中，進行覆蓋層16的沉積時，不進行停止閥(未圖示)的開閉。停止閥是用于停止從室內(nèi)向外部的氣體的排氣的閥。
[0103]本實施方式中，進行覆蓋層16的沉積時不進行停止閥的開閉是基于以下理由。
[0104]S卩，作為進行覆蓋層的沉積時進行停止閥的開閉的手法，例如可以考慮以下手法。即，首先，在供給TMA氣體之前關(guān)閉停止閥，然后，向室內(nèi)供給TMA氣體，然后，僅待機特定時間。接下來，打開停止閥，通過僅待機特定時間，將TMA氣體清除。接下來，在供給H20氣體之前關(guān)閉停止閥，然后，向室內(nèi)供給H20氣體，然后，僅待機特定時間。接下來，打開停止閥，通過僅待機特定時間，清除h2o氣體。通過重復(fù)進行該循環(huán)，沉積覆蓋層。
[0105]如此，以在進行原料氣體的供給之前關(guān)閉停止閥，在進行原料氣體的供給之后待機一定程度的時間的方式操作時，不僅碳納米管12的前端部14，而且在根底部18原料氣體也充分到達。此時，不僅碳納米管12的前端部14，而且在根底部18覆蓋層16的厚度(粒徑)也充分變大。碳納米管12的根底部18中覆蓋層16的厚度比臨界厚度大時，碳納米管12的根底部18不會塑性變形，使其彎曲變得困難。
[0106]與此相對，如本實施方式這樣，進行覆蓋層16的沉積時不進行停止閥的開閉時，原料氣體很難到達碳納米管12的根底部18。因此，能夠以從碳納米管12的前端部14至根底部18厚度(粒徑)變薄的方式形成覆蓋層16。
[0107]基于這樣的理由，本實施方式在沉積覆蓋層16時不進行停止閥的開閉。
[0108]覆蓋層16的厚度的分布，通過適當調(diào)整待機時間t2、t4，能夠進行調(diào)整。
[0109]S卩，縮短待機時間t2時，能以TMA氣體基本未向碳納米管的根底部前進的狀態(tài)供給H20氣體。另外，縮短待機時間t4時，能以H20氣體基本未向碳納米管的根底部前進的狀態(tài)供給TMA氣體。此時，由于在碳納米管12的根底部18難以形成覆蓋層16，因此，碳納米管12根底部18中的覆蓋層16的厚度變薄。
[0110]另一方面，延長待機時間t2時，能以TMA氣體一定程度前進至碳納米管根底部的狀態(tài)供給H20氣體。另外，延長待機時間t4時，能以H20氣體一定程度向碳納米管根底部前進的狀態(tài)供給TMA氣體。此時，由于碳納米管12的根底部18也容易形成覆蓋層16，因此，碳納米管12根底部18中的覆蓋層16的厚度變厚。
[0111]因此，通過適當控制待機時間t2、t4，能夠控制覆蓋層16的厚度的分布。換而言之，通過適當控制待機時間t2、t4，能夠控制覆蓋層16的厚度變?yōu)榕R界厚度的位置。
[0112]接下來，如圖6(a)所示，在形成有前端部14彎曲且形成有覆蓋層16的多個碳納米管12的基板28的上方，放置薄膜狀的熱塑性樹脂(熱塑性樹脂薄膜)20。熱塑性樹脂薄膜20變?yōu)樘畛鋵?。熱塑性樹脂薄?0的厚度，例如設(shè)定為100 μ m左右。
[0113]作為熱塑性樹脂薄膜20的材料，例如，能夠使用上述的熱熔樹脂。其中，作為熱塑性樹脂薄膜20的材料，例如使用Henkel Japan株式會公司制的“Micromelt6239”。“Micromelt6239”的熔化溫度是135?145°C左右。另外，“Micromelt6239”熔化時的粘度是 225°C下 5.5 ?8.5Pa.s 左右。
[0114]接下來，將放置熱塑性樹脂薄膜20的基板34，加熱至熱塑性樹脂薄膜20的熔化溫度以上的溫度。根據(jù)需要，可以從熱塑性樹脂薄膜20上擠壓。由此，熱塑性樹脂薄膜20熔化，并逐漸浸透至碳納米管12的束內(nèi)(參照圖6(b))。熱塑性樹脂薄膜20的浸透，在到達碳納米管12根底部18之前停止。熱塑性樹脂薄膜20的下表面和碳納米管12根底部18的下表面之間的距離，例如設(shè)定為50μπι左右。使熱塑性樹脂薄膜20浸透至碳納米管12束的深度，能夠通過熱處理溫度或熱處理時間控制。此處，例如，將熱處理溫度例如設(shè)定為195°C左右，將熱處理時間例如設(shè)定為5分鐘左右。由此，除了碳納米管12束中根底部18以外的部分變?yōu)橛蔁崴苄詷渲奶畛鋵?樹脂層)20填充的狀態(tài)。應(yīng)予說明，將碳納米管12的一部分由填充層20填充是為了能夠使碳納米管12容易從基板34剝離。
[0115]接下來，例如通過冷卻至室溫，將熱塑性樹脂薄膜20固化。
[0116]接下來，如圖7(a)所示，將碳納米管12與填充層20—同從基板34剝離。
[0117]由此，得到含有多個碳納米管12的散熱結(jié)構(gòu)體10，其中，多個碳納米管12中彎曲的前端部14側(cè)被埋入填充層20，可塑性變形的根底部18側(cè)從填充層20露出(參照圖7(b)) ο
[0118]由此，制造本實施方式中的散熱結(jié)構(gòu)體10。
[0119]應(yīng)予說明，上述內(nèi)容記載了碳納米管12根底部18從填充層20露出的狀態(tài)的散熱結(jié)構(gòu)體10，但并不局限與此。
[0120]例如，如使用圖2上文所述，在將碳納米管12的根底部18側(cè)彎曲的狀態(tài)下，可以將碳納米管12埋入填充層20。
[0121]圖8和圖9是表示本實施方式中的散熱結(jié)構(gòu)體的制造方法的其他例子的截面圖。
[0122]首先，使用圖4?圖7通過上述的散熱結(jié)構(gòu)體的制造方法，得到碳納米管12根底部18側(cè)從填充層20露出的狀態(tài)的散熱結(jié)構(gòu)體10(參照圖7(b))。
[0123]接下來，如圖8(a)所示，在基座(基體、支持基板)36上放置散熱結(jié)構(gòu)體10。此時，從填充層20露出的碳納米管12根底部18以與基座36接觸的方式，將散熱結(jié)構(gòu)體10放置在基座36上。作為結(jié)構(gòu)物36材料，例如能夠使用特氟龍(注冊商標)等。
[0124]接下來，如圖8(b)所示，通過對散熱結(jié)構(gòu)體10施加負荷，使碳納米管12根底部18彎曲。具體地，將平坦的結(jié)構(gòu)物38與散熱結(jié)構(gòu)體10的上面接觸，通過結(jié)構(gòu)物38對碳納米管12施加負荷。作為結(jié)構(gòu)物38的材料，例如能夠使用特氟龍(注冊商標)等。負荷，例如優(yōu)選設(shè)定為0.5MPa?1.5MPa左右。由此，碳納米管12根底部18側(cè)塑性變形，碳納米管12根底部18側(cè)變?yōu)閺澢臓顟B(tài)。
[0125]接下來，將放置在基座36上的散熱結(jié)構(gòu)體10，加熱至填充層20的熔化溫度以上。根據(jù)需要，可以通過結(jié)構(gòu)物38對填充層20施加負荷。由此，填充層20熔化，逐漸浸透至碳納米管12的束內(nèi)(參照圖9(a))。在填充層20的浸透達到碳納米管12根底部18的底面的階段結(jié)束加熱。熱處理溫度，例如設(shè)定為225°C左右。熱處理時間，例如設(shè)定為30分左右。由此，不僅碳納米管12前端部14，而且根底部18也變?yōu)槁袢胩畛鋵?0的狀態(tài)。
[0126]接下來，例如通過冷卻至室溫，將填充層20固化。
[0127]接下來，將結(jié)構(gòu)物38從散熱結(jié)構(gòu)體10上取出，而且將散熱結(jié)構(gòu)體10從基座36上取出。
[0128]由此，得到不僅碳納米管12前端部14而且根底部18以彎曲的狀態(tài)埋入填充層20的散熱結(jié)構(gòu)體10 (參照圖9(b))。
[0129]因此，可以在不僅碳納米管12前端部14而且根底部18也以彎曲的狀態(tài)下埋入填充層20。
[0130](評價結(jié)果)
[0131]接下來，對本實施方式中的散熱結(jié)構(gòu)體的評價結(jié)果進行說明。
[0132]圖10是表示使碳納米管的前端部彎曲的狀態(tài)的掃描型電子顯微鏡(ScanningElectron Microscope:SEM)照片的圖。圖10是與使圖4(b)所示的碳納米管的前端部彎曲的工序結(jié)束后將結(jié)構(gòu)物35取出的狀態(tài)相對應(yīng)。
[0133]由圖10可知，碳納米管12前端部14充分彎曲。
[0134]圖11是表示在碳納米管的表面形成覆蓋層的狀態(tài)的SEM照片的圖。圖12(a)是表示與圖11的測定位置P1對應(yīng)的擴大的掃描型電子顯微鏡照片的圖。圖12(b)是表示與圖11的測定位置P2對應(yīng)的擴大的掃描型電子顯微鏡照片的圖。圖13(a)是表示與圖11的測定位置P3對應(yīng)的擴大的掃描型電子顯微鏡照片的圖。圖13(b)是表示與圖11的測定位置P4對應(yīng)的擴大的掃描型電子顯微鏡照片的圖。圖14是表示與圖11的測定位置P5對應(yīng)的擴大的掃描型電子顯微鏡照片的圖。應(yīng)予說明，進行圖11?圖14的測定時，不使碳納米管12前端部14彎曲。
[0135]測定位置P1中的覆蓋層16的粒徑(參照圖12(a))是36.6nm。
[0136]測定位置P2中的覆蓋層16的粒徑(參照圖12(b))是37.0nm。
[0137]測定位置P3中的覆蓋層16的粒徑(參照圖13(a))是32.6nm。
[0138]測定位置P4中的覆蓋層16的粒徑(參照圖13(b))是27.6nm。
[0139]測定位置P5中的覆蓋層16的粒徑(圖14參照)是19.6nm。
[0140]圖15是表示使碳納米管根底部彎曲