想到將電感器250作為放大器等的匹配電路或?yàn)V波器電路而搭載于MMIC上的情況。在此情況下，由于晶體管的制造波動(dòng)而可能產(chǎn)生特性變化，但能夠?qū)ε渚€間距離進(jìn)行修正，以不引起該特性變化。修正配線間距離與改變電感器的匝數(shù)相比更容易。
[0082]在電感器250中，采用了將配線61A、62A作為配線間距離變近的配線，但是，也可以采用其他配線而設(shè)置配線間距離近的部分。此外，如果將第2繞組的配線設(shè)置于第I繞組的正上方、第3繞組的正下方，則能夠使相對(duì)于第I繞組的耦合電容和相對(duì)于第3繞組的耦合電容同時(shí)改變，因此效率高。
[0083]實(shí)施方式7
[0084]本發(fā)明的實(shí)施方式7所涉及的電感器，涉及將實(shí)施方式2所涉及的電感器90的第2繞組和第3繞組的位置進(jìn)行變更后的電感器。圖15是本發(fā)明的實(shí)施方式7所涉及的電感器300的剖面圖。配線61B僅經(jīng)由絕緣膜32a與配線51接觸。配線61B通過將電介體膜32b的一部分開口并填埋該開口而形成。配線62A、63、64經(jīng)由絕緣膜32a和電介體膜32b與第I繞組接觸。因此，第I繞組和第2繞組的垂直距離(最短距離)隨著位置的不同而不同。
[0085]第3繞組的配線72A僅經(jīng)由絕緣膜34a與配線62A接觸。配線72A通過將電介體膜34b的一部分開口并填埋該開口而形成。配線72的除了配線72A以外的部分經(jīng)由絕緣膜34a和電介體膜34b與第2繞組接觸。因此，第2繞組和第3繞組的垂直距離(最短距離)隨著位置的不同而不同。
[0086]如上所述，配線61B和配線51僅經(jīng)由絕緣膜32a接觸，因此，能夠增加第I繞組和第2繞組的耦合電容。另外，配線72A和配線62A僅經(jīng)由絕緣膜34a接觸，因此，能夠增加第2繞組和第3繞組的耦合電容。圖16是表示實(shí)施方式7所涉及的電感器300、實(shí)施方式6的電感器250、實(shí)施方式2的電感器90的頻率特性的圖。根據(jù)電感器300，與電感器250及電感器90相比能夠使截止頻率移向低頻側(cè)。
[0087]此外，隨著希望實(shí)現(xiàn)的頻率特性的不同，也可以采用配線61B和配線72A中的某一個(gè)。至此為止說明的各實(shí)施方式所涉及的電感器和MMIC的特征，也可以適當(dāng)?shù)亟M合。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電感器，其特征在于，具有: 第I繞組； 輸入端子，其與所述第I繞組的最外周部分電連接； 第I絕緣膜，其在所述第I繞組之上以覆蓋所述第I繞組的方式形成； 第2繞組，其形成于所述第I絕緣膜之上； 第2絕緣膜，其在所述第2繞組之上以覆蓋所述第2繞組的方式形成； 漩渦狀的第3繞組，其形成于所述第2絕緣膜之上； 多個(gè)連接導(dǎo)體，它們?cè)诙鄠€(gè)部位將所述第I繞組與所述第2繞組以越是所述第I繞組和所述第2繞組的外側(cè)部分越先傳送信號(hào)的方式連接； 中央部連接導(dǎo)體，其將所述第I繞組的中央部分或所述第2繞組的中央部分與所述第3繞組的中央部分連接；以及 輸出端子，其與所述第3繞組的最外周部分電連接。
2.—種電感器，其特征在于，具有: 漩渦狀的第I繞組； 輸入端子，其與所述第I繞組的最外周部分電連接； 第I絕緣膜，其在所述第I繞組之上以覆蓋所述第I繞組的方式形成； 第2繞組，其形成于所述第I絕緣膜之上； 第2絕緣膜，其在所述第2繞組之上以覆蓋所述第2繞組的方式形成； 第3繞組，其形成于所述第2絕緣膜之上； 中央部連接導(dǎo)體，其將所述第I繞組的中央部分與所述第2繞組的中央部分或所述第3繞組的中央部分連接； 多個(gè)連接導(dǎo)體，它們?cè)诙鄠€(gè)部位將所述第2繞組與所述第3繞組以越是所述第2繞組和所述第3繞組的內(nèi)側(cè)部分越先傳送信號(hào)的方式連接；以及輸出端子，其與所述第3繞組的最外周部分電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電感器，其特征在于， 在所述第I繞組的下層具有: 漩渦狀的第I追加繞組，其在最外周部分與所述輸入端子連接； 漩渦狀的第2追加繞組，其形成于所述第I追加繞組之上； 追加中央部連接導(dǎo)體，其將所述第I追加繞組的中央部分與所述第2追加繞組的中央部分連接；以及 追加連接導(dǎo)體，其將所述第I繞組的最外周部分與所述第2追加繞組的最外周部分連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電感器，其特征在于， 所述第2繞組形成為避開所述第I繞組的正上方，所述第3繞組形成于所述第I繞組的正上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電感器，其特征在于， 所述第2繞組的一部分位于所述第I繞組的正上方、所述第3繞組的正下方，所述第2繞組的一部分與所述第I繞組平行地延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電感器，其特征在于， 所述第I繞組和所述第2繞組的垂直距離隨著位置的不同而不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電感器，其特征在于， 所述第2繞組和所述第3繞組的垂直距離隨著位置的不同而不同。
8.一種MMIC，其特征在于，具有: 基板； 晶體管，其形成于所述基板； 電阻元件，其形成于所述基板； 電容器，其形成于所述基板；以及 電感器，其形成于所述基板， 該電感器具有: 第I繞組； 輸入端子，其與所述第I繞組的最外周部分電連接； 第I絕緣膜，其在所述第I繞組之上以覆蓋所述第I繞組的方式形成； 第2繞組，其形成于所述第I絕緣膜之上； 第2絕緣膜，其在所述第2繞組之上以覆蓋所述第2繞組的方式形成； 漩渦狀的第3繞組，其形成于所述第2絕緣膜之上； 多個(gè)連接導(dǎo)體，它們?cè)诙鄠€(gè)部位將所述第I繞組與所述第2繞組以越是所述第I繞組和所述第2繞組的外側(cè)部分越先傳送信號(hào)的方式連接； 中央部連接導(dǎo)體，其將所述第I繞組的中央部分或所述第2繞組的中央部分與所述第3繞組的中央部分連接；以及 輸出端子，其與所述第3繞組的最外周部分電連接。
9.一種MMIC，其特征在于，具有: 基板； 晶體管，其形成于所述基板； 電阻元件，其形成于所述基板； 電容器，其形成于所述基板；以及 電感器，其形成于所述基板， 該電感器具有: 漩渦狀的第I繞組； 輸入端子，其與所述第I繞組的最外周部分電連接； 第I絕緣膜，其在所述第I繞組之上以覆蓋所述第I繞組的方式形成； 第2繞組，其形成于所述第I絕緣膜之上； 第2絕緣膜，其在所述第2繞組之上以覆蓋所述第2繞組的方式形成； 第3繞組，其形成于所述第2絕緣膜之上； 中央部連接導(dǎo)體，其將所述第I繞組的中央部分與所述第2繞組的中央部分或所述第3繞組的中央部分連接； 多個(gè)連接導(dǎo)體，它們?cè)诙鄠€(gè)部位將所述第2繞組與所述第3繞組以越是所述第2繞組和所述第3繞組的內(nèi)側(cè)部分越先傳送信號(hào)的方式連接；以及輸出端子，其與所述第3繞組的最外周部分電連接。
【專利摘要】本發(fā)明的目的是提供一種將在大于或等于3層的奇數(shù)層形成的繞組重疊而成的電感器，能夠利用簡單的結(jié)構(gòu)與端子連接。具有：第1繞組；輸入端子，其與該第1繞組最外周部分電連接；第1絕緣膜，其在該第1繞組之上以覆蓋該第1繞組的方式形成；第2繞組，其形成于該第1絕緣膜之上；第2絕緣膜，其在該第2繞組之上以覆蓋該第2繞組的方式形成；漩渦狀第3繞組，其形成于該第2絕緣膜之上；多個(gè)連接導(dǎo)體，它們?cè)诙鄠€(gè)部位將該第1繞組與該第2繞組以越是該第1繞組和該第2繞組外側(cè)部分越先傳送信號(hào)的方式連接；中央部連接導(dǎo)體，其將該第1繞組中央部分或該第2繞組中央部分與該第3繞組中央部分連接；以及輸出端子，其與該第3繞組最外周部分電連接。
【IPC分類】H01L27-02, H01F27-28, H01F27-30
【公開號(hào)】CN104715903
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410790122
【發(fā)明人】塚原良洋
【申請(qǐng)人】三菱電機(jī)株式會(huì)社
【公開日】2015年6月17日
【申請(qǐng)日】2014年12月17日
【公告號(hào)】DE102014225049A1, US20150170827