在導(dǎo)電陽(yáng)極基板上形成空穴注入層。真空蒸鍍的真空度為2 X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.5nm/s。空穴注入層的材料為WO3，厚度為80nm。
[0247](3)采用真空蒸鍍法在空穴注入層上形成空穴傳輸層。真空蒸鍍的真空度為2X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.5nm/s。空穴傳輸層的材料為NPB，厚度為60nm。
[0248](4)采用熱阻蒸鍍法在空穴傳輸層上形成電子阻擋層。熱阻蒸鍍的真空度為2X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.5nm/s。電子阻擋層的材料為L(zhǎng)i2O和Ir (piq) 3的混合物。Li2O和Ir(Piq)3的質(zhì)量比為22:1。電子阻擋層的厚度為16nm。
[0249](5)采用真空蒸鍍法在電子阻擋層上形成發(fā)光層。真空蒸鍍的真空度為2 X 1-4Pa,蒸發(fā)速度為0.5nm/s。發(fā)光層的材料為DCJTB，厚度為8nm。
[0250](6)采用熱阻蒸鍍法在發(fā)光層上形成空穴阻擋層。熱阻蒸鍍的真空度為2X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.5nm/s?？昭ㄗ钃鯇拥牟牧蠟镽eO3和CzOXD的混合物。ReO3和CzOXD的質(zhì)量比為9:1。空穴阻擋層的厚度為18nm。
[0251](7)采用真空蒸鍍法在空穴阻擋層上形成電子傳輸層。真空蒸鍍的真空度為2 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.5nm/s。電子傳輸層的材料為TPBi，厚度為40nm。
[0252](8)采用真空蒸鍍法在電子傳輸層上形成電子注入層。真空蒸鍍的真空度為2X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.5nm/s。電子注入層的材料為CsN3，厚度為0.5nm。
[0253](9)采用真空蒸鍍法在電子注入層上形成陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。真空蒸鍍的真空度為2X 10_4Pa，蒸發(fā)速度6nm/s。陰極的材料為Al，厚度為140nm。
[0254]對(duì)比例I
[0255]對(duì)比例I的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法和實(shí)施例1的制備方法基本相同，其不同之處在于，對(duì)比例I的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法沒有步驟(4)和步驟(6)。步驟(5)中發(fā)光層直接形成于空穴傳輸層上，步驟(7)中電子傳輸層直接形成于發(fā)光層上。
[0256]對(duì)比例I的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)除了沒有電子阻擋層和空穴阻擋層以外，其余同實(shí)施例1。
[0257]對(duì)比例2
[0258]對(duì)比例2的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法和實(shí)施例5的制備方法基本相同，其不同之處在于，對(duì)比例2的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法沒有步驟(4)和步驟(6)。步驟(5)中發(fā)光層直接形成于空穴傳輸層上，步驟(7)中電子傳輸層直接形成于發(fā)光層上。
[0259]對(duì)比例2的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)除了沒有電子阻擋層和空穴阻擋層以外，其余同實(shí)施例5。
[0260]對(duì)比例3
[0261]對(duì)比例3的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法和實(shí)施例9的制備方法基本相同，其不同之處在于，對(duì)比例3的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法沒有步驟(4)和步驟(6)。步驟(5)中發(fā)光層直接形成于空穴傳輸層上，步驟(7)中電子傳輸層直接形成于發(fā)光層上。
[0262]對(duì)比例3的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)除了沒有電子阻擋層和空穴阻擋層以外，其余同實(shí)施例9。
[0263]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的導(dǎo)電陽(yáng)極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極； 所述電子阻擋層的材料為第一化合物與磷光材料的混合物，所述第一化合物為雙極性金屬氧化物、鋰鹽或有機(jī)硅小分子； 所述雙極性金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩； 所述鋰鹽為氟化鋰、碳酸鋰、溴化鋰或氧化鋰； 所述有機(jī)娃小分子為二苯基二(ο-甲苯基)娃、p- 二 (三苯基娃)苯、1，3-雙(三苯基娃)苯或p-雙(三苯基娃)苯； 所述磷光材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、三(1-苯基-異喹啉)合銥或三(2-苯基吡啶)合銥。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子阻擋層的材料為質(zhì)量比為4:0.1?10:0.1的所述雙極性金屬氧化物與所述磷光材料的混合物； 所述電子阻擋層的厚度為Inm?5nm ； 所述空穴阻擋層的材料為質(zhì)量比為2:1?5:1的二氧化鈦與銅化合物的混合物，所述銅化合物為硫化銅、氧化銅或碘化銅； 所述空穴阻擋層的厚度為30nm?60nm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子阻擋層的材料為質(zhì)量比為5:1?10:1的所述有機(jī)硅小分子與所述磷光材料的混合物； 所述電子阻擋層的厚度為5nm?15nm ； 所述空穴阻擋層的材料為質(zhì)量比為2:1?20:1的富勒烯衍生物與所述磷光材料的混合物，所述富勒烯衍生物為足球烯、碳70、[6，6]-苯基461-丁酸甲酯或[6，6]-苯基-C71-丁酸甲酯； 所述空穴阻擋層的厚度為2nm?10nm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子阻擋層的材料為質(zhì)量比為15:1?30:1的所述鋰鹽與所述磷光材料的混合物； 所述電子阻擋層的厚度為5nm?20nm ； 所述空穴阻擋層的材料為質(zhì)量比為5:1?10:1的錸化合物與雙極性有機(jī)傳輸材料的混合物，所述錸化合物為七氧化二錸、二氧化錸、三氧化二錸或三氧化錸，所述雙極性有機(jī)傳輸材料為2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)_1，3，5-三嗪、2，6- 二(3_(9H_咔唑-9-基)苯)吡啶、3’，3" - (4-(萘-1-基)-4Η-1，2，4-三唑-3，5-二基)雙(N，N-二 (聯(lián)苯基)-4-氨)或2，5-雙(4- (9- (2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1，3，4_噁二唑； 所述空穴阻擋層的厚度為15nm?30nm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料為三氧化鑰、三氧化鶴或五氧化二fL ； 所述空穴傳輸層的材料為1，1- 二 [4-[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、.4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’ - (1-萘基)_隊(duì)^ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺； 所述發(fā)光層的材料為4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I，-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁； 所述電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、I, 2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑； 所述電子注入層的材料為氟化鋰、氟化銫、碳酸銫或疊氮銫。6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供導(dǎo)電陽(yáng)極基板； 采用真空蒸鍍法在所述導(dǎo)電陽(yáng)極基板上形成空穴注入層； 采用真空蒸鍍法在所述空穴注入層上形成空穴傳輸層； 采用熱阻蒸鍍法在所述空穴傳輸層上形成電子阻擋層，電子阻擋層的材料為第一化合物與磷光材料的混合物，所述第一化合物為雙極性金屬氧化物、鋰鹽或有機(jī)硅小分子，所述雙極性金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩，所述鋰鹽為氟化鋰、碳酸鋰、溴化鋰或氧化鋰，所述有機(jī)娃小分子為二苯基二(O-甲苯基)娃、p- 二 (三苯基娃)苯、1，3-雙(三苯基硅)苯或P-雙(三苯基硅)苯，所述磷光材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、三(1-苯基-異喹啉)合銥或三(2-苯基吡啶)合銥； 采用真空蒸鍍法在所述電子阻擋層上形成發(fā)光層； 采用熱阻蒸鍍法在所述發(fā)光層上形成空穴阻擋層； 采用真空蒸鍍法在所述空穴阻擋層上形成電子傳輸層； 采用真空蒸鍍法在所述電子傳輸層上形成電子注入層； 采用真空蒸鍍法在所述電子注入層上形成陰極。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電子阻擋層的材料為質(zhì)量比為4:0.1?10:0.1的所述雙極性金屬氧化物與所述磷光材料的混合物； 所述電子阻擋層的厚度為Inm?5nm ； 所述空穴阻擋層的材料為質(zhì)量比為2:1?5:1的二氧化鈦與銅化合物的混合物，所述銅化合物為硫化銅、氧化銅或碘化銅； 所述空穴阻擋層的厚度為30nm?60nm。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電子阻擋層的材料為質(zhì)量比為5:1?10:1的所述有機(jī)硅小分子與所述磷光材料的混合物； 所述電子阻擋層的厚度為5nm?15nm ； 所述空穴阻擋層的材料為質(zhì)量比為2:1?20:1的富勒烯衍生物與所述磷光材料的混合物，所述富勒烯衍生物為足球烯、碳70、[6，6]-苯基-C61- 丁酸甲酯或[6，6]-苯基-C71-丁酸甲酯； 所述空穴阻擋層的厚度為2nm?10nm。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電子阻擋層的材料為質(zhì)量比為15:1?30:1的所述鋰鹽與所述磷光材料的混合物； 所述電子阻擋層的厚度為5nm?20nm ； 所述空穴阻擋層的材料為質(zhì)量比為5:1?10:1的錸化合物與雙極性有機(jī)傳輸材料的混合物，所述錸化合物為七氧化二錸、二氧化錸、三氧化二錸或三氧化錸，所述雙極性有機(jī)傳輸材料為2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)_1，3，5-三嗪、2，6- 二(3_(9H_咔唑-9-基)苯)吡啶、3’，3" - (4-(萘-1-基)-4Η-1，2，4-三唑-3，5-二基)雙(N，N-二 (聯(lián)苯基)-4-氨)或2，5-雙(4- (9- (2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1，3，4_噁二唑； 所述空穴阻擋層的厚度為15nm?30nm。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于， 采用熱阻蒸鍍法在所述空穴傳輸層上形成電子阻擋層的步驟中，真空度為.2 X ICT3Pa ?5 X ICT5Pa,蒸發(fā)速度為 0.lnm/s ?lnm/s ； 采用熱阻蒸鍍法在所述發(fā)光層上形成空穴阻擋層的步驟中，真空度為2X10_3Pa?.5 X 10 5Pa,蒸發(fā)速度為 0.lnm/s ?lnm/s。
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽(yáng)極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；電子阻擋層的材料為第一化合物與磷光材料的混合物，第一化合物為雙極性金屬氧化物、鋰鹽或有機(jī)硅小分子。上述有機(jī)電致發(fā)光器件，電子阻擋層既可以提高空穴的傳輸速率，又能將電子阻擋在電子阻擋層靠近發(fā)光層的一側(cè)，空穴阻擋層能夠?qū)⒖昭ㄗ钃踉诳昭ㄗ钃鯇涌拷l(fā)光層的一側(cè)，從而使激子的復(fù)合區(qū)域控制在發(fā)光層，提高有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。此外，還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【IPC分類】H01L51/50, H01L51/54, H01L51/56
【公開號(hào)】CN104934542
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410110070
【發(fā)明人】周明杰, 黃輝, 張振華, 王平
【申請(qǐng)人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請(qǐng)日】2014年3月21日