,真空度可以為lXl(T5Pa~ 1Xl(T3Pa,蒸發(fā)速度可以為0.lnm/s~lnm/s??昭▊鬏攲拥牟牧峡梢詾镹,N' -二苯 基,州'-二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺(咿8)、4,4',4''-三(^3-甲基苯基4-苯 基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N' -二苯基-N,N' -二(3-甲基苯基)-1,1' -聯(lián)苯-4, 4' -二 胺(TPD)或N,N,N',N'-四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-Tro)??昭▊鬏攲拥暮穸瓤?以為20nm~60nm。
[0068] 采用真空蒸鍍法在空穴傳輸層上形成發(fā)光層時(shí),真空度可以為lXl(T5Pa~ IXl(T3Pa,蒸發(fā)速度可以為0. 01nm/s~lnm/s。發(fā)光層的材料為發(fā)光材料和主體材料的混 合物。發(fā)光材料和主體材料的質(zhì)量比可以為5:100~30:100。發(fā)光材料可以為熒光材料或 者磷光材料。熒光材料選自4-(二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1,1,7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙 烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、5,6, 11,12-四苯基萘并萘(Rubrene)、 2, 3, 6, 7-四氫-1,1,7, 7-四甲基-1H,5H,11H-10_(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9, 9A,1GH] 香豆素(C545T)、4, 4'-二(2, 2-二苯乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯(DPVBi)、4, 4'-雙[4-(二對(duì)甲 苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯0>PAVBi)和4,4'_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián) 苯(BCzVBi)中的至少一種。磷光材料選自雙(4,6-二氟苯基吡啶4,02)吡啶甲酰合銥 (FIrpic)、雙(4, 6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、雙(4, 6-二氟-5-氰 基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合銥(FCNIrpic)、二(2',4'-二氟苯基)吡啶](四唑吡 啶)合銥(FIrN4)、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))、 二(1-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir(piq)2(acac))、乙酰丙酮酸二(2-苯基批陡) 銥(Ir(ppy)2(acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir(piq)3)和三(2-苯基批陡)合銥 (11'&口7)3)中的至少一種。主體材料選自4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯(08?)、8_羥基喹啉鋁 (八193)、1,3,5-三(1-苯基-111-苯并咪唑-2-基)苯〇1^1)和1^-二苯基,州'-二 (卜萘基)-1,1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺(NPB)中的至少一種。發(fā)光層的厚度可以為5nm~30nm。 [0069] 采用真空蒸鍍法在發(fā)光層上形成電子傳輸層時(shí),真空度可以為lXl(T5Pa~ lXl(T3Pa,蒸發(fā)速度可以為0.lnm/s~lnm/s。電子傳輸層的材料為電子傳輸材料。電子 傳輸層146的材料選自8-羥基喹啉鋁(Alq3)、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、1,3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)和2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲 (BCP)中的至少一種。電子傳輸層的厚度可以為20nm~40nm。
[0070] S150、采用真空蒸鍍法在發(fā)光單元上形成陰極層。
[0071] 采用真空蒸鍍法在發(fā)光單元上形成陰極層時(shí),真空度可以為IXl(T5Pa~ 1Xl(T3Pa,蒸發(fā)速度可以為0. 0lnm/s~lnm/s。
[0072] 陰極層150的材料可以為銀(Ag)或鋁(A1)。陰極層150的厚度可以為70nm~ 200nm。
[0073] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,制備工藝簡(jiǎn)單,容易操作,制備得到的有機(jī)電 致發(fā)光器件的光提取效率高。
[0074] 下面為具體實(shí)施例部分。
[0075] 實(shí)施例1
[0076] 提供厚度為0. 1mm的PET基板,并清洗干凈。
[0077] 將質(zhì)量比10:100的PbS與環(huán)氧樹(shù)脂混合。PbS的粒徑為5nm。然后超聲波震蕩分 散1小時(shí),得到混合物。然后采用絲網(wǎng)印刷技術(shù),絲網(wǎng)目數(shù)為1000目,將上述混合物印刷在 柔性基板表面,形成厚度為20ym的薄膜。然后采用光固化方法,將上述薄膜固化,形成光 匹配層。
[0078] 采用真空熱阻蒸鍍法在光匹配層上形成第一介質(zhì)層。第一介質(zhì)層的材料為W03,厚 度為40nm。采用真空熱阻蒸鍍法在第一介質(zhì)層上形成金屬層。金屬層的材料為Ag,厚度為 18nm。采用真空熱阻蒸鍍法在金屬層上形成第二介質(zhì)層。第二介質(zhì)層的材料為W03,厚度為 40nm。依次層疊的第一介質(zhì)層、金屬層和第二介質(zhì)層一起構(gòu)成陽(yáng)極層。真空熱阻蒸鍍形成 第一介質(zhì)層、金屬層和第二介質(zhì)層均在真空度為1Xl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中進(jìn)行,蒸發(fā)速 度均為0.lnm/s。
[0079] 在真空度為1Xl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中,采用真空蒸鍍法,以0.lnm/s的蒸發(fā)速 度在第二介質(zhì)層上形成空穴傳輸層??昭▊鬏攲拥牟牧蠟門(mén)PD,厚度為20nm。
[0080] 在真空度為IXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中,采用真空蒸鍍法,在空穴傳輸層上形成 發(fā)光層。發(fā)光層的材料為摻雜有Ir(piq)2(acac)的NPB,其中,Ir(piq)2(acac)與NPB的質(zhì) 量比為10:100。發(fā)光層的厚度為20nm。Ir(piq)2(acaC)的蒸發(fā)速度為0.lnm/s,NPB的蒸 發(fā)速度為lnm/s。
[0081] 在真空度為IXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中,采用真空蒸鍍法,以0.lnm/s的蒸發(fā)速 度,在發(fā)光層上形成電子傳輸層。電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為20nm。
[0082] 在真空度為1Xl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中,采用真空蒸鍍法,以0.lnm/s的蒸發(fā)速 度,在電子傳輸層上形成陰極。陰極的材料為A1,厚度為70nm。得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0083] 實(shí)施例2
[0084] 提供厚度為0? 5mm的PES基板,并清洗干凈。
[0085] 將質(zhì)量比為20:100的ZnS與聚丙烯酸脂混合。ZnS的粒徑為25nm。然后超聲波 震蕩分散5小時(shí),得到混合物。然后采用絲網(wǎng)印刷技術(shù),絲網(wǎng)目數(shù)為600目,將上述混合物 印刷在柔性基板表面,形成厚度為100Um的薄膜。然后采用光固化方法,將上述薄膜固化, 形成光匹配層。
[0086] 采用真空熱阻蒸鍍法在光匹配層上形成第一介質(zhì)層。第一介質(zhì)層的材料為M〇03 層,厚度為80nm。采用真空熱阻蒸鍍法在第一介質(zhì)層上形成金屬層。金屬層的材料為A1, 厚度為30nm。采用真空熱阻蒸鍍法在金屬層上形成第二介質(zhì)層。第二介質(zhì)層的材料為M〇03 層,厚度為80nm。依次層疊的第一介質(zhì)層、金屬層和第二介質(zhì)層一起構(gòu)成陽(yáng)極層。真空熱阻 蒸鍍形成第一介質(zhì)層、金屬層和第二介質(zhì)層均在真空度為IXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中進(jìn) 行,蒸發(fā)速度均為lnm/s。
[0087] 在真空度為IXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中,采用真空蒸鍍法,以lnm/s的蒸發(fā)速度 在第二介質(zhì)層上形成空穴傳輸層??昭▊鬏攲拥牟牧蠟镹PB,厚度為60nm。
[0088] 在真空度為IXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中,采用真空蒸鍍法,在空穴傳輸層上形成 發(fā)光層。發(fā)光層的厚度為5nm。發(fā)光層的材料為C545T和Alq3的混合物,C545T與Alq3的 質(zhì)量比為5:100。C545T的蒸發(fā)速度為0. 05nm/s,Alq3的蒸發(fā)速度為0. 2nm/s。
[0089] 在真空度為lXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中,采用真空蒸鍍法,以lnm/s的蒸發(fā)速度, 在發(fā)光層上形成電子傳輸層。電子傳輸層的材料為T(mén)PBi,厚度為40nm。
[0090] 在真空度為lXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中,采用真空蒸鍍法,以lnm/s的蒸發(fā)速度, 在電子傳輸層上形成陰極。陰極的材料為Ag,厚度為200nm。得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0091] 實(shí)施例3
[0092] 提供厚度為0. 2mm的PI基板,并清洗干凈。
[0093] 將質(zhì)量比為30:100的Ti02與聚丙烯酸脂混合,Ti02的粒徑為15nm,然后超聲波震 蕩分散2小時(shí),得到混合物。然后采用絲網(wǎng)印刷技術(shù),絲網(wǎng)目數(shù)為800目,將上述混合物印 刷在柔性基板表面,形成厚度為50ym的薄膜。然后采用光固化方法,將上述薄膜固化,形 成光匹配層。
[0094] 采用真空熱阻蒸鍍法在光匹配層上形成第一介質(zhì)層。第一介質(zhì)層的材料為Re03 層,厚度為60nm。采用真空熱阻蒸鍍法在第一介質(zhì)層上形成金屬層。金屬層的材料為Au,厚 度