降。這同樣適用于金屬膜22B ι在像面相位差像素2B上的形成位置比入射光的聚集位置低的情況。
[0139]例如，這種配線層22可以利用以下制造方法形成。首先，例如，S12膜可以利用例如CVD法在設(shè)置有臺階部20A的Si基板21上形成，然后層間絕緣膜22仏可以通過蝕刻或拋光形成。層間絕緣膜224具有與設(shè)置在圖像拾取像素2A和像面相位差像素2B之間的臺階部20A對應(yīng)的臺階，并且S1J莫在像面相位差像素2B上的高度基本上等于Si基板21的高度。
[0140]接著，例如，Al膜可以利用例如濺射法或真空蒸鍍法在層間絕緣膜224上形成，然后可以利用光刻或蝕刻進(jìn)行圖案化以形成兼用作遮光膜14的金屬膜22B"隨后，在層間絕緣膜22Α#Ρ金屬膜22B i上形成層間絕緣膜22A 2，然后利用相似的方法使金屬膜22B2形成預(yù)定形狀。最后，在層間絕緣膜22^和金屬膜22B 2上形成層間絕緣膜22A 3以完成配線層22。
[0141]需要指出的是，這里金屬膜22B#j用濺射法或真空蒸鍍法形成；然而，其方法不限于此，并且例如，金屬膜2281可以利用鍍覆法形成。圖12示出了其中金屬膜22Bjlj用鍍覆法形成的圖像傳感器IF的斷面結(jié)構(gòu)。如圖12所示，當(dāng)本實施方案中的配線層22的金屬膜SSB1利用鍍覆法形成時，金屬膜22B:在像面相位差像素2B上的厚度變得很大。
[0142]此外，說明了其中金屬膜22B具有兩層結(jié)構(gòu)的配線層22 ;然而，這不是限制性的，并且配線層22可以具有其中金屬膜22B由三層以上形成的多層配線結(jié)構(gòu)。
[0143]圖13示出了本實施方案中的圖像傳感器(圖像傳感器1G)的另一個例子。在圖像傳感器IG中，配線層22的金屬膜22B具有三層結(jié)構(gòu)22B 3)，并且覆蓋第一實施方案等中的臺階部20A的遮光膜14A和14C分別單獨(dú)由金屬膜22BJP 22B 2形成。
[0144]例如，這種配線層22可以利用以下制造方法形成。首先，例如，S12膜可以利用例如CVD法在設(shè)置有臺階部20A的Si基板21上形成，然后層間絕緣膜22仏可以通過蝕刻或拋光形成。接著，例如，Al膜可以利用例如濺射法或真空蒸鍍法在層間絕緣膜22仏上的預(yù)定位置處形成，然后可以利用光刻或蝕刻進(jìn)行圖案化以形成兼用作遮光膜14的金屬膜22B"
[0145]具體地，在與覆蓋臺階部20A的側(cè)壁20B的遮光膜14A對應(yīng)的位置、與彼此相鄰的像面相位差像素2B之間的光瞳分割用的遮光膜14B對應(yīng)的位置以及與正常遮光膜14C對應(yīng)的位置形成金屬膜22B1<3然后，在層間絕緣膜22AJP金屬膜22B:上形成層間絕緣膜22、，然后利用類似的方法使金屬膜22B#$成預(yù)定形狀。此外，形成層間絕緣膜22A 3和金屬膜22B3。最后，在層間絕緣膜22Α#Ρ金屬膜22B 2上形成層間絕緣膜22A 4以完成配線層22。
[0146]在圖13所示的圖像傳感器IG中，如上所述，第一實施方案等中的遮光膜14由設(shè)置在不同層上的金屬膜22BJP金屬膜22B2兩層形成。因此，對應(yīng)于覆蓋臺階部20A的側(cè)壁20B的遮光膜14A的金屬膜2281與兼用作設(shè)置在圖像拾取像素2A上的遮光膜14C的金屬膜22B2是不連續(xù)的。
[0147]需要指出的是，如圖11和圖12所示，當(dāng)?shù)谝粚嵤┓桨傅戎械恼诠饽?4由一層(換句話說，在同一步驟內(nèi)形成的)金屬膜22Bj$成時，臺階部20A的遮光膜14A和14C連續(xù)形成。因此，可獲得高的遮光性。另一方面，如圖13所示，當(dāng)遮光膜14由金屬膜22Bi和金屬膜22B2兩層形成時，可以容易形成配線層22的層間絕緣膜22A(22A22A 4)和金屬膜 22B (22B1、22BZ^P 22Β 3)。
[0148]另外，本實施方案中的像面相位差像素2Β的濾色片12與第一實施方案類似，可以優(yōu)選分配有綠色(G)或白色(W);然而，當(dāng)光量高的光入射到像面相位差像素2Β上時，在光電二極管23中電荷容易飽和。此時，在表面照射型的情況下，過量電荷從Si基板21的下側(cè)(從基板21側(cè))排出。因此，在與像面相位差像素2Β對應(yīng)的位置的Si基板21下部(具體地，光電二極管23的下部)可以摻雜有較高濃度的P型雜質(zhì)以升高溢出勢皇。
[0149]以這種方式，本公開可適用于表面照射型圖像傳感器，而不限于背面照射型圖像傳感器，并且即使在表面照射型的情況下，也可以獲得與上述第一實施方案等中同等的效果O
[0150]〈5.第三實施方案〉
[0151]作為第三實施方案，將其中在第一像素和第二像素之間設(shè)置有臺階部、在臺階部的側(cè)壁上設(shè)置有第一遮光部并且還設(shè)置有內(nèi)透鏡的背面照射型圖像傳感器作為例子進(jìn)行了說明。
[0152]如參照圖7Α、圖7Β、圖8Α和圖8Β所述的，例如，圖3所示的像素2可以設(shè)計成使得圖像拾取像素2Α中的入射光聚集在受光面20S附近并且像面相位差像素2Β中的入射光聚集在與光瞳分割用的遮光膜14Β相同的深度位置。因此，與圖像拾取像素2Α類似，像面相位差像素2Β也構(gòu)造成使得已通過片上透鏡11的基本上全部入射光的光束照射到光電二極管23上。
[0153]如參照圖7B和圖8B所述的，從圖7B的特性圖和圖8B的特性圖之間的比較發(fā)現(xiàn)，其中受光面20S配置在比圖像拾取像素2A深的位置的像面相位差像素2B的受光效率比圖像拾取像素2A的受光效率高，即，像面相位差像素2B的光瞳強(qiáng)度分布的特性比圖像拾取像素2A中的尖銳。換句話說，本實施方案中的圖像傳感器I的像面相位差像素2B與比較例中的圖像傳感器100的像面相位差像素102B相比在相位差檢測中變得可以生成高精度的相位差檢測用的信號。
[0154]另外，在本實施方案中，在臺階部20A的側(cè)壁20B上設(shè)置遮光膜14A抑制了由彼此相鄰的像素之間斜入射光的串?dāng)_所引起的混色。
[0155]然而，將像面相位差像素2B的受光面20S設(shè)置在比圖像拾取像素2A的受光面20S深的位置可能影響像面相位差像素2B的圖像拾取特性。再次參照圖3，像面相位差像素2B比圖像拾取像素2A的Si基板21切割量大。因此，像面相位差像素2B的光電二極管23形成為具有比圖像拾取像素2A的光電二極管23小的尺寸。
[0156]當(dāng)光電二極管23具有上述構(gòu)成時，可能會劣化像面相位差像素2B的光電二極管23的圖像拾取特性，例如，像面相位差像素2B的光電二極管23的飽和電子數(shù)可能變得比圖像拾取像素2A的光電二極管23低。
[0157]因此，如圖14所示，在像面相位差像素2B中設(shè)置有內(nèi)透鏡。圖14是示出第三實施方案中的像素2的結(jié)構(gòu)的圖。在圖14中，未示出配線層22，并且為了說明的目的以簡化的方式示出了集光部10的結(jié)構(gòu)。
[0158]圖14所示的像面相位差像素2B具有內(nèi)透鏡17。內(nèi)透鏡17設(shè)置在片上透鏡11和光電二極管23之間。此外，內(nèi)透鏡17設(shè)置在像面相位差像素2B中，并且不設(shè)置在圖像拾取像素2A中。例如，如圖5所示，當(dāng)多個像面相位差像素2B連續(xù)設(shè)置時，內(nèi)透鏡17可以由多個像面相位差像素2B共同使用。
[0159]當(dāng)如上所述設(shè)置內(nèi)透鏡17時，如圖14所示，由片上透鏡11聚集的光進(jìn)一步被內(nèi)透鏡17聚集。通過利用這種結(jié)構(gòu)，像面相位差像素2B的受光面20S與圖3所示的沒有內(nèi)透鏡17的像面相位差像素2B的受光面20S相比可以設(shè)置在上側(cè)(在片上透鏡11側(cè))。
[0160]具體地，與圖3所示的沒有內(nèi)透鏡17的像面相位差像素2B相比，變得可以減少像面相位差像素2B的Si基板21的切割量。因此，變得可以使像面相位差像素2B的光電二極管23比沒有內(nèi)透鏡17的像面相位差像素2B的光電二極管23大。
[0161]因此，可以構(gòu)成抑制由像面相位差像素2B的光電二極管的飽和電子量的減少所引起的圖像拾取特性的劣化的像面相位差像素2B。
[0162]另外，基本上，圖14所示的像面相位差像素2B具有與圖3所示的像面相位差像素2B類似的結(jié)構(gòu)，不同之處在于設(shè)置了內(nèi)透鏡17。因此，通過圖14所示的像面相位差像素2B也可以獲得由圖3所示的像面相位差像素2B獲得的效果。換句話說，例如，與圖像拾取像素2A類似，可以以將已通過片上透鏡11的基本上全部入射光的光束照射到光電二極管23上的方式構(gòu)成像面相位差像素2B，并且可以生成較高精度的相位差檢測用的信號。
[0163]圖15是示出在圖3所示的像面相位差像素2B中設(shè)置內(nèi)透鏡17的情況下像素2的結(jié)構(gòu)的圖。
[0164]在圖15所示的像面相位差像素2B中，在遮光膜14B之間(即，在與臺階部20A對應(yīng)的部分上)設(shè)置具有遮光膜14B的預(yù)定高度的絕緣膜15。順便提一下，對其中絕緣膜15設(shè)置在遮光膜14A的下側(cè)和上側(cè)的例子進(jìn)行說明。然而，例如，如圖3所示的像面相位差像素2B那樣，絕緣膜15可以設(shè)置在遮光膜14A的下側(cè)，并且平坦化膜13可以設(shè)置在遮光膜14A的上側(cè)。
[0165]如上所述，絕緣膜15的材料的例子可以包括氧化硅膜(S12)、氮化硅膜(SiN)和氮氧化硅膜(S1N)。平坦化膜13的材料的例子可以包括氧化硅膜(S12)、氮化硅膜(SiN)和氮氧化硅膜(S1N)。當(dāng)將相同材料用于絕緣膜15和平坦化膜13時，如圖15所示，由相同材料形成的膜形成在遮光膜14A的下側(cè)和上側(cè)上。
[0166]這種差別取決于制造步驟和所使用的材料。這里，首先，對其中由相同材料制成的膜形成在遮光膜14A的下側(cè)和上側(cè)上的例子進(jìn)行說明，并且依次進(jìn)行說明，所形成的膜被稱為絕緣膜15。
[0167]順便提一下，在這種情況下，在功能上，在遮光膜14A的下側(cè)的膜具有防止在加工遮光膜14時損壞Si基板21的功能，并且在上側(cè)的膜具有使受光部20的受光面20S和內(nèi)透鏡17的下表面平坦化的功能。
[0168]在絕緣膜14B之間形成的絕緣膜15上形成內(nèi)透鏡17。內(nèi)透鏡17的材料的例子可以包括氮化硅膜(SiN)。此外，例如，內(nèi)透鏡17的材料的例子可以包括硅氧烷系樹脂(折射率1.7)和諸如聚酰亞胺等高折射率樹脂。此外，上述樹脂可以含有例如氧化鈦、氧化鉭、氧化鈮、氧化鎢、氧化鋯、氧化鋅、氧化銦和氧化鉿的金屬氧化物微粒以提高折射率。
[0169]在內(nèi)透鏡17上形成濾色片12。以這種方式，在圖15所示的像面相位差像素2B中，在內(nèi)透鏡17上形成濾色片12 ;然而，如圖16所示，可以在內(nèi)透鏡17上設(shè)置平坦化有機(jī)膜18，并且可以在平坦化有機(jī)膜18上形成濾色片12。
[0170]在圖16所示的像面相位差像素2B中，在內(nèi)透鏡17和濾色片12之間形成平坦化有機(jī)膜18。如圖16所示的像面相位差像素2B那樣，可以在濾色片12的下面設(shè)置平坦化有機(jī)膜18，或可以如圖15所示的像面相位差像素2B那樣，在濾色片12下面直接設(shè)置內(nèi)透鏡17而不設(shè)置平坦化有機(jī)膜18。
[0171]此外，內(nèi)透鏡17可以不具有圖15和圖16所示的曲面形狀(向上凸的結(jié)構(gòu)