[0176]10.引線切斷(角部切斷)
[0177]在引線成形工序完成后，進行引線切斷(角部切斷)。
[0178]在角部切斷工序中，在圖27所示的支承封固體3的其余的三個角部實施引線框切斷而使其單片化。由此，如圖28?圖30所示，完成各外引線部Ib的托起高度大的QFP5的裝配。
[0179]<半導(dǎo)體器件的安裝方法>
[0180]在本實施方式的QFP5的安裝中，如圖12所示，在作為安裝基板的母板12上借助焊錫8進行安裝。此時，在QFP5中各外引線部Ib的托起高度大，因此在各外引線部Ib焊錫8的濕潤量增加，焊錫8濕潤達到各外引線部Ib的高度方向上較高的位置(圖3所示的彎折部Ibc)。
[0181]因而，提高了 QFP5的各個外引線部Ib的焊錫接合時的接合強度。結(jié)果，在QFP5能確保高安裝可靠性(安裝強度)。
[0182]另外，由于QFP5是封固體3中半導(dǎo)體芯片2的占有率大的半導(dǎo)體器件，因此即使是這樣的半導(dǎo)體芯片2的占有率大的QFP5，也能提高其安裝可靠性，能夠謀求與母板12的接合不良的減少。
[0183]進而，即使在圖4所示那樣的ECU板(母板12)等受熱影響程度高、處于非常嚴(yán)酷的環(huán)境下安裝的QFP13b、13c等，也能提高其安裝可靠性，能夠謀求與ECU板的接合不良的減少(其中，對于母板12上的其他半導(dǎo)體器件也可以使用托起高度大的構(gòu)造)。
[0184]〈變形例〉
[0185]以上，基于實施方式具體說明了由本發(fā)明人完成的發(fā)明，但本發(fā)明不限于上述記載的實施方式，不言而喻，在不脫離其要旨的范圍內(nèi)可進行各種變更。
[0186](變形例I)
[0187]在上述實施方式中，以QFP為晶片焊盤埋入構(gòu)造的情況為例進行了說明，但上述QFP可以是使晶片焊盤Ic的一部分(例如下表面Icb)從封固體3露出的、所謂接片露出構(gòu)造。
[0188](變形例2)
[0189]在上述實施方式中，說明了半導(dǎo)體器件為QFP的情況，但上述半導(dǎo)體器件也可以是如下的所謂SOP (Small Outline Package)型的半導(dǎo)體器件，即，作為外部連接端子的多個引線從平面形狀為大致四邊形的封固體3中的相互相對的兩個邊突出。
[0190](變形例3)
[0191]在上述實施方式的QFP5中，說明了當(dāng)封固體3的厚度方向上的封固體內(nèi)的半導(dǎo)體芯片2的占有率增加時、封固體3的線膨脹系數(shù)降低，但作為半導(dǎo)體芯片2的厚度的比較對象，可以采用芯片上方的封固體的厚度。即，半導(dǎo)體芯片2的占有率是指封固體3的厚度方向上的、半導(dǎo)體芯片2的厚度相對于封固體3的總厚度的比例(支配量)。因此，即使使晶片焊盤下方的封固體3的厚度比半導(dǎo)體芯片2的厚度大，在芯片上方的封固體3的厚度小于半導(dǎo)體芯片2的厚度時，也可能出現(xiàn)封固體3的線膨脹系數(shù)降低、由封固體3的變形(膨脹、收縮)引起半導(dǎo)體器件的安裝不良的隱患。由此，作為芯片厚度的比較對象，不限于晶片焊盤下方的封固體3的厚度，也可以采用芯片上方的封固體3的厚度。但是，如上述實施方式的QFP5那樣，在經(jīng)由導(dǎo)線4將半導(dǎo)體芯片2和引線電連接的情況下，為使該導(dǎo)線4不露出于封固體3的表面，多是使形成于半導(dǎo)體芯片2上方(主面?zhèn)?的封固體3的厚度大于半導(dǎo)體芯片2的厚度。因此，在判斷封固體3中的半導(dǎo)體芯片2的占有率(支配量)時，優(yōu)選采用晶片焊盤下方的封固體3的厚度作為比較對象。
[0192](變形例4)
[0193]在上述實施方式中，說明了半導(dǎo)體器件(QFP5)的多個外引線部Ib分別形成為鷗翼狀的情況，但多個外引線部Ib可以分別形成為例如J形引腳形狀。即，半導(dǎo)體器件也可以是 QFJ(Quad Flat J-1eaded Package,四側(cè) J 形引腳扁平封裝)、SOJ(Small OutlineJ-1eaded Package,雙側(cè)J形引腳封裝)。
[0194](變形例5)
[0195]在上述實施方式的半導(dǎo)體器件的裝配中，說明了在模制工序形成封固體3，在封固體形成后在各外引線部Ib的表面形成鍍膜(外裝鍍敷)7的情況，但也可以是準(zhǔn)備預(yù)先在引線框I的整個表面例如形成以鈀(Pd)為主成分的鍍膜而成的引線框1，使用該引線框I來裝配半導(dǎo)體器件。
[0196]根據(jù)這樣的裝配，能省略模制工序后的外裝鍍敷涂布工序。
[0197](變形例6)
[0198]在上述實施方式中，說明了在外裝鍍敷工序中形成于各外引線部Ib的鍍膜7是由焊錫材料構(gòu)成的鍍膜，上述焊錫材料是實質(zhì)上不含鉛(Pb)的無鉛焊錫的情況，但上述焊錫材料可以是含鉛的焊錫材料。但是，考慮環(huán)境污染問題，優(yōu)選使用由上述無鉛焊錫構(gòu)成的焊錫材料。
[0199](變形例7)
[0200]另外，在不脫離上述實施方式所說明的技術(shù)構(gòu)思的要旨的范圍內(nèi)，可以將變形例彼此組合應(yīng)用。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括: 晶片焊盤，其具有第一面和與所述第一面相反一側(cè)的第二面； 半導(dǎo)體芯片，其具有主面、形成于所述主面上的多個接合電極、以及與所述主面相反一側(cè)的背面，所述半導(dǎo)體芯片以所述背面與所述晶片焊盤的所述第一面相對的方式，介由粘晶材料搭載于所述晶片焊盤的所述第一面上； 多個引線，經(jīng)由多個導(dǎo)線而與所述多個接合電極分別電連接； 封固體，其具有位于所述半導(dǎo)體芯片的所述主面一側(cè)的上表面、與所述上表面相反一側(cè)的下表面、以及位于所述上表面與所述下表面之間的側(cè)面，所述封固體以所述多個引線的各個引線的一部分從所述側(cè)面突出的方式將所述晶片焊盤、所述半導(dǎo)體芯片及所述多個導(dǎo)線封固， 所述多個引線的各個引線的所述一部分在所述封固體的外側(cè)彎折， 所述半導(dǎo)體芯片的厚度大于從所述晶片焊盤的所述第二面到所述封固體的所述下表面的厚度， 所述封固體的所述下表面與所述多個引線的各個引線的所述一部分的前端部之間的距離，大于所述封固體中的從所述半導(dǎo)體芯片的所述主面到所述封固體的所述上表面的厚度。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述封固體由熱固性的環(huán)氧類樹脂構(gòu)成， 所述半導(dǎo)體芯片由基材和多層布線層構(gòu)成，所述基材由硅構(gòu)成，所述多層布線層形成于所述基材的元件形成面上，且厚度比所述基材的厚度薄， 所述半導(dǎo)體芯片的線膨脹系數(shù)小于所述封固體的線膨脹系數(shù)。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述多個引線分別包括:接合所述導(dǎo)線的導(dǎo)線接合部；向所述封固體的厚度方向彎折的第一彎折部；向與所述封固體的所述上表面平行的方向彎折的第二彎折部， 所述多個引線的各個引線中的、從所述封固體的所述下表面到所述第二彎折部的距離，大于所述多個引線的各個引線中的從所述導(dǎo)線接合部的上表面到所述封固體的所述上表面的厚度、或大于所述多個引線的各個引線中的從所述導(dǎo)線接合部的下表面到所述封固體的所述下表面的厚度。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述多個引線分別包括:接合所述導(dǎo)線的導(dǎo)線接合部；向所述封固體的厚度方向彎折的第一彎折部；向與所述封固體的所述上表面平行的方向彎折的第二彎折部， 所述導(dǎo)線接合部被所述封固體封固， 所述第一彎折部和所述第二彎折部分別從所述封固體露出， 所述第一彎折部配置在比所述導(dǎo)線接合部更遠離所述半導(dǎo)體芯片的位置，所述第二彎折部配置在比所述第一彎折部更遠離所述半導(dǎo)體芯片的位置。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述半導(dǎo)體芯片的厚度大于所述封固體中的、從所述半導(dǎo)體芯片的所述主面到所述封固體的所述上表面的厚度。6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 從所述封固體的所述下表面到所述多個引線的各個引線的所述一部分的前端部之間的距離大于所述芯片的厚度。
【專利摘要】提高半導(dǎo)體器件的安裝可靠性。QFP(5)包括：搭載半導(dǎo)體芯片(2)的晶片焊盤(1c)；配置在晶片焊盤的周圍的多個內(nèi)引線部(1a)；與多個內(nèi)引線部(1a)分別相連的多個外引線部(1b)；將半導(dǎo)體芯片的接合焊盤(2c)與多個內(nèi)引線部分別電連接的多個導(dǎo)線(4)；封固半導(dǎo)體芯片的封固體(3)。而且，半導(dǎo)體芯片的厚度大于從晶片焊盤(1c)的下表面(1cb)到封固體(3)的下表面(3b)的厚度(T5)，且封固體的下表面(3b)與多個外引線部(1b)的各個外引線部的前端部(1be)之間的距離(D1)大于封固體中的從半導(dǎo)體芯片的主面(2a)到上表面(3a)的厚度(T4)。
【IPC分類】H01L23/50
【公開號】CN104916618
【申請?zhí)枴緾N201410658551
【發(fā)明人】高橋典之
【申請人】瑞薩電子株式會社
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2014年11月18日
【公告號】CN204204846U, EP2927953A2, EP2927953A3, US20150262922