層30的厚度為20nm?60nm。優(yōu)選的，空穴傳輸層30的材料為NPB，厚度為30nm。
[0064]電子阻擋層40的材料為第一化合物與磷光材料的混合物，第一化合物為雙極性金屬氧化物、鋰鹽或有機(jī)硅小分子。
[0065]雙極性金屬氧化物可以為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5X
[0066]鋰鹽可以為氟化鋰(LiF)、碳酸鋰(Li2CO3)、溴化鋰(LiBr)或氧化鋰(Li2O)。
[0067]有機(jī)娃小分子可以為二苯基二(O-甲苯基)娃(UGHl)、p_ 二 (三苯基娃)苯(UGH2)、1，3-雙(三苯基硅)苯(UGH3)或ρ-雙(三苯基硅)苯(UGH4)。
[0068]磷光材料可以為雙(4,6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2 (acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir(piq)3)或三(2_苯基卩比唳)合銥(Ir(ppy)3)。磷光材料的選擇與發(fā)光層的發(fā)光材料的選擇一致。例如，當(dāng)發(fā)光層為藍(lán)色發(fā)光材料時(shí)對(duì)應(yīng)選擇藍(lán)光磷光材料，當(dāng)發(fā)光層為綠色發(fā)光材料時(shí)對(duì)應(yīng)選擇綠光磷光材料。
[0069]第一化合物為雙極性金屬氧化物時(shí)，雙極性金屬氧化物與磷光材料的質(zhì)量比可以為 4:0.1 ?10:0.1。
[0070]第一化合物為鋰鹽時(shí)，鋰鹽與磷光材料的質(zhì)量比可以為15:1?30:1。
[0071]第一化合物為有機(jī)娃小分子時(shí),有機(jī)娃小分子與磷光材料的質(zhì)量比可以為5:1?10:1。
[0072]發(fā)光層50的材料為4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( I, I, 7，7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)。發(fā)光層50的厚度為5nm?40nm。優(yōu)選的，發(fā)光層50的材料為Alq3，厚度為35nm。
[0073]空穴阻擋層60的材料為混合物D、混合物E或混合物F。
[0074]混合物D為二氧化鈦與銅化合物的混合物。二氧化鈦(T12)為市售二氧化鈦，粒徑在20nm?50nm。銅化合物為硫化銅(CuS)、氧化銅(CuO)或碘化銅(CuI)。
[0075]混合物E為錸化合物與雙極性有機(jī)傳輸材料的混合物。錸化合物為七氧化二錸(Re2O7)、二氧化錸(ReO2)、三氧化二錸(Re2O3)或三氧化錸(ReO3)。雙極性有機(jī)傳輸材料為2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)_1，3，5-三嗪(TRZ4)，2，6- 二(3- (9H-咔唑-9-基)苯)吡啶(2，6Dczppy)，3’，3〃 - (4-(萘-1-基)-4H-1，2，4-三唑-3，5-二基)雙(N，N-二(聯(lián)苯基)-4-氨)(p-TPAm-NTAZ)，2，5-雙(4-(9-(2-乙基己基)_9H_ 咔唑-3-基)苯基)-1，3，4-噁二唑(CzOXD)。
[0076]混合物F為富勒烯衍生物與磷光材料的混合物。富勒烯衍生物可以為足球烯(C60)、碳 70 (C70)、[6，6]-苯基-061-丁酸甲酯(卩061810或[6，6]-苯基氣71-丁酸甲酯(P71BM)。磷光材料可以為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2 (acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir(piq)3)或三(2_苯基卩比唳)合銥(Ir(ppy)3)。磷光材料的選擇與發(fā)光層的發(fā)光材料的選擇一致。例如，當(dāng)發(fā)光層為藍(lán)色發(fā)光材料時(shí)對(duì)應(yīng)選擇藍(lán)光磷光材料，當(dāng)發(fā)光層為綠色發(fā)光材料時(shí)對(duì)應(yīng)選擇綠光磷光材料。
[0077]在本實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件中，電子阻擋層40的材料為質(zhì)量比為4:0.1?10:0.1的雙極性金屬氧化物與磷光材料的混合物。電子阻擋層40的厚度為Inm?5nm?？昭ㄗ钃鯇?0的材料為質(zhì)量比為2:1?5:1的二氧化鈦與銅化合物的混合物?？昭ㄗ钃鯇?0的厚度為30nm?60nm。本實(shí)施方式中，電子阻擋層40的雙極性金屬氧化物可降低空穴的注入勢(shì)壘.，有利于提聞空穴的傳輸速率。憐光材料性質(zhì)穩(wěn)定，光效較聞，可提聞?dòng)袡C(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率?？昭ㄗ钃鯇?0的二氧化鈦層比表面積大，孔隙率高，可使光發(fā)生散射，使向兩側(cè)發(fā)射的光可以回到中間，提高出光效率。銅化合物能隙較高，可有效提高空穴的注入勢(shì)壘，使空穴被阻擋在空穴阻擋層60靠近發(fā)光層50的一側(cè)，從而提高發(fā)光層50的激子復(fù)合幾率，提高發(fā)光效率。
[0078]在其他實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件中，電子阻擋層40的材料還可以為質(zhì)量比為5:1?10:1的有機(jī)娃小分子與磷光材料的混合物。電子阻擋層40的厚度可以為5nm?15nm?？昭ㄗ钃鯇?0的材料為質(zhì)量比為2:1?20:1的富勒烯衍生物與磷光材料的混合物?？昭ㄗ钃鯇?0的厚度可以為2nm?10nm。該有機(jī)電致發(fā)光器件的電子阻擋層40的有機(jī)硅小分子能級(jí)較寬，其LUMO能級(jí)較高，可以將電子阻擋在電子阻擋層40靠近發(fā)光層50的一偵牝可有效阻擋電子穿越到空穴一邊而造成激子復(fù)合界面的改變。同時(shí)，有機(jī)硅小分子本身是一種空穴傳輸材料，可提聞空穴傳輸速率。憐光材料性質(zhì)穩(wěn)定，光效較聞，可提聞?dòng)袡C(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。空穴阻擋層60的富勒烯是富電子材料，可提高電子的傳輸速率。由于磷光材料和發(fā)光材料的能級(jí)差別不大，空穴阻擋層60摻雜了磷光材料后，能夠使空穴阻擋層60與發(fā)光層50之間的能級(jí)降到了最低，這可使激子的復(fù)合區(qū)域控制在發(fā)光層與空穴阻擋層的邊緣，使光色穩(wěn)定，提高色純度，提高發(fā)光效率。
[0079]在另一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件中，電子阻擋層40的材料還可以為15:1?30:1的鋰鹽與磷光材料的混合物。電子阻擋層40的厚度可以為5nm?20nm?？昭ㄗ钃鯇?0的材料為質(zhì)量比為5:1?10:1的錸化合物與雙極性有機(jī)傳輸材料的混合物。空穴阻擋層60的厚度可以為15nm?30nm。該有機(jī)電致發(fā)光器件的電子阻擋層40的鋰鹽功函數(shù)較高，可以將電子阻擋在電子阻擋層40靠近發(fā)光層50的一側(cè)，可阻擋電子穿越到空穴一邊而造成激子復(fù)合界面的改變。摻雜磷光材料后，磷光材料性質(zhì)穩(wěn)定，光效較高，可提高器件的發(fā)光效率。空穴阻擋層60的錸化合物的HOMO能級(jí)較低，可阻擋空穴穿越到陰極一端與電子發(fā)生復(fù)合而發(fā)生淬滅。雙極性有機(jī)傳輸材料也可阻止空穴穿越到陰極而造成空穴淬滅，同時(shí)也具有傳輸電子的作用，因此，可進(jìn)一步提高發(fā)光效率。
[0080]電子傳輸層70的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4_三唑衍生物(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBi)。電子傳輸層70的厚度為40nm?250nm。優(yōu)選的，電子傳輸層70的材料為TPBi，厚度為80nm。
[0081]電子注入層80的材料為氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、碳酸銫(Cs2CO3)或疊氮銫(CsN3)0電子注入層80的厚度為0.5nm?10nm。優(yōu)選的，電子注入層80的材料為L(zhǎng)iF，厚度為1.lnm。
[0082]陰極90的材料為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)。陰極90的厚度為80nm?250nm,優(yōu)選的，陰極90的材料為Ag,厚度為140nm。
[0083]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100的電子阻擋層40中，雙極性金屬氧化物可降低空穴的注入勢(shì)壘，有利于提高空穴的傳輸速率。鋰鹽功函數(shù)較高，能夠?qū)㈦娮幼钃踉陔娮幼钃鯇?0靠近發(fā)光層50的一側(cè)。有機(jī)硅小分子能級(jí)較寬，其LUMO能級(jí)較高，可以將電子阻擋在電子阻擋層40靠近發(fā)光層50的一側(cè)。同時(shí),有機(jī)娃小分子是一種空穴傳輸材料,可提高空穴的傳輸速率。磷光材料性質(zhì)穩(wěn)定，光效較高?？昭ㄗ钃鯇?0可以有效地將空穴阻擋在空穴阻擋層60靠近發(fā)光層50的一側(cè)。因此，上述有機(jī)電致發(fā)光器件100，通過設(shè)置電子阻擋層40和空穴阻擋層60，既可以提高空穴的傳輸速率，又可以將激子的復(fù)合區(qū)域有效控制在發(fā)光層50，從而提高發(fā)光效率。
[0084]如圖2所示，一實(shí)施方式的上述有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法包括如下步驟:
[0085]SI 10、提供導(dǎo)電陽(yáng)極基板。
[0086]導(dǎo)電陽(yáng)極基板10包括玻璃和形成于玻璃的一個(gè)表面的導(dǎo)電陽(yáng)極薄膜。導(dǎo)電陽(yáng)極薄膜為銦錫氧化物薄膜(IT0)、摻鋁的氧化鋅薄膜(AZO)或摻銦的氧化鋅薄膜(IZ0)。導(dǎo)電陽(yáng)極薄膜的厚度為50nm?300nm。優(yōu)選的，導(dǎo)電陽(yáng)極薄膜為ITO,厚度為120nm。
[0087]導(dǎo)電陽(yáng)極薄膜采用磁控濺射制備。磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場(chǎng)約為50G ?200G，功率密度為 lW/cm2 ?40W/cm2。
[0088]在磁控濺射導(dǎo)電陽(yáng)極薄膜前，先將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。以保證玻璃清洗干凈。
[0089]S120、采用真空蒸鍍法在導(dǎo)電陽(yáng)極基板上形成空穴注入層。
[0090]空穴注入層形成于導(dǎo)電陽(yáng)極薄膜上。
[0091]空穴注入層20的材料為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V205)。空穴注入層20的厚度為20nm?80nm。優(yōu)選的，空穴注入層20的材料為MoO3,厚度為40nm。
[0092]S120中，真空蒸鍍的真空度為2 X KT3Pa?5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lnm/s?lnm/S。
[0093]S130、采用真空蒸鍍法在空穴注入層上形成空穴傳輸層。
[0094]空穴傳輸層30的材料為I, 1-二 [4_[N,N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N’ - (1_萘基)州州，-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(冊(cè)8)?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nm?60nm。優(yōu)選的，空穴傳輸層30的材料為NPB，厚度為30nm。
[0095]S130中，真空蒸鍍的真空度為2 X KT3Pa?5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lnm/s?lnm/S。
[0096]S140、采用熱阻蒸鍍法在空穴傳輸層上形成電子阻擋層。
[0097]電子阻擋層的材料為第一化合物與磷光材料的混合物，第一化合物為雙極性金屬氧化物、鋰鹽或有機(jī)硅小分子。
[0098]雙極性金屬氧化物可以為Mo03、WO3或V205。
[0099]鋰鹽可以為L(zhǎng)iF、Li2C03、LiBr 或 Li20。
[0100]有機(jī)硅小分子可以為UGH2、UGH3或UGH4。
[0101]磷光材料可以為FIrpic、Ir (MDQ)2(acac)、Ir (piq)3 或 Ir (ppy)3。磷光材料的選擇與發(fā)光層的發(fā)光材料的選擇一致。例如，當(dāng)發(fā)光層為藍(lán)色發(fā)光材料時(shí)對(duì)應(yīng)選擇藍(lán)光磷光材料，當(dāng)發(fā)光層為綠色發(fā)光材料時(shí)對(duì)應(yīng)選擇綠光磷光材料。
[0102]電子阻擋層采用熱阻蒸鍍法進(jìn)行制備，熱阻蒸鍍法具有蒸鍍速率較快，成膜性好的優(yōu)點(diǎn)，且對(duì)材料的分子結(jié)構(gòu)不容易造成破壞。
[0103]S140中，熱阻蒸鍍的真空度為2X10_3Pa?5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lnm/s?lnm/
So
[0104]S150、采用真空蒸鍍法在電子阻擋層上形成發(fā)光層。
[0105]發(fā)光層50的材料為4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( I, I, 7，7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-