發(fā)光器件封裝裝置及照明裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光器件領域，尤其涉及一種發(fā)光器件封裝裝置及照明裝置。
【背景技術】
[0002]發(fā)光二極管(light emitting d1de，LED)是一種半導體器件，其通過化合物半導體的PN結構成發(fā)光源，并可以發(fā)出各種顏色的光線。LED具有較長的使用壽命，易于制造成小尺寸且質量輕，具有較強的光方向性，，抗沖擊和抗震性能好等優(yōu)點，因而得到廣泛地應用。通常情況下LED單獨封裝，并包括正極和負極，當需要用LED制造成一定功能的電路時，比如，需要用多個LED制造成并聯(lián)的電路時，要同引線將所有LED的正極連接在一起，再用另外的引線將所有LED的負極連接在一起。由此可見，現(xiàn)有技術中，若使用多個LED形成一定功能的電路時，LED的制備和電路的制作是分開的，給用戶造成了一定的不便。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明提供一種發(fā)光器件封裝裝置，所述發(fā)光器件封裝裝置包括引線框架、多個發(fā)光器件芯片及發(fā)光樹脂層，所述引線框架用于支撐所述發(fā)光器件芯片，所述發(fā)光器件芯片用于發(fā)光，所述發(fā)光樹脂層設置在所述發(fā)光器件芯片上，且所述發(fā)光樹脂層的出光面與所述發(fā)光器件芯片的發(fā)光面的形狀相同，所述引線框架包括第一子框架及第二子框架，所述第一子框架加載第一極性電壓，所述第二子框架加載第二極性電壓，其中，所述第一極性電壓及所述第二極性電壓分別為正電壓及負電壓，或者，所述第一極性電壓及所述第二極性電壓分別為負電壓及正電壓，所述第一子框架鄰近所述第二子框架設置，所述第一子框架包括多個第一凸出部，相鄰的第一凸出部之間設置第一間隙，所述第二框架包括多個第二凸出部，相鄰的第二凸出部之間設置第二間隙，當所述引線框架組裝時，所述第一凸出部設置于所述第二間隙，所述第二凸出部設置于所述第一間隙，以使得所述第一子框架與所述第二子框架相鄰的部分相吻合，所述發(fā)光器件芯片設置在相鄰的第一凸出部及第二凸出部上。
[0004]其中，所述發(fā)光器件封裝裝置還包括多個反射槽，所述反射槽設置相鄰的第一凸出部及第二凸出部上，所述反射槽用于將自所述發(fā)光器件芯片發(fā)出的光線朝向預設方向反射，所述發(fā)光器件芯片設置在所述發(fā)射槽內，以通過所述反射槽設置在相鄰的第一凸出部及第二凸出部上。
[0005]其中，相鄰的第一凸出部及第二凸出部之間通過結合件結合，所述結合件的材料為絕緣材料。
[0006]其中，所述結合件與所述反射槽一體成型。
[0007]其中，相鄰的第一凸出部及第二凸出部之間涂布絕緣材料。
[0008]其中，所述發(fā)光樹脂層覆蓋在所述反射槽內并覆蓋所述發(fā)光器件芯片。
[0009]其中，所述發(fā)光器件封裝裝置還包括保護透鏡，所述保護透鏡覆蓋在所述發(fā)光樹脂層上。
[0010]其中，所述保護透鏡包括多個透鏡子單元，每個透鏡子單元對應一個發(fā)光器件芯片設置，所述透鏡子單元的入光面與所述發(fā)光器件的出光面的結構相同。
[0011]其中，所述第一凸出部的形狀為矩形，所述第二凸出部的形狀為矩形；或者，所述第一凸出部的形狀為波浪形，所述第二凸出部的形狀為波浪形；或者，所述第一凸出部的形狀為鋸齒形，所述第二凸出部的形狀為鋸齒形。
[0012]本發(fā)明還提供了一種照明裝置，所述照明裝置包括前述各個實施方式所述的發(fā)光器件封裝裝置。
[0013]本發(fā)明提供的發(fā)光器件封裝裝置包括引線框架及多個發(fā)光器件芯片。所述引線框架用于支撐所述發(fā)光器件芯片，所述發(fā)光器件用于發(fā)光，所述引線框架包括第一子框架及第二子框架，所述第一子框架及所述第二子框架分別加載第一極性電壓及第二極性電壓，其中，所述第一極性電壓及所述第二極性分別為所述發(fā)光器件芯片提供正電壓及負電壓或者負電壓及正電壓。所述第一子框架鄰近所述第二子框架設置，所述第一子框架包括多個第一凸出部，相鄰的第一凸出部之間設置第一間隙。所述第二子框架包括第二凸出部，相鄰的第二凸出部之間設置第二間隙。當所述引線框架組裝時，所述第一凸出部設置于所述第二間隙，所述第二凸出部設置于所述第一間隙，以使得所述第一子框架與所述第二子框架相鄰的部分相吻合，所述發(fā)光器件芯片設置在所述相鄰的第一凸出部及第二凸出部上。當所述發(fā)光器件封裝裝置制作完成時，所述發(fā)光器件芯片形成了一并聯(lián)的電路。相較于現(xiàn)有技術，本發(fā)明將多個發(fā)光器件芯片設置于引線框架上，從而使得發(fā)光器件芯片的制作和電路的制作是同時進行的，由此，方便了用戶的使用。且所述發(fā)光樹脂層的出光面與所述發(fā)光器件芯片的發(fā)光面的形狀相同，能夠增加自所述發(fā)光樹脂層出射光的光形，且使得自所述發(fā)光樹脂層出射的光線更加均勻。
【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1為本發(fā)明一較佳實施方式提供的發(fā)光器件封裝裝置的立體分解圖。
[0016]圖2為本發(fā)明一較佳實施方式提供的發(fā)光器件封裝裝置的組裝圖。
[0017]圖3為本發(fā)明圖1中提供的發(fā)光器件封裝裝置的俯視圖。
[0018]圖4為圖3中沿II1-1II沿線的剖面結構示意圖。
[0019]圖5本發(fā)明一較佳實施方式提供的發(fā)光器件封裝裝置的等效電路示意圖。
【具體實施方式】
[0020]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0021]請一并參閱圖1、圖2、圖3和圖4，圖1為本發(fā)明一較佳實施方式提供的發(fā)光器件封裝裝置的立體分解圖；圖2為本發(fā)明一較佳實施方式提供的發(fā)光器件封裝裝置的組裝圖；圖3為本發(fā)明圖1中提供的發(fā)光器件封裝裝置的俯視圖；圖4為圖3中沿II1-1II沿線的剖面結構示意圖。所述發(fā)光器件封裝裝置10包括引線框架100、多個發(fā)光器件芯片200及發(fā)光樹脂層500，所述引線框架100用于支撐所述發(fā)光器件芯片200，所述發(fā)光器件200用于發(fā)光，所述發(fā)光樹脂層500的出光面與所述發(fā)光器件芯片200的發(fā)光面的形狀相同。所述引線框架100包括第一子框框110和第二子框架130，所述第一子框架110加載第一極性電壓，所述第二子框架130加載第二極性電壓，其中，所述第一極性電壓及所述第二極性電壓分別為正電壓及負電壓，或者，所述第一極性電壓及所述第二極性電壓分別為負電壓及正電壓。所述第一極性電壓及所述第二極性電壓用于提供給所述發(fā)光器件芯片200，以作為所述發(fā)光器件芯片200的工作電壓。所述第一子框框110鄰近所述第二子框架130設置，所述第一子框架110包括多個第一凸出部111，相鄰的第一凸出部111之間設置第二間隙113。所述第二子框架130包括多個第二凸出部131，相鄰的第二凸出部131之間設置第二間隙133。當所述引線框架100組裝時，所述第一凸出部111設置于所述第二間隙133，所述第二凸出部133設置于所述第一間隙111，以使得所述第一子框架110與所述第二子框架130相鄰的部分吻合。所述發(fā)光器件芯片200設置在相鄰的第一凸出部111和所述第二凸出部131上。換句話說，所述發(fā)光器件芯片200的一端設置在所述第一凸出部111上，所述發(fā)光器件芯片200的另一端設置在所述第二凸出部131上。優(yōu)選地，相鄰的兩發(fā)光器件芯片200之間間隔預設距離。優(yōu)選地，所述發(fā)光器件芯片200的出光面的形狀為半弧形，以增大所述發(fā)光器件200的出光均勻性。
[0022]所示引線框架100可以使用諸如鋁或銅的金屬材料通過擠壓或蝕刻來形成。所述發(fā)光器件芯片200通過第一引線115將所述發(fā)光器件芯片200與所述引線框架100的第一子框架110電連接，且所述發(fā)光器件芯片200通過第二引線135將所述發(fā)光器件芯片200與所述引線框框100的第二子框架130電連接。
[0023]所述發(fā)光器件芯片200可以是包括正電極和負電極的發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片可以而根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的化合物半導體的材料而發(fā)射藍光、綠光和紅光。而且，所述發(fā)光二極管芯片可以涂覆有熒光材料，由此可以發(fā)射白光。比如，所述藍光發(fā)光二極管可以包括具有量子阱結構的有源層，在改量子阱結構中交替地形成GaN和InGaN。在本實施方式中，所述發(fā)光器件芯片200可以是發(fā)光二極管芯片，然而，本發(fā)明中所述的發(fā)光二極管芯片200并不僅限于此，所述發(fā)光二極管芯片200也可以是，比如為UV光二極管芯片、激光二極管芯片或者有機發(fā)光二極管芯片。
[0024]所述發(fā)光器件芯片200被排列成行且形成如圖5所示的并聯(lián)的電路結構。
[0025]所述發(fā)光器件封裝裝置10還包括多個反射槽300，所述反射槽300設置在相鄰的第一凸出部111以及第二凸出部131上，所述反射槽300用于將自所述發(fā)光器件芯片200發(fā)出的光線朝向預設方向反射，所述發(fā)光器件芯片200設置在所述反射槽300內，以通過所述反射槽300設置在相鄰的第一凸出部111及所述第二凸出部131上。比如，所述發(fā)光器件芯片2