Rf封裝的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種示例性封裝，包括：RF電路；非氣態(tài)介電材料，與所述RF電路接合且其厚度基于所述RF電路中的磁場(chǎng)；和包封劑材料，將其接合以在所述RF電路的至少一側(cè)覆蓋所述RF電路和非氣態(tài)介電材料。一種用于生產(chǎn)封裝的示例方法，包括：識(shí)別RF電路；將非氣態(tài)介電材料布撒在所述RF電路上，其中至少一部分所述非氣態(tài)介電材料的厚度是基于所述RF電路的磁場(chǎng)；和在所述RF電路的至少一側(cè)，以包封劑材料覆蓋所述RF電路和非氣態(tài)介電材料。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
RF封裝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝，該封裝包含RF電路和用于覆蓋所述RF電路的包封。
[0002]本發(fā)明還涉及用于生產(chǎn)所述RF電路的方法。
【背景技術(shù)】
[0003]隨著電路和設(shè)備的尺寸減小，電阻和電容耦合增加，從而導(dǎo)致了信號(hào)延遲(S卩，RC延遲)及其他電損耗的增加。隨著電路工作頻率的提高(例如，對(duì)于RF電路和設(shè)備)，這成為一個(gè)日益嚴(yán)重的問(wèn)題，進(jìn)一步限制了電路的性能。
[0004]對(duì)于射頻(RF)性能損失特別敏感的射頻電路的是射頻功率放大器。RF功率放大器通常包含具有有源元件(諸如晶體管)的半導(dǎo)體裸片。功率放大器還可以含有阻抗匹配組件，諸如電容器和/或電感元件，以匹配所述晶體管的輸出上的阻抗。雖然通常的放大器包含若干部分，但放大器在功能上可以是單一的元件。放大器還可以進(jìn)一步包括幾個(gè)階段。
[0005]RF功率放大器的晶體管設(shè)計(jì)進(jìn)行了高頻率使用優(yōu)化，例如IGHz以上并且適當(dāng)延伸至高至3 GHz及以上以及相對(duì)高的功率水平范圍。這種功率晶體管可以是場(chǎng)效應(yīng)晶體管或雙極晶體管，并以諸如Si LDMOS，GaN或GaAs技術(shù)制成。通常情況下，第一和第二電極，例如漏極和柵極，實(shí)現(xiàn)為多個(gè)并行布置的長(zhǎng)形條。第三電極，其例如源極，接合到襯底和下層基板觸點(diǎn)。長(zhǎng)形條的數(shù)量可以是許多，例如在10-300的范圍內(nèi)，例如30-250，典型地為50個(gè)或更多，或100個(gè)或更多。長(zhǎng)形條通常通過(guò)內(nèi)部布線(xiàn)接合到布置在所述半導(dǎo)體裸片的頂側(cè)及其外環(huán)內(nèi)的焊盤(pán)。所述焊盤(pán)通過(guò)鈍化層的開(kāi)口露出。雖然許多集成電路包含有存在于若干互連層中的眾多內(nèi)部配線(xiàn)，RF功率放大器的互連層數(shù)量通常限于I或2，這是因?yàn)閮H存在有限的互連，且RF晶體管的有效特征尺寸較大以便充分散熱。
[0006]傳統(tǒng)上，RF功率放大器中置于氣腔封裝100中，如圖1所示。封裝100包括具有開(kāi)放式空腔102的蓋，引線(xiàn)框架104，介電環(huán)106和散熱器108。氣腔封裝100通過(guò)層疊所述元件來(lái)構(gòu)建，其由此包封半導(dǎo)體裸片、內(nèi)部布線(xiàn)和氣腔。使用環(huán)氧樹(shù)脂膠水將所述元件接合在一起。更具體地說(shuō)，該半導(dǎo)體裸片由其底側(cè)附接至散熱器。焊盤(pán)位于半導(dǎo)體裸片的頂側(cè)。焊盤(pán)和引線(xiàn)框架104的各個(gè)引線(xiàn)之間延伸有鍵合線(xiàn)。
[0007]氣腔的作用是在RF裸片的頂部提供牢固封裝。因?yàn)闆](méi)有任何包封劑，所述包封劑在功率放大器的操作期間的熱穩(wěn)定性不成為問(wèn)題。此外，空氣是低介電常數(shù)的電介電(例如，k接近1.0)。因此，鍵合線(xiàn)的線(xiàn)環(huán)之間的相互作用可最小化。因此，導(dǎo)線(xiàn)環(huán)可以設(shè)計(jì)用作輸入分流電感的一部分和/或作為用于阻抗匹配的輸出電路的一部分。因此，所有這些減少了電損耗，提高了 RF產(chǎn)品和系統(tǒng)的性能。介電常數(shù)(k)是材料是是否易于在外部電場(chǎng)極化的量度。
[0008]已知?dú)馇环庋b的缺點(diǎn)在于介電環(huán)和蓋的使用。介電環(huán)(106)必須在設(shè)置絲焊之前固定在散熱器(108)上。該蓋必須在提供鍵合線(xiàn)之后固定到封裝中。放置和連接在該階段十分麻煩，并導(dǎo)致高成本。此外，蓋容易被客戶(hù)或用戶(hù)移除。蓋被移除可導(dǎo)致RF電路故障，這是不希望發(fā)生的。
[0009]作為使用有蓋氣腔封裝的替代方式，已知通過(guò)模制來(lái)施加包封劑。塑封包封劑材料(也稱(chēng)為塑封料)中的RF電路包封完全。僅引線(xiàn)和散熱器存在于包封外部。這種類(lèi)型的包封在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域中是眾所周知的，還提供了對(duì)濕度、灰塵和環(huán)境條件的很好保護(hù)作用。然而，塑封料通常包括填料如玻璃纖維，其影響封裝材料的介電常數(shù)，這對(duì)RF電路的性能是不好的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]因此，本發(fā)明的目的之一，在于提供一種改進(jìn)的封裝，其具有良好的RF性能，但不具有傳統(tǒng)氣腔封裝的缺點(diǎn)。本發(fā)明的又一目的在于，提供一種生產(chǎn)所述封裝的可靠方法。[0011 ]在第一個(gè)示例實(shí)施例中，提供一種封裝，包括:RF電路;非氣態(tài)介電材料，與所述RF電路接合且其厚度基于所述RF電路中的磁場(chǎng);和包封劑材料，將其接合以在所述RF電路的至少一側(cè)覆蓋所述RF電路和非氣態(tài)介電材料。
[0012]在又一個(gè)實(shí)施例中，所述介電材料是低k值介電材料，且優(yōu)選地，所述介電材料的相對(duì)介電常數(shù)為3或更低，優(yōu)選為2.5或更低，或甚至2或更低。所述介電材料的介電常數(shù)宜為低于所述包封劑材料的介電常數(shù)。材料的示例包括相對(duì)介電常數(shù)為2.7的BCB，可購(gòu)自AGC且介電常數(shù)為2.7的AL-X。另一選擇是使用傳統(tǒng)封裝材料，例如具有多孔填料的環(huán)氧樹(shù)脂，例如多孔硅。在一個(gè)實(shí)施例中，所述硅的空隙可以用可以通過(guò)高溫(例如130 °C)除氣來(lái)去掉的犧牲材料填充。還可以使用可選的多孔填料，例如多孔(鍛制)鋁，多孔碳摻雜氧化硅。使用具有多孔填料的傳統(tǒng)封裝材料的優(yōu)點(diǎn)在于，介電材料和包封之間的粘附良好?？蛇x地，使用多孔有機(jī)聚合材料，例如發(fā)泡有機(jī)聚合材料。在又一個(gè)實(shí)施例中，可以提供用于互連結(jié)構(gòu)的低k值介電材料，尤其是布撒在壁狀結(jié)構(gòu)中。根據(jù)需要，所述材料可以進(jìn)一步覆蓋鈍化層，例如氧化硅或氮化硅，以對(duì)塑封料達(dá)到足夠的黏著度。所述填充有多孔材料的壁狀結(jié)構(gòu)和后續(xù)鈍化層的結(jié)構(gòu)還可以提供于晶圓級(jí)水平，即在將基地制成各個(gè)裸片之前以及打開(kāi)所述鈍化層以露出下方焊盤(pán)之前。
[0013]在又一示例實(shí)施例中，所述電路包括有源元件和無(wú)源元件。根據(jù)半導(dǎo)體材料，所述無(wú)源元件可以集成在所述半導(dǎo)體裸片上，或作為分離的元件組裝，或集成在單獨(dú)的裸片上。所述介電材料宜為不覆蓋全部所述無(wú)源元件。更具體而言，所述半導(dǎo)體裸片包含設(shè)有焊盤(pán)的外環(huán)以及外環(huán)內(nèi)的內(nèi)區(qū)。在此，所述介電材料位于內(nèi)區(qū)上方，而外環(huán)不含介電材料。由此一來(lái)，能夠使得介電材料不與鍵合線(xiàn)接觸。所述接觸可能在包封劑材料(尤其是塑封料)和鍵合線(xiàn)處的介電材料之間形成界面。熱膨脹差異可能在鍵合線(xiàn)上引起應(yīng)力與應(yīng)變，由此可能導(dǎo)致故障。若無(wú)源元件，例如電容器，集成到半導(dǎo)體裸片上，則其可以至少部分存在于外環(huán)中以及部分存在于內(nèi)區(qū)，由此介電材料不覆蓋所有無(wú)源元件。
[0014]在又一實(shí)施例中，從半導(dǎo)體裸片上的垂直俯視角度來(lái)看，壁狀結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo)體裸片上方，側(cè)向包圍內(nèi)區(qū)，但位于外環(huán)內(nèi)。壁狀結(jié)構(gòu)宜為用介電材料制成，優(yōu)選為介電常數(shù)相對(duì)低的介電材料，例如相對(duì)介電常數(shù)小于4，優(yōu)選為小于3。該壁狀結(jié)構(gòu)形成了一個(gè)腔，腔內(nèi)可以提供充分厚度的低k值介電材料。據(jù)發(fā)現(xiàn)，從半導(dǎo)體裸片上的垂直俯視角度來(lái)看，即使當(dāng)該壁狀結(jié)構(gòu)部分與功率晶體管的加長(zhǎng)條部分重疊，其性能損失相對(duì)較小。
[0015]在一個(gè)特定實(shí)施例中，提供所述介電材料的厚度為至少20mm，更優(yōu)選為高至I OOmm，例如25-50mm。據(jù)發(fā)現(xiàn)，封裝內(nèi)的磁場(chǎng)可以延伸到所述高度，尤其是當(dāng)工作RF頻率大于I GHz，更具體而言為1.8 GHz及更高時(shí)。此外，對(duì)于所述頻率，據(jù)發(fā)現(xiàn)，磁場(chǎng)與傳統(tǒng)塑封料的介電材料之間的相互作用引起的性能損失如此顯著，由此對(duì)RF性能產(chǎn)生影響。因此，提供至少為20 mm的適宜厚度的介電材料，令性能損失降低至可接受水平。
[0016]在又一實(shí)施例中，所述RF封裝進(jìn)一步包括引線(xiàn)框架和一組鍵合線(xiàn)；且在該實(shí)施例中，第一鍵合線(xiàn)將電路接合至引線(xiàn)框架;介電材料完全覆蓋第二鍵合線(xiàn);且包封劑材料進(jìn)一步覆蓋第一鍵合線(xiàn)、第二鍵合線(xiàn)和部分引線(xiàn)框架。由此，使得整體封裝機(jī)械性牢固。
[0017]在第一個(gè)示例實(shí)施例中，還包括被介電材料完全覆蓋的第二電路;且在該實(shí)施例中，所述第二鍵合線(xiàn)將RF電路接合至第二電路。
[0018]又一個(gè)示例實(shí)施例中，所述RF電路包括以至少I(mǎi)GHz頻率工作的裝置。
[0019]又一個(gè)示例實(shí)施例中，所述電路為半導(dǎo)體裸片。
[0020]又一個(gè)示例實(shí)施例中，所述包封劑材料接合用于封裝所述RF電路和非氣態(tài)介電材料。
[0021 ]在第二個(gè)示例實(shí)施例中，提供一種封裝，包括:具有第一部分和第二部分的RF電路;僅與RF電路的第一部分接合的非氣態(tài)介電材料;和包封劑材料，將其接合以在所述RF電路的至少一側(cè)覆蓋所述RF電路和非氣態(tài)介電材料。
[0022]在封裝生產(chǎn)的第一種示例方法中，該方法包括:識(shí)別RF電路;將非氣態(tài)介電材料布撒在所述RF電路上，其中至少一部分所述非氣態(tài)介電材料的厚度是基于所述RF電路的磁場(chǎng);和在所述RF電路的至少一側(cè)，以包封劑材料覆蓋所述RF電路和非氣態(tài)介電材料。
[0023]在又一實(shí)例方法實(shí)施例中，在所述RF電路被切出并貼附在襯底上之后，將所述非氣態(tài)介電材料布撒在所述RF電路上。在又一實(shí)例方法實(shí)施例中，在用鍵合線(xiàn)將所述RF電路接合到引線(xiàn)框架上之后，將所述非氣態(tài)介電材料布撒在所述RF電路上。
[0024]在又一實(shí)例方法實(shí)施例中，所述電路包括有源元件和無(wú)源元件，且所述介電材料不覆蓋全部所述無(wú)源元件;且包封劑材料覆蓋所有的有源元件和無(wú)源元件。
[0025]在又一實(shí)例方法實(shí)施例中，所述介電材料以液態(tài)方式布撒。這被看作一種能以充分厚度應(yīng)用介電材料的有益方法。所述布撒可以分幾輪進(jìn)行，每一輪包含布撒步驟和第一固化步驟，以令介電材料干燥和穩(wěn)定。
[0026]在又一實(shí)例方法實(shí)施例中，所述介電材料的介電常數(shù)小于所述包封劑材料的介電常數(shù)。
?0027] 在又一實(shí)例方法實(shí)施例中，所述介電材料的厚度大于20μηι。
[0028]接合附圖來(lái)考慮以下【具體實(shí)施方式】，可以更完整地理解各個(gè)示例實(shí)施例。
【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1所示為氣腔封裝；
圖2所示為第一示例RF封裝；
圖3所示為第一示例RF封裝的包封版本；
圖4所示為第二示例RF封裝；
圖5所示為第三示例RF封裝；
圖6所示為第四示例RF封裝；
圖7Α和7Β所示為第五示例RF封裝； 圖8所示為制作RF封裝的示例方法。
[0030]本公開(kāi)內(nèi)容可以得到各種改進(jìn)和可選形式，其詳細(xì)內(nèi)容如附圖中舉例所示，且將在下文中詳細(xì)說(shuō)明。但是，應(yīng)當(dāng)理解，除所述具體實(shí)施例外的其他實(shí)施例也是可能的。本發(fā)明還涵蓋所有落入權(quán)利要求書(shū)的思路和范圍內(nèi)的改進(jìn)形式、等同形式和可選形式的實(shí)施方式。
【具體實(shí)施方式】
[0031]在RF系統(tǒng)中，RF放大器或RFIC的半導(dǎo)體封裝可以通過(guò)包覆成型來(lái)達(dá)成，由此令裸片和導(dǎo)線(xiàn)被塑封料覆蓋。該技術(shù)的例子是QFN，HSOP和BGA包封模式。
[0032]圖2展示了第一示例RF封裝200。圖3展示了第一示例RF封裝200的包封版本300。圖2和圖3將共同討論。
[0033]第一示例RF封裝200包括襯底202(例如，散熱器)，其上貼附(例如，鍵合)電路204(例如裸片)。在一個(gè)實(shí)施例中，電路204包括一個(gè)或多個(gè)有源元件206和無(wú)源元件207。將介電材料208(例如低k值介電材料制成的插入件)置于至少一個(gè)有源元件206上。電路204通過(guò)一條或多條鍵合線(xiàn)212連接至引線(xiàn)框架210。在一個(gè)實(shí)施例中，包封劑材料302(例如，塑封料)覆蓋整個(gè)電路204、介電材料208和鍵合線(xiàn)212。當(dāng)包封劑材料302覆蓋所述元件時(shí)，所述覆蓋可以包括包封一個(gè)或多個(gè)所述元件。
[0034]在又一示例實(shí)施例中，所述封裝200包括:RF電路204 ；接合至RF電路204的非氣態(tài)介電材料208，其厚度基于RF電路中的磁場(chǎng);和包封劑材料302，其接合以在所述RF電路204的至少一側(cè)覆蓋RF電路204和非氣態(tài)介電材料208。
[0035]在各個(gè)實(shí)施例中，介電材料208可以是低k值介電材料208;介電材料208的介電常數(shù)可以抵御包封劑材料302的介電常數(shù)；電路204包括有源元件206和無(wú)源元件207;或者，介電材料208不覆蓋全部無(wú)源元件207，但可以覆蓋部分或全部有源元件206。
[0036]介電材料208的功能在于向電路204中的一個(gè)或多個(gè)有源元件206提供低介電常數(shù)(盡可能接近1.0)。在一個(gè)示例實(shí)施例中，介電材料208的介電常數(shù)抵御包封劑材料302(3.5-4.0)的介電常數(shù)，可以低于2。
[0037]所述材料可以由多孔或無(wú)孔類(lèi)介電材料208組成，其構(gòu)成和粘性能夠允許在所述裝置上布撒適當(dāng)高度(例如在20μπι-100μπι范圍內(nèi))。但是，在其他實(shí)施例匯總，介電材料208的高度可以低于20μηι，或高于ΙΟΟμπι。較厚的介電材料208涂層進(jìn)一步降低由RF電路和相關(guān)電路引線(xiàn)和/或鍵合線(xiàn)212產(chǎn)生的磁場(chǎng)導(dǎo)致的電損失。介電材料208的縱向尺寸取決于被覆蓋的有源元件206、無(wú)源元件207和電路204的面積。
[0038]介電材料208可以在電路204連接(例如粘附)到襯底202上之前貨之后，僅局部布撒到有源元件206、無(wú)源元件207或電路204中的一個(gè)或多個(gè)上。
[0039]術(shù)語(yǔ)“有源元件”206可以具有不同的含義，但在本情況中，至少指放大器元件，包括晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管和任何其他放大器裝置。
[0040]“無(wú)源元件”207在此定義為不是有源元件206的任何其他電子元件(例如電容器、電阻器、電感器、鍵合線(xiàn)212焊點(diǎn)、導(dǎo)線(xiàn)等)。
[0041 ] 在此重申，介電材料208可以?xún)H置于有源元件206的上方，置于有源元件206和無(wú)源元件207兩者的上方，或也置于鍵合線(xiàn)212上，以進(jìn)一步降低電損失，并由此進(jìn)一步提高RF裝置的性能。
[0042]其他實(shí)施例進(jìn)一步包括引線(xiàn)框架210和一組鍵合線(xiàn)212。此時(shí):第一鍵合線(xiàn)212將電路204連接至引線(xiàn)框架210;介電材料208覆蓋或部分覆蓋第二鍵合線(xiàn)212;且包封劑材料302進(jìn)一步覆蓋第一鍵合線(xiàn)212、第二鍵合線(xiàn)212和一部分引線(xiàn)框架210。
[0043]在具有第二電路204的示例實(shí)施例中，第二鍵合線(xiàn)212將RF電路204連接至第二電路204。在具有多個(gè)電路204的所述實(shí)施例中，所述電路204可以通過(guò)鍵合線(xiàn)212互連并置于單一引線(xiàn)框架210內(nèi)。在所述實(shí)施例中，并不是所有的封裝200鍵合線(xiàn)212均可連接至引線(xiàn)框架210，因?yàn)椴糠宙I合線(xiàn)212在封裝200內(nèi)互連不同電路204。
[0044]RF電路204可以是以至少I(mǎi)GHz頻率工作的裝置，但在一些實(shí)例中，可以低至10MHz。電路204還可以完全實(shí)現(xiàn)為半導(dǎo)體裸片。
[0045]可以接合包封劑材料302以包封RF電路204和非氣態(tài)介電材料208。圖3所示的實(shí)施例中，襯底202可以是散熱器，其一側(cè)敞開(kāi)以有效進(jìn)行電路204散熱，其他側(cè)面則被包封劑材料302覆蓋。
[0046]封裝200的替代示例實(shí)施例可以包括:具有第一部分304和第二部分306的RF電路204;僅連接至RF電路204的第一部分的非氣態(tài)介電材料;和包封劑材料302，其接合用于在所述RF電路204的至少一側(cè)覆蓋RF電路204和非氣態(tài)介電材料。
[0047]圖4所示為第二示例RF封裝400。本例中，介電材料402覆蓋電路204的整個(gè)表面，包括有源元件206和無(wú)源元件(即電路204的剩余部分，可以包含沒(méi)有電子或機(jī)械元件的空置區(qū)域)。然后，可以施加包封劑材料以覆蓋全部或部分介電材料402、電路204、襯底202、鍵合線(xiàn)212和引線(xiàn)框架210。
[0048]圖5所示為第三示例RF封裝500。封裝500包括被第一介電材料504覆蓋的第一有源元件502，和由第二介電材料508覆蓋的第二有源元件506。電路204的剩余部分可以包括或不包括其他的有源元件或無(wú)源元件。然后，可以施加包封劑材料以覆蓋全部或部分介電材料504、508、電路204、襯底202、鍵合線(xiàn)212和引線(xiàn)框架210。
[0049]圖6展示了第四示例RF封裝600。本例中，介電材料602不僅覆蓋電路204的整個(gè)表面，還覆蓋整個(gè)襯底202、鍵合線(xiàn)212和部分引線(xiàn)框架210。然后，可以施加包封劑材料以覆蓋全部或部分介電材料602、襯底202和引線(xiàn)框架210。
[0050]圖7A和7B所示為第五示例RF封裝700。封裝700包括其上貼附電路704的疊層體702。在一個(gè)實(shí)施例中，電路704包括一個(gè)或多個(gè)有源元件706和無(wú)源元件。介電材料708置于至少一個(gè)有源元件706上。電路704通過(guò)一個(gè)或多個(gè)鍵合線(xiàn)212連接至一個(gè)或多個(gè)端子710(例如引腳，經(jīng)由觸點(diǎn)或即觸點(diǎn))。在一個(gè)實(shí)施例中，包封劑材料714覆蓋整個(gè)電路704、介電材料708、鍵合線(xiàn)712和至少一個(gè)端子710。在其他實(shí)施例中，包封劑材料714可以覆蓋至少部分電路704、介電材料708和鍵合線(xiàn)712。疊層體702可以是基于有機(jī)材料的襯底。
[0051]圖8是制作RF封裝的示例方法。對(duì)指令說(shuō)明的討論順序并不限制其他示例實(shí)施例實(shí)施所述指令的順序。此外，在一些實(shí)施例中，所述指令同時(shí)實(shí)施。
[0052]第一示例指令始于802，鑒別RF電路。下一步，在804中，將非氣態(tài)介電材料布撒在所述RF電路上，其中至少一部分所述非氣態(tài)介電材料的厚度是基于所述RF電路的磁場(chǎng)。然后，在806中，在所述RF電路的至少一側(cè)，以包封劑材料覆蓋所述RF電路和非氣態(tài)介電材料。
[0053]所述指令可以增加一個(gè)或多個(gè)以下額外指令，其列舉并無(wú)特定順序。額外指令包括:808-其中在所述RF電路被切出并貼附在襯底上之后，將所述非氣態(tài)介電材料布撒在所述RF電路上。810-其中在用鍵合線(xiàn)將所述RF電路接合到引線(xiàn)框架上之后，將所述非氣態(tài)介電材料布撒在所述RF電路上。812-其中所述電路包括有源元件和無(wú)源元件;其中所述節(jié)點(diǎn)材料不覆蓋全部無(wú)源元件，且包封劑材料覆蓋全部有源元件和無(wú)源元件。814-其中在RF電路被切出并貼附到襯底之前，將非氣態(tài)介電材料布撒在RF電路上。816-其中介電材料以液體形式布撒。818-其中介電材料的介電常數(shù)小于所述包封劑材料的介電常數(shù)。820-其中所述介電材料的側(cè)向厚度大于20μηι。
[0054]上述附圖中的指令和/或流程步驟除非明確說(shuō)明了具體順序，否則可以以任何順序執(zhí)行。而且，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，雖然所述為一組示例的指令說(shuō)明/方法，本說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容還可以通過(guò)各種方式進(jìn)行組合，以生成其他實(shí)施例，且應(yīng)當(dāng)在該【具體實(shí)施方式】描述的上下文中進(jìn)行理解。
[0055]在一些實(shí)施例中，上述指令組實(shí)施功能性和軟件指令，實(shí)現(xiàn)為非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀或計(jì)算機(jī)可用介電中的可執(zhí)行指令，其可用于由所述可執(zhí)行指令變成及控制的計(jì)算機(jī)或機(jī)器。所述指令裝載于處理器(例如一個(gè)或多個(gè)CPUs)上進(jìn)行執(zhí)行。所述處理器包括微處理器、微控制器、處理器模塊或子系統(tǒng)(包括一個(gè)或多個(gè)微處理器或微控制器)，或其他控制或計(jì)算裝置。處理器可以指代單一元件或多個(gè)元件。所述計(jì)算機(jī)可讀或計(jì)算機(jī)可用介電看作是物品(或制品)的一部分。物品或制品可以指代任何生產(chǎn)所得的單一元件或多個(gè)元件。此述的非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀或計(jì)算機(jī)可用介電不含信號(hào)，但所述介電可以能夠接受和處理來(lái)自信號(hào)和/或其他瞬態(tài)介電的信息。
[0056]本說(shuō)明書(shū)中，展示了示例實(shí)施例的選定細(xì)節(jié)組合內(nèi)容。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，還可以實(shí)施許多其他包括不同選定細(xì)節(jié)組合的示例實(shí)施例。以下說(shuō)明書(shū)旨在包括所有可能的不例實(shí)施例。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種封裝，包括: RF電路； 非氣態(tài)介電材料，與所述RF電路接合且其厚度基于所述RF電路中的磁場(chǎng);和 包封劑材料，接合該包封劑材料以在所述RF電路的至少一側(cè)覆蓋所述RF電路和非氣態(tài)介電材料。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其特征在于，所述介電材料是低k值介電材料，且優(yōu)選地，所述介電材料的介電常數(shù)低于所述封裝材料的介電常數(shù)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的封裝，其特征在于，所述電路包括有源元件和無(wú)源元件，且所述介電材料不覆蓋全部所述無(wú)源元件。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的封裝，其特征在于，所述RF電路至少實(shí)現(xiàn)為具有內(nèi)區(qū)和外環(huán)的半導(dǎo)體裸片，其中所述裸片位于設(shè)有焊盤(pán)的所述外環(huán)的正面，且所述介電材料設(shè)于所述內(nèi)區(qū)之上。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的封裝，其特征在于，所述介電材料的應(yīng)用厚度為至少20 mm。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的封裝，其特征在于，所述RF電路包括以至少I(mǎi)GHz頻率工作的裝置。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的封裝，其特征在于，所述電路為半導(dǎo)體裸片。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝，其特征在于，優(yōu)選地，至少限定有一個(gè)具有多個(gè)并行設(shè)置的加長(zhǎng)電極的功率晶體管。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其特征在于，所述包封劑材料接合用于封裝所述RF電路和非氣態(tài)介電材料。10.封裝制造方法，包括: 識(shí)別RF電路； 將非氣態(tài)介電材料布撒在所述RF電路上，其中至少一部分所述非氣態(tài)介電材料的厚度是基于所述RF電路的磁場(chǎng)的；和 在所述RF電路的至少一側(cè)，以包封劑材料覆蓋所述RF電路和非氣態(tài)介電材料。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在所述RF電路唄切出并貼附在襯底上之后，將所述非氣態(tài)介電材料布撒在所述RF電路上。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在用鍵合線(xiàn)將所述RF電路接合到引線(xiàn)框架上之后，將所述非氣態(tài)介電材料布撒在所述RF電路上。13.根據(jù)權(quán)利要求10-12中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述介電材料以液態(tài)方式布撒。14.根據(jù)權(quán)利要求10-13中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述介電材料的介電常數(shù)小于所述包封劑材料的介電常數(shù)。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述介電材料的厚度大于20μπι。
【文檔編號(hào)】H01L23/31GK105895597SQ201610085786
【公開(kāi)日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年2月15日
【發(fā)明人】魏因申克·克里斯蒂安, 馬文庫(kù)維·阿馬爾·阿肖克
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