22還提供了高導(dǎo)電金屬體積作為對低導(dǎo)電層壓材料的替代，并且還在同一封裝200內(nèi)容納不同的管芯和不同的引線框厚度。
[0032]根據(jù)圖3的實(shí)施例，第一金屬部件216和第二金屬部件222具有單個(gè)連續(xù)結(jié)構(gòu)。例如，第一金屬部件216和第二金屬部件222是同一金屬引線框的部分。引線框216、222包括被較厚的外部區(qū)222圍繞的腔或凹進(jìn)的內(nèi)部區(qū)225。可通過從引線框的內(nèi)部區(qū)225移除引線框材料(例如銅)來形成腔/凹進(jìn)區(qū)225。將第一管芯202定位在引線框的內(nèi)部腔/凹進(jìn)區(qū)225中。引線框的較厚外部部分222將第二導(dǎo)電通孔220連接到引線框中橫向延伸到管芯202的邊緣210之外的較薄部分218。可通過任何標(biāo)準(zhǔn)引線框形成工藝(例如沖壓、拉拔、切割、蝕刻等)來實(shí)現(xiàn)引線框。在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)化金屬再分布層212、第一導(dǎo)電通孔214、第一金屬部件216、第二導(dǎo)電通孔220、第二金屬部件222和封裝200的任何附加通孔226均包括銅或銅合金。
[0033]進(jìn)一步根據(jù)圖3的實(shí)施例，芯片嵌入的封裝200還包括嵌入絕緣材料204中并且與第一管芯202間隔開的第二半導(dǎo)體管芯228。兩個(gè)管芯202、228的第一表面206、230可處于封裝200的絕緣材料204內(nèi)的同一水平(L3)處。如圖3所示，第二金屬部件222可被橫向插在第一和第二管芯202、228之間?？商鎿Q地，第二金屬部件222可鄰近管芯202、208之一，而不橫向地插在第一和第二管芯202、228之間。
[0034]在每個(gè)情況下，第二管芯228，與第一管芯202 —樣，具有相對的第一和第二表面230,232以及在第一和第二表面230、232之間延伸的邊緣234。第三導(dǎo)電通孔236將結(jié)構(gòu)化金屬再分布層212連接到在第二管芯228的第一表面230處的端子(為了容易圖示未示出)。例如，管芯202、228可以是如本文之前描述的半橋電路的高側(cè)和低側(cè)晶體管。盡管為了容易圖示未示出，封裝200還可包括用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)晶體管的柵極(輸入)的驅(qū)動(dòng)器管芯?？商鎿Q地，驅(qū)動(dòng)器管芯可被省略并且改為被提供在分開的封裝中。
[0035]還根據(jù)圖3中所示的實(shí)施例，第二管芯228的厚度(H2)小于第一管芯202的厚度(Hl)0嵌入第二管芯228之上的絕緣材料204中的第三金屬部件238接合到第二管芯228的第二表面232。在一個(gè)實(shí)施例中，第三金屬部件238是引線框。第二和第三金屬部件222、238可以是同一或不同引線框的部分。例如，第二和第三金屬部件2222、38可以由同一引線框帶形成，在該引線框帶中還形成腔/凹進(jìn)區(qū)225。第三金屬部件238的部分橫向延伸到第二管芯228的邊緣234之外。第四導(dǎo)電通孔240從結(jié)構(gòu)化金屬再分布層212垂直地延伸并且將結(jié)構(gòu)化金屬再分布層212連接到第三金屬部件238中橫向延伸到第二管芯228的邊緣234之外的部分242。封裝200的導(dǎo)電通孔214、220、226、240可根據(jù)任何標(biāo)準(zhǔn)RDL工藝的部分形成。
[0036]圖4圖示嵌入芯片的封裝300的再另一實(shí)施例。圖4中示出的實(shí)施例類似于圖3中示出的實(shí)施例，然而，第二金屬部件222大致延伸到絕緣材料204中與第一管芯202的第一表面206相同的水平(L3)。
[0037]圖5圖示了嵌入芯片的封裝400的再另一實(shí)施例。圖5中示出的實(shí)施例類似于圖3中示出的實(shí)施例，然而，第一金屬部件216是具有大致均勻厚度的金屬引線框，并且第二金屬部件222是金屬塊。即，第一和第二金屬部件216、222是與彼此分離和不同的。第一和第二金屬部件216、222可通過例如粘合劑、焊料等接合到彼此，并且共同地提供如本文之前描述的從第二管芯202的第二表面(例如背側(cè))208到結(jié)構(gòu)化金屬再分布層212的熱路徑以及可選的電氣路徑。在圖5中用箭頭示出從第一管芯202的第二表面208通過第一和第二金屬部件216、222到結(jié)構(gòu)化金屬再分布層214的熱耗散以及可選的電氣路徑(如果第一管芯的第二表面是電活性的)。如本文之前描述的，熱耗散路徑缺少在直接熱路徑中的中間環(huán)氧樹脂絕緣層。
[0038]圖6圖示了嵌入芯片的封裝500的再另一實(shí)施例。圖6中所示的實(shí)施例類似于圖5中所示的實(shí)施例，然而，第一和第二管芯202、228具有大約相同的厚度(HI ~H2)。S卩，兩個(gè)管芯202、228是相對厚的，例如比大約71 μ m更厚，并且第四導(dǎo)電通孔240在第三金屬部件238之前終止，從而在第四導(dǎo)電通孔240和第三金屬部件238中橫向延伸到第二管芯228的邊緣234之外的部分242之間存在附加的間隙。根據(jù)該實(shí)施例，第四金屬部件244被布置在附加的間隙中并且將第四導(dǎo)電通孔240連接到第三金屬部件238中橫向延伸到附加的管芯228的邊緣234之外的部分242。以該方式，可仍然使用利用小通孔工藝(例如具有小于大約71 μ m的高度限制)的用于第一再分布層212的標(biāo)準(zhǔn)RDL技術(shù)。第三金屬部件238和第四金屬部件244具有單個(gè)連續(xù)結(jié)構(gòu)，例如根據(jù)圖6中所示的實(shí)施例的金屬引線框。
[0039]圖7圖示了嵌入芯片的封裝600的再另一實(shí)施例。圖7中所示的實(shí)施例類似于圖6中所示的實(shí)施例，然而，第三和第四金屬部件238、244是與彼此分離和不同的。例如，第三金屬部件238可以是具有大約均勻厚度的金屬引線框并且第四金屬部件244可以是金屬塊。第三和第四金屬部件238、244可通過例如粘合劑、焊料等接合到彼此，并且共同地提供從第二管芯228的第二表面(例如背側(cè))232到結(jié)構(gòu)化金屬再分布層212的熱路徑和可選的電氣路徑。第二和第四金屬部件222、244可如本文之前描述那樣延伸到絕緣材料204中與管芯202、228的第一表面206、230相同的水平(L3)，或者如圖7中所示那樣延伸到絕緣材料204中的不同水平。
[0040]圖8圖示了嵌入芯片的封裝700的再另一實(shí)施例。圖8中所示的實(shí)施例類似于圖4中所示的實(shí)施例，然而，第二金屬部件222垂直地穿過絕緣材料204延伸到絕緣材料204的外部表面203，以提供從第一管芯202的第二表面208到封裝700之外的至少熱路徑以及還可選的電氣路徑(如果第一管芯202的背側(cè)是電活性的)。該路徑包括如圖8中的虛水平線所指示的穿過第一金屬部件216和金屬引線框216中橫向延伸到第一管芯202的邊緣210之外的部分218的橫向部分，以及如由圖8中的虛垂直線指示的穿過第二金屬部件222的垂直部分。管芯202、228可以被重疊成型(over-mold)，從而管芯202、228的第一表面206被絕緣材料204覆蓋。在任一情況下，第二金屬部件222的底表面223保持未被絕緣材料204覆蓋，以便于上面描述的熱/電路徑。第一金屬部件216和第二金屬部件222可以具有單個(gè)連續(xù)結(jié)構(gòu)(例如單個(gè)引線框)或具有不同結(jié)構(gòu)(例如引線框和分開的金屬塊)，兩者都如之前在本文描述的。
[0041]空間相對術(shù)語，例如“下面”、“之下”、“下部”、“之上”、“上部”等用于描述容易，以解釋一個(gè)元件相對于第二元件的定位。這些術(shù)語意在包含除了與圖中描繪的那些取向不同的取向之外的設(shè)備的不同取向。此外，例如“第一”、“第二”等術(shù)語還用于描述各個(gè)元件、區(qū)域、部分等，并且也非意在作為限制。同樣的術(shù)語指的是遍及描述的同樣的元件。
[0042]如本文使用的，術(shù)語“具有”、“包含”、“包括”、“含有”等是開放式術(shù)語，其指示所陳述的元件或特征的存在，但不排除附加的元件或特征。冠詞“一”、“一個(gè)”和“該”意在包括復(fù)數(shù)和單數(shù)，除非上下文明確另有指示。
[0043]考慮到變型和應(yīng)用的上面的范圍，應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明不被前面的描述所限制，也不被附圖所限制。相反，本發(fā)明僅被以下權(quán)利要求及其法律等同形式所限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半