半導(dǎo)體器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，例如涉及有效適用于包括從封固半導(dǎo)體芯片的封固體的側(cè)面突出的多個(gè)引線(lead)的半導(dǎo)體器件的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]在具有封固體(封裝)的半導(dǎo)體器件中，多個(gè)引線從封裝的側(cè)面向外方突出的構(gòu)造，例如示于日本特開2004-319954號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)I)。
[0003]此外，具有鷗翼形狀的多個(gè)外部引線的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造例如示于日本特開平5-3277號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)。
[0004]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開2004-319954號(hào)公報(bào)
[0007]專利文獻(xiàn)2:日本特開平5-3277號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0009]在搭載于母板(布線基板)上的半導(dǎo)體器件(半導(dǎo)體封裝)的熱膨脹率與母板的熱膨脹率不同的情況下，在母板與搭載于該母板上的半導(dǎo)體器件的接合部容易產(chǎn)生接合不良。產(chǎn)生該接合不良的原因在于，在搭載有半導(dǎo)體器件的母板受到熱影響而發(fā)生變形(膨脹、收縮)時(shí)，母板的變形量(膨脹量、收縮量)與同樣因熱影響而變形(膨脹、收縮)的半導(dǎo)體器件的變形量(膨脹量、收縮量)不同。
[0010]另一方面，例如QFP (Quad Flat Package，四方引腳扁平封裝)中，作為半導(dǎo)體器件的外部端子的引線的一部分(外引線部)在封固半導(dǎo)體芯片的封固體的外側(cè)彎折。即，與母板接合的引線的一部分(外引線部)在封固體未被固定。
[0011]因此，例如如圖31的比較例所示，即使在母板12與半導(dǎo)體器件(QFP21)相比在S方向收縮了較大的情況下，由于引線21a的一部分(外引線部)追隨該母板12的變動(dòng)，因此不易引起接合不良。
[0012]但是，近年來(lái)，存在與此前的產(chǎn)品相比在更嚴(yán)酷的使用環(huán)境下使用半導(dǎo)體器件的傾向(例如車載關(guān)聯(lián)產(chǎn)品)。
[0013]因此，本申請(qǐng)發(fā)明人對(duì)能夠確保比此前的QFP高的安裝可靠性(安裝強(qiáng)度)的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造進(jìn)行了研究。
[0014]關(guān)于其他課題及新特征，將通過(guò)本說(shuō)明書的記載及附圖而得以清楚。
[0015]用于解決問(wèn)題的手段
[0016]一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件，包括:晶片焊盤、多個(gè)引線和將半導(dǎo)體芯片封固的封固體，所述半導(dǎo)體芯片的厚度大于從所述晶片焊盤的第二面到所述封固體的下表面的厚度。而且，所述封固體的下表面與所述多個(gè)引線的各個(gè)引線的一部分的前端部之間的距離，大于所述封固體中的從所述半導(dǎo)體芯片的主面到所述封固體的上表面的厚度。
[0017]發(fā)明效果
[0018]根據(jù)上述一實(shí)施方式，能夠提高半導(dǎo)體器件的安裝可靠性。
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件(QFP)的構(gòu)造的一例的俯視圖。
[0020]圖2是表示沿圖1的A-A線剖切的構(gòu)造的一例的剖視圖。
[0021]圖3是表示圖1所示半導(dǎo)體器件的詳細(xì)構(gòu)造的放大剖視圖。
[0022]圖4是表示圖1的半導(dǎo)體器件向安裝基板安裝的安裝構(gòu)造的一例的俯視圖。
[0023]圖5是表示圖4所示半導(dǎo)體器件(QFP)的安裝構(gòu)造的一例的側(cè)視圖。
[0024]圖6是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件(QFP)的構(gòu)造的剖視圖。
[0025]圖7是表示比較例的QFP的構(gòu)造的剖視圖。
[0026]圖8是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的俯視圖。
[0027]圖9是表示圖8所示半導(dǎo)體器件的安裝構(gòu)造的側(cè)視圖。
[0028]圖10是表示比較例的QFP的構(gòu)造的俯視圖。
[0029]圖11是表示圖10所示半導(dǎo)體器件的安裝構(gòu)造的側(cè)視圖。
[0030]圖12是表示圖8所示半導(dǎo)體器件的焊錫濕潤(rùn)狀態(tài)的示意圖。
[0031]圖13是表示比較例的半導(dǎo)體器件的焊錫濕潤(rùn)狀態(tài)的示意圖。
[0032]圖14是表示在圖1的半導(dǎo)體器件的裝配中所用的引線框的構(gòu)造的一例的俯視圖。
[0033]圖15是將圖14的A部構(gòu)造放大示出的局部放大俯視圖。
[0034]圖16是表示沿圖15的A-A線剖切的構(gòu)造的一例的剖視圖。
[0035]圖17是表示圖1的半導(dǎo)體器件的裝配中晶片接合后的構(gòu)造的一例的局部放大俯視圖。
[0036]圖18是表示沿圖17的A-A線剖切的構(gòu)造的一例的剖視圖。
[0037]圖19是表示圖1的半導(dǎo)體器件的裝配中導(dǎo)線接合后的構(gòu)造的一例的局部放大俯視圖。
[0038]圖20是表示沿圖19的A-A線剖切的構(gòu)造的一例的剖視圖。
[0039]圖21是表示圖1的半導(dǎo)體器件的裝配中樹脂模制后的構(gòu)造的一例的局部放大俯視圖。
[0040]圖22是表示沿圖21的A-A線剖切的構(gòu)造的一例的剖視圖。
[0041]圖23是表示圖1的半導(dǎo)體器件的裝配中堤壩切斷后的構(gòu)造的一例的剖視圖。
[0042]圖24是表示圖1的半導(dǎo)體器件的裝配中激光打標(biāo)后的構(gòu)造的一例的剖視圖。
[0043]圖25是表示圖1的半導(dǎo)體器件的裝配中外裝鍍敷形成后的構(gòu)造的一例的剖視圖。
[0044]圖26是表示圖1的半導(dǎo)體器件的裝配中澆注口前端切斷后的構(gòu)造的一例的局部放大俯視圖。
[0045]圖27是表示圖1的半導(dǎo)體器件的裝配中引線切斷并成形后的構(gòu)造的一例的局部放大俯視圖。
[0046]圖28是表示圖1的半導(dǎo)體器件的裝配中角部切斷后的構(gòu)造的一例的俯視圖。
[0047]圖29是圖28的構(gòu)造的剖視圖。
[0048]圖30是圖28的構(gòu)造的外觀立體圖。
[0049]圖31是表示比較例的半導(dǎo)體器件向母板安裝的安裝構(gòu)造的示意圖。
[0050]附圖標(biāo)記的說(shuō)明
[0051]I引線框，Ia內(nèi)引線部(引線)，Iaa上表面，Iab下表面，Iac導(dǎo)線接合部，Ib外引線部(引線)，Iba上表面，Ibb下表面，IbcUbd彎折部，Ic晶片焊盤(芯片搭載部，接片)，Ica上表面(芯片搭載面)，Icb下表面，Id堤壩連桿，Ie懸臂引線，If框部，Ifa內(nèi)框，Ig孔部，Ih長(zhǎng)孔，Ii元器件區(qū)域，2半導(dǎo)體芯片，2a主面，2b背面，2c接合焊盤(接合電極，電極焊盤)，3封固體，3a上表面(表面)，3b下表面(安裝面)，3c側(cè)面，4導(dǎo)線，5 QFP (半導(dǎo)體器件)，6粘晶材料，7鍍膜(金屬膜，外裝鍍敷)，8焊錫，9切斷刀，10激光，11標(biāo)記，12母板(布線基板，安裝基板，模塊基板)，12a布線，12b端子，13a、13b、13c、13d QFP (半導(dǎo)體器件)，14a、14b SOP (半導(dǎo)體器件)，15電容器(貼片型鉭電容器)，16電阻器，17電容器(層疊陶瓷電容器)，18電容器(電解鋁電容器)，19銷(螺栓)，20模塊(電子裝置)，21a引線。
【具體實(shí)施方式】
[0052]在以下的實(shí)施方式中，除了特別需要時(shí)，原則上對(duì)相同或同樣的部分不重復(fù)說(shuō)明。
[0053]而且，在以下的實(shí)施方式中為了便于說(shuō)明，在需要時(shí)分為多個(gè)區(qū)段或?qū)嵤┓绞降卣f(shuō)明，但除了特別明示的情況之外，這些區(qū)段或?qū)嵤┓绞讲⒎潜舜藷o(wú)關(guān)，存在一方是另一方的一部分或全部的變形例、詳細(xì)說(shuō)明、補(bǔ)充說(shuō)明等關(guān)系。
[0054]此外，在以下的實(shí)施方式中，在言及要素的個(gè)數(shù)等(包括個(gè)數(shù)、數(shù)值、量、范圍等)時(shí)，除了特別明示的情況及原理上明確限定為特定數(shù)量的情況等之外，不限定于特定數(shù)量，可以是特定數(shù)量以上，也可以是特定數(shù)量以下。
[0055]此外，在以下的實(shí)施方式中，關(guān)于其構(gòu)成要素(包括要素步驟等)，不言而喻，除了特別明示的情況及原理上明確認(rèn)為是必須的情況等之外，未必一定是必須的。
[0056]此外，在以下的實(shí)施方式中，關(guān)于構(gòu)成要素等，稱之“由A構(gòu)成”、“由A形成”、“具有A”、“包括A”時(shí)，除了特別明示了僅是該要素的情況等之外，自不用說(shuō)，并不排除包括除此之外的要素。同樣，在以下的實(shí)施方式中，言及構(gòu)成要素等的形狀、位置關(guān)系等時(shí)，除了特別明示的情況及原理上明確認(rèn)為不是這樣的情況等之外，包括實(shí)質(zhì)上與該形狀等近似或類似的形狀等。關(guān)于這一點(diǎn)，對(duì)于上述數(shù)值及范圍也是同樣。
[0057]以下，基于附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，在用于說(shuō)明實(shí)施方式的所有附圖中，對(duì)于具有同一功能的部件標(biāo)注同一附圖標(biāo)記，省略其重復(fù)說(shuō)明。此外，為了容易理解附圖，即使在俯視圖中有時(shí)也標(biāo)注陰影線。
[0058](實(shí)施方式)
[0059]圖1是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的俯視圖，圖2是表示沿圖1的A-A線剖切的構(gòu)造的一例的剖視圖，圖3是表示圖1所示半導(dǎo)體器件的詳細(xì)構(gòu)造的放大剖視圖，圖4是表示圖1的半導(dǎo)體器件向安裝基板安裝的安裝構(gòu)造的一例的俯視圖，圖5是表示圖4所示半