裝置100A還包括輔助電極160A和分隔物180A，如圖la中所描述的。
[0041] 具體地，第一薄膜晶體管130A形成于第一子像素區(qū)A中，第二薄膜晶體管130A'形 成于第二子像素區(qū)B中。第一薄膜晶體管130A包括形成在緩沖層111A上的有源層131A， 形成在柵極絕緣層113A上的柵極132A，和形成在層間絕緣層112A上的源極133A和漏極 134A，且第二薄膜晶體管130A'也包括有源層、柵極和源極及漏極，與第一薄膜晶體管130A 相似。在圖la中，僅示出了用于有機(jī)發(fā)光顯示裝置100A的驅(qū)動薄膜晶體管。但是，應(yīng)當(dāng)理 解，提供相似和/或額外功能的附加TFT可用在獨(dú)立的子像素區(qū)中的任一個(gè)或多個(gè)中。而 且，雖然本發(fā)明附圖中描述的TFT具有共面結(jié)構(gòu)，但是TFT的類型不限于此。本發(fā)明的有機(jī) 發(fā)光顯示裝置可采用具有反向交錯(cuò)類型TFT的TFT。
[0042] 平坦化層114A形成在第一薄膜晶體管130A和第二薄膜晶體管130A'上。平坦化 層114A是平坦化第一薄膜晶體管130A和第二薄膜晶體管130A'的上側(cè)的層，且具有暴露 出第一薄膜晶體管130A和第二薄膜晶體管130A'的各自源極的接觸孔。由于圖la示出了 其中薄膜晶體管是n型的情況，因此平坦化層114A具有暴露出第一薄膜晶體管130A和第 二薄膜晶體管130A'的各自源極的接觸孔。
[0043] 第一有機(jī)發(fā)光元件150A和第二有機(jī)發(fā)光元件150A'分別形成在第一子像素區(qū)A 和第二子像素區(qū)B中的平坦化層114A上。陽極151A和有機(jī)發(fā)光層152A設(shè)置在第一子像 素區(qū)A中。盡管未用數(shù)字標(biāo)示，但是第二有機(jī)發(fā)光元件150A'的陽極（即第二陽極）和有 機(jī)發(fā)光層（即第二有機(jī)發(fā)光層）也類似地設(shè)置在第二子像素區(qū)B中。如圖la中所示，陰極 153A設(shè)置在第一子像素區(qū)A、第二子像素區(qū)B和中間區(qū)C上。因此，第一有機(jī)發(fā)光元件150A 包括設(shè)置在第一子像素區(qū)A中的陽極和有機(jī)發(fā)光層以及陰極153A。相似地，第二有機(jī)發(fā)光 元件150A'包括設(shè)置在第二子像素區(qū)B中的陽極和有機(jī)發(fā)光層以及陰極153A。
[0044] 陽極151A可被形成為導(dǎo)電層的疊層。例如，陽極151A包括電連接到第一TFT130A 的源極133A的反射層155A(即，第一導(dǎo)電層）。反射層155A是能夠反射光的導(dǎo)電層。陽 極151A還包括形成在反射層155A上的透明導(dǎo)電層154A(即第二導(dǎo)電層）。透明導(dǎo)電層 154A由具有高功函數(shù)的導(dǎo)電材料制成，用于向有機(jī)發(fā)光層152A提供空穴。例如，透明導(dǎo)電 層154A可由透明導(dǎo)電氧化物（TCO)包括（但不限于）氧化銦錫（ITO)、氧化銦鋅（IZO)、氧 化銦錫鋅（ITZO)、氧化鋅、氧化錫和其組合物制成。
[0045] 而且，陰極153A包括金屬層156A和透明導(dǎo)電層157A。金屬層156A由具有低功函 數(shù)的導(dǎo)電材料制成，用于向有機(jī)發(fā)光層152A提供電子。用于形成金屬層156A的材料可包 括（但不限于）銀（Ag)、鈦（Ti)、鋁（A1)、鉬（Mo)或銀（Ag)和鎂（Mg)的合金。即使形成 金屬層156A的材料是不透光的且具有一定程度的光反射特性，但是如果以足夠薄的厚度 例如200A或以下形成，光可穿過金屬層156A。如此，陰極153A可被形成為具有幾百人:或 更小的厚度，例如200A或以下。
[0046] 透明導(dǎo)電層157A(S卩第一導(dǎo)電元件）形成在金屬層156A(S卩第二導(dǎo)電元件）上且 由具有高臺階覆蓋率的材料制成。盡管圖la中未標(biāo)示，但是在子像素區(qū)B中的第二有機(jī)發(fā) 光元件150A'的金屬層是第三導(dǎo)電元件的例子。透明導(dǎo)電層157A可由氧化物金屬材料包 括（但不限于）氧化銦錫（IT0)、氧化銦鋅（IZ0)、氧化銦錫鋅（ITZ0)、氧化鋅、氧化錫和其 組合物形成。為了具有足夠的導(dǎo)電性，透明導(dǎo)電層157A可被形成為具有約l〇〇A或以上的 厚度。
[0047] 在一些實(shí)施方式中，陰極153A可由碳納米管（CNT)和/或石墨烯基復(fù)合材料形 成，其能夠提供卓越的導(dǎo)電性和透光性。這種碳基復(fù)合材料可包括金屬材料以為陰極153A 提供低功函數(shù)特性。
[0048] 第二有機(jī)發(fā)光元件150A'形成在形成于第二子像素區(qū)B中的平坦化層114A上。第 二有機(jī)發(fā)光元件150A'的結(jié)構(gòu)與第一有機(jī)發(fā)光元件150A的結(jié)構(gòu)相同。
[0049] 分隔物180A形成在第一有機(jī)發(fā)光元件150A和第二有機(jī)發(fā)光元件150A'之間（更 具體地，在第一有機(jī)發(fā)光元件150A的第一陽極和第二有機(jī)發(fā)光元件150A'的第二陽極之 間）的中間區(qū)C中的平坦化層114A上。分隔物180A將第一子像素區(qū)A的有機(jī)發(fā)光層152A 與第二子像素區(qū)B的有機(jī)發(fā)光層絕緣。
[0050] 分隔物180A對于白光有機(jī)發(fā)光型顯示裝置尤其有用。與需要精細(xì)金屬掩膜（FMM) 以圖案化每個(gè)子像素區(qū)中的有機(jī)發(fā)光層的RGB有機(jī)發(fā)光型顯示裝置不同，用于白光有機(jī)發(fā) 光型顯示裝置的有機(jī)發(fā)光層可設(shè)置在顯示裝置的較大區(qū)域的上方，而不需使用FMM。但是， 當(dāng)用于白光有機(jī)發(fā)光型顯示裝置的有機(jī)發(fā)光層152A沉積在輔助電極160A上方時(shí)，由于有 機(jī)發(fā)光層152A插入到陰極153A和輔助電極160A之間，陰極153A可能不會接觸輔助電極 160A〇
[0051] 因此，分隔物180A具有能夠隔離第一和第二子像素區(qū)A和B的有機(jī)發(fā)光層152A 的形狀，以暴露輔助電極160A的至少一些部分。例如，分隔物180A可具有如圖la和lb中 所示的倒錐形。參照圖lb，分隔物180A的截面寬度大于分隔物180A的遠(yuǎn)離平坦化層114A 的部分，使得分隔物180A在其上部較寬且在其與上部相對的下部較窄。也就是，分隔物包 括第一端（即上部）和與第一端相對的第二端（即下部）。輔助電極160A的暴露部分允許 陰極153A和輔助電極160A之間的電連接。
[0052] 在圖la和lb中所示的例子中，分隔物180A的下部表面與平坦化層114A的上表 面直接接觸。分隔物180A和平坦化層114A由具有相似特性的材料制成以促進(jìn)彼此之間更 強(qiáng)的粘合。例如，分隔物180A和平坦化層114A可包括相同的有機(jī)材料。在本說明書中，彼 此相似的兩種材料的特性是指兩種材料具有相似的耦合特性。
[0053] 輔助電極160A形成在形成于中間區(qū)C中的平坦化層114A上。輔助電極160A由 導(dǎo)電材料形成，其可補(bǔ)償由陰極153A的高電阻率導(dǎo)致的電壓降。
[0054] 在一些實(shí)施方式中，輔助電極160A可由與陽極151A相同的材料和/結(jié)構(gòu)形成。如 上所述，陽極151A可被形成為導(dǎo)電層的疊層，包括透明導(dǎo)電層154A和反射層155A。與此相 似，輔助電極160A也可被形成為導(dǎo)電層的疊層，包括透明導(dǎo)電層161A和反射層162A。為 了更簡單且更快地制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置100A，輔助電極160A的透明導(dǎo)電層161A和陽極 151A的透明導(dǎo)電層154A可由相同材料形成且在制造工藝的相同階段中形成。與此相似，輔 助電極160A的反射層162A和陽極151A的反射層155A可由相同材料形成且在制造工藝的 相同階段中形成。輔助電極160A和陽極151A的各層可被形成為具有相同厚度。
[0055] 在圖la和lb中描述的實(shí)施方式中，輔助電極160A形成在分隔物180A上方使得 輔助電極160A覆蓋分隔物180A的側(cè)表面以及上表面（即頂表面）。輔助電極160A包括形 成在平坦化層114A的上表面上的第一部分163A、形成在分隔物180A的側(cè)表面上的第二部 分164A和形成在分隔物180A的上表面上的第三部分165A，如圖lb中的虛線示出的。輔助 電極160A的第一部分163A包括透明導(dǎo)電層161A和反射層162A，輔助電極160A的第二部 分164A僅包括透明導(dǎo)電層161A，輔助電極160A的第三部分165A包括透明導(dǎo)電層161A和 反射層162A。
[0056] 當(dāng)形成輔助電極160A時(shí)，反射層162A和透明導(dǎo)電層161A沉積在第一子像素區(qū)A、 第二子像素區(qū)B和中間區(qū)C上。通常，用于反射層162A的金屬材料具有低臺階覆蓋率，而 用于透明導(dǎo)電層161A的透明導(dǎo)電氧化物基材料具有高臺階覆蓋率。如此，反射層162A的 低臺階覆蓋率和分隔物180A的形狀使得難以將輔助電極160A的反射層162A沉積在分隔 物180A的較寬上部（S卩，頂部）下方的部分平坦化層114A上以及分隔物180A的側(cè)表面上。 與此相對照，透明導(dǎo)電層161A的較高臺階覆蓋率允許將其形成在與分隔物180A的較寬上 部交疊（即，將其覆蓋）的平坦化層114A上以及分隔物180A的側(cè)表面上。
[0057] 輔助電極160A在基板110A上的一個(gè)方向上延伸，輔助電極160A的端部電連接至 形成在非像素區(qū)中的焊盤部分以便自外部接收預(yù)定電壓。預(yù)定電壓例如可以是地GND電 壓。
[0058] 需要考慮各種因素以確定在顯示裝置中的輔助電極160A的尺寸（例如長度、寬度 和厚度）和布局。特別是，陰極153A的表面電阻值是確定輔助電極160A的尺寸和布局的 重要因素。可根據(jù)形成陰極153A的材料的電特性以及顯示裝置中采用的陰極153A的尺寸 計(jì)算陰極153A的表面電阻值?；陉帢O153A的表面電阻，能夠確定足以降低電壓降的輔 助電極160A的尺寸和輔助電極160A的沉積間隔。
[0059] 堤部115A形成在平坦化層114A上。堤部115A設(shè)置在相鄰子像素區(qū)A和B之間以 將相鄰子像素區(qū)分開，且設(shè)置在子像素區(qū)和中間區(qū)C之間，以將子像素區(qū)和中間區(qū)C分開。
[0060] 堤部115A形成在輔助電極160A的兩側(cè)以及陽極151A的兩側(cè)。如圖lb中所示，堤 部115A包括覆蓋輔助電極160A的一側(cè)和第一子像素區(qū)A的陽極151A的一側(cè)的第一堤部 116A，以及覆蓋輔助電極160A的另一側(cè)和第二子像素區(qū)B的陽極的一側(cè)的第二堤部117A。 第一堤部116A包括與形成在分隔物180A的上側(cè)以及側(cè)面的輔助電極160A交疊的第一區(qū) 116A'，以及不與形成在分隔物180A的上側(cè)和側(cè)面的輔助電極160A交疊的第二區(qū)116A"。 第二堤部117A包括與形成在分隔物180A的上側(cè)和側(cè)面的輔助電極160A交疊的第一區(qū) 117A'，以及不與形成在分隔物180A的上側(cè)和側(cè)面的輔助電極160A交疊的第二區(qū)117A"。
[0061] 有機(jī)發(fā)光層152A和182A形成在第一子像素區(qū)A，第二子像素區(qū)B和中間區(qū)C上。 通過將有機(jī)發(fā)光材料沉積在