體管、非晶硅薄膜晶體管、或者氧化銦鎵鋅薄膜晶體管。
[0037]具體的，所述有機涂層20作為形成于所述薄膜晶體管表面的平坦化層，以改變下層膜表面的平整性，防止電場互相干擾。
[0038]優(yōu)選的，有機涂層20的厚度為2.5 μ m。
[0039]步驟2、如圖4所示，提供光罩50，所述光罩50具有全曝光區(qū)51、位于全曝光區(qū)51外圍的數個半曝光區(qū)52、及位于全曝光區(qū)51與半曝光區(qū)52之外區(qū)域的非曝光區(qū)53。
[0040]利用所述光罩50對所述有機涂層20進行曝光、顯影，通過光罩50上的全曝光區(qū)51實現全曝光從而在所述有機涂層20上形成過孔21、通過光罩50上的半曝光區(qū)52實現半曝光從而在所述過孔21孔壁上形成數個盲孔22。
[0041]具體的，所述光罩50的半曝光區(qū)52的面積小于全曝光區(qū)51的面積。所述過孔21為上口寬下口窄，圍成所述過孔21的孔壁相對所述基板10的表面傾斜。該步驟中，非曝光區(qū)53下方的有機涂層20完全保留，半曝光區(qū)52下方的有機涂層20部分保留，全曝光區(qū)51下方的有機涂層20不保留，從而形成孔壁具有一定坡度的過孔21及過孔21孔壁上的盲孔22。
[0042]步驟3、如圖5所示，在所述有機涂層20上形成透明導電層30。
[0043]具體的，該形成透明導電層30過程中，所述透明導電層30也會在盲孔22內成膜，但盲孔22內形成透明導電層30后仍會空出大部分空間，以便容納后續(xù)步驟中的光阻。
[0044]優(yōu)選的，所述透明導電層30的材料為ΙΤ0。
[0045]步驟4、如圖6所示，在所述透明導電層30上涂覆光阻40，并對所述光阻40進行加熱，以增加所述光阻40的黏附性；之后通過一道光罩對所述光阻40進行曝光、顯影，去除位于所述過孔21底部的光阻。
[0046]具體的，由于過孔21孔壁上具有盲孔22，光阻40涂敷后，部分光阻40經加熱烘烤工藝后可能發(fā)生流動，但流動的光阻40會進入過孔21孔壁上的盲孔22，從而減少流動的光阻量，最終避免光阻加熱烘烤后流到有機涂層過孔21的底部，或者流到過孔21底部的光阻量非常少，經輕微過曝光即可將過孔21底部的光阻完全去除，從而避免過孔21內光阻殘由ο
[0047]步驟5、如圖7所示，以剩余的光阻40為遮擋，對所述透明導電層30進行蝕刻，并剝離剩余的光阻40，得到電極31，所述電極31作為液晶顯示裝置的共通電極。
[0048]具體的，采用濕法蝕刻制程對所述透明導電層30進行蝕刻。
[0049]值得一提的是，上述TFT基板結構的制作方法還可以用于OLED顯示裝置的制程中，步驟I中提供的基板10用于形成OLED顯示面板。所述步驟I中形成的有機涂層20用作絕緣覆蓋層(Over Coat，0C)，所述步驟5中形成的電極31用作OLED的陽極。
[0050]綜上所述，本發(fā)明的TFT基板結構的制作方法，利用半曝光光罩對有機涂層進行曝光、顯影，在有機涂層上形成過孔的同時，在過孔的孔壁上形成數個盲孔，增加過孔孔壁的表面積，且利用盲孔部分容納光阻，從而減薄有機涂層的過孔孔壁上的光阻厚度，從而減少光阻受熱時流動至有機涂層過孔底部的光阻量，避免光阻集聚在有機涂層過孔的底部，從而避免由此引發(fā)的電極材料殘留，進而提高顯示面板的顯示效果。
[0051]以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明后附的權利要求的保護范圍。
【主權項】
1.一種TFT基板結構的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供一基板(10)，所述基板(10)上設有薄膜晶體管；在所述基板(10)上涂布一層有機涂層(20)，所述有機涂層(20)為感旋光性材料； 步驟2、提供光罩(50)，所述光罩(50)具有全曝光區(qū)(51)、位于全曝光區(qū)(51)外圍的數個半曝光區(qū)(52)、及位于全曝光區(qū)(51)與半曝光區(qū)(52)之外區(qū)域的非曝光區(qū)(53); 利用所述光罩(50)對所述有機涂層(20)進行曝光、顯影，通過光罩(50)上的全曝光區(qū)(51)實現全曝光從而在所述有機涂層(20)上形成過孔(21)、通過光罩(50)上的半曝光區(qū)(52)實現半曝光從而在所述過孔(21)孔壁上形成數個盲孔(22); 步驟3、在所述有機涂層(20)上形成透明導電層(30); 步驟4、在所述透明導電層(30)上涂覆光阻(40)，并對所述光阻(40)進行加熱；通過一道光罩對所述光阻(40)進行曝光、顯影，去除位于所述過孔(21)底部的光阻； 步驟5、以剩余的光阻(40)為遮擋，對所述透明導電層(30)進行蝕刻，并剝離剩余的光阻(40)，得到電極(31) ο2.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管、或者氧化銦鎵鋅薄膜晶體管。3.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述步驟I中形成的有機涂層(20)為形成于所述薄膜晶體管表面的平坦化層。4.如權利要求3所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述步驟I中形成的有機涂層(20)的厚度為2.5 μ m。5.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述步驟2中的光罩(50)的半曝光區(qū)(52)的面積小于全曝光區(qū)(51)的面積。6.如權利要求3所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述步驟5中形成的電極(31)為液晶顯示裝置的共通電極。7.如權利要6所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述電極(31)的材料為ITOo8.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述步驟I中形成的有機涂層(20)為形成于所述薄膜晶體管表面的絕緣覆蓋層。9.如權利要求8所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述步驟5中形成的電極(31)為OLED顯示裝置的陽極。10.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述步驟5采用濕法蝕刻制程對所述透明導電層(30)進行蝕刻。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種TFT基板結構的制作方法，利用半曝光光罩對有機涂層進行曝光、顯影，在有機涂層上形成過孔的同時，在過孔的孔壁上形成數個盲孔，增加過孔孔壁的表面積，且利用盲孔部分容納光阻，從而減薄有機涂層過孔孔壁上的光阻厚度，減少光阻受熱時流動至有機涂層過孔底部的光阻量，避免光阻集聚在有機涂層過孔的底部，從而避免由此引發(fā)的電極材料殘留，進而提高顯示面板的顯示效果。
【IPC分類】H01L21/77, H01L21/768
【公開號】CN105097673
【申請?zhí)枴緾N201510513838
【發(fā)明人】杜海波, 虞曉江
【申請人】武漢華星光電技術有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年8月20日