lCu1(l、Ni7QCu3(l、Ni5(lCu5(l)構(gòu)成的金屬層或者合金層（派射電極層）的試料，并提供給高 溫高濕負(fù)荷試驗(yàn)（可靠性試驗(yàn)）。
[0118] 此外，在該高溫高濕負(fù)荷試驗(yàn)中，提供給試驗(yàn)的試料也都是按照覆蓋具備端面外 部電極和側(cè)面外部電極的外部電極的表面整體的方式，通過(guò)電鍍（濕式電鍍）來(lái)形成Cu鍍 膜的試料。
[0119] (2-1)高溫高濕負(fù)荷試驗(yàn)的試驗(yàn)方法
[0120]針對(duì)各個(gè)試料，在溫度125°C、95%RH、電壓1/2WV(3. 2V)、時(shí)間72hr、各個(gè)試料的 樣本數(shù)（n) = 10的條件下，實(shí)施了高溫高濕負(fù)荷試驗(yàn)。
[0121] 然后，將試驗(yàn)結(jié)束時(shí)的IR值從剛剛開始后的IR值降低了 2級(jí)以上的試料判斷為 可靠性不良（X)。
[0122] 表4以及5中表示其結(jié)果。
[0123] 【表4】
[0124]

[0127] 另外，表4以及5中表示金屬以及合金的氫的溶解熱的值。其中，表5的合金 (Ni9(lCu1(l，Ni7(lCu3(l，Ni5(lCu5CI)的氫的溶解熱的值是使用構(gòu)成合金的金屬（Ni以及Cu)的氫的 溶解熱的值，根據(jù)Ni與Cu的mol比而計(jì)算出的。另外，由于Ni和Cu是形成完全固溶體的 金屬，因此認(rèn)為使用構(gòu)成合金的金屬（Ni以及Cu)的氫的溶解熱的值，根據(jù)Ni與Cu的mol 比來(lái)計(jì)算出的氫的溶解熱的值為大體可靠的值。
[0128] (2-2)評(píng)價(jià)
[0129] 如表4所示，認(rèn)為將？(1、附、(：11、41以及4§這合計(jì)5種金屬中氫的溶解熱為-101^/ molH的Pd的濺射膜、氫的溶解熱為16kJ/molH的Ni的濺射膜分別形成為側(cè)面外部電極的 最外層（濺射最外電極層）的試料在高溫高濕負(fù)荷試驗(yàn)中產(chǎn)生不良，可知并不優(yōu)選。
[0130] 與此相對(duì)地，不認(rèn)為將氫的溶解熱為42kJ/molH以上的金屬即Cu、Al以及Ag的濺 射膜形成為側(cè)面外部電極的最外層（濺射最外電極層）的試料在高溫高濕負(fù)荷試驗(yàn)中產(chǎn)生 不良，確認(rèn)是可靠性高的試料。
[0131] 此外，如表5所示，認(rèn)為將NiCu合金（Ni9QCu1Q、Ni7QCu3Q、Ni5QCu5Q)中氫的溶解熱為 18. 6kJ/molH的Ni9(lCu1(l的濺射膜形成為側(cè)面外部電極的最外層的試料在高溫高濕負(fù)荷試 驗(yàn)中產(chǎn)生不良，可知并不優(yōu)選。
[0132] 與此相對(duì)地，不認(rèn)為將氫的溶解熱為23. 8kJ/molH的合金即Ni70Cu30、以及氫的 溶解熱為29.OkJ/molH的合金即Ni5(lCu5(l的派射膜形成為側(cè)面外部電極的最外層的試料在 高溫高濕負(fù)荷試驗(yàn)中產(chǎn)生不良，確認(rèn)是優(yōu)選的。
[0133] 另外，在表5中一并表示通過(guò)ULV-SEM/EDX分析來(lái)調(diào)查出的使用Ni與Cu的合金 而形成的濺射膜中的Cu的比例（mol% )的值。
[0134] 另外，ULV-SEM/EDX分析是通過(guò)以下說(shuō)明的方法來(lái)進(jìn)行的。
[0135] 首先，在通過(guò)FIB對(duì)構(gòu)成側(cè)面外部電極的最外層的電極膜（濺射膜）的表面進(jìn)行 了 5°加工之后，在下面的條件下，進(jìn)行基于ULV-SEM/EDX的Cu的測(cè)定（分析）。
[0136] 加速電壓 ：4kV
[0137] 傾斜角 ：0°
[0138] 測(cè)定點(diǎn)數(shù) ：60點(diǎn)
[0139] 每1點(diǎn)的測(cè)定時(shí)間 ：20sec
[0140] 在進(jìn)行基于ULV-SEM/EDX的測(cè)定時(shí)，通過(guò)ULV-SEM/EDX，以隔著大約0. 1 y m間隔的 60個(gè)點(diǎn)，各自5~6ym寬，對(duì)將構(gòu)成側(cè)面外部電極的最外層的電極膜（濺射膜）的中央?yún)^(qū) 域進(jìn)行測(cè)定，將得到的值的平均值設(shè)為定量值。
[0141] 另外，表5中一并表示將用于濺射膜的形成的合金Ni9QCu1Q、Ni7QCu3Q以及Ni5QCu5Q 中的Cu的比例換算為mo1 %后的值。
[0142] 在本發(fā)明中，作為構(gòu)成側(cè)面外部電極的最外層的電極膜，由于使用氫的溶解熱為 23.8kJ/molH以上的不容易溶解氫的金屬以及合金（例如，&1、41、八§、包含這些的合金等）， 因此例如能夠確保對(duì)外部電極實(shí)施電鍍時(shí)的耐電鍍液性、對(duì)電鍍工序中產(chǎn)生的氫的耐性。
[0143] 作為對(duì)構(gòu)成最外層的電極進(jìn)行構(gòu)成的金屬，若選定容易溶解氫的金屬，例如金屬 Ni單體，則氫擴(kuò)散到Ni中，氫擴(kuò)散到陶瓷層疊體的內(nèi)部，并達(dá)到內(nèi)部電極。然后，若氫達(dá)到 內(nèi)部電極，則通過(guò)氫的擴(kuò)散導(dǎo)致內(nèi)部電極膨脹，導(dǎo)致向陶瓷的裂縫的產(chǎn)生、IR惡化、可靠性 試驗(yàn)中的絕緣電阻降低，因此并不優(yōu)選。
[0144] 另外，在上述實(shí)施方式中，以層疊陶瓷電子部件是被用于埋入安裝在陶瓷基板的 內(nèi)部的薄型的層疊陶瓷電容器的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不僅限于上述那樣的薄 型的層疊陶瓷電容器，也能夠適用于通常的表面安裝型的層疊陶瓷電容器。
[0145] 此外，本發(fā)明并不僅限于層疊陶瓷電容器，也能夠適用于其他層疊陶瓷電子部件， 例如也能夠適用于層疊電感器、層疊LC復(fù)合元件、陶瓷多層基板等。
[0146] 本發(fā)明在其他方面也并不被限定于上述實(shí)施方式，關(guān)于構(gòu)成外部電極的端面外部 電極以及側(cè)面外部電極的厚度、構(gòu)成材料、構(gòu)成側(cè)面外部電極的與陶瓷層疊體相接的層以 及最外層的厚度、構(gòu)成材料的組合、按照覆蓋端面外部電極以及側(cè)面外部電極的方式而形 成的鍍膜的有無(wú)、設(shè)置鍍膜的情況下的鍍膜的構(gòu)成材料等，在發(fā)明的范圍內(nèi)，能夠添加各種 應(yīng)用、變形。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種層疊陶瓷電子部件，其具有如下結(jié)構(gòu)： 在具備將陶瓷層層疊而成的陶瓷層疊體、和配設(shè)在其內(nèi)部的內(nèi)部電極的陶瓷層疊體的 表面，按照與所述內(nèi)部電極導(dǎo)通的方式配設(shè)有外部電極，該層疊陶瓷電子部件的特征在于， (a) 所述外部電極具備：形成在所述內(nèi)部電極被拉出的所述陶瓷層疊體的端面的端面 外部電極、和通過(guò)濺射法來(lái)形成在所述陶瓷層疊體的與所述端面相接的側(cè)面并與所述端面 外部電極導(dǎo)通的側(cè)面外部電極， (b) 構(gòu)成所述側(cè)面外部電極的與所述陶瓷層疊體相接的濺射電極層由包含3質(zhì)量％以 上的標(biāo)準(zhǔn)氧化還原電位為-2. 36V至-0. 74V的范圍的金屬的材料形成，構(gòu)成所述側(cè)面外部 電極的作為最外層的濺射最外電極層由氫的溶解熱為23. 8kJ/molH以上的金屬或者合金 形成。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊陶瓷電子部件，其特征在于， 所述側(cè)面外部電極的與所述陶瓷層疊體相接的濺射電極層中包含的金屬是從由Mg、 Al、Ti、W、Cr構(gòu)成的群中選出的至少1種。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的層疊陶瓷電子部件，其特征在于， 形成所述側(cè)面外部電極的所述濺射最外電極層的金屬是從由Cu、Al、Ag構(gòu)成的群中選 出的至少1種、或者包含從所述群中選出的至少1種的合金。4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3的任意一項(xiàng)所述的層疊陶瓷電子部件，其特征在于， 具備：通過(guò)電鍍來(lái)形成在所述外部電極的表面的金屬膜。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠使外部電極的厚度變薄、對(duì)產(chǎn)品的小型化、薄型化的對(duì)應(yīng)性優(yōu)良、并且外部電極對(duì)陶瓷坯體(陶瓷層疊體)的固定力、耐電鍍液性優(yōu)良的、可靠性高的層疊陶瓷電子部件。將外部電極(4)由形成在陶瓷層疊體(10)的端面(3)的端面外部電極(14)、和通過(guò)濺射法來(lái)形成在陶瓷層疊體的側(cè)面(13)并與端面外部電極導(dǎo)通的側(cè)面外部電極(24)形成，并且將側(cè)面外部電極的與陶瓷層疊體相接的濺射電極層(24a)由包含3質(zhì)量％以上的標(biāo)準(zhǔn)氧化還原電位為-2.36V至-0.74V的范圍的金屬的材料形成，將作為側(cè)面外部電極的最外層的濺射最外電極層(24b)由氫的溶解熱為23.8kJ/molH以上的金屬或者合金形成。
【IPC分類】H01G4/12, H01G4/232, H01G4/008, H01G4/30
【公開號(hào)】CN104952618
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510140374
【發(fā)明人】西坂康弘, 清水孝太郎
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社村田制作所
【公開日】2015年9月30日
【申請(qǐng)日】2015年3月27日
【公告號(hào)】US20150279567