，可以執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光步驟以使晶體管和襯底100的表面平滑。此外，可以形成用于溝槽的接觸件，可以在溝槽中形成硅化物，并且可以執(zhí)行金屬化。
[0043]盡管相對(duì)于塊狀襯底執(zhí)行了參照?qǐng)D2至圖7描述的實(shí)施例，但在一些實(shí)施例中，參照本文實(shí)施例描述的晶體管和隔離區(qū)域的形成可以應(yīng)用于絕緣體上硅襯底。在絕緣體上硅襯底中，可以在絕緣體上硅襯底和鰭部件之間形成氧化物層?？梢愿鶕?jù)適當(dāng)?shù)募夹g(shù)來(lái)在絕緣體上硅襯底上形成鰭部件。
[0044]圖8示出了使用自對(duì)準(zhǔn)雙圖案化工藝形成的半導(dǎo)體襯底800上的部件布置的頂視圖。具體地，使用自對(duì)準(zhǔn)雙圖案化工藝形成鰭區(qū)域802。此外，在鰭區(qū)域802上方形成多個(gè)隔離組件804、806、808、810。此外，還可以在鰭區(qū)域802上方形成柵極區(qū)域812、814、816、818,820ο在一個(gè)實(shí)施例中，隔離組件804、806、808、810包括介電材料，并且柵極區(qū)域812、814、816、818、820可包括多晶硅。
[0045]在特定實(shí)施例中，通過(guò)根據(jù)圖案在鰭區(qū)域802上方沉積多晶硅，然后蝕刻掉形成在鰭區(qū)域802上方的多晶硅和至少一部分介電層來(lái)形成隔離組件804、806、808、810。隨后，用附加介電材料填充襯底中留下的間隙。在一些情況下，至少一部分前述技術(shù)被用于形成隔離組件804、806、808、810。在示例性實(shí)施例中，用于蝕刻掉隔離區(qū)域的多晶硅的掩模還包括可用于執(zhí)行鰭切割操作來(lái)形成柵極區(qū)域818和820的開(kāi)口。因此，單個(gè)掩?？捎糜谛纬砷g隙，這些間隙被填充以制造隔離區(qū)域804、806、808、810并指定襯底800被切割的部分來(lái)形成柵極區(qū)域818和820。以這種方式，隔離區(qū)域804、806、808、810與柵極區(qū)域812、814、816,818,820之間的未對(duì)準(zhǔn)以及襯底800的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的尺寸可以比傳統(tǒng)工藝更加均勻，這提高了由襯底800形成的晶體管的性能。
[0046]圖9示出了形成半導(dǎo)體襯底的工藝900的流程圖，其中半導(dǎo)體襯底具有設(shè)置在由具有鰭部件的半導(dǎo)體襯底形成的晶體管之間的隔離組件。在902中，工藝900包括在包含硅的襯底的表面的一部分上形成鰭部件。鰭部件在垂直于襯底表面的平面部分的方向上延伸。在一個(gè)實(shí)施例中，使用電子束或遠(yuǎn)UV技術(shù)來(lái)形成鰭部件。在其他實(shí)施例中，使用自對(duì)準(zhǔn)雙圖案化技術(shù)來(lái)形成多個(gè)鰭部件。
[0047]在904中，工藝900包括在襯底的鰭部件的第一部分上方形成多晶硅的第一區(qū)域。此外，在906中，工藝900包括在襯底的鰭部件的第二部分上方形成多晶硅的第二區(qū)域。此夕卜，在908中，工藝900包括在襯底的鰭部件的第三部分上方形成多晶硅的第三區(qū)域。多晶硅的第三區(qū)域設(shè)置在多晶硅的第一區(qū)域和多晶硅的第二區(qū)域之間。在一個(gè)實(shí)施例中，第一多晶硅區(qū)域形成第一晶體管的柵極，以及第三多晶硅區(qū)域形成第二晶體管的柵極。
[0048]在910中，工藝900包括在多晶硅的第一區(qū)域與多晶硅的第三區(qū)域之間形成第一間隔件區(qū)域以及在多晶硅的第二區(qū)域與多晶硅的第三區(qū)域之間形成第二間隔件區(qū)域。第一間隔件區(qū)域和第二間隔件區(qū)域包括第一介電材料。在一些實(shí)施例中，在形成第一間隔件區(qū)域和第二間隔件區(qū)域之后，在半導(dǎo)體襯底中嵌入應(yīng)力體材料以提高晶體管的性能。在一些情況下，應(yīng)力體包括嵌入襯底的SiGe、SiC或者二者。
[0049]在912中，工藝900包括至少去除多晶硅的第三區(qū)域以及鰭部件形成在多晶硅的第三區(qū)域下方的至少一部分以在多晶硅的第一區(qū)域和多晶硅的第二區(qū)域之間形成間隙。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)在襯底上方放置掩模來(lái)形成間隙，其中掩模包括與多晶硅的第三區(qū)域的位置相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口。在一些情況下，在掩模被放置在襯底上方的同時(shí)，經(jīng)由蝕刻去除多晶硅的第三區(qū)域和鰭部件的至少一部分。此外，襯底位于鰭部件下方的部分也可以被蝕刻，使得間隙在由襯底的平坦表面形成的平面下方延伸。
[0050]在914中，工藝900包括在多晶硅的第一區(qū)域和多晶硅的第二區(qū)域之間的間隙中設(shè)置第二介電材料來(lái)形成隔離區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施例中，隔離區(qū)域具有小于30nm的寬度。此夕卜，在一些情況下，第一介電材料不同于第二介電材料。具體地，第一介電材料的介電常數(shù)的值大于第二介電材料的介電常數(shù)。
[0051 ] 本發(fā)明的其他方面還涉及以下條目中的一個(gè)或多個(gè)。
[0052]第I條。一種裝置，包括:襯底，包括表面，該表面包括平坦部分和鰭部件，鰭部件在基本垂直于平坦部分的方向上延伸并且厚度小于襯底的厚度；第一晶體管，第一晶體管包括形成在鰭部件上方的第一柵極區(qū)域、由鰭部件的主體形成的第一源極區(qū)域和由鰭部件的主體形成的第一漏極區(qū)域；第二晶體管，第二晶體管包括形成在鰭部件上方的第二柵極區(qū)域、由鰭部件的主體形成的第二源極區(qū)域和由鰭部件的主體形成的第二漏極區(qū)域；以及隔離組件，形成在第一晶體管和第二晶體管之間，其中隔離組件具有小于30nm的寬度。
[0053]第2條。根據(jù)第I條所述的裝置，其中:鰭部件具有基本為矩形的形狀；鰭部件包括在基本垂直于平坦部分垂直的方向上延伸的四個(gè)側(cè)面；以及鰭部件包括基本平行于平坦部分的附加側(cè)面。
[0054]第3條。根據(jù)第I條所述的裝置，其中:第一晶體管的第一漏極區(qū)域與隔離組件相鄰；以及第二晶體管的第二源極區(qū)域與隔離組件相鄰。
[0055]第4條。根據(jù)第I條所述的裝置，其中，隔離組件的寬度在9nm至ISnm的范圍內(nèi)。
[0056]第5條。根據(jù)第I條所述的裝置，其中:在襯底的表面的平面部分上設(shè)置層；該層包括第一介電材料；以及隔離組件包括第二介電材料。
[0057]第6條。一種裝置，包括:襯底，包括表面，其中該表面包括平坦部分和鰭部件，鰭部件在基本垂直于平坦部分的方向上延伸并且厚度小于襯底的厚度；層，形成在襯底的表面的平坦部分上方，該層包括第一介電材料；第一晶體管，其中第一晶體管包括設(shè)置在鰭部件的至少兩個(gè)側(cè)面上的第一柵極區(qū)域、由鰭部件的主體形成的第一源極區(qū)域和由鰭部件的主體形成的第一漏極區(qū)域；第二晶體管，其中第二晶體管包括形成在鰭部件的至少兩個(gè)側(cè)面上的第二柵極區(qū)域、由鰭部件的主體形成的第二源極區(qū)域和由鰭部件的主體形成的第二漏極區(qū)域；以及隔離組件，形成在第一晶體管和第二晶體管之間，其中隔離組件包括不同于第一介電材料的第二介電材料。
[0058]第7條。根據(jù)第6條所述的裝置，其中第一介電材料的介電常數(shù)的值大于第二材料的介電常數(shù)的值。
[0059]第8條。根據(jù)第6條所述的裝置，其中第一介電材料包括5102或SiN中的一個(gè)。
[0060]第9條。根據(jù)第6條所述的裝置，其中隔離組件包括第三介電材料，第三介電材料不同于⑴第一介電材料和(ii)第二介電材料。
[0061]第10條。根據(jù)第9條所述的裝置，其中:隔離組件包括用第三介電材料填充的腔；以及至少通過(guò)第二介電材料包圍腔。
[0062]第11條。根據(jù)第6條所述的裝置，其中隔離組件的寬度在6nm至29nm的范圍內(nèi)。
[0063]第12條。根據(jù)第6條所述的裝置，其中襯底包括附加鰭部件，并且襯底還包括:第三晶體管，其中第三晶體管包括設(shè)置在附加鰭部件的至少兩個(gè)側(cè)面上的第三柵極區(qū)域、由附加鰭部件的主體形成的第三源極區(qū)域和由鰭部件的主體形成的第三漏極區(qū)域；第四晶體管，其中第四晶體管包括設(shè)置在附加鰭部件的至少兩個(gè)側(cè)面上的第四柵極區(qū)域、由附加鰭部件的主體形成的第四源極區(qū)域和由附加鰭部件的主體形成的第四漏極區(qū)域；以及附加隔離組件，形成在第三晶體管和第四晶體管之間。
[0064]第13條。一種方法，包括:在包括硅的襯底的表面的一部分上形成鰭部件，其中鰭部件在垂直于襯底的表面的平坦部分的方向上延伸；在襯底的鰭部件的第一部分上方形成多晶硅的第一區(qū)域；在襯底的鰭部件的第二部分上方形成多晶硅的第二區(qū)域；在襯底的鰭部件的第三部分上方形成多晶硅的第三區(qū)域，其中多晶硅的第三區(qū)域設(shè)置在(i)多晶硅的第一區(qū)域和(ii)多晶硅的第二區(qū)域之間；在(i)多晶硅的第一區(qū)域和(ii)多晶硅的第三區(qū)域之間形成第一間隔件區(qū)域，其中第一間隔件區(qū)域包括第一介電材料；在(i)多晶硅的第二區(qū)域和(ii)多晶硅的第三區(qū)域之間形成第二間隔件區(qū)域，其中第二間隔件區(qū)域包括所述第一介電材料；至少去除(i)多晶硅的第三區(qū)域和(ii)在多晶硅的第三區(qū)域下方形成的鰭部件的至少一部分，從而在(i)多晶硅的第一區(qū)域和(ii)多晶硅的第二區(qū)域之間形成間隙；以及將第二介電材料設(shè)置在⑴多晶硅的第一區(qū)域和(ii)多晶硅的第二區(qū)域之間的所述間隙中，以形成隔離組件。
[0065]第14條。根據(jù)第13條所述的方法，還包括:在襯底上方放置掩模，掩模包括與多晶硅的第三區(qū)域的位置相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口 ；以及根據(jù)掩模的圖案蝕刻⑴多晶硅的第三區(qū)域和
(ii)鰭部件的至少一部分。
[0066]第15條。