有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備及其制造方法
【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備及其制造方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2013年12月20日在韓國提交的韓國專利申請N0.10-2013-0160486的權(quán)益，在此通過參考將其并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實施例涉及有機發(fā)光二極管(OLED)顯示設(shè)備，更特別地，涉及具有改進的顯示質(zhì)量的頂發(fā)光型OLED顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0004]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)OLED顯示設(shè)備。
[0005]OLED顯示設(shè)備作為平板顯示設(shè)備是自發(fā)光型顯示設(shè)備。OLED顯示設(shè)備包括第一電極10、第二電極70和在其間的有機層60。將電壓施加到第一和第二電極10和70，電流被提供至有機層60使得有機層60的發(fā)光層發(fā)光?？赏ㄟ^控制電壓或電流控制有機層60的發(fā)光。
[0006]根據(jù)驅(qū)動方法，OLED顯示設(shè)備可分為無源矩陣型和有源矩陣型。此外，根據(jù)圖像顯示面，OLED顯示設(shè)備可分為頂發(fā)光型和底發(fā)光型。在頂發(fā)光型OLED顯示設(shè)備中，圖像顯示在基板前表面上。在底發(fā)光型OLED顯示設(shè)備中，圖像顯示在基板底表面上。
[0007]在有源矩陣型OLED顯示設(shè)備中，將開關(guān)元件I定位在每個像素中使得每個像素都受到開關(guān)元件I控制。開關(guān)元件I可包括薄膜晶體管和電容器，并且接收信號和功率以控制有機發(fā)光二級管。開關(guān)元件I控制提供至有機發(fā)光二極管的電壓或電流，有機發(fā)光二級管的第一電極10連接到開關(guān)元件I以接收電壓或電流。
[0008]開關(guān)元件I被鈍化層80覆蓋，所述鈍化層80包括有機材料或者無機材料，第一電極10經(jīng)由鈍化層80中的接觸孔電連接到開關(guān)元件I。第一電極10形成在每個像素中，相鄰像素中的第一電極10被像素限定層30分開。第一電極10未被像素限定層30覆蓋的部分限定為發(fā)光區(qū)。
[0009]有源矩陣型OLED顯示設(shè)備需要用于開關(guān)元件I的區(qū)域。但是，由于頂發(fā)光型OLED顯示設(shè)備在前表面上顯示圖像，因此在開關(guān)元件I上方設(shè)置有機發(fā)光二極管，用于開關(guān)元件I的區(qū)域也用作顯示區(qū)域。第一電極10設(shè)置在開關(guān)元件I上方以與開關(guān)元件I交疊，包括發(fā)光層的有機層60和第二電極70形成在第一電極10上。由于來自發(fā)光層的光通過頂發(fā)光型OLED顯示設(shè)備中的第二電極70，因此第二電極70由透明導(dǎo)電材料，諸如氧化銦錫(ITO)或者氧化銦鋅(IZO)形成。
[0010]OLED顯示設(shè)備的第二電極70連接到地電壓或者恒定電壓的參考電壓。經(jīng)由基板外圍區(qū)域中的焊盤將參考功率連接到第二電極70，并且經(jīng)由第二電極70將參考功率提供至每個像素。在現(xiàn)有技術(shù)OLED顯示設(shè)備中，經(jīng)由第二電極70將每個像素中的電流放電至外部參考電壓。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]因此，本發(fā)明的實施例涉及一種OLED顯示設(shè)備及其制造方法，其基本避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺陷導(dǎo)致的一個或多個問題。
[0012]將在下文的描述中列出本發(fā)明的其他特征和優(yōu)勢，且通過文字描述其一部分是顯而易見的，或者可通過實踐本發(fā)明獲知。通過說明書及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)并獲得本發(fā)明的目的和其他優(yōu)勢。
[0013]為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)勢且根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文所體現(xiàn)并廣泛描述的，本發(fā)明的實施例提供一種有機發(fā)光二級管顯示設(shè)備，其包括連接到多個開關(guān)元件的多個第一電極，所述多個第一電極在不平行的第一方向和第二方向上延伸；公共線，其在第一方向上延伸且在第二方向上分開相鄰的多個第一電極；像素限定層，其被設(shè)置在多個第一電極的邊界；粘著劑圖案，其被設(shè)置在公共線上并在第一方向上延伸；在粘著劑圖案上且與公共線交疊的壁；在多個第一電極上且在壁上的有機層；和第二電極，其在有機層上且接觸壁的突出部下方的一部分公共線，其中有機層與粘著劑圖案在第二方向上間隔一距離，其中所述距離被一部分第二電極覆蓋。
[0014]在本發(fā)明的另一方面中，本發(fā)明的實施例提供了一種制造有機發(fā)光二級管顯示設(shè)備的方法，包括形成連接到多個開關(guān)元件的多個第一電極，所述多個第一電極在第一方向和第二方向上延伸；形成公共線,所述公共線在第一方向上延伸并在第二方向上分開相鄰的多個第一電極；在多個第一電極的邊界形成像素限定層；在公共線上形成粘著劑圖案，所述粘著劑圖案在第一方向上延伸；在第一方向上形成壁，所述壁接觸粘著劑圖案的頂表面，其中壁的側(cè)表面突出到粘著劑圖案之外；在多個第一電極上形成有機層；和在有機層上和壁的突出部下方形成第二電極，其中在壁下方暴露出一部分公共線，并且第二電極接觸壁下方的公共線，其中有機層與粘著劑圖案在第二方向上間隔一距離，其中所述距離被一部分第二電極覆蓋。
[0015]在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明的實施例提供了一種有機發(fā)光二級管顯示設(shè)備，包括連接到多個開關(guān)元件的多個第一電極，所述多個第一電極在不平行的第一方向和第二方向上延伸；在第一方向上延伸且在第二方向上分開相鄰的多個第一電極的公共線；設(shè)置在多個第一電極的邊界的像素限定層；設(shè)置在公共線上且在第一方向上延伸的粘著劑圖案；在粘著劑圖案上且與公共線交疊的壁；在多個第一電極上且在壁上的有機層；在不存在粘著劑圖案的公共線位置處設(shè)置于壁和公共線之間的至少一個空腔；和在有機層上且接觸位于至少一個空腔內(nèi)的至少一部分公共線的第二電極。
[0016]將理解，上文一般描述和下文具體描述僅是舉例說明性的，意在提供如所要求保護的本發(fā)明的進一步解釋。
【附圖說明】
[0017]本文包括附圖以提供本發(fā)明的進一步理解，且附圖結(jié)合到說明書中并構(gòu)成說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施例且與文字描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0018]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)OLED顯示設(shè)備。
[0019]圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的OLED顯示設(shè)備的截面圖。
[0020]圖3是圖2中的OLED顯示設(shè)備一部分的放大圖。
[0021]圖4A至4E是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的OLED顯示設(shè)備的制造工藝的截面圖。
[0022]圖5A至是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的OLED顯示設(shè)備的制造工藝的平面圖。
[0023]圖6是沿著圖的線11-11’取得的截面圖。
[0024]圖7是沿著圖的線IV-1V’取得的截面圖。
【具體實施方式】
[0025]現(xiàn)在將具體參考本發(fā)明的實施例，其實例于附圖中示出。
[0026]在現(xiàn)有技術(shù)OLED顯示設(shè)備中，每個像素都通過第二電極連接到參考功率。在頂發(fā)光型OLED顯示設(shè)備中，由于第二電極由透明導(dǎo)電材料，諸如ITO和IZO形成，因此第二電極的電阻相對較高。結(jié)果，會發(fā)生壓降。特別地，隨著像素和焊盤之間的距離變大，壓降也增加。
[0027]當(dāng)?shù)诙姌O的電勢不同于參考功率時，施加到有機發(fā)光二極管的電壓偏離所需電壓，使得OLED顯示設(shè)備發(fā)出不希望的光。由于第二電極的電勢根據(jù)像素位置變化，因此降低了 OLED顯示設(shè)備的顯示質(zhì)量。
[0028]將解釋能夠防止上述問題的OLED顯示設(shè)備。
[0029]圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的OLED顯示設(shè)備的截面圖，圖3是圖2中OLED顯示設(shè)備的一部分的放大圖。圖3示出了沿著圖中的線II1-1II’取得的截面圖。
[0030]如圖2中所示，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的OLED顯示設(shè)備包括基板50、開關(guān)元件100、第一電極110、公共線120、像素限定層130、粘著劑圖案140、壁150、有機層160、第二電極170和鈍化層180。
[0031]開關(guān)元件100形成在每個像素中且控制每個像素的發(fā)光。圖2示出了作為開關(guān)元件100的薄膜晶體管(TFT)。替換地，開關(guān)元件100還可包括電容器。此外，每個像素中可形成至少兩個TFT和電容器。
[0032]圖2中的TFT具有共平面結(jié)構(gòu)。替換地，TFT可具有反向交錯結(jié)構(gòu)、后溝道蝕刻結(jié)構(gòu)、蝕刻停止結(jié)構(gòu)、頂柵結(jié)構(gòu)或者底柵結(jié)構(gòu)。對TFT的結(jié)構(gòu)或形狀沒有限制。此外，TFT的半導(dǎo)體層包括多晶硅、非晶硅、氧化物半導(dǎo)體或者有機半導(dǎo)體。
[0033]鈍化層180形成在開關(guān)元件100上。鈍化層180包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(S1x)或者氮氧化娃(S1N)的無機絕緣層或者光丙烯的有機絕緣層。鈍化層包括暴露出開關(guān)元件100的電極的接觸孔。開關(guān)元件100的暴露出的電極可以是TFT的源極或漏極或者是電容器的電極。
[0034]第一電極110形成在每個像素中。第一電極110通過鈍化層180中的接觸孔連接到開關(guān)元件100以接收電壓或電流。有機發(fā)光二級管包括第一電極110、第二電極170和其間的有機層160。通過施加至第一和第二電極110和170的電壓將電流提供至有機層160，使得自有機層160的發(fā)光層發(fā)光。
[0035]為了在基板50上方發(fā)光，第一電極110由具有高反射比和低阻抗的金屬材料形成。例如，第一電極110可由銅(Cu)、Cu合金、招(A1)、A1合金、銀(Ag)或者Ag合金形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O110用作陽極時，第一電極110包括ITO層或者IZO層以增加功函數(shù)。由于來自有機層160的光在第一電極110上被反射向第二電極170,因此第一電極110被定位在開關(guān)元件100上方且在每個像素中。
[0036]公共線12