(wú)法輕易地從凹槽去除已處理的晶片。為了易于去除晶片，通道140也可用于朝向晶片120的背側(cè)提供氣流。因此，向晶片的背側(cè)提供正壓力以允許晶片輕易地從基座組件去除。
[0043]圖9示出根據(jù)本案的一或更多個(gè)實(shí)施方式的基座組件的示意圖。此處，凹槽133被連接到通道140，通道140通向驅(qū)動(dòng)軸之內(nèi)的空腔161。閥171位于通道140之內(nèi)。閥171可通過(guò)連接器141允許通道140和空腔161之間的流體連接。如果在空腔161中形成真空，或壓力減小的區(qū)域，那么閥可通過(guò)連接器141和通道140將空腔161連接至凹槽133。閥門171可被切換以中斷通道140和空腔161之間的流體連接。閥可被設(shè)置到閉合位置，將通道140隔離；或設(shè)置到其中通過(guò)連接器142在通道140和去除夾緊氣室173之間形成連接的位置。去除夾緊氣室173被示出為與去除夾緊氣源175流體連通。去除夾緊氣源175可包含任何適當(dāng)?shù)臍怏w，所述氣體包括但不限于，氮?dú)?、氬氣、氦氣或惰性氣體。
[0044]圖7示出基座組件130的另一實(shí)施方式。此處，通道140從基座組件130的外邊緣大約平行于凹槽133的底部延伸。插塞148將通道140的末端封閉。通道的第一部分140a轉(zhuǎn)向到第二部分140b且延伸到驅(qū)動(dòng)軸160中。溝道146在凹槽133的中心周圍從通道140延伸到凹槽133的底部中。數(shù)個(gè)支座149從凹槽133的底部135延伸到階梯區(qū)域134中的第一階梯的高度。數(shù)個(gè)支座149為晶片提供支撐以防止或最小化彎曲。支座149被以相互間具有間隙地定位在凹槽周圍以允許真空影響整個(gè)凹槽。
[0045]圖8示出基座組件130的另一實(shí)施方式。此處，凹槽包含數(shù)個(gè)階梯，所述數(shù)個(gè)階梯漸進(jìn)地大于初始階梯區(qū)域134的高度。第一階梯區(qū)域134a具有第一高度。第二階梯區(qū)域134b具有大于第一高度的第二高度。第三階梯區(qū)域134c具有大于第二高度的第三高度。雖然示出了三個(gè)階梯區(qū)域，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以存在任何數(shù)目的階梯區(qū)域。在所示實(shí)施方式中，第一、第二和第三階梯區(qū)域的高度朝向凹槽的中心增加。在一些實(shí)施方式中，個(gè)別階梯區(qū)域的高度可不同以便一些區(qū)域具有比其他區(qū)域更大的高度，而與該區(qū)域相對(duì)于凹槽中心的位置無(wú)關(guān)。
[0046]個(gè)別階梯區(qū)域的直徑和高度可不同。在一些實(shí)施方式中，第一階梯區(qū)域134a相對(duì)于初始階梯區(qū)域134具有在約10 μ m至約90 μ m的范圍內(nèi)的高度。當(dāng)晶片120置于初始階梯區(qū)域134a上時(shí)，第一高度是相對(duì)于初始階梯區(qū)域134測(cè)得，即使初始階梯區(qū)域134在基座組件130的頂表面131的水平之下。在一些實(shí)施方式中，第一高度是在約20 μ m至約80 μ m的范圍之內(nèi)，或在約30 μ m至約70 μ m的范圍之內(nèi)，或在約40 μ m至約60 μ m的范圍之內(nèi)。
[0047]在圖8中所示的實(shí)施方式中，一些實(shí)施方式的第二階梯區(qū)域134b具有在約35 μm至約115 μ m的范圍內(nèi)的高度，且第二階梯區(qū)域134b的高度大于第一階梯區(qū)域134a的高度。在一些實(shí)施方式中，第二階梯區(qū)域134b具有在約45 μ m至約105 μ m的范圍內(nèi)，或在約55 μ m至約95 μ m的范圍內(nèi)，或在約65 μ m至約85 μ m的范圍內(nèi)的高度。
[0048]在圖8中所示的實(shí)施方式中，第三階梯區(qū)域134c具有在約60 μ m至約140 μ m的范圍內(nèi)的高度，且第三階梯區(qū)域134c的高度大于第二階梯區(qū)域134b的高度。在一些實(shí)施方式中，第三階梯區(qū)域134c具有在約70 μ m至約130 μ m的范圍內(nèi)，或在約80 μ m至約120 μ m的范圍內(nèi)，或在約90 μ m至約110 μ m的范圍內(nèi)的高度。
[0049]取決于支座所位于的特定階梯區(qū)域的高度，支座149的高度可不同。參看圖8，第三階梯區(qū)域中的支座高于第一階梯區(qū)域中的支座。一些實(shí)施方式的支座具有足以使支座頂部與初始階梯區(qū)域大體上共面的高度，以便位于凹槽中的晶片與基座組件的頂表面大體上共面。
[0050]真空源165可通過(guò)閥162連接到空腔161。在存在來(lái)自真空源165的真空損失的情況下，閥162可用于將空腔161與真空源165隔離。如此允許空腔161充當(dāng)真空氣室以便基座組件上的晶片保持夾緊，直到當(dāng)真空源被重新連接或修復(fù)時(shí)為止。
[0051]基座組件130中的個(gè)別凹槽133的每個(gè)可包括單獨(dú)的通道140和閥門171。如此允許每一個(gè)別的凹槽133與空腔161中的真空隔離。例如，已處理的晶片120可被旋轉(zhuǎn)至處理腔室的裝載/卸載區(qū)域。閥門171可被閉合或切換至去除夾緊氣室173以在晶片的背側(cè)上產(chǎn)生正壓力，允許機(jī)械手拾取晶片。在拾取晶片之后，閥可關(guān)閉以便凹槽133中的壓力將等于腔室的壓力。新的晶片可被放入凹槽中，且閥171切換回以允許與空腔161的流體連接而夾緊新的晶片。
[0052]根據(jù)本案的一或更多個(gè)實(shí)施方式，由用于升降和旋轉(zhuǎn)基座的集成兩軸電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)盤式基座上的中央基座也可用于并入例如氮?dú)饣蛘婵找员銑A緊/去除夾緊晶片。另夕卜，一些實(shí)施方式在等離子體處理期間使用水，或冷卻劑以保持密封且使用晶片的電動(dòng)機(jī)磁鐵和電接地。
[0053]參看圖10，提供了用于本案的一或更多個(gè)實(shí)施方式的電動(dòng)機(jī)組件200的示意圖。電動(dòng)機(jī)組件200具有電動(dòng)機(jī)外殼202，所述電動(dòng)機(jī)外殼202具有頂部203和底部204。所示的電動(dòng)機(jī)組件200包括底部206，所述底部206可與外殼202的側(cè)面207整體地形成，或可以是單獨(dú)的元件。
[0054]電動(dòng)機(jī)組件200包括驅(qū)動(dòng)軸210，所述驅(qū)動(dòng)軸210來(lái)自電動(dòng)機(jī)外殼202的頂部203。驅(qū)動(dòng)軸210包括主體213和在所述主體中的空腔212?？涨?12可與氣體或真空源流體連通且可充當(dāng)如下文進(jìn)一步描述的氣室。
[0055]驅(qū)動(dòng)軸210可由任何適當(dāng)?shù)牟牧系闹瞥?，所述材料能夠在晶片處理期間支撐基座組件同時(shí)將空腔保持在所述基座組件之內(nèi)。在一些實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)軸210由包含不銹鋼的材料制成。驅(qū)動(dòng)軸210的尺寸可取決于例如基座組件的尺寸和重量和支撐在所述基座組件上的其他元件而不同。
[0056]驅(qū)動(dòng)軸210從電動(dòng)機(jī)外殼202延伸距離D。此距離D可在處理之前、期間和/或之后改變或變化。在使用時(shí)，電動(dòng)機(jī)組件200支撐和旋轉(zhuǎn)基座組件。驅(qū)動(dòng)軸210從電動(dòng)機(jī)外殼202延伸的距離D直接相關(guān)于基座和支撐在基座上的任何晶片的垂直高度。
[0057]驅(qū)動(dòng)軸210與位于電動(dòng)機(jī)外殼202之內(nèi)的第一電動(dòng)機(jī)220接觸。第一電動(dòng)機(jī)220圍繞中心軸211在電動(dòng)機(jī)外殼202之內(nèi)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)軸210。驅(qū)動(dòng)軸210可通過(guò)接觸、摩擦或硬件連接到第一電動(dòng)機(jī)。在圖10中所示的實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)軸210被連接到電動(dòng)機(jī)/軸接口222，所述電動(dòng)機(jī)/軸接口 222被連接到第一電動(dòng)機(jī)220。電動(dòng)機(jī)/軸接口 222可以是任何適當(dāng)材料，所述材料包括但不限于，不銹鋼或鋁。電動(dòng)機(jī)/軸接口 222的材料可具有類似于驅(qū)動(dòng)軸210或密封殼體240的膨脹系數(shù)的膨脹系數(shù)，如下所述。第一電動(dòng)機(jī)220可以是能夠旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)軸210的任何適當(dāng)類型的電動(dòng)機(jī)。在一些實(shí)施方式中，第一電動(dòng)機(jī)220是直接耦接至空心驅(qū)動(dòng)軸210的直接驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)。
[0058]直接驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)可以使用一個(gè)滾珠絲杠電動(dòng)機(jī)和兩個(gè)對(duì)稱機(jī)械導(dǎo)軌的組合來(lái)升高和降低。在一些實(shí)施方式中，滾珠絲杠盡可能接近于中心定位以最小化軸傾斜。第二電動(dòng)機(jī)230是相鄰于電動(dòng)機(jī)外殼202的底部204定位。第二電動(dòng)機(jī)230可以是任何適當(dāng)類型的電動(dòng)機(jī)，包括但不限于，滾珠絲杠電動(dòng)機(jī)。在圖10中所示的實(shí)施方式中，第二電動(dòng)機(jī)230位于電動(dòng)機(jī)外殼202外部，但是第二電動(dòng)機(jī)230也可位于電動(dòng)機(jī)外殼之內(nèi)。第二電動(dòng)機(jī)230與電動(dòng)機(jī)外殼202之內(nèi)的至少一個(gè)導(dǎo)軌232連通，以沿著中心軸211的長(zhǎng)度移動(dòng)第一電動(dòng)機(jī)220和驅(qū)動(dòng)軸210。沿著中心軸211的長(zhǎng)度的運(yùn)動(dòng)改變驅(qū)動(dòng)軸210從電動(dòng)機(jī)外殼202的頂部203延伸的距離D。螺母234是沿著第二電動(dòng)機(jī)的螺釘236定位。螺釘236的旋轉(zhuǎn)引起螺母234沿著螺釘236的長(zhǎng)度移動(dòng)。
[0059]第二電動(dòng)機(jī)230可相對(duì)于組件200的中心軸211位于任何位置。在一些實(shí)施方式中，第二電動(dòng)機(jī)230盡可能接近于中心軸211定位以最小化運(yùn)動(dòng)期間的電動(dòng)機(jī)組件的齒軌。在一或多個(gè)實(shí)施方式中，電動(dòng)機(jī)組件是圓形的且第二電動(dòng)機(jī)230的功能元件(例如，螺釘、螺母和導(dǎo)軌)位于從中心軸211測(cè)量的電動(dòng)機(jī)220的半徑的50%之內(nèi)。
[0060]在一些實(shí)施方式中，在電動(dòng)機(jī)外殼202之內(nèi)存在至少兩個(gè)對(duì)稱的導(dǎo)軌232。所述兩個(gè)導(dǎo)軌可位于中心軸211的任一側(cè)上或位于螺釘236的任一側(cè)上。例如，圖10中所示的單軌可以是螺母234同時(shí)接觸的兩件。
[0061]電動(dòng)機(jī)組件200也可包括用于z軸Θ電動(dòng)機(jī)上的