的表面形成覆蓋層16，能夠提高碳納米管12的彈性(機(jī)械強(qiáng)度)。覆蓋層16的材料沒有特別限制，例如能夠使用氧化物等。作為覆蓋層16的材料使用的氧化物，例如可以舉出鋁氧化物(A1203)、鈦氧化物(T1x)、鉿氧化物(RuOx)、鐵氧化物(FeOx)、銦氧化物(InOx)、鑭氧化物(LaOx)等。另外，可以將鉬氧化物(Mo0x)、鈮氧化物(NbOx)、鎳氧化物(N1)、釕氧化物(RuOx)、硅氧化物(Si02)、釩氧化物(V0X)、鎢氧化物(W0X)等作為覆蓋層16的材料。另外，可以將釔氧化物(Y0X)、鋯氧化物(ZrOx)等作為覆蓋層16的材料使用。此處，鋁氧化物(氧化鋁、氧化鋁)作為覆蓋層16的材料使用。覆蓋層16例如利用ALD(Atomic Layer Deposit1n、原子層堆積)法形成。
[0053]覆蓋層16的厚度從碳納米管12的前端部14側(cè)至碳納米管12的根底部18側(cè)逐漸變薄。換而言之，覆蓋層16的粒徑從碳納米管12的前端部14側(cè)至根底部18側(cè)逐漸變小。覆蓋碳納米管12的覆蓋層16變薄時(shí)碳納米管12塑性變形，而覆蓋碳納米管12的覆蓋層16的厚度增厚時(shí)，碳納米管12將會(huì)變?yōu)閺椥宰冃?。在碳納米管12的根底部18側(cè)中，以碳納米管12可塑性變形的方式將覆蓋層16的厚度設(shè)定為薄。另一方面，在除碳納米管12的根底部18附近以外的部分，為了充分確保碳納米管12的機(jī)械強(qiáng)度，將覆蓋層16的厚度設(shè)定為厚。在除了碳納米管12的根底部18附近以外的部分，碳納米管12能夠彈性變形。
[0054]將覆蓋碳納米管12的覆蓋層16的厚度(粒徑)逐漸增大時(shí)碳納米管12變得不能塑性變形時(shí)的覆蓋層16的厚度(粒徑)，此處，稱之為臨界厚度(臨界粒徑)。在覆蓋碳納米管12的覆蓋層16的厚度比臨界厚度厚的部分中碳納米管12彈性變形。在覆蓋碳納米管12的覆蓋層16的厚度比臨界厚度薄的部分中碳納米管12塑性變形。由于上述臨界厚度也依賴于覆蓋層16的膜質(zhì)等，因此未必是恒定的，而如果覆蓋層16的厚度(粒徑)為20nm以下，碳納米管12塑性變形的情形多。因此，將碳納米管12的根底部18中的覆蓋層16的厚度(粒徑)，例如設(shè)定為20nm以下。此處，將碳納米管12的根底部18中的覆蓋層16的厚度(粒徑)，例如設(shè)定為19.6nm左右。另一方面，將碳納米管12的前端部14的覆蓋層16的厚度(粒徑)，例如設(shè)定為37nm左右。
[0055]碳納米管12的前端部14與根底部18之間的中間部分，以平行的方式取向。更具體地，碳納米管12的前端部14與根底部18之間的中間部分在垂直方向取向。
[0056]多個(gè)碳納米管12的根底部18，如上所述是可塑性變形的。因此，如后文所述，碳納米管12的根底側(cè)在裝配時(shí)等能夠彎曲。
[0057]本實(shí)施方式中，基于以下理由使碳納米管12的前端部14側(cè)彎曲，將碳納米管12的根底部18側(cè)設(shè)置為可塑性變形。
[0058]g卩，以往，使碳納米管的兩端與發(fā)熱體或散熱體以點(diǎn)接觸的方式接觸。由于發(fā)熱體或散熱體的表面存在粗糙度，因此不容易使碳納米管的前端部、根底部與發(fā)熱體或散熱體可靠地接觸。另外，通過點(diǎn)接觸的連接，不會(huì)追隨由溫度變化等引起的發(fā)熱體或散熱體的變形。
[0059]為了使散熱結(jié)構(gòu)體追隨發(fā)熱體或散熱體的表面的粗糙度，在發(fā)熱體和散熱體之間夾持散熱結(jié)構(gòu)體之后，邊進(jìn)行加熱邊進(jìn)行擠壓。此時(shí)，有時(shí)散熱結(jié)構(gòu)體變形而在碳納米管的端部高度位置產(chǎn)生不均勻的情況。碳納米管的端部高度位置產(chǎn)生不均勻時(shí)，多個(gè)碳納米管中只有一部分碳納米管能夠與發(fā)熱體或散熱體接觸。在發(fā)熱體或散熱體不與碳納米管接觸的部位，熱難以被傳遞。
[0060]因此，以往的散熱結(jié)構(gòu)體中存在未必能夠充分得到良好的熱傳導(dǎo)性的情形。
[0061]與此相對(duì)，如果使碳納米管12的前端部14或根底部18彎曲，那么碳納米管12的前端部14或根底部18的側(cè)面與發(fā)熱體或散熱體能夠以線接觸的形式接觸。而且，碳納米管12彎曲的前端部14或根底部18容易追隨變形。因此，本實(shí)施方式能夠抑制不與發(fā)熱體或散熱體接觸的碳納米管12的產(chǎn)生。因此，根據(jù)本實(shí)施方式能夠得到熱傳導(dǎo)性良好的散熱結(jié)構(gòu)體。
[0062]基于這樣的理由，本實(shí)施方式中設(shè)為使碳納米管12的前端部14側(cè)彎曲的同時(shí)使碳納米管12的根底部18側(cè)能夠彎曲。
[0063]以在多個(gè)碳納米管12之間填充的形式形成填充層(樹脂層)20。碳納米管12的前端部14側(cè)變?yōu)槁袢胩畛鋵?0的狀態(tài)。另一方面，碳納米管12的根底部18側(cè)變?yōu)閺奶畛鋵?0露出的狀態(tài)。作為填充層20的材料，例如使用熱塑性樹脂。填充層20是根據(jù)溫度在液體與固體之間可逆地進(jìn)行狀態(tài)變化的層，室溫下是固體，加熱時(shí)變化為液狀，冷卻時(shí)，產(chǎn)生粘合性且恢復(fù)為固體。作為填充層20的材料，例如，可列舉以下所示的熱熔樹脂。作為聚酰胺系熱恪樹脂，例如，可舉出Henkel Japan株式會(huì)社制的“Micromelt6239” (軟化點(diǎn)溫度:140°C )。另外，作為聚酯系熱熔樹脂，例如，可舉出NOGAWA CHEMICAL株式會(huì)社的“DH598B” (軟化點(diǎn)溫度:133°C )。另外，作為聚氨酯系熱熔樹脂，例如，可舉出N0GAWACHEMICAL株式會(huì)社制的“DH722B”。另外，作為聚烯烴系熱熔樹脂，例如，可舉出松村石油株式會(huì)社制的“EP-90”(軟化點(diǎn)溫度:148°C )。另外，作為乙烯共聚物熱熔樹脂，例如，可舉出NOGAWA CHEMICAL株式會(huì)社制的“DA574B” (軟化點(diǎn)溫度:105°C )。另外，作為SBR系熱熔樹脂，例如，可舉出橫浜橡膠株式會(huì)社制的“M-6250”(軟化點(diǎn)溫度:125°C )。另外，作為EVA系熱熔樹脂，例如，可舉出住友3M株式會(huì)社制的“3747” (軟化點(diǎn)溫度:104°C )。另外，作為丁基橡膠系熱熔樹脂，例如，可舉出橫浜橡膠株式會(huì)社制的“M-6158”。此處，作為填充層20的材料，例如，可使用Henkel Japan株式會(huì)社制的“Micromelt6239”。
[0064]填充層20的熔化溫度優(yōu)選高于安裝有散熱結(jié)構(gòu)體10的發(fā)熱體24 (圖3參照)運(yùn)行時(shí)的發(fā)熱溫度的上限值。另外，填充層20的熔化溫度優(yōu)選高于將散熱結(jié)構(gòu)體10、發(fā)熱體24和散熱體28(圖3參照)安裝于電路基板22(圖3參照)上之后，即裝配后進(jìn)行熱處理的溫度。這是由于裝配后填充層20溶解則存在散熱結(jié)構(gòu)體10變形，碳納米管12的取向性受損，甚至導(dǎo)致熱傳導(dǎo)性降低的可能。
[0065]由此，形成本實(shí)施方式中的散熱結(jié)構(gòu)體10。
[0066]因此，根據(jù)本實(shí)施方式，碳納米管12的前端部14彎曲。而且，將在碳納米管12的表面形成的覆蓋層16中的覆蓋碳納米管12的根底部18的部分的厚度設(shè)定為碳納米管12可塑性變形的厚度。因此，能夠使碳納米管12的根底部18彎曲。因此，能夠使碳納米管12的前端部14、根底部18的側(cè)面與發(fā)熱體或散熱體以線接觸的形式接觸。而且，碳納米管12彎曲的前端部14或根底部18容易追隨變形。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠抑制不與發(fā)熱體或散熱體接觸的碳納米管12的產(chǎn)生。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠提供實(shí)現(xiàn)良好的熱傳導(dǎo)性的散熱結(jié)構(gòu)體。
[0067]應(yīng)予說明，上述內(nèi)容是以碳納米管12的根底部18側(cè)為從填充層20露出的狀態(tài)的情形為例進(jìn)行說明的，但是并不局限于此。
[0068]例如，如圖2所示，碳納米管12的根底部18側(cè)能以彎曲的狀態(tài)埋入填充層20。
[0069]圖2是表示本實(shí)施方式中的散熱結(jié)構(gòu)體的其他例子的截面圖。
[0070]如圖2所示，多個(gè)碳納米管12的根底側(cè)18以彎曲的狀態(tài)埋入填充層20。碳納米管12的根底側(cè)18是在碳納米管12的表面形成覆蓋層16后將其彎曲。
[0071]因此，碳納米管12的前端部14和根底部18兩者可以以彎曲的狀態(tài)在填充層20中埋入碳納米管12。
[0072](電子裝置)
[0073]接下來，對(duì)于使用本實(shí)施方式中的散熱結(jié)構(gòu)體的電子裝置，使用圖3進(jìn)行說明。圖3是表示本實(shí)施方式中的電子裝置的截面圖。
[0074]如圖3所示，在多層配線基板等電路基板22上，安裝例如CPU等半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體芯片)24。半導(dǎo)體元件24介由焊料凸起26等與電路基板22電連接。
[0075]用于將由半導(dǎo)體元件24產(chǎn)生的熱擴(kuò)散的散熱器28以覆蓋半導(dǎo)體元件24的方式形成。在半導(dǎo)體元件24和散熱器28之間配置上述的本實(shí)施方式中的散熱結(jié)構(gòu)體10。散熱器28例如通過有機(jī)密封劑30等與電路基板22粘合。
[0076]因此，本實(shí)施方式中的電子裝置中，在半導(dǎo)體元件24和散熱器28之間，即，在發(fā)熱體(發(fā)熱部)124和散熱體(散熱部)28之間，設(shè)置本實(shí)施方式中的散熱結(jié)構(gòu)體10。
[0077]碳納米管12彎曲的前端部14的側(cè)面的一部分，例如，與散熱體28接觸。
[0078]碳納米管12彎曲的根底部18的側(cè)面的一部分，例如