柔性有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領(lǐng)域，尤其涉及一種柔性有機電致發(fā)光器件及其制備方 法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光器件（OrganicLightEmissionDiode, 0LED)，具有亮度高、材料選 擇范圍寬、驅(qū)動電壓低、全固化主動發(fā)光等特性，同時擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速度快 等優(yōu)勢，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時代移動通信和信息顯示的發(fā)展趨 勢，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點。
[0003] 柔性有機電致發(fā)光器件具有撓曲性和輕便性等有點。不銹鋼薄片也可以作為柔性 有機電致發(fā)光器件的襯底材料，其具有耐熱性能好，強度高的優(yōu)點，并且來源廣泛，價格低 廉等特點，但是不銹鋼薄片通常表明粗糙度較大，通常其表面粗糙度Ra可以達到0. 6ym以 上，如果不經(jīng)過處理，無法應(yīng)用于柔性有機電致發(fā)光器件。一般通過在不銹鋼薄片的表面鍍 上一層無機物薄膜，以降低不銹鋼薄片的表面粗糙度。傳統(tǒng)的無機物薄膜的厚度在5ym以 上，由于無機物薄膜過厚，從而使不銹鋼薄片在進行撓曲操作時，無機物薄膜會產(chǎn)生裂痕， 從而破壞薄膜完整性，產(chǎn)生針孔和缺陷，并且發(fā)生與不銹鋼襯底脫落的現(xiàn)象，使整個柔性有 機電致發(fā)光器件被破壞，影響柔性有機電致發(fā)光器件的發(fā)光穩(wěn)定性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 基于此，有必要提供一種發(fā)光穩(wěn)定性較好的柔性有機電致發(fā)光器件及其制備方 法。
[0005] -種柔性有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的柔性基底、緩沖層、陽極、有機電致 發(fā)光單元、陰極和封裝層，所述封裝層和所述柔性基底之間形成密閉空間，所述陽極、所述 有機電致發(fā)光單元和所述陰極均容置在所述封閉空間內(nèi)，所述有機電致發(fā)光單元包括依次 層疊的空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層，所述空穴傳輸層層疊設(shè)置在所述陽極上；
[0006] 所述緩沖層為交替層疊3次~5次的有機緩沖薄膜和無機緩沖薄膜，所述有機緩 沖薄膜的材料為酞菁銅、酞菁鋅或酞菁鉬，所述無機緩沖薄膜的材料為二氧化硅或氧化鋁。
[0007] 在一個實施例中，所述有機緩沖薄膜的厚度為100nm~200nm，所述無機緩沖薄膜 的厚度為l〇〇nm~200nm。
[0008] 在一個實施例中，所述柔性基底與一個所述有機緩沖薄膜直接接觸。
[0009] 在一個實施例中，所述封裝層為交替層疊3次~5次的有機封裝薄膜和無機封裝 薄膜，所述有機封裝薄膜的材料為酞菁銅、酞菁鋅或酞菁鉬，所述無機封裝薄膜的材料為二 氧化硅或氧化鋁。
[0010] 在一個實施例中，所述有機封裝薄膜的厚度為l〇〇nm~300nm，所述無機封裝薄膜 的厚度為l〇〇nm~200nm。
[0011] 在一個實施例中，所述陰極與一個所述有機封裝薄膜直接接觸。
[0012] 在一個實施例中，所述柔性基底為厚度為0.05mm~2mm的、表面粗糙度小于 0. 6ym的不銹鋼薄片。
[0013] 在一個實施例中，所述空穴傳輸層的材料為N，N'-二苯基-N，N'_二（1-萘 基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺或4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺，所述 空穴傳輸層的厚度為20nm~60nm;
[0014] 所述發(fā)光層的材料為5, 6, 11，12-四苯基萘并萘或4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯 基）-1，1' -聯(lián)苯，所述發(fā)光層的厚度為5nm~30nm;
[0015] 所述電子傳輸層的材料為8-羥基喹啉鋁或4, 7-二苯基-鄰菲咯啉，所述電子傳 輸層的厚度為20nm~40nm。
[0016] 在一個實施例中，所述陽極的材料為Ag、Au或A1，所述陽極的厚度為70nm~ 200nm；
[0017] 所述陰極的材料為Ag或A1，所述陰極的厚度為20nm~30nm。
[0018] 一種上述的柔性有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0019] 提供清洗干凈的柔性基底；
[0020] 在清洗干凈的所述柔性基底上制備緩沖層，所述緩沖層為交替層疊3次~5次的 有機緩沖薄膜和無機緩沖薄膜，所述有機緩沖薄膜通過熱阻蒸發(fā)工藝制備，所述有機緩沖 薄膜的材料為酞菁銅、酞菁鋅或酞菁鉬，所述無機緩沖薄膜通過電子束蒸發(fā)制備，所述無機 緩沖薄膜的材料為二氧化硅或氧化鋁；
[0021] 在所述緩沖層依次蒸鍍形成陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，所述 空穴傳輸層、所述發(fā)光層和所述電子傳輸層組成有機電致發(fā)光單元；以及
[0022] 在所述陰極上制備封裝層，得到所述柔性有機電致發(fā)光器件，所述封裝層和所述 柔性基底之間形成密閉空間，所述陽極、所述有機電致發(fā)光單元和所述陰極容置在所述封 閉空間內(nèi)。
[0023] 上述柔性有機電致發(fā)光器件，通過交替層疊3次~5次的有機緩沖薄膜和無機緩 沖薄膜形成緩沖層，有機緩沖薄膜減少了柔性基底和無機緩沖薄膜內(nèi)部在進行彎曲操作時 的內(nèi)應(yīng)力，提高緩沖層的整體的韌性，在進行撓曲操作時，緩沖層不易從柔性基底上脫落， 相對于傳統(tǒng)的柔性有機電致發(fā)光器件，這種柔性有機電致發(fā)光器件的發(fā)光穩(wěn)定性較好。
【附圖說明】
[0024] 圖1為一實施方式的柔性有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025] 圖2為如圖1所示的柔性有機電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0026] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明 的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā) 明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不 違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0027] 如圖1所示的一實施方式的柔性有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu)： 柔性基底10、緩沖層20、陽極30、有機電致發(fā)光單元40、陰極50和封裝層60。
[0028] 封裝層60和柔性基底10之間形成密閉空間，陽極30、有機電致發(fā)光單元40和陰 極50均被容置在封閉空間內(nèi)。
[0029] 結(jié)合圖1，本實施方式中，緩沖層20也被容置在封閉空間內(nèi)。
[0030] 柔性基底10可以為不銹鋼薄片，厚度為0.05mm~0.2mm，表面粗糙度（Ra)小于 0? 6um。
[0031] 緩沖層20可以為交替層疊3次~5次的有機緩沖薄膜和無機緩沖薄膜。
[0032]有機緩沖薄膜的材料為酞菁銅（CuPc)，酞菁鋅（ZnPc)或酞菁鉬（PtPc)，無機緩沖 薄膜的材料為二氧化硅或氧化鋁。
[0033] 傳統(tǒng)的柔性有機電致發(fā)光器件以無機物薄膜來降低不銹鋼薄片表面粗糙度，然而 由于無機材料薄膜的韌性很差，傳統(tǒng)的柔性有機電致發(fā)光器件在進行撓曲操作時，容易發(fā) 生無機物薄膜脫落的現(xiàn)象。
[0034] 上述柔性有機電致發(fā)光器件，通過交替層疊3次~5次的有機緩沖薄膜和無機緩 沖薄膜形成緩沖層20,有機緩沖薄膜減少了柔性基底10和無機緩沖薄膜內(nèi)部在進行彎曲 操作時的內(nèi)應(yīng)力，提高緩沖層20的整體的韌性，在進行撓曲操作時，緩沖層30不易從柔性 基底10上脫落，保證了柔性有機電致發(fā)光器件的發(fā)光穩(wěn)定性。
[0035] 有機緩沖薄膜的材料為CuPc、ZnPc或PtPc，這類材料具有較好的成膜性，形成的 薄膜致密度高，因而阻擋性能好，并且其熱穩(wěn)定性較好。
[0036] 有機緩沖薄膜的厚度為100nm~200