半導(dǎo)體器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提高半導(dǎo)體器件的信號(hào)傳輸特性。搭載有半導(dǎo)體芯片的布線基板的多根布線(16)具有構(gòu)成傳輸差動(dòng)信號(hào)的差動(dòng)對(duì)的布線(16SG1)及布線(16SG2)。另外，布線(16SG1)及布線(16SG2)分別具有以分隔距離(SP1)相互并行的部分(PT1)、與部分(PT1)設(shè)于相同布線層且以分隔距離(SP2)相互并行的部分(PT2)、和設(shè)于部分(PT1)與部分(PT2)之間且向相互的分隔距離變得比分隔距離(SP1)及分隔距離(SP2)大的方向迂回而設(shè)置的部分(PT3)。
【專利說(shuō)明】
半導(dǎo)體器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，例如，涉及適用于在布線基板上搭載有半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件的有效技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]在日本特開(kāi)2006-237385號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)I)中，記載了在搭載有半導(dǎo)體芯片的布線基板上形成有用于傳輸差動(dòng)信號(hào)的布線的半導(dǎo)體器件。
[0003]另外，在日本特開(kāi)2008-153288號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)中，記載了以各自并行且蜿蜒的方式形成有差動(dòng)信號(hào)傳輸用的布線對(duì)的半導(dǎo)體器件。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)I:日本特開(kāi)2006-237385號(hào)公報(bào)
[0007]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2008-153288號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]作為高速傳輸信號(hào)的技術(shù)，具有例如像PC1-Express和USB等通信方式那樣使用構(gòu)成差動(dòng)對(duì)的兩根信號(hào)線來(lái)傳輸差動(dòng)信號(hào)的技術(shù)。
[0009]但是，在例如從半導(dǎo)體器件的外部將高速的差動(dòng)信號(hào)傳輸至搭載于布線基板上的半導(dǎo)體芯片的情況下，與傳輸?shù)退俚牟顒?dòng)信號(hào)的情況相比，信號(hào)傳輸特性上的課題變得顯著，因此需要考慮(調(diào)整)了構(gòu)成差動(dòng)對(duì)的兩條布線各自的阻抗的對(duì)策
[0010]其他課題及新特征可從本說(shuō)明書(shū)的記述及附圖得以明確。
[0011]—個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件包含:布線基板、搭載在上述布線基板上的半導(dǎo)體芯片、及將上述半導(dǎo)體芯片與上述布線基板分別電連接的多個(gè)導(dǎo)電性部件。另外，上述布線基板具有將上述多個(gè)導(dǎo)電性部件與多個(gè)外部端子電連接的多根布線。另外，上述多根布線具有構(gòu)成傳輸差動(dòng)信號(hào)的差動(dòng)對(duì)的第I布線及第2布線。另外，上述第I布線及上述第2布線分別具有:以第I分隔距離相互并行的第I部分、與上述第I部分設(shè)于相同布線層且以第2分隔距離相互并行的第2部分、以及設(shè)在上述第I部分與上述第2部分之間、且向相互的分隔距離變得比上述第I分隔距離及上述第2分隔距離大的方向迂回而設(shè)置的第3部分。
[0012]發(fā)明效果
[0013]根據(jù)上述一個(gè)實(shí)施方式，能夠提高半導(dǎo)體器件的信號(hào)傳輸特性。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的俯視圖。
[0015]圖2是圖1所示的半導(dǎo)體器件的仰視圖。
[0016]圖3是將圖1所示的封裝體透視而示出內(nèi)部構(gòu)造的透視俯視圖。
[0017]圖4是沿著圖3的A-A線的剖視圖。
[0018]圖5是圖3的B部分的放大俯視圖。
[0019]圖6是圖5所示的信號(hào)傳輸路徑的電路圖。
[0020]圖7是表示圖6所示的各部件的阻抗的值的例子的說(shuō)明圖。
[0021]圖8是將圖5所示的差動(dòng)信號(hào)傳輸用的布線中的迂回的部分的周邊放大而示出的放大俯視圖。
[0022]圖9是表示使用圖1?圖8說(shuō)明的半導(dǎo)體器件的制造工序的概要的說(shuō)明圖。
[0023]圖10是將作為針對(duì)圖8的變形例的半導(dǎo)體器件中的差動(dòng)信號(hào)的傳輸路徑的一部分放大而示出的放大俯視圖。
[0024]圖11是圖1O所示的信號(hào)傳輸路徑的電路圖。
[0025]圖12是表示圖11所示的各部件的阻抗的值的例子的說(shuō)明圖。
[0026]圖13是作為針對(duì)圖5的變形例的半導(dǎo)體器件的信號(hào)傳輸路徑周邊的放大俯視圖。
[0027]圖14是將圖13所示的差動(dòng)信號(hào)傳輸用的布線中的迂回的部分的周邊放大而示出的放大俯視圖。
[0028]圖15是圖13所示的信號(hào)傳輸路徑的電路圖。
[0029]圖16是表示圖15所示的各部件的阻抗的值的例子的說(shuō)明圖。
[0030]圖17是表示作為針對(duì)圖5的其他變形例的半導(dǎo)體器件的信號(hào)傳輸路徑周邊的放大俯視圖。
[0031]圖18是將作為針對(duì)圖8的其他變形例的半導(dǎo)體器件中的差動(dòng)信號(hào)的傳輸路徑的一部分放大而示出的放大俯視圖。
[0032]圖19是作為針對(duì)圖5的其他變形例的半導(dǎo)體器件的信號(hào)傳輸路徑周邊的放大俯視圖。
[0033]圖20是作為針對(duì)圖4的變形例的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
[0034]圖21是圖20所示的半導(dǎo)體器件的信號(hào)傳輸路徑周邊的放大俯視圖。
[0035 ]圖22是圖21所示的信號(hào)傳輸路徑的電路圖。
[0036]圖23是表示圖22所示的各部件的阻抗的值的例子的說(shuō)明圖。
[0037]圖24是表示作為與圖5對(duì)應(yīng)的研究例的半導(dǎo)體器件的布線構(gòu)造例的放大俯視圖。
[0038]圖25是示意地表示在圖24所示的半導(dǎo)體器件中發(fā)生信號(hào)反射的部位的說(shuō)明圖。
[0039 ]圖26是圖25所示的信號(hào)傳輸路徑的電路圖。
[0040]圖27是表示圖26所示的各部件的阻抗的值的例子的說(shuō)明圖。
[0041 ]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0042]10:布線基板(封裝基板)，1b:下表面(背面、安裝面)，1s:側(cè)面，1t:上表面(表面、芯片搭載面)，11:焊錫球(外部端子、電極、外部電極)，12:接合區(qū)(外部端子、電極、外部電極)，13:絕緣膜(阻焊膜)，14、14561、14562:接合焊盤(pán)(端子、內(nèi)部端子、電極、接合引線、接合指)，15:絕緣膜(阻焊膜)，16、16SG1、16SG2、16VS1、16VS2:布線，16T:通孔布線，16V:過(guò)孔布線，17:絕緣層，20:半導(dǎo)體芯片，20b:背面(主面、下表面)，20s:側(cè)面，20t:表面(主面、上表面)，21、21361、21362:焊盤(pán)(電極、芯片電極)，30、30361、30362:導(dǎo)線(導(dǎo)電性部件)，31:凸點(diǎn)電極(導(dǎo)電性部件、突起電極、柱狀電極)，40:封裝體，50:粘結(jié)材料，MP1:導(dǎo)體圖案(過(guò)孔接合區(qū)、虛擬圖案)，PKG1、PKG2、PKG3、PKG4、PKG5、PKG6、PKG7、PKGh I:半導(dǎo)體器件，?11、？了2、？了4:部分(并行部)，？了3、？了5:部分(迂回部)，1^^1、1^^2、1^^3:反射信號(hào)，3161、3162:輸入信號(hào)，3?1、3?2、3?3、3卩12:分隔距離，￥1^1:假想線，20、21、22、23、24、25、221、222、Z23、Z24、Z25、ZS:阻抗
【具體實(shí)施方式】
[0043](本申請(qǐng)中的記載形式、基本用語(yǔ)、用法的說(shuō)明)
[0044]在本申請(qǐng)中，關(guān)于實(shí)施方式的記載，根據(jù)需要，為了便于說(shuō)明而分為多個(gè)部分等進(jìn)行記載，但除了特別明示不是這樣的情況以外，這些部分不是相互之間獨(dú)立分開(kāi)的，不論記載的前后位置怎樣，單一的例子的各部分中一方是另一方的部分詳細(xì)說(shuō)明或一部分或全部的變形例等。另外，作為原則，省略同樣部分的重復(fù)說(shuō)明。另外，關(guān)于實(shí)施方式中的各結(jié)構(gòu)要素，除了特別明示不是這樣的情況、理論上不限定于該數(shù)的情況及從文脈明確不是這樣的情況除外，則不是必須的。
[0045]同樣地在實(shí)施方式等的記載，關(guān)于材料、組成等，即使提到“由A構(gòu)成B”等，除了特別明示不是這樣的情況及從文脈明確不是這樣的情況以外，則不排除包含A以外的要素。例如，若提到成分，是表示“作為主要成分而含有A的X”等的意思。例如，即使提到“娃材料”等，也不限定于純硅，當(dāng)然包含SiGe(硅鍺)合金或其他以硅為主要成分的多元合金、包含其他添加物等的材料。另外，即使提到鍍金、Cu層、鍍鎳等，除了表示不是這樣、特別明示不是這樣的情況以外，不僅包含純鍍層材料，也包含以金、Cu、鎳等為主要成分的材料。
[0046]而且，在提到特定的數(shù)值、數(shù)量時(shí)，除了特別明示不是這樣的情況、理論上不限定于該數(shù)的情況及從文脈明確不是這樣的情況以外，可以是超過(guò)該特定數(shù)值的數(shù)值，也可以是小于該特定數(shù)值的數(shù)值。
[0047]另外，在實(shí)施方式的各圖中，同一或同樣的部分以同一或類似的記號(hào)或附圖標(biāo)記來(lái)表示，作為原則不重復(fù)進(jìn)行說(shuō)明。
[0048]另外，在附圖中，在繁瑣的情況或與空隙明確區(qū)別的情況下，存在即使是截面反而也會(huì)省略陰影線等的情況。與此關(guān)聯(lián)地，在從說(shuō)明等可以明確的情況等下，存在即使是平面上封閉的孔也會(huì)省略背景的輪廓線的情況。而且，存在即使不是截面，但為了明示不是空隙、或者為了明示某區(qū)域的邊界，而也賦予陰影線或點(diǎn)圖案的情況。
[0049]《半導(dǎo)體器件的概要》
[0050]首先，使用圖1?圖4說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的概要結(jié)構(gòu)。圖1是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的俯視圖，圖2是圖1所示的半導(dǎo)體器件的仰視圖。另外，圖3是將圖1所示的封裝體透視而示出內(nèi)部構(gòu)造的透視俯視圖。另外，圖4是沿著圖3的A-A線的剖視圖。此外，在圖3中，以雙點(diǎn)劃線示出封裝體40的輪廓。
[0051]本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件PKGl具有布線基板(封裝基板)10、搭載在布線基板10上的半導(dǎo)體芯片20(參照?qǐng)D3、圖4)、將半導(dǎo)體芯片20與布線基板10電連接的多根導(dǎo)線30(參照?qǐng)D3、圖4)、及將多根導(dǎo)線30封固的封裝體40。
[0052]半導(dǎo)體器件PKGl所具有的布線基板10是在半導(dǎo)體器件PKGl與未圖示的安裝基板之間具有供給電信號(hào)和/或電位的傳輸路徑的基板。如圖4所示，布線基板10具有供半導(dǎo)體芯片20搭載的作為芯片搭載面的上表面(表面、芯片搭載面)10t及位于上表面1t的相反側(cè)的下表面(背面、安裝面)10b。另外，在本實(shí)施方式的例子中，布線基板10在俯視觀察時(shí)呈四邊形，具有四個(gè)側(cè)面I Os (參照?qǐng)D3、圖4)。
[0053]另外，如圖2所示，半導(dǎo)體器件PKGl具有設(shè)于布線基板10的下表面1b的多個(gè)焊錫球(外部端子、電極、外部電極)11。多個(gè)焊錫球11以行列狀(陣列狀、矩陣狀)配置。多個(gè)焊錫球11分別與接合區(qū)(land)(外部端子、電極、外部電極)12(參照?qǐng)D4)連接。
[0054]更詳細(xì)地說(shuō)，如圖4所示，布線基板10的下表面1b被絕緣膜(阻焊膜)13覆蓋。另外，在絕緣膜13上形成有多個(gè)開(kāi)口部，在多個(gè)開(kāi)口部各自中，接合區(qū)12的至少一部分從絕緣膜13露出。而且，在接合區(qū)12中的從絕緣膜13露出的部分上連接有焊錫球11。
[0055]將半導(dǎo)體器件PKGl那樣在安裝面?zhèn)纫孕辛袪钆渲糜卸鄠€(gè)外部端子(焊錫球11、接合區(qū)12)的半導(dǎo)體器件稱作面陣(area array)型的半導(dǎo)體器件。面陣型的半導(dǎo)體器件PKGl由于能夠?qū)⒉季€基板10的安裝面(下表面1b)側(cè)作為外部端子的配置空間而有效利用，所以即使增大外部端子數(shù)量也能夠抑制半導(dǎo)體器件PKGl的安裝面積的增大，在該方面是優(yōu)選的。也就是說(shuō)，能夠節(jié)省空間地安裝隨著高功能化、高集成化而外部端子數(shù)量增大的半導(dǎo)體器件PKG I。
[0056]另外，如圖3所示，布線基板10具有形成在上表面1t上的多個(gè)接合焊盤(pán)(端子、內(nèi)部端子、電極、接合引線、接合指(bonding finger) )14。多個(gè)接合焊盤(pán)14是用于將布線基板10與半導(dǎo)體芯片20電連接的端子。在圖3所示的例子中，多個(gè)接合焊盤(pán)14設(shè)在半導(dǎo)體芯片20的周圍，經(jīng)由多根導(dǎo)線30與半導(dǎo)體芯片20電連接。
[0057]在圖4所示的例子中，布線基板10的上表面1t被絕緣膜(阻焊膜)15覆蓋。另外，在絕緣膜15上形成有開(kāi)口部，在開(kāi)口部中，接合焊盤(pán)14的至少一部分從絕緣膜15露出。而且，在接合焊盤(pán)14中的從絕緣膜15露出的部分上，連接有導(dǎo)線30的一個(gè)端部。
[0058]另外，如圖4所示，布線基板10具有將上表面1t側(cè)的多個(gè)端子(接合焊盤(pán)14)與下表面1b側(cè)的多個(gè)端子(接合區(qū)12)電連接的多個(gè)布線層(在圖4所示的例子中為4層)。設(shè)在各布線層上的多根布線16被對(duì)多根布線16之間及相鄰的布線層之間進(jìn)行絕緣的絕緣層17覆蓋。在圖4所示的例子中，布線基板10具有層疊而成的多個(gè)絕緣層17，正中的絕緣層17是例如在玻璃纖維等纖維材料中含浸環(huán)氧樹(shù)脂等樹(shù)脂材料而成的芯層(芯材)。另外，分別形成在芯層的上表面及下表面上的絕緣層17通過(guò)例如層積(built-up)方法而形成。但是，作為針對(duì)圖4的變形例，也可以使用不具有成為芯層的絕緣層17的、即所謂的無(wú)芯(core-less)基板。
[0059]此外，在布線基板10所具有的多個(gè)布線層中的最上層的布線層(最上表面1t側(cè)的布線層)設(shè)置的布線16與接合焊盤(pán)14 一體地形成。換言之，能夠認(rèn)為接合焊盤(pán)14為布線16的一部分。另外，在區(qū)分接合焊盤(pán)14和布線16而考慮的情況下，在布線基板10的上表面1t中，能夠?qū)慕^緣膜15露出的部分定義為接合焊盤(pán)14，將被絕緣膜15覆蓋的部分定義為布線16。另外，在布線基板10所具有的多個(gè)布線層中的最下層的布線層(最下表面1b側(cè)的布線層)設(shè)置的布線16與接合區(qū)12—體地形成。換言之，能夠認(rèn)為接合區(qū)12為布線16的一部分。另外，在區(qū)分接合區(qū)12和布線16而考慮的情況下，在布線基板10的下表面1b中，能夠?qū)慕^緣膜13露出的部分定義為接合區(qū)12，將被絕緣膜13覆蓋的部分定義為布線16。
[0060]另外，布線基板10具有設(shè)在各布線層之間、并將層疊的布線層沿厚度方向連接的作為層間導(dǎo)電路的過(guò)孔(via)布線16V。另外，在圖4所示的例子中，布線基板10具有成為芯材的絕緣層17。因此，布線基板10具有將芯材沿厚度方向貫穿的多根通孔布線16T，多個(gè)接合焊盤(pán)14和多個(gè)接合區(qū)12經(jīng)由多根通孔布線16T而電連接。
[0061]像這樣布線基板10構(gòu)成在半導(dǎo)體器件PKGl的作為外部連接端子的多個(gè)焊錫球11與半導(dǎo)體芯片20之間傳輸電信號(hào)和/或電位的路徑的一部分。此外，作為針對(duì)圖4的變形例，也存在使接合區(qū)12自身作為外部連接端子而發(fā)揮功能的情況。該情況下，在接合區(qū)12上沒(méi)有連接焊錫球11，而是多個(gè)接合區(qū)12分別在布線基板10的下表面1b上從絕緣膜13露出。另夕卜，作為針對(duì)圖3的其他變形例，也存在取代球形狀的焊錫球11而連接薄的焊錫膜、并使該焊錫膜作為外部連接端子而發(fā)揮功能的情況。
[0062]另外，如圖3及圖4所示，在布線基板10的上表面1t上搭載有半導(dǎo)體芯片20。如圖4所示，半導(dǎo)體芯片20具有表面(主面、上表面)20t、與表面20t為相反側(cè)的背面(主面、下表面)20b及位于表面20t與背面20b之間的側(cè)面20s。另外，半導(dǎo)體芯片20如圖3所示在俯視觀察下呈四邊形的外形形狀。
[0063]另外，如圖3及圖4所示，半導(dǎo)體芯片20具有多個(gè)焊盤(pán)(電極、芯片電極)21。焊盤(pán)21是半導(dǎo)體芯片的外部端子，從覆蓋半導(dǎo)體芯片20的表面20t的絕緣膜露出。另外，在圖3所示的例子中，多個(gè)焊盤(pán)21沿著半導(dǎo)體芯片20的表面20t的各邊分別設(shè)在表面20t的周緣部側(cè)。
[0064]另外，在半導(dǎo)體芯片20的主面(半導(dǎo)體元件形成面)上，分別形成有二極管和/或三極管等多個(gè)半導(dǎo)體元件(電路元件)，經(jīng)由形成在半導(dǎo)體元件上的未圖示的布線(布線層)而與多個(gè)焊盤(pán)21分別電連接。像這樣半導(dǎo)體芯片20通過(guò)形成在主面上的多個(gè)半導(dǎo)體元件和將這些多個(gè)半導(dǎo)體元件電連接的布線而構(gòu)成集成電路。
[0065]此外，持有作為半導(dǎo)體芯片20的半導(dǎo)體元件形成面的主面的基材(半導(dǎo)體基板)由例如硅(Si)構(gòu)成。另外，多個(gè)焊盤(pán)21分別由金屬構(gòu)成，在本實(shí)施方式中，由例如鋁(Al)構(gòu)成。
[0066]另外，在圖3及圖4所示的例子中，半導(dǎo)體芯片20通過(guò)在使背面20b與布線基板10的上表面1t相對(duì)的狀態(tài)下搭載到布線基板10的上表面1t上的、所謂面朝上(face-up)安裝方式而搭載在布線基板10上。半導(dǎo)體芯片20經(jīng)由粘結(jié)材料50(參照?qǐng)D4)而固定在芯片搭載區(qū)域的上表面1t上。粘結(jié)材料50只要能夠?qū)雽?dǎo)體芯片20固定到布線基板10的上表面10t，則沒(méi)有特別限定，但在本實(shí)施方式中，使用例如環(huán)氧類的熱固化性樹(shù)脂。
[0067]另外，如圖3及圖4所示，半導(dǎo)體芯片20經(jīng)由多根導(dǎo)線30而分別與布線基板10電連接。詳細(xì)地說(shuō)，導(dǎo)線30的一個(gè)端部與在半導(dǎo)體芯片20的表面20t上露出的焊盤(pán)21連接。另外，導(dǎo)線30的另一個(gè)端部與布線基板10的接合焊盤(pán)14連接。導(dǎo)線30由例如金(Au)或銅(Cu)等金屬構(gòu)成。
[0068]另外，如圖4所示，半導(dǎo)體芯片20、多根導(dǎo)線30及多個(gè)接合焊盤(pán)14被封裝體40封固。另外，封裝體40形成在布線基板10的上表面1t上。在圖1及圖4所示的例子中，封裝體40以布線基板10的上表面1t中的周緣部從封裝體40露出的方式形成。但是，作為針對(duì)圖1及圖4的變形例，也可以以覆蓋布線基板10的上表面1t整體的方式形成封裝體40。
[0069]《布線基板的布線構(gòu)造的詳情》
[0070]接下來(lái)，說(shuō)明圖1?圖4所示的布線基板10的布線構(gòu)造的詳情。在本部分中，在說(shuō)明布線基板10的詳細(xì)構(gòu)造之前，在使用【附圖說(shuō)明】了本申請(qǐng)發(fā)明人所發(fā)現(xiàn)的課題后，再說(shuō)明本實(shí)施方式的布線基板10的詳細(xì)構(gòu)造。
[0071]圖5是圖3的B部分的放大俯視圖。另外，圖6是圖5所示的信號(hào)傳輸路徑的電路圖。另外，圖7是表示圖6所示的各部件的阻抗的值的例子的說(shuō)明圖。另外，圖8是將圖5所示的差動(dòng)信號(hào)傳輸用的布線中的迂回的部分的周邊放大而示出的放大俯視圖。另外，圖24是表示作為與圖5對(duì)應(yīng)的研究例的半導(dǎo)體器件的布線構(gòu)造例的放大俯視圖。另外，圖25是示意地表示在圖24所示的半導(dǎo)體器件中發(fā)生信號(hào)反射的部位的說(shuō)明圖。另外，圖26是圖25所示的信號(hào)傳輸路徑的電路圖。另外，圖27是表示圖26所示的各部件的阻抗的值的例子的說(shuō)明圖。
[0072]此外，在圖7中，由于圖6所示的各部件的阻抗中的至阻抗Z2的各部分與圖27相同，所以省略了圖示。另外，在圖8中，為了易于判斷地表示部分PT1、部分PT2及部分PT3的邊界，對(duì)部分PT3賦予花紋而表示。
[0073]本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件PKGl具有像PC1-Express和USB等通信方式那樣，使用構(gòu)成差動(dòng)對(duì)的兩根信號(hào)線來(lái)傳輸差動(dòng)信號(hào)的信號(hào)傳輸路徑。對(duì)于差動(dòng)信號(hào)的傳輸速度具有各種變形例，但本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件PKGl具有以例如8Gbps(每秒8千兆位)左右的傳輸速度傳輸差動(dòng)信號(hào)的信號(hào)傳輸路徑。
[0074]關(guān)于差動(dòng)傳輸方式，一般具有在構(gòu)成差動(dòng)對(duì)的兩根信號(hào)線中分別流動(dòng)極性相互相反的信號(hào)電流、并將信號(hào)線間的電位差作為信號(hào)來(lái)檢測(cè)的方式。因此，構(gòu)成差動(dòng)對(duì)的兩根布線設(shè)為以一定的分隔距離并行。例如圖24所示的半導(dǎo)體器件PKGhl所具有的多條布線16中的布線16SG1和布線16SG2設(shè)為以分隔距離SPl并行。像這樣通過(guò)將差動(dòng)對(duì)的分隔距離整理為一定值，能夠抑制在差動(dòng)信號(hào)的傳輸路徑中產(chǎn)生差動(dòng)阻抗的不連續(xù)點(diǎn)。
[0075]但是，難以在信號(hào)傳輸路徑的全部部分中避免阻抗不連續(xù)點(diǎn)的產(chǎn)生。例如如圖25示意地所示，考慮到從焊錫球11側(cè)朝向半導(dǎo)體芯片20傳輸輸入信號(hào)SIGl的情況。在圖25所示的信號(hào)傳輸路徑中的至連接有導(dǎo)線30的部分，構(gòu)成差動(dòng)對(duì)的布線以并行方式設(shè)置，由此，如圖27所示，能夠抑制阻抗不連續(xù)點(diǎn)的產(chǎn)生。但是，在將半導(dǎo)體芯片20與布線基板10電連接的部分中，布線構(gòu)造大幅變化，所以難以調(diào)整阻抗值，如圖27所示，容易產(chǎn)生阻抗不連續(xù)點(diǎn)。而且，在阻抗不連續(xù)點(diǎn)，如圖25及圖26示意地所示，發(fā)生信號(hào)反射，輸入信號(hào)SIGl的一部分作為反射信號(hào)RTNl而朝向作為輸入端子的焊錫球11的方向反射。因此，到達(dá)半導(dǎo)體芯片20的輸入信號(hào)SIG2與輸入信號(hào)SIGl相比減小。也就是說(shuō)，由于產(chǎn)生阻抗不連續(xù)點(diǎn)，所以信號(hào)傳輸路徑的反射損耗(return loss)特性降低。
[0076]尤其是，在將半導(dǎo)體芯片20與布線基板10經(jīng)由導(dǎo)線30而電連接的情況下，如圖27所示，導(dǎo)線30的部分與其他部分相比阻抗值變大。導(dǎo)線30由于為細(xì)的線形金屬部件，所以截面積(線徑)小(例如，小于布線16SG1、16SG2的截面積)的傳輸路徑延伸得較長(zhǎng)。其被認(rèn)為是在導(dǎo)線30的部分阻抗變大的原因之一。另外，如圖3所示，在接合焊盤(pán)14與半導(dǎo)體芯片20的焊盤(pán)21的配置間距不同的情況下，難以使相鄰的導(dǎo)線30并行。因此，在導(dǎo)線30的部分差動(dòng)阻抗的值容易變化。在圖27所示的例子中，導(dǎo)線30部分的阻抗Z4與接合焊盤(pán)14部分的阻抗Z3之差大于其他部分的阻抗之差。像這樣，在存在阻抗值大幅變化的阻抗不連續(xù)點(diǎn)的情況下，信號(hào)的反射量變大，因此反射損耗的程度變大。
[0077]因此，本申請(qǐng)發(fā)明人對(duì)抑制信號(hào)反射來(lái)改善信號(hào)傳輸路徑的反射損耗特性的技術(shù)進(jìn)行了研究。其結(jié)果為，判明了通過(guò)在阻抗差大幅變化的阻抗不連續(xù)點(diǎn)與輸入部分之間設(shè)置阻抗值大的部分，能夠降低作為信號(hào)傳輸路徑整體的信號(hào)反射量。以下，使用圖5?圖8詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。
[0078]如圖5所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件PKGl的半導(dǎo)體芯片20所具有的多個(gè)焊盤(pán)21具有焊盤(pán)21SG1和位于與焊盤(pán)21SG1相鄰的位置的焊盤(pán)21SG2。焊盤(pán)21SG1及焊盤(pán)21SG2構(gòu)成傳輸差動(dòng)信號(hào)的差動(dòng)對(duì)。另外，多個(gè)接合焊盤(pán)14具有經(jīng)由多根導(dǎo)線30中的導(dǎo)線30SG1而與焊盤(pán)21SG1電連接的接合焊盤(pán)14SG1、經(jīng)由導(dǎo)線30SG2而與焊盤(pán)21SG2電連接且位于與接合焊盤(pán)14SG1相鄰的位置的接合焊盤(pán)14SG2。
[0079]另外，如圖5及圖8所示，多根布線16具有與接合焊盤(pán)14SG1相連的布線16SG1和與接合焊盤(pán)14SG2相連的布線16SG2。在俯視觀察下，布線16SG1及布線16SG2分別具有以第I分隔距離SPl相互并行的部分(并行部)PTl。另外，布線16SG1及布線16SG2分別具有與部分PTl設(shè)于相同布線層、且以分隔距離SP2相互并行的部分(并行部)PT2。另外，布線16SG1及布線16SG2分別具有設(shè)在部分PTl與部分PT2之間、且向相互的分隔距離變得比分隔距離SPl及分隔距離SP2大的方向迂回而設(shè)置的部分(迂回部)PT3。
[0080]在圖8所示的布線構(gòu)造的情況下，若著眼于信號(hào)傳輸路徑的差動(dòng)阻抗的值，則成為圖6及圖7所例示那樣的狀態(tài)。即，在構(gòu)成差動(dòng)對(duì)的布線的中途，設(shè)置相互的分隔距離變大的部分PT3，由此，在部分PT3處，差動(dòng)阻抗的值變大。例如，在圖7所示的例子中，部分PT3的阻抗Z22大于部分PTl的阻抗Z21和部分PT2的阻抗Z23。另外，部分PT3的阻抗Z22小于導(dǎo)線30的阻抗Z4。
[0081]在圖5?圖8所示的布線構(gòu)造的信號(hào)傳輸路徑中輸入有信號(hào)的情況下，如圖6示意所示產(chǎn)生信號(hào)的反射。首先，從焊錫球11側(cè)傳輸來(lái)的輸入信號(hào)SIGl在到達(dá)部分PT3之前，沒(méi)有產(chǎn)生特別明顯的反射而傳輸。但是，由于部分PT2與部分PT3的邊界是阻抗Z22的值大幅變化的阻抗不連續(xù)點(diǎn)，所以輸入信號(hào)SIGl的一部分作為反射信號(hào)RTNl而朝向作為輸入端子的焊錫球11的方向反射。但是，由于阻抗Z22的值小于導(dǎo)線30的阻抗Z4的值，所以反射信號(hào)RTNl的反射量小于圖26所示的反射信號(hào)RTNl。
[0082]接著，導(dǎo)線30與接合焊盤(pán)14的邊界成為阻抗Z4的值大幅變化的阻抗不連續(xù)點(diǎn)。因此，輸入信號(hào)SIGl的一部分作為反射信號(hào)RTN2而朝向作為輸入端子的焊錫球11的方向反射。
[0083]但是，在本實(shí)施方式的情況下，在反射信號(hào)RTN2的行進(jìn)方向上，部分PTl與部分PT3的邊界成為阻抗不連續(xù)點(diǎn)。因此，反射信號(hào)RTN2的一部分作為反射信號(hào)RTN3而朝向半導(dǎo)體芯片20的方向反射。向半導(dǎo)體芯片20的方向再次反射的反射信號(hào)RTN3向與輸入信號(hào)SIGl相同的方向前進(jìn)，因此，輸入到半導(dǎo)體芯片20的輸入信號(hào)SIG2的值大于圖26所示的輸入信號(hào)SIG2的值。也就是說(shuō)，在本實(shí)施方式中，通過(guò)將反射信號(hào)RTN2在部分PT3處再次反射，降低了作為信號(hào)傳輸路徑整體的反射損耗的量。換言之，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠改善信號(hào)傳輸路徑的反射損耗特性。再換言之，在本實(shí)施方式中，通過(guò)在阻抗值的差大的阻抗不連續(xù)點(diǎn)與輸入端子之間設(shè)置其他的阻抗不連續(xù)點(diǎn)，表觀上消除了信號(hào)的反射。
[0084]像這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)在差動(dòng)信號(hào)的傳輸路徑上有意地設(shè)置阻抗不連續(xù)點(diǎn)，能夠改善反射損耗特性。因此，能夠提高半導(dǎo)體器件的信號(hào)傳輸特性。
[0085]另外，在圖5?圖8所示的信號(hào)傳輸路徑中，若研究信號(hào)從半導(dǎo)體芯片20側(cè)朝向焊錫球11側(cè)輸出的情況，則如下所述。即，從圖6所示的半導(dǎo)體芯片20輸出的輸出信號(hào)(省略圖示)在導(dǎo)線30的部分處被反射一部分。但是，半導(dǎo)體芯片20與導(dǎo)線30的阻抗差小于導(dǎo)線30與布線基板10的阻抗差。因此，輸出信號(hào)在導(dǎo)線30處的反射量小。接著，輸出信號(hào)在布線基板10的部分PT3處被反射一部分。但是，在部分PT3被反射的反射信號(hào)在與導(dǎo)線30的邊界再次被反射，并朝向焊錫球11的方向前進(jìn)。其結(jié)果為，到達(dá)焊錫球11側(cè)的輸出信號(hào)即使在設(shè)有部分PT3的情況下也不會(huì)大幅降低。
[0086]然而，在本實(shí)施方式中，在圖8所示的部分PT3處，構(gòu)成差動(dòng)對(duì)的布線16SG1及布線16SG2不并行。在部分PT3處，向布線16SG1及布線16SG2的相互的分隔距離變得比分隔距離SPl及分隔距離SP2大的方向迂回。像這樣，在不使差動(dòng)對(duì)的一部分并行的情況下，不并行的部分PT3的布線路徑距離與并行的部分PT1、PT2的布線路徑距離相比，對(duì)于信號(hào)傳輸路徑的電感成分的影響變大。另外，若將部分ΡΤ3的布線圖案設(shè)為線圈形狀或蜿蜒形狀，則與形狀相應(yīng)地能夠進(jìn)一步增大部分ΡΤ3的電感成分。也就是說(shuō)，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠通過(guò)迂回的布線路徑距離或迂回的部分處的布線圖案的形狀，容易地控制阻抗Ζ22的值。
[0087]例如，在圖8所示的例子中，布線16SG1及布線16SG2分別呈在部分ΡΤ3處朝向遠(yuǎn)離方向蜿蜒的曲折(meander)形狀。換言之，在圖8所示的例子中，部分PT3具有沿相對(duì)于部分PTl的延伸方向交叉的方向延伸的交叉部分、和沿著部分PTl延伸的并行部分。此外，在圖8中，并行部分相對(duì)于部分PTl并行，但作為變形例，并行部分也可以與部分PT2并行。該情況下，能夠通過(guò)調(diào)整并行部分的長(zhǎng)度PT3L，來(lái)調(diào)整部分PT3的電感。
[0088]另外，在本實(shí)施方式中，部分PTl與部分PT2的分隔距離SP12充分小。在圖8所示的例子中，分隔距離SP12與分隔距離SPl和分隔距離SP2為相同程度，例如小于部分PT3的并行部分的長(zhǎng)度PT3L。像這樣，在部分PTl與部分PT2的分隔距離SP12小的情況下，能夠?qū)⒆鳛橛鼗夭康牟糠諴T3在電路上視為線圈。也就是說(shuō)，根據(jù)圖8所示的例子，在構(gòu)成差動(dòng)信號(hào)的傳輸路徑的部分PT3中，追加了線圈的電感。
[0089]另外，在信號(hào)傳輸路徑的阻抗中包含電容成分、電阻成分及電感成分。本申請(qǐng)發(fā)明人在進(jìn)行研究時(shí)，判明從控制信號(hào)傳輸路徑的反射量來(lái)降低反射損耗的出發(fā)，像本實(shí)施方式這樣主要調(diào)整阻抗成分中的電感成分的方法尤其有效。
[0090]另外，在傳輸差動(dòng)信號(hào)的情況下，優(yōu)選構(gòu)成差動(dòng)對(duì)的各傳輸路徑的長(zhǎng)度及各路徑中的阻抗的值為相同值。因此，優(yōu)選構(gòu)成差動(dòng)對(duì)的布線16SG1及布線16SG2的形狀相對(duì)于布線16SG1與布線16SG2的中央的假想線VL1(參照?qǐng)D8)呈線對(duì)稱的形狀。不過(guò)，若能夠?qū)⒏鱾鬏斅窂降拈L(zhǎng)度及各路徑中的阻抗的值整理至實(shí)效上可看作相同的程度，則布線16SG1及布線16SG2的形狀也可以不為線對(duì)稱。
[0091]另外，在本實(shí)施方式中，部分PT1、部分PT2及部分PT3分別形成在相同布線層上。因此，在部分PT3中，不包含圖4所示的過(guò)孔布線16V和通孔布線16T等。在形成有過(guò)孔布線16V或通孔布線16T等層間導(dǎo)電路的部位，需要設(shè)置用于連接層間導(dǎo)電路的導(dǎo)體圖案。由于該導(dǎo)體圖案與布線16相比面積較大，所以形成了電容性的阻抗成分。在此，若部分PT3中包含電容性的阻抗成分，則差動(dòng)阻抗的值的控制變得復(fù)雜。另一方面，在如本實(shí)施方式這樣，部分PT1、部分PT2及部分PT3分別形成于相同布線層的情況下，能夠通過(guò)布線圖案的形狀及長(zhǎng)度容易地控制電感。
[0092]另外，在圖5所示的例子中，部分PT1、部分PT2及部分PT3分別形成于相同布線層。換言之，部分PT1、部分PT2及部分PT3與接合焊盤(pán)14形成于相同布線層。再換言之，在本實(shí)施方式中，部分PT1、部分PT2及部分PT3分別與接合焊盤(pán)14相同地形成于最上層的布線層。
[0093]如圖6所示，假設(shè)在接合焊盤(pán)14與導(dǎo)線30的接合部處使產(chǎn)生的反射信號(hào)RTN2再次反射的情況下，從抑制反射信號(hào)RTN2的衰減的觀點(diǎn)出發(fā)，導(dǎo)線30與部分PT3的距離最好較近。因此，在如本實(shí)施方式這樣，部分PTl、部分PT2及部分PT3分別與接合焊盤(pán)14相同地形成于最上層的布線層的情況下，導(dǎo)線30與部分PT3的距離縮短，能夠抑制反射信號(hào)RTN2的衰減。在本實(shí)施方式中，如上所述反射信號(hào)RTN2的一部分作為反射信號(hào)RTN3朝向半導(dǎo)體芯片20的方向反射，成為向半導(dǎo)體芯片20輸入的輸入信號(hào)SIG2的一部分。因此，能夠通過(guò)抑制反射信號(hào)RTN2的衰減，來(lái)降低輸入到半導(dǎo)體芯片20的輸入信號(hào)SIG2的損失。
[0094]另外，在部分PT1、部分PT2及部分PT3分別形成于最上層的布線層的情況下，圖6所示的阻抗Z3與阻抗Z23的距離變短，因此能夠縮短反射信號(hào)RTN2的傳輸距離。因此，能夠降低因反射信號(hào)RTN2向周圍傳播而產(chǎn)生的針對(duì)其他信號(hào)傳輸路徑的作為噪聲源的影響。換言之，通過(guò)縮小部分PTl與接合焊盤(pán)14的距離，能夠?qū)⒎瓷湫盘?hào)RTN2抑制為小范圍。
[0095]另外，如圖7附加箭頭而示意地所示，在將阻抗不連續(xù)點(diǎn)設(shè)于接合焊盤(pán)14的附近的情況下，信號(hào)傳輸路徑的表觀上的阻抗ZS朝向作為最大的阻抗不連續(xù)點(diǎn)的導(dǎo)線30的阻抗Z4逐漸變大。在此，上述的“表觀上的阻抗ZS”是指在信號(hào)傳輸路徑中，除去從信號(hào)反射的觀點(diǎn)出發(fā)能夠忽略影響這樣小的構(gòu)成部分的阻抗值以外的情況下的阻抗值。嚴(yán)密地說(shuō)，部分PTl和接合焊盤(pán)14的阻抗小于部分PT3的阻抗，但通過(guò)縮短部分PTl和接合焊盤(pán)14的延伸距離，能夠在電路上忽視它們的阻抗成分。另外，對(duì)于表觀上的阻抗ZS的值，忽視局部阻抗值的變化并將多個(gè)部分的阻抗值平均而計(jì)算出。
[0096]而且，如圖7所示，在朝向作為最大的阻抗不連續(xù)點(diǎn)的導(dǎo)線30的阻抗Z4而表觀上的阻抗ZS的值逐漸變大的情況下，如圖27所示，相較于在導(dǎo)線30與接合焊盤(pán)14的邊界阻抗ZS的值急劇變大的情況，難以發(fā)生信號(hào)反射。
[0097]也就是說(shuō)，在如本實(shí)施方式這樣，部分P1、部分PT2及部分PT3分別與接合焊盤(pán)14相同地形成于最上層的布線層的情況下，能夠減低在圖6所示的接合焊盤(pán)14與導(dǎo)線30的邊界產(chǎn)生的反射信號(hào)RTN2的反射量。
[0098]但是，作為針對(duì)本實(shí)施方式的變形例，也可以將部分PTl、部分PT2及部分PT3形成于最上層以外的布線層。例如，也可以在圖4所示的多個(gè)布線層中的、作為芯材正中的絕緣層17的上表面或下表面的布線層上形成部分PT1、部分PT2及部分PT3?；蛘?，只要能夠確保配置部分PT1、部分PT2及部分PT3的空間，則也可以在最下層的布線層、即與圖4所示的多個(gè)接合區(qū)12相同的布線層上形成部分PTl、部分PT2及部分PT3。像這樣，即使在將部分PTl、部分PT2及部分PT3形成在最上層以外的布線層上的情況下，也會(huì)得到將圖6所示的反射信號(hào)RTN2再次反射的效果。
[0099]另外，在圖5及圖8所示的例子中，布線16SG1、16SG2的分隔距離SPl與分隔距離SP2相等。在如本實(shí)施方式這樣，在信號(hào)傳輸路徑的中途設(shè)置阻抗值變大的部分PT3的情況下，部分PTl及部分PT2的阻抗值也可以不同。因此，分隔距離SPl與分隔距離SP2可以不同。但是，從將信號(hào)傳輸路徑的整體統(tǒng)一為規(guī)定值(例如50 Ω)的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選分隔距離SPl與分隔距離SP2彼此相等。
[0100]另外，在如本實(shí)施方式這樣以高速進(jìn)行信號(hào)傳輸?shù)那闆r下，需要降低來(lái)自其他布線16(參照?qǐng)D5)的串?dāng)_噪聲的影響。為了降低串?dāng)_噪聲的影響，優(yōu)選將布線間的分隔距離擴(kuò)大，該情況下，布線密度降低。因此，從增大布線密度且同時(shí)降低串?dāng)_噪聲的影響的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選如圖5所示，在差動(dòng)對(duì)的相鄰兩側(cè)設(shè)置基準(zhǔn)電位用的布線16VS1、16VS2。例如在圖5所示的例子中，以沿著布線16SG1并行的方式設(shè)置基準(zhǔn)電位用的布線16VS1，以沿著布線16SG2并行的方式設(shè)置基準(zhǔn)電位用的布線16VS2。另外，在布線16VS1及布線16VS2中作為基準(zhǔn)電位而供給有例如接地電位。像這樣，通過(guò)在以高速傳輸信號(hào)的差動(dòng)對(duì)的相鄰兩側(cè)設(shè)置被供給基準(zhǔn)電位的布線16VS1、16VS2，即使在其他布線存在于差動(dòng)對(duì)附近的情況下，也能夠降低來(lái)自其他布線的串?dāng)_噪聲的影響。
[0101]另外，在圖5所示的例子中，布線16SG1及布線16SG2設(shè)于布線16VS1與布線16VS2之間。在差動(dòng)信號(hào)的傳輸路徑中，使構(gòu)成差動(dòng)對(duì)的布線并行，由此，以將相互的噪聲相抵消的方式構(gòu)成。另一方面，要求布線16SG1及布線16SG2具有將針對(duì)差動(dòng)對(duì)的來(lái)自外部的電磁波的影響屏蔽的功能。因此，在沿著差動(dòng)對(duì)設(shè)置基準(zhǔn)電位用的布線16VS1、16VS2的情況下，也需要包括迂回的部分PT3在內(nèi)，在布線16VS1與布線16VS2之間設(shè)置差動(dòng)對(duì)。
[0102]此外，雖然省略了圖示，但只要在俯視觀察下能夠?qū)⒉季€間的分隔距離設(shè)為充分大，則也可以不設(shè)置基準(zhǔn)電位用的布線16VS1及布線16VS2。
[0103]《半導(dǎo)體器件的制造方法》
[0104]接下來(lái)，說(shuō)明使用圖1?圖8說(shuō)明的半導(dǎo)體器件PKGl的制造工序。在以下的說(shuō)明中，根據(jù)需要參照表不制造工序的流程的流程圖和圖1?圖8進(jìn)行說(shuō)明。圖9是表不使用圖1?圖8說(shuō)明的半導(dǎo)體器件的制造工序的概要的說(shuō)明圖。此外，在本實(shí)施方式中，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，說(shuō)明在圖3所示的布線基板10上搭載半導(dǎo)體芯片20的實(shí)施方式。但是，作為變形例，也具有如下方法:準(zhǔn)備具有相當(dāng)于布線基板10的多個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)域的所謂拼版基板，將多個(gè)半導(dǎo)體器件一并組裝后，按產(chǎn)品形成區(qū)域進(jìn)行單片化。該情況下，能夠?qū)⒔M裝工序效率化。
[0105]《準(zhǔn)備布線基板》
[0106]首先，在布線基板準(zhǔn)備工序中，準(zhǔn)備圖3所示的布線基板10。在本工序中準(zhǔn)備的布線基板10上，在上表面(表面、芯片搭載面)10t側(cè)設(shè)有芯片搭載區(qū)域(供圖3所示的半導(dǎo)體芯片20搭載的預(yù)定區(qū)域)，在芯片搭載區(qū)域的周圍，在開(kāi)口部中形成有從絕緣膜(阻焊膜)15露出的多個(gè)接合焊盤(pán)14。另外，在布線基板10的與上表面1t為相反側(cè)的下表面(背面、安裝面)10b(參照?qǐng)D4)上，形成有多個(gè)接合區(qū)(端子、外部端子、外部電極)12。在本工序中，不在多個(gè)接合區(qū)12上連接圖4所示的焊錫球11，多個(gè)接合區(qū)12分別在開(kāi)口部中從絕緣膜(阻焊膜)13露出。
[0107]另外，在本工序中準(zhǔn)備的布線基板10既已形成有使用圖5?圖8說(shuō)明的多根布線
16。多根布線16中，如圖5所示，包含構(gòu)成差動(dòng)信號(hào)的傳輸路徑的布線16SG1及布線16SG2。另夕卜，多根布線16中包含構(gòu)成基準(zhǔn)電位的供給路徑的布線16VS1及布線16VS2。
[0108]《芯片焊接》
[0109]接著在芯片焊接工序中，如圖3及圖4所示在布線基板10的上表面1t上搭載半導(dǎo)體芯片20。在本實(shí)施方式中，以半導(dǎo)體芯片20的背面20b(參照?qǐng)D4)與布線基板10的上表面1t分別相對(duì)的方式、即所謂面朝上安裝方式搭載半導(dǎo)體芯片20。另外，在圖4所示的例子中，半導(dǎo)體芯片20經(jīng)由粘結(jié)材料50而粘結(jié)固定在布線基板1的上表面1 t上。粘結(jié)材料50由例如環(huán)氧樹(shù)脂等熱固化性樹(shù)脂構(gòu)成。
[0110]《導(dǎo)線焊接》
[0111]接著，在導(dǎo)線焊接工序中，如圖3及圖4所示，將半導(dǎo)體芯片20的表面20t上形成的多個(gè)焊盤(pán)21與配置在半導(dǎo)體芯片20的周圍的多個(gè)接合焊盤(pán)14經(jīng)由多根導(dǎo)線(導(dǎo)電性部件)30而分別電連接。
[0112]在本工序中，將由例如金(Au)或銅(Cu)等金屬材料構(gòu)成的導(dǎo)線30的一端部與半導(dǎo)體芯片20的焊盤(pán)21接合，將另一端部與布線基板10的接合焊盤(pán)14接合。作為接合方式，能夠使用例如對(duì)接合部施加超聲波來(lái)形成金屬鍵的方式、熱壓接的方式、或同時(shí)利用超聲波和熱壓接的方式等。此外，在圖4中，示出了首先將導(dǎo)線30的一部分(一端部)與焊盤(pán)21連接的、以所謂正向焊接(forward bonding)方式連接的方法。但是，作為變形例，也可以是將接合焊盤(pán)14與導(dǎo)線30的一端部首先連接的所謂逆向焊接(reverse bonding)方式。
[0113]《封固》
[0114]接著，在封固工序中，如圖4所示，通過(guò)樹(shù)脂將半導(dǎo)體芯片20、多根導(dǎo)線30及多個(gè)接合焊盤(pán)14封固，形成封裝體40。在本工序中，通過(guò)樹(shù)脂將搭載在布線基板10的上表面1t上的半導(dǎo)體芯片20、多根導(dǎo)線30及多個(gè)接合焊盤(pán)14封固。
[0115]另外，在本工序中，使用具有設(shè)有型腔的上模(第I模具)、下模(第2模具)的成形模具，通過(guò)所謂傳遞注塑(transfer mould)方式形成封裝體40。詳細(xì)地說(shuō)，在本工序中，在用成形模具夾著布線基板10的狀態(tài)下，將軟化的樹(shù)脂壓入到成形模具的型腔內(nèi)后，使該樹(shù)脂固化，由此形成封裝體40。然后，只要將成形模具與布線基板10剝離，則如圖4所示，形成將半導(dǎo)體芯片20封固的封裝體40。
[0116]《植球》
[0117]接著，在植球工序中，如圖4所示，在形成于布線基板10的下表面1b的多個(gè)接合區(qū)12上，接合成為外部端子的多個(gè)焊錫球11。
[0118]在本工序中，在將布線基板10的下表面1b朝向上方后，在于布線基板10的下表面1b露出的多個(gè)接合區(qū)12各自上配置焊錫球U。然后，通過(guò)對(duì)多個(gè)焊錫球11加熱來(lái)將多個(gè)焊錫球11與接合區(qū)12接合。通過(guò)本工序，多個(gè)焊錫球11經(jīng)由布線基板10與半導(dǎo)體芯片20電連接。
[0119]但是，本實(shí)施方式中說(shuō)明的技術(shù)不限于適用于將焊錫球11以陣列狀接合的、所謂BGA (Ba 11 Grid Array)型的半導(dǎo)體器件。例如，作為針對(duì)本實(shí)施方式的變形例，也能夠適用于所謂LGA(Land Grid Array)型的半導(dǎo)體器件，即不形成焊錫球11，在使接合區(qū)12露出的狀態(tài)下，或在接合區(qū)12上涂布比焊錫球11薄的焊錫膏的狀態(tài)下出貨。在LGA型的半導(dǎo)體器件的情況下，能夠省略植球工序。
[0120]以上，基于實(shí)施方式具體地說(shuō)明了本發(fā)明人所完成的發(fā)明，但本發(fā)明不限定于上述實(shí)施方式，當(dāng)然能夠在不脫離其要旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更。
[0121]《變形例I》
[0122]例如，在圖5中，說(shuō)明了在傳輸差動(dòng)信號(hào)的布線16SG1及布線16SG2各自的一個(gè)部位設(shè)置成為阻抗不連續(xù)點(diǎn)的部分PT3的例子。但是，也可以如圖10?圖12所示的變形例的半導(dǎo)體器件PKG2那樣，在布線16SG1及布線16SG2各自的多個(gè)部位設(shè)置成為阻抗不連續(xù)點(diǎn)的部分ΡΤ3、ΡΤ50
[0123]圖10是將作為針對(duì)圖8的變形例的半導(dǎo)體器件中的差動(dòng)信號(hào)的傳輸路徑的一部分放大而示出的放大俯視圖。另外，圖11是圖10所示的信號(hào)傳輸路徑的電路圖。另外，圖12是表示圖11所示的各部件的阻抗的值的例子的說(shuō)明圖。
[0124]圖10所示的半導(dǎo)體器件PKG2在連接導(dǎo)線30(參照?qǐng)D11)的接合焊盤(pán)14(參照?qǐng)D11)與作為外部端子的焊錫球11(參照?qǐng)D11)之間設(shè)有多個(gè)阻抗不連續(xù)點(diǎn)，該方面與圖8所示的半導(dǎo)體器件PKGl不同。詳細(xì)地說(shuō)，半導(dǎo)體器件PKG2所具有的布線16SG1及布線16SG2分別還具有設(shè)在部分PTl與部分ΡΤ3之間且以分隔距離SP3相互并行的部分ΡΤ4。另外，布線16SG1及布線16SG2分別還具有設(shè)在部分PT4與部分PTl之間且向相互的分隔距離變得比分隔距離SP1、分隔距離SP2及分隔距離SP3大的方向迂回而設(shè)置的部分PT5。此外，分隔距離SP1、SP2、SP3可以分別為不同值，但在圖10所示的例子中，分隔距離SP1、SP2、SP3為相同值。
[0125]另外，圖10所示的部分PT1、PT2、PT3、PT4、PT5分別形成于最上層、即與接合焊盤(pán)14(參照?qǐng)D11)相同的布線層。換言之，在圖10?圖12所示的例子中，在連接導(dǎo)線30的接合焊盤(pán)14的附近設(shè)有多個(gè)阻抗不連續(xù)點(diǎn)。如圖12附加箭頭而示意地所示，在將多個(gè)阻抗不連續(xù)點(diǎn)設(shè)于接合焊盤(pán)14的附近的情況下，信號(hào)傳輸路徑的表觀上的阻抗ZS朝向作為最大的阻抗不連續(xù)點(diǎn)的導(dǎo)線30的阻抗Ζ4逐漸變大。在此，如上所述，“表觀上的阻抗ZS”是指，在信號(hào)傳輸路徑中，除去從信號(hào)反射的觀點(diǎn)出發(fā)能夠忽略影響這樣小的構(gòu)成部分的阻抗值以外的情況下的阻抗值。嚴(yán)密地說(shuō)，部分PTl和接合焊盤(pán)14的阻抗小于部分ΡΤ3和部分ΡΤ5的阻抗，但通過(guò)縮短部分PTl和接合焊盤(pán)14的延伸距離，能夠在電路上忽視它們的阻抗成分。另外，關(guān)于表觀上的阻抗ZS的值，忽視局部阻抗值的變化并將多個(gè)部分的阻抗值平均而計(jì)算出。
[0126]而且，在如圖12所示，朝向作為最大的阻抗不連續(xù)點(diǎn)的導(dǎo)線30的阻抗Ζ4而表觀上的阻抗ZS的值逐漸變大的情況下，如圖27所示，相較于阻抗ZS的值在導(dǎo)線30與接合焊盤(pán)14的邊界急劇變大的情況，難以產(chǎn)生信號(hào)反射。另外，判明圖12所示的阻抗ZS與圖7所示的阻抗ZS相比進(jìn)一步直線性地變大。
[0127]也就是說(shuō)，根據(jù)圖10?圖12所示的變形例，與圖7所示的半導(dǎo)體器件PKGl相比較，能夠進(jìn)一步降低在圖11所示的接合焊盤(pán)14與導(dǎo)線30的邊界產(chǎn)生的反射信號(hào)RTN2的反射量。
[0128]另外，圖10所示的部分ΡΤ5與部分ΡΤ3為相同形狀。部分ΡΤ3及部分ΡΤ5分別具有沿相對(duì)于部分ΡΤ4的延伸方向交叉的方向延伸的交叉部分、和沿著部分ΡΤ4或部分PTl延伸的并行部分。另外，部分ΡΤ3的并行部分的長(zhǎng)度PT3L與部分ΡΤ5的長(zhǎng)度PT5L為相同長(zhǎng)度。因此，部分ΡΤ3的阻抗與部分ΡΤ5的阻抗為相同值。但是，由于部分ΡΤ3與部分ΡΤ5相互接近地設(shè)置，所以部分ΡΤ4的阻抗的影響為可忽視這樣小的程度。因此，在圖11所示的部分ΡΤ4與部分ΡΤ5的邊界，幾乎不會(huì)產(chǎn)生信號(hào)的反射。
[0129]此外，作為針對(duì)本變形例1的進(jìn)一步的變形例，也能夠?qū)⒉糠?1'1、？了2、？了3、？丁4、ΡΤ5分別形成在最上層以外的布線層上。該情況下，由于從部分ΡΤ5至接合焊盤(pán)14的路徑距離變長(zhǎng)，所以如圖12所示，難以將表觀上的阻抗ZS的值大幅除去。但是，即使在部分ΡΤ5形成于其他布線層的情況下，也作為使圖11所示的反射信號(hào)RTN2再次反射的阻抗不連續(xù)點(diǎn)而發(fā)揮功能。因此，作為信號(hào)傳輸路徑整體能夠改善反射損耗特性。
[0130]另外，若圖5所示的部分ΡΤ3與接合焊盤(pán)14的距離充分近，則即使在圖5所示的布線構(gòu)造的情況下，也能夠降低圖6所示的反射信號(hào)RTN2的反射量。但是，如圖12所示，從使阻抗ZS的值緩慢上升的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選像本變形例這樣設(shè)置多個(gè)阻抗不連續(xù)點(diǎn)。
[0131]圖10所示的變形例的半導(dǎo)體器件PKG2的構(gòu)造除上述的不同點(diǎn)以外，與圖8所示的半導(dǎo)體器件PKGl相同。因此省略重復(fù)的說(shuō)明。
[0132]《變形例2》
[0133]接下來(lái)，說(shuō)明與上述變形例I相比使表觀上的阻抗的變化更為平緩的變形例。圖13是作為針對(duì)圖5的變形例的半導(dǎo)體器件的信號(hào)傳輸路徑周邊的放大俯視圖。另外，圖14是將圖13所示的差動(dòng)信號(hào)傳輸用的布線中的迂回的部分的周邊放大而示出的放大俯視圖。另夕卜，圖15是圖13所示的信號(hào)傳輸路徑的電路圖。另外，圖16是表示圖15所示的各部件的阻抗的值的例子的說(shuō)明圖。
[0134]圖13?圖16所示的半導(dǎo)體器件PKG3在設(shè)于連接導(dǎo)線30(參照?qǐng)D15)的接合焊盤(pán)14(參照?qǐng)D15)與作為外部端子的焊錫球11(參照?qǐng)D15)之間的多個(gè)阻抗不連續(xù)點(diǎn)的阻抗值不同的方面，與圖10?圖12所示的半導(dǎo)體器件PKG2不同。詳細(xì)地說(shuō)，圖14所示的部分PT5與部分PT3為不同形狀。部分PT3及部分PT5分別具有沿相對(duì)于部分PT4的延伸方向交叉的方向上延伸的交叉部分、和沿著部分PT4或部分PTl延伸的并行部分。另外，如圖13所示，相對(duì)地設(shè)在距接合焊盤(pán)14較近位置的部分PT5的并行部分的長(zhǎng)度PT5L比部分PT3的長(zhǎng)度PT3L長(zhǎng)。因此，在本變形例中，如圖16所示，部分PT5的阻抗大于部分PT3的阻抗。
[0135]像這樣，通過(guò)朝向接合焊盤(pán)14逐漸增大阻抗，能夠使表觀上的阻抗的變化更為平緩。
[0136]圖13所示的變形例的半導(dǎo)體器件PKG3的構(gòu)造除上述的不同點(diǎn)以外，與圖10所示的半導(dǎo)體器件PKG2相同。因此省略重復(fù)的說(shuō)明。
[0137]《變形例3》
[0138]另外，在上述的圖5、圖10、圖13中，說(shuō)明了設(shè)于傳輸差動(dòng)信號(hào)的布線16SG1及布線16SG2上的成為阻抗不連續(xù)點(diǎn)的部分PT3的形狀在部分PT3處為朝向相互遠(yuǎn)離的方向蜿蜒的曲折形狀的例子。但是，部分PT3的形狀中存在各種變形例。圖17是作為針對(duì)圖5的其他變形例的半導(dǎo)體器件的信號(hào)傳輸路徑周邊的放大俯視圖。另外，圖18是將作為針對(duì)圖8的其他變形例的半導(dǎo)體器件中的差動(dòng)信號(hào)的傳輸路徑的一部分放大而示出的放大俯視圖。
[0139]圖17所示的半導(dǎo)體器件PKG4及圖18所示的半導(dǎo)體器件PKG5各自的部分PT3的形狀與圖5所示的半導(dǎo)體器件PKGl不同。詳細(xì)地說(shuō)，半導(dǎo)體器件PKG4及半導(dǎo)體器件PKG5的布線16SG1及布線16SG2分別在部分PT3處朝向相互分離的方向延伸，但不蜿蜒。換言之，在圖17及圖18所示的例子中，部分PT3具有沿相對(duì)于部分PTl的延伸方向交叉的方向延伸的交叉部分、和沿相對(duì)于交叉部分交叉的方向延伸的回轉(zhuǎn)部分。此外，回轉(zhuǎn)部分與部分PTl和部分PT2不并行，在該方面與圖5所示的半導(dǎo)體器件PKGl的部分PT3的并行部不同。
[0140]另外，圖17所示的半導(dǎo)體器件PKG4所具有的部分PT3的交叉部分的長(zhǎng)度PT3W大于回轉(zhuǎn)部分的長(zhǎng)度PT3L。在圖17所示的布線構(gòu)造的情況下，在與布線16SG1及布線16SG2的延伸方向交叉的方向上，部分PT3大幅延伸，因此能夠增大部分PT3的電感性的阻抗的值。但是，從提高布線密度的觀點(diǎn)出發(fā)，與圖17所示的布線構(gòu)造相比更優(yōu)選圖5所示的半導(dǎo)體器件PKGl的布線構(gòu)造。
[0141]此外，在圖17所示的例子中，由于相鄰的布線16間的距離充分大，所以在與傳輸差動(dòng)信號(hào)的布線16SG1及布線16SG2相鄰的位置沒(méi)有設(shè)置基準(zhǔn)電位用的布線。但是，作為針對(duì)圖17的變形例，也可以在與傳輸差動(dòng)信號(hào)的布線16SG1及布線16SG2相鄰的兩側(cè)分別設(shè)置基準(zhǔn)電位用的布線。
[0142]另一方面，圖18所示的半導(dǎo)體器件PKG5所具有的部分PT3的交叉部分的長(zhǎng)度PT3W比回轉(zhuǎn)部分的長(zhǎng)度PT3L短。另外，在半導(dǎo)體器件PKG5所具有的部分PT3之間形成有分別與布線16SG1及布線16SG2分離的導(dǎo)體圖案MP1。在圖18所示的布線構(gòu)造的情況下，由于部分PT3的迂回距離不大，所以電感性的阻抗的值比圖8所示的半導(dǎo)體器件PKGl的情況小。
[0143]但是，在圖18所示的布線構(gòu)造的情況下，通過(guò)在部分PT3之間設(shè)置導(dǎo)體圖案(過(guò)孔接合區(qū)、虛擬圖案)MPl，在信號(hào)傳輸路徑中追加了電容性的阻抗。導(dǎo)體圖案MPl可以是與其他布線16電分離的浮置的金屬圖案。另外，在導(dǎo)體圖案MPl與基準(zhǔn)電位用的布線電連接的情況下，導(dǎo)體圖案MPl的電位穩(wěn)定，因此在容易控制電容性的阻抗的值的方面是優(yōu)選的。
[0144]圖17所示的變形例的半導(dǎo)體器件PKG4及圖18所示的半導(dǎo)體器件PKG5的構(gòu)造除上述的不同點(diǎn)以外，與圖5及圖8所示的半導(dǎo)體器件PKGl相同。因此省略重復(fù)的說(shuō)明。
[0145]《變形例4》
[0146]另外，在上述的圖5、圖10、圖13、圖17、圖18中，說(shuō)明了成為阻抗不連續(xù)點(diǎn)的部分PT3設(shè)于并行部之間的例子。部分PT3的設(shè)置位置中存在各種變形例。例如，如在上述實(shí)施方式和變形例I中所述，也可以將部分PT3設(shè)于最上層的布線層以外。另外例如，也可以如圖19所示的半導(dǎo)體器件PKG6所具有的布線16SG1及布線16SG2的部分PT3那樣，在將不同的布線層間連接的過(guò)孔布線16V的附近設(shè)置部分PT3。圖19是作為針對(duì)圖5的其他變形例的半導(dǎo)體器件的信號(hào)傳輸路徑周邊的放大俯視圖。
[0147]圖19所示的半導(dǎo)體器件PKG6在過(guò)孔布線16V的附近設(shè)置部分PT3，且不具有圖5所示的部分(并行部)PT2，該方面與圖5所示的半導(dǎo)體器件PKGl不同。但是，圖19所示的部分PT3的形狀與圖5及圖8所示的部分PT3的形狀相同。因此，在圖19所示的實(shí)施方式的情況下，在部分PT3處也能夠增加差動(dòng)信號(hào)的傳輸路徑中的電感性的阻抗。
[0148]另外，在圖19所示的例子中，在比接合焊盤(pán)14接近過(guò)孔布線16V的位置設(shè)有部分PT3。布線在接合焊盤(pán)14的附近比在過(guò)孔布線16V的附近容易密集。因此，在本變形例的情況下，通過(guò)在布線密度相對(duì)低的區(qū)域設(shè)置部分PT3而容易調(diào)整部分PT3的阻抗值，在該方面是優(yōu)選的。
[0149]圖19所示的變形例的半導(dǎo)體器件PKG6的構(gòu)造除上述的不同點(diǎn)以外，與圖5所示的半導(dǎo)體器件PKGl相同。因此省略重復(fù)的說(shuō)明。
[0150]《變形例5》
[0151]另外，在上述的實(shí)施方式及各種變形例中，說(shuō)明了如圖4所示經(jīng)由導(dǎo)線30將半導(dǎo)體芯片20與布線基板10電連接的實(shí)施方式。但是，作為變形例，也能夠適用于通過(guò)導(dǎo)線30以外的導(dǎo)電性部件將半導(dǎo)體芯片20與布線基板10電連接的實(shí)施方式。圖20是作為針對(duì)圖4的變形例的半導(dǎo)體器件的剖視圖。另外，圖21是圖20所示的半導(dǎo)體器件的信號(hào)傳輸路徑周邊的放大俯視圖。另外，圖22是圖21所示的信號(hào)傳輸路徑的電路圖。另外，圖23是表示圖22所示的各部件的阻抗的值的例子的說(shuō)明圖。
[0152]圖20?圖23所示的半導(dǎo)體器件PKG7在布線基板10與半導(dǎo)體芯片20的連接方法方面與圖1?圖8所示的半導(dǎo)體器件PKGl不同。詳細(xì)地說(shuō)，如圖20所示，半導(dǎo)體器件PKG7在表面20t與布線基板10的上表面1t相對(duì)的狀態(tài)下，通過(guò)所謂面朝下(face down)安裝方式將半導(dǎo)體芯片20搭載到布線基板10上。
[0153]另外，半導(dǎo)體芯片20的多個(gè)焊盤(pán)21與布線基板10的多個(gè)接合焊盤(pán)經(jīng)由多個(gè)凸點(diǎn)電極(導(dǎo)電性部件、突起電極、柱狀電極)31而電連接。凸點(diǎn)電極31是將相對(duì)配置的焊盤(pán)21與接合焊盤(pán)14電連接的導(dǎo)電性部件，例如，在由銅(Cu)或金(Au)等金屬材料形成的突起狀的部件的前端接合有焊錫材料?；蛘?，也可以將凸點(diǎn)電極31由球狀焊錫形成。
[0154]該凸點(diǎn)電極31與圖4所示的導(dǎo)線30相比延伸距離短。因此，如圖23所示在凸點(diǎn)電極31的部分處阻抗小。也就是說(shuō)，不會(huì)形成圖7所示的導(dǎo)線30的部分那樣大的阻抗不連續(xù)點(diǎn)。但是，由于半導(dǎo)體芯片20所具有的電路形成為更為微細(xì)的布線圖案，所以如圖23所示，在半導(dǎo)體芯片20與凸點(diǎn)電極31的邊界形成有阻抗不連續(xù)點(diǎn)。其結(jié)果為，如圖22所示，在半導(dǎo)體芯片20與凸點(diǎn)電極31的邊界，產(chǎn)生信號(hào)反射，反射信號(hào)RTN2朝向焊錫球11行進(jìn)。
[0155]因此，半導(dǎo)體器件PKG7如圖21所示，在構(gòu)成差動(dòng)對(duì)的布線16SG1及16SG2的中途，設(shè)有相互的分隔距離變大的部分PT3。在本變形例的情況下，接合焊盤(pán)14與凸點(diǎn)電極31的連接部處的阻抗之差不像例如圖7所示的接合焊盤(pán)14與導(dǎo)線30的連接部分處的阻抗之差那樣大。但是，根據(jù)本變形例，假設(shè)即使產(chǎn)生反射信號(hào)RTN2，通過(guò)設(shè)置部分PT3，也能夠?qū)⒃摲瓷湫盘?hào)RTN2再次反射。另外，若將部分PT3設(shè)于最上層，則能夠?qū)⒎瓷湫盘?hào)RTN2限制在產(chǎn)生反射的部位附近。另外，在本變形例中，在半導(dǎo)體芯片20與凸點(diǎn)電極31的邊界產(chǎn)生的反射信號(hào)RTN2的反射量比例如使用圖6說(shuō)明的在導(dǎo)線30與接合焊盤(pán)14的邊界產(chǎn)生的反射信號(hào)RTN2的反射量小。因此，半導(dǎo)體器件PKG7所具有的部分PT3的阻抗值也可以比圖5所示的半導(dǎo)體器件PKGl所具有的部分PT3的阻抗值小。該情況下，能夠降低在圖22所示的部分PT2與部分PT3的邊界產(chǎn)生的反射信號(hào)RTNl的反射量。
[0156]《變形例6》
[0157]另外，例如，如上所述說(shuō)明了各種變形例，但能夠?qū)⑸鲜稣f(shuō)明的各變形例彼此組合而適用。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括: 布線基板，其具有第I面、形成在所述第I面上的多個(gè)內(nèi)部端子、與所述第I面為相反側(cè)的第2面、形成在所述第2面上且與所述多個(gè)內(nèi)部端子分別電連接的多個(gè)外部端子、及將所述多個(gè)內(nèi)部端子與所述多個(gè)外部端子分別相連的多根布線； 半導(dǎo)體芯片，其具有多個(gè)焊盤(pán)，且搭載在所述布線基板的所述第I面上;和 多個(gè)導(dǎo)電性部件，其將所述多個(gè)焊盤(pán)與所述多個(gè)內(nèi)部端子分別電連接， 所述多個(gè)焊盤(pán)具有第I焊盤(pán)和位于與所述第I焊盤(pán)相鄰的位置的第2焊盤(pán)， 所述多個(gè)內(nèi)部端子具有第I內(nèi)部端子和第2內(nèi)部端子，該第I內(nèi)部端子經(jīng)由所述多個(gè)導(dǎo)電性部件中的第I導(dǎo)電性部件而與所述第I焊盤(pán)電連接，該第2內(nèi)部端子經(jīng)由所述多個(gè)導(dǎo)電性部件中的第2導(dǎo)電性部件而與所述第2焊盤(pán)電連接，且位于與所述第I內(nèi)部端子相鄰的位置， 所述多根布線具有與所述第I內(nèi)部端子相連的第I布線、和與所述第2內(nèi)部端子相連的第2布線， 所述第I布線及所述第2布線構(gòu)成傳輸差動(dòng)信號(hào)的差動(dòng)對(duì)， 在俯視觀察下，所述第I布線及所述第2布線分別具有: 以第I分隔距離相互并行的第I部分； 與所述第I部分設(shè)于相同布線層、且以第2分隔距離相互并行的第2部分;和設(shè)在所述第I部分與所述第2部分之間、且向相互的分隔距離變得比所述第I分隔距離及所述第2分隔距離大的方向迂回而設(shè)置的第3部分。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在所述第I布線和所述第2布線中分別流動(dòng)有極性相反的信號(hào)電流。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 構(gòu)成差動(dòng)對(duì)的所述第I布線及所述第2布線的形狀為相對(duì)于所述第I布線與所述第2布線的中央的第I假想線呈線對(duì)稱的形狀。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述第I部分、所述第2部分及所述第3部分與所述多個(gè)內(nèi)部端子形成在相同布線層上。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述第I布線及所述第2布線分別在所述第3部分上朝向相互遠(yuǎn)離的方向蜿蜒。6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述第I布線及所述第2布線分別具有的所述第3部分還具備:沿相對(duì)于所述第I部分交叉的方向延伸的交叉部分、和以與所述第I部分或所述第2部分并行的方式延伸的并行部分。7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述第3部分的阻抗小于所述半導(dǎo)體芯片的阻抗。8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述第I分隔距離與所述第2分隔距離彼此相等。9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述多根布線具有第I基準(zhǔn)電位布線和第2基準(zhǔn)電位布線，該第I基準(zhǔn)電位布線沿所述第I布線設(shè)置在與所述第I布線相鄰的位置，向所述半導(dǎo)體芯片供給基準(zhǔn)電位，該第2基準(zhǔn)電位布線沿所述第2布線設(shè)置在與所述第2布線相鄰的位置，向所述半導(dǎo)體芯片供給基準(zhǔn)電位，所述第I布線及所述第2布線配置在所述第I基準(zhǔn)電位布線及所述第2基準(zhǔn)電位布線之間。10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述多個(gè)導(dǎo)電性部件為導(dǎo)線。11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述第3部分的阻抗小于所述導(dǎo)線的阻抗。12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述第I布線及所述第2布線分別還具有: 設(shè)在所述第I部分與所述第3部分之間、且以第3分隔距離相互并行的第4部分;和設(shè)在所述第4部分與所述第I部分之間、且向相互的分隔距離變得比所述第I分隔距離、所述第2分隔距離及所述第3分隔距離大的方向迂回而設(shè)置的第5部分。13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述第I部分、所述第2部分、所述第3部分、所述第4部分及所述第5部分與所述多個(gè)內(nèi)部端子形成在相同布線層上。14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述第I布線及所述第2布線分別具有的所述第3部分及所述第5部分還具備:沿相對(duì)于所述第I部分交叉的方向延伸的交叉部分、和以與所述第I部分、所述第2部分或所述第4部分并行的方式延伸的并行部分。15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第5部分與所述第3部分相比設(shè)在接近所述第I內(nèi)部端子或所述第2內(nèi)部端子的位置， 所述第5部分的并行部分的長(zhǎng)度大于所述第3部分的并行部分的長(zhǎng)度。16.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在所述第I布線及所述第2布線分別具有的所述第3部分之間，形成有與所述第I布線及所述第2布線分離的第I導(dǎo)體圖案。17.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括: 布線基板，其具有第I面、形成在所述第I面上的多個(gè)內(nèi)部端子、與所述第I面為相反側(cè)的第2面、形成在所述第2面上且與所述多個(gè)內(nèi)部端子分別電連接的多個(gè)外部端子、及將所述多個(gè)內(nèi)部端子與所述多個(gè)外部端子分別相連的多根布線； 半導(dǎo)體芯片，其具有多個(gè)焊盤(pán)，且搭載在所述布線基板的所述第I面上;和 多個(gè)導(dǎo)電性部件，其將所述多個(gè)焊盤(pán)與所述多個(gè)內(nèi)部端子分別電連接， 所述多個(gè)焊盤(pán)具有第I焊盤(pán)和位于與所述第I焊盤(pán)相鄰的位置的第2焊盤(pán)， 所述多個(gè)內(nèi)部端子具有第I內(nèi)部端子和第2內(nèi)部端子，該第I內(nèi)部端子經(jīng)由所述多個(gè)導(dǎo)電性部件中的第I導(dǎo)電性部件而與所述第I焊盤(pán)電連接，該第2內(nèi)部端子經(jīng)由所述多個(gè)導(dǎo)電性部件中的第2導(dǎo)電性部件而與所述第2焊盤(pán)電連接，且位于與所述第I內(nèi)部端子相鄰的位置，所述多根布線具有構(gòu)成傳輸差動(dòng)信號(hào)的差動(dòng)對(duì)的、與所述第I內(nèi)部端子相連的第I布線和與所述第2內(nèi)部端子相連的第2布線， 在俯視觀察下，所述第I布線及所述第2布線分別具有: 以第I分隔距離相互并行的第I部分;和 與所述第I部分設(shè)于相同布線層、且向相互的分隔距離變得比所述第I分隔距離大的方向迂回而設(shè)置的第2部分， 所述第I布線及所述第2布線分別在所述第2部分上，朝向相互遠(yuǎn)離的方向蜿蜒。
【文檔編號(hào)】H01L23/48GK105895602SQ201610087876
【公開(kāi)日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年2月16日
【發(fā)明人】平沼和彥, 坂田和之
【申請(qǐng)人】瑞薩電子株式會(huì)社