W將釋放層施加到操 作體（S11)，同時可W將粘合層施加到器件晶片（步驟S12)。然而，根據(jù)其他的示例性方法， 可W將釋放層施加到操作體，然后可W將粘合層施加到釋放層。
[0037] 釋放層總是被夾置在玻璃與粘合劑之間。之后，可W將器件晶片接合到操作體 (步驟S13)，使得釋放層和粘合層被設(shè)置在器件晶片與操作體之間。所述接合可W包括在 真空環(huán)境中在受控的熱和壓力下物理地使器件晶片和操作體合在一起，例如在大量可購買 到的接合工具中的任何一種中提供所述真空環(huán)境。
[003引在器件晶片被成功地接合到操作體之后，可W進(jìn)行期望的加工（步驟S14)。加工 可W包括諸如圖案化、蝕刻、減薄等的處理步驟，直到器件晶片實(shí)現(xiàn)其期望狀態(tài)。之后，可W 檢查器件晶片的電路（步驟S15)?？蒞進(jìn)行對器件電路的檢查W確保器件晶片已被正確地 加工。例如可W使用高質(zhì)量顯微鏡或其它成像形式進(jìn)行光學(xué)檢查。可W透過操作體進(jìn)行光 學(xué)檢查，所述操作體如上所述可W是透明的。器件電路的光學(xué)檢查也可W透過釋放層和粘 合層進(jìn)行，因?yàn)獒尫艑雍驼澈蠈又械拿恳徽咭部蒞是透明的。
[0039] 光學(xué)檢查可W在所有的加工完成之后進(jìn)行，并且/或者在晶片的加工期間的任何 階段進(jìn)行。根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例，光學(xué)檢查可W在一個或多個可能產(chǎn)生缺陷的 關(guān)鍵加工步驟之后進(jìn)行。如果光學(xué)檢查的結(jié)果確定在器件晶片中存在缺陷，則可W當(dāng)場報(bào) 廢該器件晶片并且可W取消后續(xù)的加工。由于可W透過操作體光學(xué)檢查器件晶片，不需要 為了進(jìn)行測試而從操作體去除器件晶片，因此可w比其它方式在加工的較早階段檢測到缺 陷。另外，等到已經(jīng)組裝整個3D疊層之后才進(jìn)行測試可能導(dǎo)致整個3D疊層報(bào)廢，由此顯著 降低產(chǎn)率并且顯著增加制造成本。此外，透過玻璃看見接合界面是有用的，該是因?yàn)榭蒞驗(yàn) 證加工未在接合粘合劑本身中產(chǎn)生小的空洞，所述空洞可導(dǎo)致減薄和真空加工期間的產(chǎn)率 損失。因?yàn)榭蒞在加工的早期階段知道諸如該些的缺陷的存在，因此可W避免對缺陷晶片 進(jìn)行的后續(xù)加工步驟。
[0040] 在諸如上面討論的3M光熱轉(zhuǎn)換（LT肥）方法的現(xiàn)有技術(shù)方法中不存在該種光學(xué)檢 查器件晶片的機(jī)會，在LT肥方法中LT肥層必須是不透明的W便能夠從紅外激光曝光產(chǎn)生 熱。
[0041] 在對器件晶片進(jìn)行了檢查和任何必要的修復(fù)之后，可W進(jìn)行激光燒蝕處理W從操 作體分離器件晶片（步驟S16)。可W透過透明的操作體將釋放層暴露于UV激光，來進(jìn)行激 光燒蝕。一旦暴露于UV激光，釋放層可W燃燒、破裂化reakdown)或W其它方式分解。該 與上面討論的3MLT肥方法形成對比，在LT肥方法中，LT肥層由于暴露于紅外激光而產(chǎn)生 熱，所述熱轉(zhuǎn)而將粘合層軟化到器件晶片可W從操作體剝落的程度。因此，根據(jù)本發(fā)明的示 例性實(shí)施例的釋放層包括在暴露于UV激光下時破裂的材料。由于在該處理期間粘合層可 W保持為硬的，因此器件晶片連同粘合層可W容易地從操作體去除。在期望時，可W使用各 種加工技術(shù)從器件晶片去除粘合層的剩余部分。
[0042] 由于釋放層在分離過程中燃燒掉，與諸如上面討論的3MLTHC方法的常規(guī)技術(shù)相 比，該分離可W顯著更干凈。
[0043] 在激光燒蝕已導(dǎo)致器件晶片從操作體分離之后，可W例如通過簡單地拉開操作 體來從操作體容易地去除器件晶片，并且可W對器件晶片進(jìn)行清潔W去除粘合劑（步驟 S17) 〇
[0044] 圖2是示例出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例將器件晶片與操作晶片接合和剝離的 示意圖。器件晶片21可W是要被加工例如要被添加到3D疊層的娃晶片，例如，3D1C中的 層或者要被包含在3D封裝體中的1C。然而，可W在接合之前加工該器件晶片21，在接合 之前器件晶片21可W是全厚度晶片。可W將器件晶片21接合到操作體W在隨后的加工 過程中為其提供結(jié)構(gòu)支撐，所述隨后的加工可包括將器件晶片21減薄到不再帶來承受必 須要進(jìn)行的特定加工步驟所需的結(jié)構(gòu)完整性的程度。器件晶片不需要包含娃，可W替代地 包含備選的半導(dǎo)體材料。器件晶片21最初可W是全厚度晶片，并且隨后可W被減薄到約 200ym-20ym的尺寸。
[0045] 操作體22可W是透明基板，并且可W包括例如Borofloat玻璃。操作體可W足夠 厚W便為與其接合的器件晶片21提供結(jié)構(gòu)完整性。例如，操作體可W為約650ym厚。
[0046] 如上所述，粘合層23和釋放層24可W被設(shè)置在器件晶片21與操作體22之間。 根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實(shí)施例，釋放層24被直接設(shè)置在操作體22上。釋放層24可W包 括在激光燒蝕期間使用的激光的UV波長附近高度?？趶?qiáng)烈吸收的材料。由于本發(fā)明的示 例性實(shí)施例可W采用例如波長為355nm或波長在355nm附近的UV激光器，因此釋放層24 可W包括高度吸收UV光，特別地，波長為355皿的光的材料。釋放層24本身可W包括粘合 劑，但是至少由于下文討論的原因，釋放層24可W是與粘合層23是完全不同的層。
[0047] 釋放層24可W包括例如為基于聚酷亞胺的粘合劑的皿3007,該粘合劑可W被旋 涂施加并且在350°C下固化。釋放層可W為約6ym厚。皿3007及類似材料的熱塑特性可W允許在釋放層24的施加期間釋放層24的材料W液態(tài)被施加并且流動W填充操作體22 的表面。該材料可W足夠強(qiáng)W承受隨后在被接合到與操作體22的同時可能對器件晶片21 進(jìn)行的常用的加工技術(shù)而不使釋放層24過早破裂。該些加工可包括晶片研磨、施加超過 260°C的熱、PECVD、CMP、200°C下的金屬瓣射、巧金屬濕法蝕刻、抗蝕劑剝離W及320°C下的 聚合物固化。
[0048] 此外，在皿3007可W耐受諸如上述的加工步驟的同時，其也可W強(qiáng)烈吸收UV光， 并且可W容易地被來自308mnm準(zhǔn)分子激光器的福射燒蝕。
[0049] 本身不是粘合劑、而是用作光刻中的下層的光學(xué)平面化材料的更有利的UV釋放 層的例子是化inEtsuODk38。大約lOOOA的該種材料的很薄的層可W被旋涂施加到玻 璃操作體并且在氮?dú)庵性?50°C下被固化。該材料非常強(qiáng)烈地吸收低于~360nm的UV波長 下并且快速分解，因此是用于355nm激光波長的極佳釋放層。
[0化0] 不管所使用的材料如何，釋放層24都可W包括能夠在所選的UV波長下被激光燒 蝕的材料。釋放層24例如可W通過將釋放層材料旋涂或噴灑在例如操作體上并且然后用 熱（例如350°C)和/或UV光固化該材料而產(chǎn)生?？蒞在將操作體22接合到器件晶片21 之前或者與之同時進(jìn)行釋放層材料的固化。
[0化1] 可W通過將粘合劑材料施加到器件晶片21或者施加到釋放層24來產(chǎn)生粘合層 23。粘合層23可W包括與用作釋放層24的材料不同的材料，并且特別地，粘合層23可W是并不強(qiáng)烈吸收用于燒蝕釋放層24的波長的光的粘合劑。盡管可W將任何數(shù)量的適當(dāng)?shù)?粘合劑用于該層，但是適當(dāng)?shù)恼澈蟿┑囊粋€例子是T0KA0206。例如可W通過將粘合劑材料 施加到器件晶片21來產(chǎn)生粘合層。可W使用熱（例如220°C)來固化粘合層23。
[0化2] 根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實(shí)施例，可W在進(jìn)行接合之前固化釋放層24。該樣，可 W使釋放層24的材料與粘合層23的材料之間的可能的不利的相互作用最小化?？蒞在諸 如Suss接合機(jī)的接合機(jī)中進(jìn)行所述接合，Suss接合機(jī)在220°C的溫度（粘合層23的材料 的固化溫度）下使用約SOOmbar的作用力。在接合時，器件晶片21可W通過粘合層23而 被接合到其上附著有釋放層24的操作體22。
[0053] 之后，可W進(jìn)行例如上文中詳細(xì)描述的加工、測試和修復(fù)。通過使用透明操作體， 例如由Borofloat玻璃制成的透明操作體，可W便于測試和檢查。
[0化4] 當(dāng)完成了所述加工、測試和修復(fù)