B和4C中所示的示例性實施例，II1-N晶體管采用兩個相同的溝道區(qū)(例如，2DEG 219A、219B)，它們具有由柵極電極層250上的電勢并行控制的導電性質(zhì)。因此，II1-N MOS晶體管的2DEG的有效電流承載寬度大致等于生長II1-N外延堆疊體的硅鰭狀物210的高度(Hf)的兩倍。因此，即使II1-N MOS晶體管具有極性性質(zhì)，也由每個硅鰭狀物形成多個晶體管溝道。
[0044]如圖4A進一步所示，晶體管401在最終晶體管結構中保留娃鰭狀物210。然而對于圖4B中所示的晶體管402，其中已經(jīng)在形成柵極堆疊體之前去除了硅鰭狀物210，柵極電介質(zhì)層240直接接觸過渡層215A、215B。柵極電極層250還設置在過渡層215A、215B之間并由共形柵極電介質(zhì)層240與外延層隔離。在示例性實施例中，在形成柵極堆疊體之前(例如，在去除硅鰭狀物之前或之后)使隔離電介質(zhì)241凹陷，這允許柵極電介質(zhì)240和柵極金屬完全包圍兩個II1-N外延層堆疊體。圖4C示出了晶體管403的溝道區(qū)，其包括設置在過渡層215A和215B之間的基于硅的電介質(zhì)鰭狀物335。對于這種實施例，根據(jù)隔離電介質(zhì)241是否在形成柵極堆疊體之前凹陷以及是否在凹陷蝕刻期間對電介質(zhì)鰭狀物335進行底切，柵極電介質(zhì)240可以或可以不完全包圍II1-N外延層堆疊體對。
[0045]圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施例的移動計算平臺的SoC實施方式的功能框圖。移動計算平臺500可以是被配置為用于電子數(shù)據(jù)顯示、電子數(shù)據(jù)處理和無線電子數(shù)據(jù)傳輸中的每一個的任何便攜式設備。例如，移動計算平臺500可以是平板電腦、智能電話、膝上型計算機等中的任一種并且包括允許接收用戶輸入的顯示屏505 (其在示例性實施例中為觸摸屏(例如，電容性、電感性、電阻性等))、SoC 510和電池513。如圖所示，SoC 510的集成水平越高，移動計算平臺500內(nèi)的由電池513占用以獲得充電之間的最長操作壽命、或由諸如固態(tài)驅(qū)動器之類的存儲器(未示出)占用以獲得最大功能性的形狀因子越大。
[0046]取決于其應用，移動計算平臺500可以包括其它部件，所述其它部件包括但不限于易失性存儲器(例如，DRAM)、非易失性存儲器(例如，R0M)、閃速存儲器、圖形處理器、數(shù)字信號處理器、密碼處理器、芯片集、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設備、羅盤、加速度計、陀螺儀、揚聲器、照相機和大容量存儲設備(例如，硬盤驅(qū)動器、光盤(CD)、數(shù)字多功能盤(DVD)等)O
[0047]擴展視圖520中進一步示出了 SoC 510。取決于實施例，SoC 510包括襯底102(即，芯片)的一部分，在該部分上制造了功率管理集成電路(PMIC) 515、包括RF發(fā)送器和/或接收器的RF集成電路(RFIC) 525、其控制器511以及一個或多個中央處理器內(nèi)核530、531中的兩個或更多。RFIC 525可以實施多種無線標準或協(xié)議中的任一種，包括但不限于 W1-Fi (IEEE802.11 族)、WiMAX (IEEE 802.16 族)、IEEE 802.20、長期演進(LTE)、Ev-DO, HSPA+, HSDPA+, HSUPA+, EDGE、GSM、GPRS, CDMA、TDMA, DECT、藍牙、其衍生物、以及被指定為3G、4G、5G和更高代的任何其它無線協(xié)議。RFIC 525可以包括多個通信芯片。例如，第一通信芯片可以專用于較短范圍的無線通信，例如W1-Fi和藍牙，并且第二通信芯片可以專用于較長范圍的無線通信，例如GPS、EDGE、GPRS, CDMA, WiMAX、LTE, Ev-DO等。
[0048]本領域的技術人員將領會，在這些功能不同的電路模塊中，通常唯一地采用CMOS晶體管，除了在PMIC 515和RFIC 525中。在本發(fā)明的實施例中，PMIC 515和RFIC 525采用本文中描述的III族-氮化物晶體管(例如，III族-氮化物晶體管401)中的一個或多個，其利用本文中描述的水平c軸II1-N外延堆疊體的實施例。在其它實施例中，將采用本文中描述的III族-氮化物晶體管的PMIC 515和RFIC 525與硅CMOS技術中提供的控制器511和處理器內(nèi)核530、531中的一個或多個集成，硅CMOS技術與PMIC 515和/或RFIC 525單片集成到(硅)襯底102上。將領會，在PMIC 515和/或RFIC 525內(nèi)，不必排除CMOS來利用本文中描述的高電壓、高頻率能力的III族-氮化物晶體管，而是還可以在PMIC 515和RFIC 525中的每一個中包括硅CMOS。
[0049]在存在高電壓擺動的情況下(例如，PMIC 515內(nèi)的7-10V電池功率調(diào)節(jié)、DC到DC轉(zhuǎn)換等)，可以特別地利用本文中描述的III族-氮化物晶體管。如圖所示，在示例性實施例中，PMIC 515具有耦合到電池513的輸入并具有向SoC 510中的所有其它功能模塊提供電源的輸出。在其它實施例中，在附加IC設置在移動計算平臺500內(nèi)、但不設置在SoC 510內(nèi)的情況下，PMIC 515的輸出還向SoC 510之外的所有這些附加IC提供電流源。
[0050]如進一步示出的，在示例性實施例中，PMIC 515具有耦合到天線的輸出并且還可以具有耦合到SoC 510上的諸如RF模擬和數(shù)字基帶模塊(未示出)之類的通信模塊的輸入。替代地，這種通信模塊可以設置在SoC 510的片外IC上并且耦合到SoC 510中，用于進行傳輸。取決于所利用的III族-氮化物材料，本文中描述的III族-氮化物晶體管(例如，II1-N晶體管401)還可以提供具有載波頻率(例如，在針對3G或GSM蜂窩通信設計的RFIC525中為1.9GHz)的至少十倍的Ft的功率放大晶體管所需的大的功率附加效率(PAE)。
[0051]圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的計算設備600。計算設備600容納板602。板602可以包括很多部件，包括但不限于處理器604和至少一個通信芯片606。處理器604物理和電耦合到板602ο在一些實施方式中，至少一個通信芯片606也物理和電耦合到板602。在其它實施方式中，通信芯片606是處理器604的部分。
[0052]取決于其應用，計算設備600可以包括可以或可以不與板602物理和電耦合的其它部件。這些其它部件包括但不限于:易失性存儲器(例如，DRAM)、非易失性存儲器(例如，R0M)、閃速存儲器、圖形處理器、數(shù)字信號處理器、加密處理器、芯片集、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設備、羅盤、加速度計、陀螺儀、揚聲器、照相機、以及大容量存儲設備(例如，硬盤驅(qū)動器、光盤(⑶)、數(shù)字多功能盤(DVD)等)。
[0053]通信芯片606可以實現(xiàn)用于來往于計算設備600的數(shù)據(jù)傳輸?shù)臒o線通信。術語“無線”及其衍生詞可以用于描述電路、設備、系統(tǒng)、方法、技術、通信信道等等，其可以通過使用調(diào)制的電磁輻射而經(jīng)由非固態(tài)介質(zhì)傳送數(shù)據(jù)。術語并不暗示相關聯(lián)的設備不包含任何線路，盡管在一些實施例中相關聯(lián)的設備可能不包含任何線路。通信芯片606可以實施多種無線標準或協(xié)議中的任何一種，所述多種無線標準或協(xié)議包括但不限于W1-Fi (IEEE802.11 族)、WiMAX(IEEE 802.16族)、IEEE 802.20、長期演進(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS, CDMA, TDMA、DECT、藍牙、及其衍生物、以及被指定為 3G，4G，5G 和更高代的任何其它無線協(xié)議。計算設備600可以包括多個通信芯片606。例如，第一通信芯片606可以專用于較短范圍的無線通信，例如，W1-Fi和藍牙，并且第二通信芯片606可以專用于較長范圍的無線通信，例如，GPS、EDGE、GPRS、CDMA, WiMAX, LTE、Ev-DO等。
[0054]計算設備600的處理器604包括封裝在處理器604內(nèi)的集成電路管芯。在本發(fā)明的一些實施例中，處理器的集成電路管芯包括一個或多個器件，例如根據(jù)本文中其它位置所描述的實施例構建的M0S-FET。術語“處理器”可以指處理來自寄存器和/或存儲器的電子數(shù)據(jù)以將這些電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成可以存儲在寄存器和/或存儲器中的其它電子數(shù)據(jù)的任何設備或設備的一部分。
[0055]通信芯片606還包括封裝在通信芯片606內(nèi)的集成電路管芯。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，通信芯片的集成電路管芯包括