一種tft陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有的薄膜晶體管（Thin Film Transistor，TFT)陣列基板，一般都是利用5mask 工藝，即五道光罩工藝制作而成的，該制作工藝流程具體包括：第一道光罩：形成圖案化的 公共電極；第二道光罩：形成圖案化的柵線和公共電極線；第三道光罩：形成圖案化的有源 層，其中，該有源層可具體包括半導(dǎo)體層和源、漏極；第四道光罩：在沉積絕緣層之后制作 貫穿該絕緣層的過孔；第五道光罩：形成圖案化的像素電極。至此，陣列基板的制作工藝流 程中所需要進行的五道光罩工藝完成，其中，每次光罩工藝所得到的圖案化的膜層的圖案 都是由預(yù)先選擇的掩膜板所決定的。
[0003] 然而，在顯示技術(shù)領(lǐng)域，基板，尤其是陣列基板的制作工藝起到舉足輕重的作用， 一般而言，制作工藝越簡單，其生產(chǎn)效率及良率都會相對較好，反之，制作工藝越復(fù)雜，其生 產(chǎn)效率及良率相對較差?？紤]到五道光罩工藝相對而言，其制作工藝流程較為繁瑣，生產(chǎn)效 率及良率都較低，因此，亟需找到一種更為簡化的陣列基板的制作工藝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明實施例提供一種TFT陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技 術(shù)中存在的由于采用五道光罩工藝制作陣列基板而導(dǎo)致制作工藝流程繁瑣的問題。
[0005] 本發(fā)明實施例采用以下技術(shù)方案：
[0006] -種TFT陣列基板的制作方法，所述方法包括：
[0007] 提供一基底；
[0008] 在所述基底之上形成第一圖案化的柵線和公共電極線；
[0009] 在形成有柵線和公共電極線的所述基底之上形成第二圖案化的柵絕緣層，其中， 位于顯示區(qū)域的柵絕緣層按照預(yù)設(shè)間隙至少形成有多個第一柵絕緣條，所述每個第一柵絕 緣條與相鄰間隙位置處的表面膜層的高度差相等且大于10000
[0010] 在位于有源區(qū)域的柵絕緣層之上形成第三圖案化的半導(dǎo)體層及源、漏極；
[0011] 在所述顯示區(qū)域形成第四圖案化的相互絕緣的第一透明電極和第二透明電極，其 中，在施加電壓時，位于所述第一柵絕緣條之上的第一透明電極與位于相鄰間隙位置處的 第二透明電極形成水平電場。
[0012] 優(yōu)選地，在形成有柵線和公共電極線的所述基底之上形成第二圖案化的柵絕緣 層，具體包括：
[0013] 沉積覆蓋整個所述基底的柵絕緣層；
[0014] 根據(jù)第二道光罩工藝，在顯示區(qū)域形成多個交替設(shè)置的第一柵絕緣條和第二柵絕 緣條，以及，在公共電極線之上形成貫穿所述柵絕緣層的過孔，其中，所述第一柵絕緣條與 所述第二柵絕緣條的高度差的取值范圍為：IQOOQ灰-12000: A。
[0015] 優(yōu)選地，在所述顯示區(qū)域形成第四圖案化的相互絕緣的第一透明電極和第二透明 電極，具體包括：
[0016] 在所述基底之上沉積透明電極層；
[0017] 根據(jù)第四道工藝，在顯示區(qū)域形成包含多個像素電極支電極的像素電極，以及包 含多個公共電極支電極的公共電極，其中，所述像素電極與所述公共電極相互絕緣，每個像 素電極支電極覆蓋相應(yīng)地第一柵絕緣條，且所述像素電極搭接在漏極，每個公共電極支電 極覆蓋相應(yīng)地第二柵絕緣條，所述公共電極通過所述過孔與所述公共電極線電連接。
[0018] 優(yōu)選地，在形成有柵線和公共電極線的所述基底之上形成第二圖案化的柵絕緣 層，具體包括：
[0019] 沉積覆蓋整個所述基底的柵絕緣層；
[0020] 利用灰度掩膜板，在顯示區(qū)域按照預(yù)設(shè)間隙僅形成有多個第一柵絕緣條，以及，在 公共電極線之上形成貫穿所述柵絕緣層的過孔，其中，所述第一柵絕緣條的高度取值范圍 為：10000 A-12000 Aa
[0021] 優(yōu)選地，在所述顯示區(qū)域形成第四圖案化的相互絕緣的第一透明電極和第二透明 電極，具體包括：
[0022] 在所述基底之上沉積透明電極層；
[0023] 根據(jù)第四道工藝，在顯示區(qū)域形成包含多個像素電極支電極的像素電極，以及包 含多個公共電極支電極的公共電極，其中，所述像素電極與所述公共電極相互絕緣，每個像 素電極支電極覆蓋相應(yīng)地第一柵絕緣條，所述像素電極搭接在漏極，每個公共電極支電極 覆蓋與所述第一絕緣條相鄰的間隙位置處的基底，所述公共電極通過所述過孔與所述公共 電極線電連接。
[0024] 優(yōu)選地，所述第一柵絕緣條為條形結(jié)構(gòu)或Z型結(jié)構(gòu)。
[0025] -種利用所述的TFT陣列基板的制作方法制作而成的陣列基板，包括：
[0026] 基底；
[0027] 位于所述基底之上的第一圖案化的柵線和公共電極線；
[0028] 位于形成有柵線和公共電極線的所述基底之上的第二圖案化的柵絕緣層，其中， 位于顯示區(qū)域的柵絕緣層至少包含多個按照預(yù)設(shè)間隙排布的第一柵絕緣條，所述每個第一 柵絕緣條與相鄰間隙位置處的表面膜層的高度差相等且大于10000蓋:；
[0029] 位于有源區(qū)域的柵絕緣層之上的第三圖案化的半導(dǎo)體層及源、漏極；
[0030] 位于所述顯示區(qū)域，第四圖案化的相互絕緣的第一透明電極和第二透明電極，其 中，在施加電壓時，位于所述第一柵絕緣條之上的第一透明電極與位于相鄰間隙位置處的 第二透明電極形成水平電場。
[0031] 優(yōu)選地，所述第二圖案化的柵絕緣層，具體包括：
[0032] 位于顯示區(qū)域的交替設(shè)置的多個第一柵絕緣條和多個第二柵絕緣條，以及，位于 所述公共電極線之上且貫穿所述柵絕緣層的過孔，其中，所述第一柵絕緣條與所述第二柵 絕緣條的高度差的取值范圍為： ]0000 A-12000 A。
[0033] 優(yōu)選地，所述第四圖案化的相互絕緣的第一透明電極和第二透明電極，具體包 括：
[0034] 位于顯示區(qū)域的包含多個像素電極支電極的像素電極，以及包含多個公共電極支 電極的公共電極，其中，所述像素電極與所述公共電極相互絕緣，每個像素電極支電極位于 相應(yīng)地第一柵絕緣條之上，且所述像素電極搭接在漏極，每個公共電極支電極位于相應(yīng)地 第二絕緣條之上，所述公共電極通過所述過孔與所述公共電極線電連接。
[0035] 優(yōu)選地，所述第二圖案化的柵絕緣層，具體包括：
[0036] 位于顯示區(qū)域的按照預(yù)設(shè)間隙排布的多個第一柵絕緣條，以及，位于所述公共 電極線之上且貫穿所述柵絕緣層的過孔，其中，所述第一柵絕緣條的高度取值范圍為： IO(X)O A-12000 A。
[0037] 優(yōu)選地，所述第四圖案化的相互絕緣的第一透明電極和第二透明電極，具體包 括：
[0038] 位于顯示區(qū)域的包含多個像素電極支電極的像素電極，以及包含多個公共電極支 電極的公共電極，其中，所述像素電極與所述公共電極相互絕緣，每個像素電極支電極位于 相應(yīng)地第一柵絕緣條之上，所述像素電極搭接在漏極，每個公共電極支電極位于與所述第 一絕緣條相鄰的間隙位置處的基底之上，所述公共電極通過所述過孔與所述公共電極線電 連接。
[0039] 優(yōu)選地，所述第一柵絕緣條為條形結(jié)構(gòu)或Z型結(jié)構(gòu)。
[0040] 一種顯示裝置，包括所述的陣列基板。
[0041] 在本發(fā)明實施例中，通過上述實施例可知，為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的五道光罩工藝 的繁瑣問題，本發(fā)明巧妙選擇在對柵絕緣層進行光罩時的灰度掩膜板，使得該次光罩工藝 可以實現(xiàn)顯示區(qū)域的柵絕緣層的特殊圖案化，即在顯示區(qū)域至少形成按照預(yù)設(shè)間隙排布的 多個第一柵絕緣條，每個第一柵絕緣條與相鄰間隙位置處的表面膜層（該表面膜層為第