有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方 法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光器件（OrganicLightEmissionDiode, 0LED)具有亮度高、材料選 擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光等特性，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速度快 等優(yōu)勢(shì)，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā)展趨 勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國(guó)內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
[0003] 柔性0LED發(fā)光器件具有撓曲性和輕便性的優(yōu)點(diǎn)。但是傳統(tǒng)的0LED發(fā)光裝置也存 在一些問(wèn)題，例如，0LED通常采用氧化銦錫（IndiumTinOxides，IT0)薄膜作為陽(yáng)極，但是 IT0需要采用稀有金屬銦，價(jià)格較為昂貴，并且其通常需要采用較高的濺射溫度才能制備出 高導(dǎo)電性的薄膜，對(duì)于柔性器件而言，這是不利的。目前，為了取代IT0薄膜，許多研究者開(kāi) 發(fā)了介質(zhì)/金屬/介質(zhì)形態(tài)（DMD結(jié)構(gòu)）的陽(yáng)極，例如，W03/Ag/W03結(jié)構(gòu)。這類(lèi)陽(yáng)極可以采用 蒸發(fā)工藝制備成膜，因此適用于制備柔性電極。
[0004] 柔性0LED發(fā)光器件中，光從陽(yáng)極層向柔性基板方向傳輸時(shí)，由于折射率差異，會(huì) 產(chǎn)生全反射現(xiàn)象。而全反射臨界角的大小與折射率差值成反比。由于傳統(tǒng)的柔性0LED發(fā) 光器件中，陽(yáng)極的W03的折射率一般在1. 95,而基板的柔性PET薄膜的折射率一般在1. 6左 右。因此，陽(yáng)極和基板之間的折射率相差較大，全反射臨界角較小。光從陽(yáng)極向基板傳輸時(shí)， 在陽(yáng)極與基板的界面容易產(chǎn)生全反射，光輸出較少，從而使光提取效率較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 基于此，有必要提供一種光提取效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0006] -種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的柔性基板、光匹配層、陽(yáng)極層、發(fā)光單元 和陰極層，所述發(fā)光單元包括依次層疊在所述陽(yáng)極層上的空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸 層，所述光匹配層的材料為質(zhì)量比為10~30:100的無(wú)機(jī)納米顆粒和光固化粘結(jié)劑的混合 物，所述光固化粘結(jié)劑的折射率大于1. 6,所述光固化粘結(jié)劑為環(huán)氧樹(shù)脂或聚丙烯酸酯，所 述無(wú)機(jī)納米顆粒在550nm處的折射率大于2. 4。
[0007] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述光匹配層的厚度為20iim~100iim。
[0008] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述無(wú)機(jī)納米顆粒為硫化鉛顆粒、硫化鋅顆?；蚨趸?顆粒。
[0009] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述無(wú)機(jī)納米顆粒的粒徑為5nm~25nm。
[0010] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述陽(yáng)極層包括依次層疊的第一介質(zhì)層、金屬層和第二介 質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層與所述光匹配層直接接觸；
[0011] 所述第一介質(zhì)層的材料為三氧化鎢、三氧化鑰或硫化鋅，所述第一介質(zhì)層的厚度 為 40nm~80nm;
[0012] 所述金屬層的材料為銀、鎂、鋁或金，所述金屬層的厚度為15nm~30nm;
[0013] 所述第二介質(zhì)層的材料為三氧化鎢、三氧化鑰或硫化鋅，所述第二介質(zhì)層的厚度 為 40nm~80nm。
[0014] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0015] 提供柔性基板；
[0016] 采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)將光固化粘結(jié)劑和無(wú)機(jī)納米顆粒的混合物印刷在所述柔性基 板上，接著將所述混合物光固化形成光匹配層，所述混合物中所述無(wú)機(jī)納米顆粒和所述光 固化粘結(jié)劑的質(zhì)量比為10~30:100,所述光固化粘結(jié)劑的折射率大于1. 6,所述光固化粘 結(jié)劑為環(huán)氧樹(shù)脂或聚丙烯酸酯，所述無(wú)機(jī)納米顆粒在550nm處的折射率大于2. 4;
[0017] 采用真空熱阻蒸鍍法在所述光匹配層上形成陽(yáng)極層；
[0018] 采用真空蒸鍍法在所述陽(yáng)極層上形成發(fā)光單元，所述發(fā)光單元包括依次層疊在所 述陽(yáng)極層上的空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層；以及
[0019] 采用真空蒸鍍法在所述發(fā)光單元上形成陰極層。
[0020] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)將光固化粘結(jié)劑和無(wú)機(jī)納米顆粒的 混合物印刷在所述柔性基板上的步驟中，采用的絲網(wǎng)為600目~1000目的絲網(wǎng)。
[0021] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述光固化粘結(jié)劑和無(wú)機(jī)納米顆粒的混合物通過(guò)如下步驟 制備，將所述光固化粘結(jié)劑和所述無(wú)機(jī)納米顆粒混合，超聲分散1小時(shí)~5小時(shí)，混合均勻 后得到所述光固化粘結(jié)劑和無(wú)機(jī)納米顆粒的混合物。
[0022] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，采用真空熱阻蒸鍍法在所述光匹配層上形成陽(yáng)極層的步驟 中，真空度為1X10_5Pa~1X10_3Pa，蒸發(fā)速度為0.lnm/s~lnm/s;
[0023] 采用真空蒸鍍法在所述發(fā)光單元上形成陰極層的步驟中，真空度為IXl(T5Pa~ 1X10 3Pa，蒸發(fā)速度為 0? 01nm/s~lnm/s。
[0024] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述采用真空熱阻蒸鍍法在所述光匹配層上形成陽(yáng)極層的 操作為，采用真空熱阻蒸鍍法在所述光匹配層上形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層的材料 為三氧化鎢、三氧化鑰或硫化鋅，所述第一介質(zhì)層的厚度為40nm~80nm，采用真空熱阻蒸 鍍法在所述第一介質(zhì)層上形成金屬層，所述金屬層的材料為銀、鎂、鋁或金，所述金屬層的 厚度為15nm~30nm，采用真空熱阻蒸鍍法在所述金屬層上形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì) 層的材料為三氧化鎢、三氧化鑰或硫化鋅，所述第二介質(zhì)層的厚度為40nm~80nm，所述第 一介質(zhì)層、所述金屬層和所述第二介質(zhì)層一起構(gòu)成所述陽(yáng)極層。
[0025] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件，光匹配層采用高折射率的無(wú)機(jī)納米顆粒和光固化粘結(jié)劑 的混合物。無(wú)機(jī)納米顆粒在550nm處的折射率高于2. 4。光固化粘結(jié)劑的折射率大于1.6。 光固化粘結(jié)劑中加入高折射率的無(wú)機(jī)納米顆粒后，光匹配層的折射率可達(dá)到1. 7~1. 8。通 過(guò)在柔性基板和陽(yáng)極層之間設(shè)置光匹配層，可以減少相鄰兩層結(jié)構(gòu)之間的折射率差異，從 而增大全反射臨界角，增加光輸出，提高光提取效率。
【附圖說(shuō)明】
[0026] 圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0028] 圖3為實(shí)施例1和對(duì)比例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度-電流密度特性曲線 圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明 的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā) 明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不 違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。
[0030] 請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100,包括依次層疊的柔性基板110、 光匹配層120、陽(yáng)極層130、發(fā)光單元140和陰極層150。
[0031] 柔性基板110可以為聚合物透明薄膜。例如，柔性基板110可以為聚對(duì)苯二甲酸 乙二醇酯（polyethyleneterephthalate，PET)薄膜、聚醚諷樹(shù)脂（Poly(ethersulfones)， PES)薄膜、聚碳酸酯（Polycarbonate,PC)薄膜或聚酰亞胺（Polyimide，PI)薄膜等。柔性 基板110的厚度可以為0? 1謹(jǐn)~0? 5謹(jǐn)。
[0032] 光匹配層120的材料為質(zhì)量比為10~30:100的無(wú)機(jī)納米顆粒和光固化粘結(jié)劑的 混合物。
[0033] 光固化粘結(jié)劑的折射率大于1. 6,光固化粘結(jié)劑可以為環(huán)氧樹(shù)脂或聚丙烯酸酯。
[0034] 無(wú)機(jī)納米顆粒在550nm處的折射率大于2. 4。無(wú)機(jī)納米顆粒可以為硫化鉛（PbS)顆 粒、硫化鋅（ZnS)顆粒或二氧化鈦（Ti02)顆粒等。無(wú)機(jī)納米顆粒的粒徑可以為5nm~25nm。
[0035] 光匹配層120的厚度可以為20iim~100iim。
[0036] 陽(yáng)極層130包括依次層疊的第一介質(zhì)層132、金屬層134和第二介質(zhì)層136。第一 介質(zhì)層132與光匹配層120直接接觸。為了方便說(shuō)明，下文中，陽(yáng)極層130用第一介質(zhì)層 132/金屬層134/第二介質(zhì)層136表不。
[0037] 第一介質(zhì)層132的材料可以為三氧化鎢（W03)、三氧化鑰（M〇03)或硫化鋅（ZnS)。 當(dāng)然，第一介質(zhì)層132的材料也可以為其它具有空穴注入性能，且透光性好的材料。第一介 質(zhì)層132的厚度可以為40nm~80nm。